JP2001503183A - 電気的アドレス可能受動素子、その電気的アドレシング方法、ならびに素子および方法の使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 データの登録、格納および／または処理のための電気的アドレス可能受動素子は、物理的または化学的状態変化を呈することができる、連続的またはパターン化構造（Ｓ）という形態の機能性媒体（１）を備える。機能性媒体（１）は、個個にアドレス可能なセル（２）を備え、登録または検出値を表わし、当該セルに対して所定の論理値が割り当てられる。セル（２）は、電極手段（Ｅ）内のアノード（３）とカソード（４）との間に配され、電極手段（Ｅ）はセル内の機能媒体と接触し、それを介した電気的結合を行う。機能性媒体は、非線形インピーダンス特性を有し、これによってセル（２）に直接エネルギを供給し、セルの状態に変化を与えることができる。受動素子の電気的アドレシング方法では、アドレシングが、とりわけ、検出および登録のための動作、ならびにセルに割り当てられた論理値の書き込み、読み出しおよびスイッチングのための動作から成り、電気エネルギをセルの機能性媒体に直接印加し、その状態を変化させ、アドレシング動作を実行する。光検出手段、立体データ記憶素子、またはデータ処理素子において使用する。

Description

【発明の詳細な説明】 電気的アドレス可能受動素子、その電気的アドレシング方法、 ならびに素子および方法の使用 本発明は、データの登録、格納および／または処理のための電気的アドレス可 能受動素子であって、実質的に層状の連続またはパターン化構造の形態の機能性 媒体を備え、この機能性媒体が、適切なエネルギの影響によって物理的または化 学的状態変化を呈することができ、機能性媒体が、二次元パターンに形成した、 個々にアドレス可能な受動セルから成り、セルにおける所与の物理的または化学 的状態が登録または検出された値を表わし、当該セルに対する所定の論理値が割 り当てられている素子と、データの登録、格納および／または処理のための受動 素子の電気的アドレシング方法であって、素子が実質的に層状の連続またはパタ ーン化構造の形態の機能性媒体を備え、機能性媒体が、適切なエネルギの影響に よって物理的または化学的状態変化を呈することができ、機能性媒体が、二次元 パターンに形成した、個々にアドレス可能なセルから成り、セルにおける所与の 物理的または化学的状態が登録または検出される値を表わし、当該セルに対する 所定の論理値が割り割り当てられており、アドレシングがセル内における登録ま たは検出値の検出のための動作と、セルに割り当てられた論理値の書き込み、読 み出し、消去およびスイッチングのための追加動作とから成り、セルの機能性媒 体に直接電気エネルギを供給し、セルの物理的および／または化学的状態を検出 または変化させ、したがってアドレシング動作を行わせる方法に関する。 また、本発明は、前述の電気的アドレス可能受動素子の使用、およびその電気 的アドレシング方法にも関するものである。 特に、本発明は、ＲＯＭ型データ・メモリ、ＷＯＲＭ型、または消去し再度書 き込み可能なデータ・メモリを実現するために用いることができる論理素子、お よびかかるメモリを純粋に電子的な手段によってアドレスする方法に関する。 更に特定すれば、本発明は、メモリ媒体が実質的に有機材料から成り、アドレ シングがメモリ媒体に直接または間接的に接触する導電体の受動マトリクス上で 行われる、データ・メモリのアドレシングに関する。 例えば、データの格納または処理のための電子的アドレシングまたは論理素子 は、今日では無機固体技術、特に結晶シリコン素子と同義語である。かかる素子 は技術的および商業的に非常に成功していることはそれら自体が示しているが、 これらには多数の欠点がある。特に、これらにはアーキテクチャが複雑であると いう問題があり、高コスト化およびデータ格納密度の逸失を招いている。無機半 導体材料に基づく揮発性半導体メモリの大きな部分集合(subgroup)では、回路に は常に電流を供給しなければならず、その結果加熱や、格納した情報を維持する ための高電力消費が発生する。一方、不揮発性半導体素子はこの問題を回避する ものの、データ・レートの低下、高電力消費および高度な複雑化を招く。半導体 材料に基づくメモリ・チップには、多数の異なるアーキテクチャが実施されてお り、異なるタスクに関する特殊化の傾向を反映している。平面におけるメモリ位 置のマトリクス・アドレシングは、大多数のアクセス可能メモリ位置が得られる 簡単で効果的な方法であり、電気的アドレシングには適度な本数のラインで済む 。各方向毎にｎ本のラインを有する正方形格子では、メモリ位置の数はしたがっ てｎ²となる。いずれの形式でも、これは基本原理であり、現在では多数の固体 半導体メモリにおいて実施されている。これらの場合、しかしながら、各メモリ 位置は、格子の交差点を経由して外部に伝達する専用の電子回路、および揮発性 または不揮発性メモリ・エレメント、典型的に、電荷蓄積部(charge storage un it)を有さなければならない。 本技術分野では、有機メモリ媒体の使用に基づいたアドレス可能受動メモリ・ エレメントを実現しようとする多数の素子が提案されてきた。即ち、ＪＰ−Ａ− ４−１４５６６４（タケダ。キャノン株式会社に譲渡）から、下側および上側電 極の間に薄膜を配し、下型の電極を適切な基板上に配し、上側電極を下側電極と 垂直に交差させた、有機電子エレメントが知られている。電極間の電圧を変化さ せることにより、有機薄膜の導電性に影響が現れる。この導電性を永続的に維持 し、１対の電極間の薄膜におけるメモリ状態を表わすために用いることができる 。しかしながら、大きな受動マトリクスにおけるアドレシングにこの方法および 素子をどのように用いるのかについては、教示が与えられていない。 ＪＰ−Ａ−６２−９５８８３（ヤマモト。キャノン株式会社に譲渡）は、ガラ ス基板上に銅を堆積することによって第１下側電極を形成し、電極上に電荷転送 有機金属錯体(charge-transfer organometallic complex)、この場合はＣｕ−Ｔ ＣＮＱの薄膜を堆積し、その後薄膜上にアルミニウム・ペーストを被着すること によって上側電極を形成した、メモリ・セルを開示する。第１電極の電位が第２ 電極の電位よりも高い場合、電界がスレショルド強度に達するまで、薄膜は高抵 抗状態に保持され、その後低抵抗状態に切り替られる。ここには、かかるメモリ ・エレメントを単純に大型受動マトリクスに設けることができるという教示は与 えられていない。しかしながら、同一発明者および出願人によるＪＰ−Ａ−６２ −９５８８３にもあるように、一般的に、メモリ媒体が電荷転送型の有機錯体化 合物(organic complex compound)の形態である双安定スイッチング可能薄膜であ り、アドレシングのために各メモリ・エレメントにおいてトランジスタ・スイッ チを用いるメモリ素子を形成することは周知である。 ＪＰ−Ａ−３−１３７８９６（タオモト。松下技研株式会社に譲渡）でも、電 界の印加によって高抵抗状態と低抵抗状態との間で双安定的にスイッチング可能 な有機薄膜を使用し、電界を取り去った後に一時的に抵抗状態を維持する、メモ リ・エレメントが提案されている。更に、このエレメントは高温では非常に高速 に状態を変化させることができるが、温度が低いと速度は低下する。この場合も 、有機薄膜が上側電極と下側電極との間に位置し、基板上に配されている。スイ ッチングは温度が上昇するに連れて高速化すると述べられているが、この種のメ モリ・エレメントを大型受動マトリクスに使用することや、これが受動マトリク ス・アドレシングに適しているか否かについては、何も言及していない。更に、 ＪＰ−Ａ−３−１３７８９４（アサカワ。松下技研株式会社に譲渡）から、上側 および下側電極マトリクス間に薄膜を設けることが知られている。実際には、こ のマトリクスは、６ｘ１１マトリクスとして示されており、したがって合計６６ 個のエレメントを有する。薄膜は、蒸着したフタロシアニン膜(phtalocyanine f ilm)である。スレショルド値よりも高い電圧を電極の交点に印加すると、オン状 態が格納される。スレショルド値に等しい電圧を印加すると、交点には光が照射 され、オン状態がこの部分に格納され、光の形態で供給された情報を直接マト リクス内に書き込むことができる。逆電圧を交点に印加すると、オン状態は消去 される。したがって、電気信号および光信号双方によるメモリ機能を実現する構 造が得られる。ここでは６ｘ１１マトリクスを用いているが、この双安定スイッ チング可能メモリ・エレメントは、多数のメモリ・エレメントを有する受動マト リクスにおけるアドレシングの際に、エラーなく機能するかは全く不明である。 最後に、Z．Y．Hua（Ｚ．Ｙ．フア）およびG.R．Chen（Ｇ．Ｒ．チェン）によ る"A new material for optical，electrical and electronic thin film memor y"（光学、電気および電子薄膜メモリのための新たな材料）という論文(Vacuum 43，No.．11，pp．1019-1023(1992))において、異なる条件下で熱、電界または 光線という形態のエネルギを供給することによって双安定的にスイッチング可能 なメモリ・エレメントの実現を可能にする、新たなカテゴリの消去可能メモリ媒 体が記載されている。これらのメモリ媒体は、７，７，８，８−テトラシノキノ ジメタン（Ｃ₁₂Ｈ₄Ｎ₄：tetracynoquinodimetan）に形成された前述の有機金属 電荷転送錯体Ｍ（ＴＣＮＱ）を基本とし、これが電子濃厚ドナー(electron-rich donor)としての異なる金属（Ｍ）に対して、電子受容分子として作用する。Hua &Chenは、例えばアルミニウム製の１組の下側電極と、下側電極に対して垂直に 向けられている例えば銅の１組の上側交差平行電極との間に、例えば、Ｃｕ（Ｔ ＣＮＱ）を基本とするスイッチング・エレメントのマトリクスを形成することに より、電気的消去可能メモリにおけるＭ（ＴＣＮＱ）の使用を提案する。著者ら は、この種の受動マトリクス・アドレシングに基づくメモリ素子を形成する場合 の迷走電流の問題に気付いており、誤った読み出しを回避するために、Ｃｕ（Ｔ ＣＮＱ）膜と下側電極との間に材料層を追加してショットキ・バリアを形成する ことを提案している。これにより、迷走電流の問題はほぼ解消され、Ｍ（ＴＣＮ Ｑ）をショットキ・バリアと組み合わせて用いることによって、大型受動マトリ クスにおけるメモリ・エレメントのアドレシングを実現することができる。この ように、データ格納のためのメモリ・エレメントの大型受動マトリクスにおける アドレシングによって迷走電流の問題を回避するためには、材料のエンジニアリ ング条件(engineering condition)を考慮しなければならないことがわかる。こ れは、純粋なメモリ機能に加えて、スイッチング、登録または検 出機能をマトリクスに実現したい場合、そして電流値および電圧値が大幅に変動 する可能性があり、ダイオード機能が常に必要な条件ではない場合に、特に重要 である。また、発光素子または光検出素子を有する受動マトリクスに電気的アド レシングを組み合わせることが望まれる場合もあり、特に、例えばｃｍ²当たり １０⁸個のエレメント即ちセルを有する受動マトリクスを実現したい場合に、使 用する材料に対する要求は一層厳しくなる。 一般的に、本出願人によって行われた総合的なシミュレーション試験が示すよ うに、受動マトリクスにおいて双安定または多安定スイッチング可能メモリ媒体 にアドレスすることは困難であり、アドレス可能性および信頼性高い検出の双方 に伴う問題は、マトリクス内のノード数が増大するに連れて単純に増加すること が分かっている。同じ試験によって、これらの問題は、特殊な電気的または電子 的特性を有する適切な材料を使用することによって克服可能であることも明確に 示された。 したがって、本発明の第１の主要な目的は、公知のデータ格納半導体素子に伴 う問題を回避し、完全に電子的なフォーマットでのデータの登録、格納および処 理のために、例えば、１ｃｍ²当たり約１０⁸個という膨大な数のセルのアドレシ ングを可能とし、しかも複雑化、高コスト、高電力消費、および揮発性格納とい うような欠点を招くことのない、電気的アドレス可能受動素子を提供することで ある。 更に、本発明の目的は、柔軟性のある技術的解決の可能性、および無機結晶半 導体に基づく対応する素子よりも格段に低いコストを提供する、有機材料の形態 の機能性媒体によって、電気的にアドレス可能な受動素子を実現することである 。 本発明の第２の主要な目的は、本発明による受動素子の電気的アドレシング方 法を提供することであり、特に、完全に電子的なフォーマットで受動マトリクス のアドレシングとしてこの方法を実現し、受動素子内の機能性媒体を実質的に有 機的な材料によって形成し、例えば、１ｃｍ²当たり約１０⁸個という膨大な数の ヤルを、データの登録、格納および／または処理のために実施することを目的と する。 最後に、本発明の目的は、前述の電気的アドレス可能受動素子および受動マト リクスにおけるアドレシング方法を用い、光検出手段を実施すること、あるいは データの格納および／または処理のために立体的に構造化したアドレス可能素子 を実施することである。 前述の目的および利点は、本発明によれば、セルが、当該セルにおける機能性 媒体に直接または間接的に接触する電極手段のアノードとカソードとの間に配さ れ、セルを介した直接または間接的電気結合を行い、これによってセルに電気的 エネルギを直接供給して、セルの物理的または化学的状態あるいはセルの物理的 または化学的状態の変化を検出すること、複数の実質的に平行な導電体を機能媒 体の各側に配し、上側および下側導体が実質的に直交相互関係で互いに交差する こと、セルの電極手段が各上側および下側電極間の交差点に形成され、機能性媒 体内のセルおよびそれらの割り当てられた電極手段がマトリクスの要素を形成し 、その行および列がそれぞれ上側および下側の導電体によって規定され、交差点 において、上側および下側の導電体が電極手段のアノードおよびカソードを形成 すること、およびセルの機能性媒体が、非線形インピーダンス特性を有し、機能 性媒体が１つ以上の実質的に有機的な材料から成る均質または重層構造として形 成されていることを特徴とする電気的アドレス可能受動素子によって達成され、 さらに、本発明によれば、セルの機能性媒体に非線形インピーダンス特性を与え 、１つ以上の実質的に有機的な材料から成る均質または重層構造を機能性媒体に 形成し、セル内の実質的に有機的な材料に直接または間接的に接触する電極手段 内のアノードとカソードとの間にセルを配し、セルに電圧を印加しセルを介した 直接または間接的電気結合を形成することによって、セルに電気エネルギを供給 することを特徴とする方法によって達成される。 本発明によれば、電気的アドレス可能受動素子および本発明による方法は、光 検出手段、および立体データ記億素子またはデータ処理素子に用いることができ る。 本発明によれば、好ましくは、セルは、アノードとカソードとの問に形成され た整流ダイオードを備え、前述の素子がかかるダイオードの電気ネットワークを 形成する。 本発明によれば、更に好ましくは、導電体は、機能性媒体内またはその上に配 されこれに直接接触するか、あるいは機能性媒体の各側、およびこれと導電体と の間に誘電体層を配し、導電体が機能性媒体に間接的に接触するようにする。更 に、導電体は、その各側において、機能性媒体に隣接する実質的に層状の基板内 またはその上に配されることが好ましい。 例えば、光検出手段を実現するためには、有利な態様では、機能性媒体の少な くとも一方の側にある導電体を透明材料で形成する。 好適な実施形態では、有機材料はポリマ材料から成り、このポリマ材料は共役 ポリマであることが好ましい。 好ましくは、有機材料は、異方性導電性材料であるか、あるいは電気エネルギ の印加によって光を放出可能な物質が添加され、およびこの有機材料が、印加さ れる電気エネルギによる発光および可能な発熱の影響の下で化学反応を起こし、 機能性媒体のインピーダンス変化を発生させるようにする。 好適な実施形態では、１つ以上の物質を有機材料に添加し、電気エネルギの印 加によって、異なる波長上または異なる波長帯域において、光を放出または検出 可能とするか、あるいは可溶微細結晶を、好ましくは、この有機材料の表面上ま たは表面内に添加している。 別の好適な実施形態では、有機材料は強誘電体液晶または強誘電体ポリマであ る。更に別の好適な実施形態では、この有機材料自体またはこの有機材料に添加 した物質が、ガラス相からアモルファス相にまたはその逆に転移可能であり、あ るいは、有機材料を多安定配座反応性有機材料としてもよい。 本発明による方法の好適な実施形態では、機能性媒体の各側に配されたそれぞ れ実質的に平行な導電体の間の交差点にセルを形成し、上側および下側導体が実 質的に直交相互関係で互いに交差するようにし、それぞれ、セルの電極手段内に アノードおよびカソードを備え、機能性媒体内のセルおよびそれらに割り当てら れた電極手段がマトリクス内の要素を形成し、その行および列を上側および導電 体によってそれぞれ規定する。 好ましくは、セル内における電荷の注入によって電気エネルギを供給する。 更に、本発明による方法では、セルは、高非線形電圧特性を有して形成される 。 好ましくは、セルにおける方法は、整流ダイオードで形成する。 電気エネルギの印加によって光を放出可能な物質を有機材料に添加し、放出光 が、恐らく電気エネルギの印加によって発生する熱と共に、この有機材料におけ る化学反応を引き起こし、有利な態様で機能性媒体のインピーダンスを変化させ ることができる。 電気エネルギの印加によって異なる波長上または異なる波長帯域において光を 放出可能な１つ以上の物質を有機材料に添加している場合、印加電気エネルギの 電圧値を変化させることによって放出光のスペクトル特性を変化させることが好 ましい。これに関して更に有利なのは、セルに割り当てられる論理値が、当該セ ルに高電圧値を印加し、低電圧値の印加の間光放出の検出によって論理値を読み 出すことによって切り替えられ、セルが、機能性媒体の物理的または化学的状態 に影響を与えない長波長光を放出し、長波長光の強度が論理値に依存することで ある。 有機材料が強誘電体液晶または強誘電体ポリマである場合、セルのインピーダ ンスを測定することによって、セルに割り当てられた論理値を検出することが好 ましい。 また、供給された電気エネルギが、抵抗熱によって機能性媒体の導電性を変化 させることにより、セルに割り当てられた論理値を切り替えることが好ましい。 更に、セルに割り当てられた論理値が、機能性媒体の導電性に非可逆的変化を 発生させることによって、非可逆的に切り替えられること、または機能性媒体と アノードおよびカソードそれぞれとの間の界面において非可逆的変化を発生させ ることによって、セルに割り当てられた論理値を非可逆的に切り替えることが好 ましい。 可溶性微細結晶が有機材料に添加されている場合、微細結晶の溶融を発生させ ることによって、セルに割り当てられた論理値を非可逆的に切り替えることが好 ましい。 また、有機材料自体またはこの有機材料に添加した物質が、ガラス相からアモ ルファス相にまたはその逆に転移可能であり、有機材料またはそれに添加された 前述の物質におけるガラス相およびアモルファス相間またはその逆の遷移を発生 させることによって、セルに割り当てらた論理値を可逆的に切り替えることが好 ましい。 有機材料が多安定配座反応性有機材料である場合、セル内に電界を発生するこ とによって、セルに割り当てられた論理値を可逆的に切り替えることが好ましい 。 これより、添付図面を参照しながら、本発明による電気的アドレス可能受動素 子および方法の実施形態の例に関して、本発明を詳細に論ずる。図面において、 図１ａは、本発明によるマトリクス・アドレス可能受動素子の好適な実施形態 を概略的に斜視図で示す。 図１ｂは、ダイオード・ネットワークとして実現した、図１における素子の等 価図である。 図２は、図１における素子のセルの一実施形態を概略的に示す。 図３は、図１における素子のセルの別の実施形態である。 図４は、立体データ記憶素子またはデータ処理素子において用いられる、本発 明による素子である。 図５は、本発明によるマトリクス・アドレス可能受動素子における、いわゆる 迷走電流または代替電流経路の問題を概略的に示す。 図６は、セルにおける光放出の発生によるアドレシングの一例である。 図７は、セルに有機発光ダイオードを用いたアドレシングの一例である。 図８は、セルおける強誘電体液晶材料を用いたアドレシングの一例である。 図１は、マトリクス・アドレス可能素子として実現した、本発明による電気的 アドレス可能受動素子を示す。機能性媒体(functional medium)１は、平面層Ｓ の形態で配されている。この機能性媒体は、非線形インピーダンス特性を有し、 異なる物質が添加される場合があり、所望の検出またはスイッチング機能を実現 する有機材料である。層Ｓの上面上には、複数の導電体ｍの形態の電気的アドレ シング用ラインが設けられ、層Ｓの下面上には、平行な導電体ｎの形態の電気的 アドレシング用ラインが対応して設けられており、導体ｍ，ｎは、これらがマト リクスを形成するように、互いに直交して設けられている。図１に示す素子はｘ 導体ｍおよびｙ導体ｎを有し、これらの導体は平面直交ｘ，ｙマトリクスを形成 する。素子内の論理セル２は、２つの交差する導電体ｍ，ｎ間の体積内に形成さ れている。図１ａでは、これは、ｋ番目の導体ｍと１番目の導体ｎとの間の交差 点におけるエレメント２_klの形成によって強調されている。全てのエレメント２ に整流機能を形成する場合、素子は、図１ｂの等価図に示すように、整流ダイオ ードの電気ネットワークで表わすことができる。 交差点における導体ｍ_kおよびｎ_lの逆側部分は、論理セル２_klの電極手段Ｅ_kl を共に構成し、電極手段におけるアノード３が導体ｍ_kとなり、電極手段におけ るカソード４が導体ｎ_lとなる。本発明のいくつかの目的のために、アドレシン グによるセル内の材料即ち機能性媒体は、電気的に検出可能な論理値を表わすこ とができる異なる物理的または化学的状態を想定することができるので、セル２_kl は同様に論理エレメントまたは論理セルとして示すことも可能である。 図２に概略的に示されている断面図において、機能性媒体１は、導体ｍ_k，ｎ_l 間の層という形態で設けられ、電極手段Ｅ_klのアノード３およびカソード４は、 それぞれ、導体ｍ_kの適切な部分、および導体間の交差点における導体ｎ_lの適切 な部分によって構成される。この交差点、即ち、アノード３とカソード４との間 には、受動論理セルが形成されている。図２では、導体ｍ_kと導体ｎ_lとの間に位 置することを示すために、２_klとして示されている。勿論、図２は、図１の一部 分に過ぎず、導体ｍ_kに沿った断面全体は、ｙ個の論理セル２およびｙ個の導体 ｎ_yを全て示すことは理解されよう。ｘ≠ｙの場合、勿論素子はｘ・ｙ個の論理 セルを有する矩形エリアを形成し、ｘ＝ｙの場合素子はｘ²個のセルを有する正 方形となる。 本発明による素子を更に複雑化した実施形態を、セル２を通る断面図として例 示して図３に示す。ここでは、導電体ｍは基板５上に設けられており、一方導電 体ｎは対応して基板６上に設けられている。図２に示すように、導体ｍ，ｎは、 直接機能性媒体１に接触し得るが、図３の実施例では、各導体ｍ，ｎ即ち基板５ ，６間に設けられた誘電体層７，８も示されている。したがって、電極手段Ｅは 、そのアノード３およびそのカソード４によって、もはや機能性媒体１には直接 接触せず、誘電体層７，８を介して間接的に接触し、セル２を通じて間接的電気 結合が形成される。この結合は、例えば、誘導性または容量性とすることができ る。誘電体層７，８がない場合、電極手段Ｅは勿論機能性媒体１に直接接触し、 対応する直接即ちオーミック結合がセル２を介して得られる。 端的に述べると、電極手段Ｅのアノード３とカソード４との間の体積は、その スケールが概略的に導体ｍ，ｎの幅およびそれらの間の距離、即ち、機能性媒体 １の厚さによって規定され、論理セル２を規定する。論理セル２は、例えば、光 検出器においては検出エレメント、データ記憶素子においてはメモリ・エレメン ト、またデータ処理素子においてはスイッチング・エレメントを形成する。 アノード３およびカソード４は、機能性媒体１を包囲し、電極手段Ｅ内に含ま れている。電極手段Ｅに電圧が印加されると、機能性媒体に物理的または化学的 状態変化が生ずる。これは、アノード３とカソード４との間の電気インピーダン スの変化を発生させ、このインピーダンス変化は、対象の電極手段Ｅを形成する 導電体ｍ，ｎ上で検出することができる。したがって、ｍおよびｎ間の各交差点 即ち各セル２における論理状態即ち論理値は、セル２の電極手段Ｅを形成する導 電体ｍ，ｎ間の電気インピーダンスを測定することによって、判定することがで きる。 ここで注記すべきは、従来技術のマトリクス・アドレス可能論理素子、例えば 、データ記憶素子と本発明との間には本質的な相違があるということである。後 者は、非線形インピーダンス特性を有し１種類以上の有機材料で形成された機能 性媒体を採用し、これは構造的柔軟性、動作的特徴およびコストに関して重要な 関係を有する。この種の機能性媒体を用いることの重要な特徴は、例えば、１ｃ ｍ²当たり１０⁸個のエレメントの密度で与えられる、１０⁶ないし１０⁸個のエレ メントというような非常に大きなマトリクスにおいても個別の能動回路エレメン トを交差点に必要としないので、純粋に受動的なアドレシングの広範囲にわたる 使用が可能となることである。 本発明による素子は、実質的に平面層状構造Ｓを形成する。これは、かかる層 状構造Ｓを層的に積層し、立体論理素子(volumetric logic device)、例えば、 立体メモリ素子を形成可能であることを示唆する。これは、例えば、図４におけ るように実現することができる。図４では、素子のセル２の行を通る断面図で示 す構造Ｓ₁，．．． Ｓ_Zの積層した層から成る、この種の立体素子を示す。図に は、セル２の１つが示されている。本発明による論理素子の実施形態およびマト リクスに基づくフォーマットでの電気的アドレシングに用いる方法は、同時に近 接アドレシング(proximity addressing)を実現する。即ち、アドレシング用信号 は、機能性媒体１に直接接続されて搬送され、電極手段Ｅ全体にこれが影響を及 ぼす。図４では、これは、構造Ｓ₁においてアノード３およびカソード４をそれ ぞれ有する論理セル２について示されている。数個の構造Ｓ₁，．．．Ｓ_Zが互い に積層されている場合、これらは、好ましくは、電気的、熱的または光学的に分 離可能な分離層９によって、互いに分離しなければならない。 原理上、素子の各セル２は、例えば、数１０ナノメートルの大きさの、非常に 小さい範囲を有し、例えば、機能性媒体１が例えばポリマ材の層を基本とする場 合には更に小さくなる。構造Ｓの厚さは対応して小さくなり、したがって、本発 明による素子は、近接するセルの電気的アドレシングの使用により、記憶密度お よび転送レート双方に関して非常に容量が大きな立体データ記憶素子を実施可能 とすることがわかる。本発明による素子は、近接アドレシングに基づいて立体実 施形態において実現され、原理的に対応して実施される光学データ記憶素子と非 常に類似性が高い。かかる光学データ記憶素子は、本出願人に属する国際出願Ｐ ＣＴ／ＮＯ９７／００１５４に開示され論じられている。その内容はこの言及に より本願にも含まれるものとする。したがって、図４における実施形態、ならび に立体的に実施したデータ格納またはデータ処理素子における本発明による素子 および方法の使用に関してこれ以上詳細には論ぜず、前述の特許出願に開示され ていることについてのみ言及することにする。 受動固体メモリが、例えば、可融性抵抗の使用と共に、大規模に実施されてい ない重大な理由は、導電体のネットワークにおける代替電流通路即ちいわゆる迷 走電流の問題のためである。この問題を図５に概略的に示す。図５においても、 導電体をｍ，ｎで示し、論理セル２_klは、導体ｍ_kと導体ｎ_lとの間の交差点に形 成されているものとして示されている。各交差点における論理セル２が、図５に 示すようなオーミック抵抗から成る場合、これは、アドレシング動作による電流 導体マトリクス内の所与の位置ｘ，ｙにおける抵抗変化が、図５に示すような代 替ループを通って漏洩する電流によって隠されることを意味する。位置ｘ＝ｋお よびｙ＝１にある論理セル２_klがアドレスされ、破線で示す電流経路に沿って電 流は隣接するセルに漏洩する。それぞれの導体ｍおよびｎ上のアドレシング 用の正しい電流経路は、太い連続線で示されている。迷走電流の問題は、電流導 体マトリクスのサイズが大きくなると、即ち、積ｘｙの大きさと共に単純に大き くなることがわかる。この問題を回避する２つの方法、即ち、整流ダイオードま たは高インピーダンス材料、例えば、液晶または配座反応性材料(conformation reactive material)の使用について、以下に論ずる。 迷走電流の問題を回避するために、例えば、交差点即ちセルに電気接続を与え ることによって、非常に非線形性が強い電流／電圧特性、つまり、迷走電流問題 を低減または解消する何かを発生させればよい。図５の検討から明らかなように 、これは、各交差点において抵抗に直列に整流ダイオードを備えることによって 得ることができる。その結果、本発明にとって非常に重要なのは、かかる整流ダ イオードのネットワークが単純かつ信頼性高く形成され、低コストであると同時 に、調節可能で非線形なインピーダンスという形態の適切なデータ搬送構造を作 成可能であるという点にある。例えば、チオフェン(tiophene)またはＰＰＶ型の 共役ポリマという形態の有機材料およびこの有機材料に対して適切に選択した電 極材料による機能性媒体を用いることによって、金属と有機材料との間の界面に おいてダイオード接合を形成することが可能となり、このダイオードには非常に 良好な整流特性を与えることができる。セルの機能性媒体を介した電気結合は、 後者のインピーダンス特性によって制御される。したがって、論理セルのアドレ シングは、例えば、図５に示すように、ｍ_kおよびｎ_l間の交点のような導体ｍお よびｎ間のインピーダンス変化を誘発し、これは多数の方法で得ることができる 。 以下に、本発明による電気的アドレシング方法の好適な実施形態の例を示す。 これらの例は、主にデータの論理セルへの書き込みおよび可能な読み出しを対象 とする。例１−ジュール加熱による書き込み 論理セルを介して導電体ｍ，ｎ間の交差点ｘ，ｙに供給される高電流が、有機 導電材を基本とする機能性媒体を加熱する。材料の正当な選択によって、そのバ ルク・インピーダンスは電流パルスによって可逆的または非可逆的に変化可能と なり、インピーダンス変化は、論理セルの電極手段Ｅを形成する導体ｍ，ｎ上の 測定によって読み取ることができる。 本発明による素子を、高記憶密度のデータ記憶素子として実施する場合、論理 セルは互いに非常に接近し、書き込み動作の間隣接するセルにインピーダンス変 化を発生させる熱拡散という形態のクロストークを回避することが重要となる。 したがって、達成可能な典型的な空間定義が熱拡散長によって表現できるように 、短い書き込みパルスを印加することが必須である。後者は、バルク・パラメー タや、加熱パルスの幾何学的形状および時間特性に依存する、明確な量である。 典型的に、１マイクロメートル未満の空間分解能を達成するためには、１マイク ロ秒未満のパルス幅が必要となる。 データの読み出しに特に関連するクロストークの別の形態は、有機バルク材料 で形成された機能性媒体における論理セル間の電流拡散である。これは、異方性 が強い電気コンダクタンスを有する有機材料、即ち、アノード３とカソード４と の間のセルを通過するコンダクタンスは高く、構造Ｓの延長方向即ちＳによって 形成されメモリ・セルからメモリ・セルへの層即ち面に沿ったコンダクタンスは 低い有機材料を用いることによって回避することができる。この種の特性を有す "Macromolecular microstructures"（微細構造における巨大分子）(Linkoping S tudies in Science and Technology，Dissertation No．432，Linkoping 1996、 特に、pp.49-51およびpp.134-158)に開示されている。参考のために、 トレムその他）の"Self organising polymer films-a route to novel electron ic devices based on conjugated polymers”（自己編成ポリマ膜−共役ポリマ に基づく新たな電子素子への道）をあげておく。理想的には、セルのインピーダ ンス特性は、読み出し動作中変化しないのがよい。これは、熱的に駆動されるプ ロセスは非常に非線形性が高い、即ち、スレショルドに依存しなければならない ことを暗示する。即ち、機能性媒体は、低ないし中電流では影響を受けず、高電 流において明確で急峻な遷移（非線形インピーダンス特性）を呈することを暗示 する。結晶性物質は、典型的に、明確な融点において熱駆動変化を示す。しかし ながら、ポリマやガラスのようなアモルファス物質では、かかる遷移は徐々にそ して広い温度範囲にわたって行われ、精度の低いパラメータの軟化温度また はガラス遷移温度を採用するのが一般的である（ビカー点）。 ポリマ系ダイオードの寿命が動作条件に強く依存し、破損に至る主要な原因が ジュール加熱であることの実験的記録は多数ある。しかしながら、あまり明確で ない熱遷移温度でも、かかるダイオードは、書き込みおよび読み出し動作間の区 別に関して先に示した要件を非常に良く満たしている。 融点駆動スレショルド機能は、ポリマおよびその他のダイオード材料では、微 細結晶(microcrystallite)を導通有機バルク材料に組み込むことによって、また は電極間の接触面を部分的に有機材料で覆い更に有機材料をそれで覆うことによ って達成することができる。後者の処置を実施する方法の１つは、素子を実装す る前に、電極表面上における微結晶の電極噴霧(electrode spraying)である。微 細結晶の効果は、溶融、例えば、電極材料に対する高い濡れ特性(wetting prope rty)による電流経路の機械的破壊により、横方向における拡散を促進すること、 または電流の伝搬を阻止する能動的物質の放出が考えられる。例２−光発生による書き込み 光に対する露出が有機材料における化学的改質を促進または加速することは良 く知られている。 本発明による素子の一実施形態では、有機バルク材料は、電流を印加すること によって活性化される発光有機化合物で全体的にまたは部分的に形成されている 。この種の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、現在商業的に開発中である。Ｏ ＬＥＤにおける劣化のメカニズムは、幅広い研究の主題であり、重要な結果は、 ダイオード・バルク材料への紫外線または青色光の照射に対する遮蔽であり、こ れは、長寿命を達成することに関して必須である。 本発明では、紫外線および／または青色光を放出するＯＬＥＤの励起によって 紫外線および青色光の強力かつ制御された局部的照射を実施可能であることを利 用する。以下で開示するが、典型的にＯＬＥＤジュール加熱を伴う照射の効果は 、２つの異なる方法で利用することができる。これらの内第１の方法は、論理セ ルにおけるインピーダンス変化を検出することに基づく読み出しであり、これら の内第２の方法は、ＯＬＥＤの発光特性における変化の検出に基づく読み出しで ある。 電力消費を極力抑え、アドレシング速度を上昇させるために、光誘発状態変化 を生ずる可能性が高い材料を選択する。これは、ＯＬＥＤの製造において通常で あることとは正反対の最適化、および以前にはＯＬＥＤの開発に関して受け入れ られてなかったある興味深い材料の使用を暗示する。この場合、しかしながら、 材料の選択に関して非常に大きな自由度がある。したがって、ＯＬＥＤにおける 発光成分の特定の刺激のために特別に作られる感光性フォト・イニシエータ(lig ht-sensitive photo initiator)を含む、相互作用材料系を用いることが可能で ある。かかる処置は、論理セルにおける機能性媒体および電極表面における材料 双方を対象とすることができる。例３−内部光発生による書き込みおよび直接インピーダンス測定による読み出し この場合、光の唯一の機能は、セル２の機能性媒体１の化学的改質を開始およ び／または加速することである。単純な概略的構造を図６に示す。ここでは紫外 線および／または青色光を放出するポリマを、電極手段のアノード３とカソード ４との間に配し、界面の一方において整流接合を形成する。順方向にバイアスす ることによって、そこを流れる電流が発生し、光が放出され、セル２の有機材料 と相互作用を行う。同時に、熱が発生し、熱として散逸する供給電気エネルギと 光の発生に用いられる供給電気エネルギとの関係は、機能性媒体および電気的励 起条件によって左右される。熱および光の結合効果は、１つまたは数個の関連す るメカニズムによって、セル内に化学変化を起こす。１つは、共役分子における チェーン分離であり、バルク材料の導電性を低下させ、各セルにおける直列抵抗 を変化させる。別のメカニズムは間接的であり、光の効果によって、添加した化 学種が化学的に反応性となり、セル内の導電性材料を攻撃する。後者の一例は、 赤外線および／または青色光による自由基の発生である。例４−内部光発生による書き込みおよび読み出し 概略的な構造を図７に示す。ここでは、各メモリ・セルは、微視的有機発光ダ イオード（ＯＬＥＤ）１０，１０’の混合から成り、これらはそれぞれ２つ以上 の波長の光を放出する。ＯＬＥＤ１０，１０’は、図７では、アノード３とカソ ード４との間に広がり、これらと接触する楕円ドメインとして示されている。例 えば、ドメイン１０は紫外線または青色光を放出し、ドメイン１０’は赤色光を 放出する場合が考えられる。本発明は、青および赤において発光し、セルの体積 内にランダムに供給されるＯＬＥＤに基づくことができるので、数個のＯＬＥＤ Inganas（Ｏ．インガネス）による論文"White light emission from a polymer blend light emitting diode"（ポリマ配合発光ダイオードからの白色光放出）( Applied Phys．Lett．68:2，pp．147-149，1996)に示すように具体化すること を参考にあげておく。低電圧による励起は、赤色光を放出するＯＬＥＤのみを励 起させ、電圧を高めると、青色光を放出するＯＬＥＤも励起する。 書き込みは、高電圧における励起によって行われ、青色光の放出および熱散逸 の増加が、赤色光を放出するＯＬＥＤの発光を減少または終止させる。この場合 も、前述の例３に関して論じたように、感光添加物を適用することができる。読 み出しは、低い電圧における励起によって行われ、赤色光を放出するＯＬＥＤの みが活性化され、熱発生は減少する。対象のセルにおける照射パワーは、光検出 器によって監視され、したがってセルの論理状態を判定することができる。例５−液晶に基づく容量性論理セル 前述の迷走電流の問題は、各交差点、即ち、各単一の論理セルの位置における インピーダンスが非常に高い、受動マトリクス・アドレス可能論理素子では発生 しない。オーミック抵抗が極端に高い素子を図８に示す。論理セル２は、電極手 段Ｅのアノード３とカソード４との間に配された双安定液晶材料（ＬＣ）を含む 。セル２の論理状態は、ＬＣにおける分子次数(molecular order)によって表わ される。これは、電極に電圧を印加することによって制御することができる。こ れの基本的原理について、以下のように説明することができる。図８の左側の論 理セル２は無秩序状態(disordered state)にあり、論理値０を表わすと仮定する 。書き込み用の分極電圧を印加すると、液晶の分子が整合し、その結果、論理値 １を表わす規則的状態(ordered state)が得られる。これを図８の右側の論理セ ル２で示す。電圧を除去すると、ＬＣ内の分子は規則的状態に整合されたままと なり、不揮発性論理状態が得られる。その後、電圧パルスを印加し、更に消去す る値を有する一連の電圧パルスを印加することによって、セルは論理状態０に戻 る ことができる。本発明によれば、論理セル２の論理状態は、当該セルにおける論 理状態０および１間の電気インピーダンス差を検出することによって判定する。 具体例として、論理セル２の容量は、Ｃ＝Ｃ₀＋Ｃ₁として近似的に与えることが できる。ここで、Ｃ₀はＬＣ分子の整合状態に弱く依存する寄与であり、Ｃ₁は、 分子整合に明示的に関連する寄与である。 データの読み出しは、ＬＣ分子の規則性の度合い(degree of ordering)の判定 ０および１状態それぞれにおいて異なる。Ｍ_LCの判定に関する電気的励起のため の２つの異なる好適な方式について論ずる。これらを単純に視覚化するために、 図８では、ＬＣ分子を、図の左側の論理セル２における無秩序状態における、方 向がランダムな棒状のものとして表す。図の右側にある論理セル２では、ＬＣ分 子は、アノード３とカソード４との間の方向に沿って整合され、規則的状態にあ る。しかしながら、これは、強誘電液晶に基づいて論理セル内により複雑な規則 性(ordering)が生ずることを妨げるものではない。第１の方式では、連続交互電 圧（双極電圧）を電極手段に印加し、周波数を十分に低くして、ＬＣ分子が部分 配光の時定数であり、ｆは周波数である。無秩序状態では典型的な、分子が比較 的移動性である場合、分子がそれらの局部的配列ベクトル(local ordering vect or)に沿って固定される規則状態にある場合よりも大きな値がＭ_LCに対して検出 される。 第２の方式では、電圧レベルが電極に印加され、読み出し電圧は、書き込みに 用いる電圧よりも低い。ＬＣ分子が０状態にあるかまたは１状態にあるかに応じ て、これらは異なる方位移動性を有し、遷移性変位電流(transient displacemen t current)の測定から得られるＭ_LCのサイズは、ＬＣ分子の規則性、したがって 、論理セルの論理状態に関する情報を有する。これらの方式は双方共、それぞれ の利点および欠点を有する。連続交互電圧を印加する方式は、正確性を備えるが 、同時に検出の応答時間劣化(reduction)を招く。電圧ステップを用い の場合、比較的高くスレショルドを規定する書き込み電圧が、読み出しプロセス を簡略化する。一方、高い書き込み電圧は、低電圧駆動電子部品および電源の使 用が望ましいことに対してバランスを取る必要がある。例６−電気切替式双安定有機膜 例えば生物学的起源の複雑な有機分子は、双安定性または多安定性を有する場 合がある。即ち、これらは異なる配座(conformation)で現れる場合がある。この 種の分子の１類に、バクテリオロドプシン(bacteriorhodopsin)およびその変異 体または関連化合物がある。光論理素子に用いることに関するバクテリオロドプ シンの配座反応特性(conformational reactive properties)は、ノルウエー特許 出願第９７２５７４号において更に密接に論じられている。これは、本出願人が 所有するものであり、この言及により本願にも含まれるものとする。 双安定メモリ素子は、前述のように論理素子のマトリクス・アドレス可能実施 形態に基づいて得ることができる。その際、例えば、バクテリオロドプシンの薄 膜を、例えば、機能性媒体１における有機材料とすることができる。薄膜は、電 圧が印加されたときに、電極手段Ｅにおけるアノード３とカソード４との間に発 生する電界の影響の下で、２つの双安定分子配座間で整合されかつ切り替えられ ることが好ましい。スイッチングは可逆的に行われ、メモリ材料を排出(exhaust )することなく、多数回行うことができる。読み出しは、スイッチング・スレシ ョルドよりも高い電圧を電極手段に印加することによって行われる。対象のセル が既に前回の書き込み動作において切り替えられている場合、読み出し電圧の印 加時に当該セルにおいて何も応答はない。一方、セルが切り替えられていなけれ ば、その場合は応答する。スイッチングは、電気的遷移によって行われ、対象の セルを駆動する電極手段を介して接続される電子回路によって検知することがで きる。 本発明による電気的アドレス可能受動素子において所望の特性を得るために、 機能性媒体における有機材料は、非線形インピーダンス特性を有する必要がある 。先に論じた有機材料に加えて、例えば、強誘電体ポリマ材料を用いて容量性セ ルを形成することも考えられる。別の可能な材料(topical material)として、非 線形インピーダンス特性を有する有機系電荷転送錯体、例えば、前述のＭ（ＴＣ ＮＱ）錯体をあげることができる。本発明による素子を光検出器として実現する 場 合、有機材料が感光ダイオードを形成する機能性媒体、例えば、前述のＯＬＥＤ に用いたものに対応するポリマを用いることによって行うことができる。その際 、所望のスペクトル選択性を有する感光ポリマを用いなければならない。 光検出器として実現するには、素子は平面内で検出器アレイを形成する、即ち 、あらゆる積層構造は不可能であることを理解すべきである。一方、電極手段Ｅ における電極ｍ，ｎは、少なくとも一方側で、即ち、光入射側で、透明または半 透明材料で形成しなければならない。例えば、電極ｍまたはｎは、ＩＴＯ（酸化 インディウム錫）あるいはポリピロル(polypyrrol)のような透明または半透明ポ リマとすることができる。 多数の目的のために、この種の光検出器は、例えば、多スペクトル検出を想定 して、スペクトル選択性を調節可能であることが望ましい。これは、透明電極を 通じて、例えば、別個の駆動電子回路を連続層の形態で備えた、電気的に同調可 能な光学フィルタを用いることによって行うことができる。他の可能性は、かか る同調を直接電極手段Ｅを通じて行うことができるように、電気的にスペクトル 選択性の同調が可能な感光ダイオード材料を使用することであろう。現在では、 これは実用上不可能であることがわかっている。より近い代替案で実用上達成可 能なものがあるとすれば、機能性媒体を、連続層として形成するのではなく、個 個のセルに別個に割り当てるようにパターン化することであろう。例えば、３つ ずつの隣接するセル群が、ＲＧＢ検出器では１つの画素を形成することができる 。各画素における対象のセルは、ＲＧＢ検出に適したプロトコルにしたがって、 赤色光、緑色光および青色光に対して選択され、アドレスされる。 本発明による素子における機能性媒体自体は、電極素子内の電極間に連続層と して堆積することができる。しかしながら、別個の電極手段各々における電極間 の別個の部分の下で、機能性媒体をパターニング即ち堆積するのを妨げるものは 何もない。この場合、機能性媒体が異方性導電性を有していても問題はない。加 えて、機能性媒体に、例えば、１つの有機材料と可能な１つ以上の添加物とから 成る、均質な構造を形成することも可能である。かかる添加物自体は、無機でも 有機でもよい。しかしながら、機能性媒体を構成する材料を電極手段の電極間に 層状に備えた、重層構造を有する機能性媒体の形成を妨げるものは何もない。そ の際、各層は、所望の電気的または電子的特性および恐らくは無機または有機添 加物を有する異なる有機材料で構成することも可能である。また、この場合、１ つそして恐らく数個の層は、無機材料で形成することも可能である。例えば、ポ リマ材料に隣接してアモルファス水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の組み合わせ を加え、混成無機／有機機能性媒体を得ることも適当であろう。有機系電荷転送 錯体、例えば、（Ｍ（ＴＣＮＱ）のような無機金属錯体を機能性媒体に用いる場 合、前者は非線形インピーダンス特性を有さなければならないが、加えて半導体 材料も共に与え、機能性媒体の一方側または他方側の電極に隣接して与えること ができる。これは、例えば、ショットキ接合が得られるようにガリウム砒素とす ることができる。これ自体は公知であり、冒頭において論じた。ダイオード機能 または整流機能を有する機能性媒体を実現することが望ましい場合、重層の実施 形態は、異なる技術、例えば、ＰＮ、ＮＰＮ、ＰＮＰまたはＰＩＮ接合を用いて 、または恐らく混成無機／有機実施形態においても、これらの機能を実現するこ とを可能にする。重層機能性媒体は、別個の層に備えた発光または光検出物質を 用いる可能性も、これが望ましいのであれば、与えるものである。 当業者は、本発明による論理素子は、実用的な実施形態においても、電極のた めのドライバを備え、供給線および電流バスを用いて導電体ｍ，ｎに電圧を供給 しなければならないことを認めよう。しかしながら、本発明による論理素子への 電気エネルギの外部供給は、当業者には公知の多数の方法で実施可能であり、し たがって本発明の範囲には該当しないので、ここでは詳しく論じない。

【手続補正書】 【提出日】平成１２年３月１０日（２０００．３．１０） 【補正内容】 1. 請求の範囲を別紙の通り補正する。 2. 明細書の記載を以下の通り補正する。 (1) 明細書第１頁１０行目の「受動セル」を『複数の受動セル』に補正する 。 (2) 同第１頁１０行目の「セルにおける所与の物理的」の前に、『機能性媒 体が、少なくとも１つの実質的に有機的な材料からなる均質または階層化 構造として実現され、』を加入する。 (3) 同第１頁１１行目の「登録」を『記録』に補正する。 (4) 同第１頁１２行目の「登録」を『記録』に補正する。 (5) 同第１頁１２行目の「受動」を削除する。 (6) 同第１頁１６行目の「セル」を『複数のヤル』に補正する。 (7) 同第１頁１６行目の「セルにおける所与の」の前に、『機能性媒体が、 少なくとも１つの実質的に有機的な材料からなる均質または階層化構造と して実現され、』を加入する。 (8) 同第１頁１７行目の「登録」を『記録』に補正する。 (9) 同第１頁１８行目の「登録」を『記録』に補正する。 (10) 同第１頁２３行目の「受動」を削除する。 (11) 同第４頁５行目の「全く不明である。」の次に、行を改めて『ＥＰ−Ａ ２−０１７７５３５は、１対の基板間に誘電体を有する情報記憶素子を開 示する。誘電体に面する表面上において、各基板には平行な電極が備えら れ、１組の電極が直交交差マトリクスを形成する。更に、交差する電極間 にある誘電体の容量を変化させる手段と、それに電圧を印加する手段と、 それを流れる変位電流を検出する手段とを備える。好ましくは、誘電体は 液晶であり、この素子は、画素に格納した情報を出力可能な記憶素子とし て見なすことができる。』を加入する。 (12) 同第６頁４〜５行目の「当該セルにおける機能性媒体」を『各セルにお ける前記機能性媒体』に補正する。 (13) 同第６頁５行目の「アノードとカソードとの間」を『電極間』に補正す る。 (14) 同第６頁６行目の「セルを介した」を『それを介した』に補正する。 (14) 同第６頁６行目の「セルを介した」を『それを介した』に補正する。 (15) 同第６頁６行目の「これによってセル」を『これによって各セル』に補 正する。 (16) 同第６頁７行目の「直接」を削除する。 (17) 同第６頁７行目の２箇所の「セルの」をそれぞれ『内部の』に補正する 。 (18) 同第６頁８〜９行目の「機能性媒体」を『前記機能性媒体』に補正する 。 (19) 同第６頁９〜１０行目の「交差すること、セルの電極手段」を『交差し 、各セルの前記電極手段』に補正する。 (20) 同第６頁１０〜１１行目の「機能性媒体内のセル」を『前記機能性媒体 の前記セル』に補正する。 (21) 同第６頁１３行目の「電極手段のアノードおよびカソード」を『前記電 極手段の電極』に補正する。 (22) 同第６頁１４行目の「セルの機能性媒体」を『各セルにおける前記機能 性媒体』に補正する。 (23) 同第６頁１４行目の「非線形インピーダンス特性」を『総合的に非線形 インピーダンス特性』に補正する。 (24) 同第６頁１４〜１６行目の「機能性媒体が１つ以上の実質的に有機的な 材料から成る均質または重層構造として形成されている」を『前記機能性 媒体の前記少なくとも１つの実質的に有機的な材料がポリマ材料である』 に補正する。 (25) 同第６頁１７行目の「セルの機能性媒体に非線形インピーダンス特性を 与え」を『セルの前記機能性媒体に総合的に非線形インピーダンス特性を 与え』に補正する。 (26) 同第６頁１８〜２２行目の「１つ以上の実質的に有機的な材料から成る 均質または重層構造を機能性媒体に形成し、セル内の実質的に有機的な材 料に直接または間接的に接触する電極手段内のアノードとカソードとの間 にセルを配し、セルに電圧を印加しセルを介した直接または間接的電気結 合を形成することによって、セルに電気エネルギを供給すること」を『前 記機能性媒体の少なくとも１つの有機材料としてポリマ材料を配し、前記 セル内の機能性媒体に直接または間接的に接触する電極手段内のアノード とカソードとの間にセルを配することによって前記セルに電気エネルギを 印加し、電圧を前記セルに印加しこれを介した直接または間接的電気結合 を形成することによって、セルの論理値の検出または切り替え、あるいは 双方を行なうこと』に補正する。 (27) 同第６頁２４〜２５行目の「に用いることができる」を『において用い られる』に補正する。 請求の範囲 1. データの記録、格納および／または処理のための電気的アドレス可能素子 であって、該素子が実質的に層状の連続またはパターン化構造（Ｓ）の形態の機 能性媒体（１）を備え、該機能性媒体が、適切なエネルギの影響によって物理的 または化学的状態変化を呈することができ、前記機能性媒体（１）が、二次元パ ターンに形成した、個々にアドレス可能な受動セル（２）から成り、前記機能性 媒体（１）が、少なくとも１つの実質的に有機的な材料からなる均質または階層 化構造として実現され、 セル（２）における所与の物理的または化学的状態は、 記録または検出された値を表わすか、あるいは当該セルに対する所定の論理値が 割り割り当てられており、前記セル（２）が、各セルにおける前記機能性媒体（ １）に直接または間接的に接触する電極手段（Ｅ）電極（３，４）との間に配さ れ、それを介した直接または間接的電気結合を行い、これによって各セル（２） に電気的エネルギを直接供給して、物理的または化学的状態あるいは内部の物理 的または化学的状態の変化を検出すること、複数の実質的に平行な導電体（ｍ， ｎ）を前記機能媒体（１）の各側に配し、上側および下側導体（ｍ，ｎ）が、実 質的に直交相互関係で互いに交差し、各セル（２）の前記電極手段（Ｅ）が各上 側および下側導電体（ｍ，ｎ）間の交差点に形成され、前記機能性媒体（１）内 のセル（２）およびそれらの割り当てられた電極手段（Ｅ）がマトリクスの要素 を形成し、その行および列がそれぞれ前記上側および下側の導電体（ｍ，ｎ）に よって規定され、前記交差点において、前記上側および下側の導電体（ｍ，ｎ） が前記電極手段（Ｅ）の前記電極（３，４）を形成すること、および前記セル（ ２）の前記機能性媒体が、総合的に非線形インピーダンス特性を有し、前記機能 性媒体（１）の前記少なくとも１つの実質的に有機的な材料がポリマ材料である ことを 特徴とする電気的アドレス可能素子。 2. 各セル（２）が、前記電極手段（Ｅ）の前記アノード（３）と前記カソー ド（４）との間に形成された整流ダイオードを備え、前記素子が、この種のダイ オードの電気ネットワークを形成することを特徴とする請求項１記載の電気的ア ドレス可能素子。 3. 前記整流ダイオードが、前記電極（３，４）間に前記ポリマ材料を直接接 触させることによって、自発的に形成されることを特徴とする請求項２記載の 電 気的アドレス可能素子。 4. 前記導電体（ｍ，ｎ）が、前記機能性媒体（１）内またはその上に配され 、これに直接接触することを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能素子 。 5. 前記機能性媒体（１）の各側、およびこれと前記導電体（ｍ，ｎ）との間 に誘電体層（７，８）を配し、前記導電体（ｍ，ｎ）が前記機能性媒体（１）に 間接的に接触するようにしたことを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可 能素子。 6. 前記導電体（ｍ，ｎ）が、その各側において、前記機能性媒体（１）に隣 接する実質的に層状の基板（５，６）内またはその上に配されることを特徴とす る請求項３記載または請求項４の電気的アドレス可能素子。 7. 前記機能性媒体（１）の少なくとも一方の側にある前記導電体（ｍ，ｎ） が、透明材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス 可能素子。 8. 前記ポリマ材料が共役ポリマであることを特徴とする請求項１記載の電気 的アドレス可能素子。 9. 前記有機材料が、強誘電体ポリマであることを特徴とする請求項１記載の 電気的アドレス可能素子。 10．前記機能性媒体（１）の有機材料が、異方性導電性材料であることを特徴 とする請求項１記載の電気的アドレス可能素子。 11．前記異方性導電性材料が、電極分離材料によって包囲された、別個の導電 性ドメイン（１０，１０’）を含むことを特徴とする請求項１０記載の電気的ア ドレス可能素子。 12．前記導電体（ｍ，ｎ）およびこれらに可能な基板（５，６）が前記機能性 媒体（１）の各側に配される前に、前記導電性ドメイン（１０，１０’）が、実 質的に層状構造の形態に分散される少なくとも２つの有機液体間の相分離によっ て形成されることを特徴とする請求項１１記載の電気的アドレス可能素子。 13．電気エネルギの印加によって光を放出可能な物質を前記機能性媒体（１） の有機材料に添加したこと、およびこの有機材料が、印加される電気エネルギに よる発光および可能な発熱の影響の下で化学反応を起こし、前記機能性媒体のイ ンピーダンス変化を発生することを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可 能素子。 14．１つ以上の物質を前記機能性媒体（１）の有機材料に添加し、電気エネル ギの印加によって、異なる波長上または異なる波長帯域において、光を放出また は検出可能であることを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能素子。 15．前記機能性媒体（１）が、強誘電体液晶から成ることを特徴とする請求項 １記載の電気的アドレス可能素子。 16．前記機能性媒体（１）が、可溶微細結晶から成ることを特徴とする請求項 １記載の電気的アドレス可能素子。 17．前記機能性媒体（１）の有機材料またはこの有機材料に添加した物質が、 結晶相からアモルファス相にまたはその逆に転移可能であることを特徴とする請 求項１記載の電気的アドレス可能素子。 18．前記機能性媒体の有機材料が多安定配座反応性有機材料であることを特徴 とする請求項１記載の電気的アドレス可能素子。 19．前記機能性媒体（１）の有機材料が有機半導体であることを特徴とする請 求項１記載の電気的アドレス可能素子。 20．各セル（２）内の前記有機半導体が、固有にまたはいずれかの電極（３４ ）と共に、ダイオード接合を形成することを特徴とする請求項１９記載の電気的 アドレス可能素子。 21．前記機能性媒体（１）の有機材料が有機電荷転送化合物であることを特徴 とする請求項１記載の電気的アドレス可能素子。 22．前記有機電荷転送化合物がＴＣＮＱ（７，７，８，８−テトラシノキノジ メタン）であり、電子ドナーと共に電荷転送錯体を形成することを特徴とする請 求項２１記載の電気的アドレス可能素子。 23．前記機能性媒体が、更に、１つ以上の別個の層にそれぞれ配された、１つ 以上の無機半導体材料を含むことを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可 能素子。 24．無機半導体材料が、アモルファス水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）である ことを特徴とする請求項２３記載の電気的アドレス可能素子。 25．無機半導体材料が、固有にまたはいずれかの電極（３，４）と共に、ダイ オード接合を形成することを特徴とする請求項２３記載の電気的アドレス可能素 子。 26．データの記録、格納および／または処理のための素子の電気的アドレシン グ方法であって、該素子が実質的に層状の連続またはパターン化構造（Ｓ）の形 態の機能性媒体（１）を備え、該機能性媒体（１）が、適切なエネルギの影響に よって物理的または化学的状態変化を呈することができ、前記機能性媒体（１） が、二次元パターンに形成した、個々にアドレス可能な複数のセル（２）から成 り、前記機能性媒体（１）が、少なくとも１つの実質的に有機的な材料からなる 均質または階層化構造として実現され、セル（２）における所与の物理的または 化学的状態は、記録または検出された値を表わすか、あるいは当該セルに対する 所定の論理値が割り割り当てられており、前記アドレシングが前記セル内におけ る記録または検出値の検出のための動作と、前記セルに割り当てられた論理値の 書き込み、読み出し、消去およびスイッチングのための追加動作とから成り、前 記方法が、前記セルの前記機能性媒体に直接電気エネルギを供給し、前記セルの 物理的および／または化学的状態を検出または変化させ、したがってアドレシン グ動作を行わせ、前記セル（２）の前記機能性媒体（１）に総合的に非線形イン ピーダンス特性を与え、前記機能性媒体（１）の前記少なくとも１つの有機材料 としてポリマ材料を配し、前記セル内の前記機能性媒体に直接または間接的に接 触する電極手段（Ｅ）内のアノード（３）とカソード（４）との間にセル（２） を配することによって該セルに電気エネルギを印加し、電圧を前記セルに印加し これを介した直接または間接的電気結合を形成することによって、セルの論理値 の検出または切り替え、あるいは双方を行なうことを特徴とする方法。 27．前記機能性媒体（１）の各側に配されたそれぞれ実質的に平行な導電体（ ｍ，ｎ）間の前記交差点に前記セル（２）を形成し、上側および下側導体ｎ）が 実質的に直交相互関係で互いに交差し、それぞれ、前記セル（２）の電極手段（ Ｅ）内に前記電極（３，４）を備え、前記機能性媒体（１）内の前記セル（２） およびそれらに割り当てられた電極手段（Ｅ）がマトリクス内の要素を形 成し、その行および列を、前記上側および下側導電体（ｍ，ｎ）によってそれぞ れ規定することを特徴とする請求項２６記載の方法。 28．前記セル（２）に、高非線形電圧特性を備えることを特徴とする請求項２ ６記載の方法。 29．前記セル（２）への電荷の注入によって電気エネルギを供給することを特 徴とする請求項２６記載の方法。 30．前記セル（２）内において電界を発生することによってエネルギを供給す ることを特徴とする請求項２６記載の方法。 31．電気エネルギの印加によって光を放出可能な物質を前記機能性媒体（１） の有機材料に添加し、前記放出光が、恐らく電気エネルギの印加によって発生す る熱と共に、この有機材料における化学反応を引き起こし、前記機能性媒体（１ ）のインピーダンス全体を変化させることを特徴とする請求項２６記載の方法。 32．電気エネルギの印加によって異なる波長上または異なる波長帯域において 光を放出または検出可能な１つ以上の物質が前記機能性媒体（１）の有機材料に 添加されており、前記放出光のスペクトル特性が、前記印加電気エネルギの電圧 値を変化させることによって変化することを特徴とする請求項２６記載の方法。 33．セル（２）に割り当てられる論理値が、当該セルに高電圧値を印加し、低 電圧値の印加の間前記光放出の検出によって前記論理値を読み出すことによって 切り替えられ、前記セル（２）が、前記機能性媒体の物理的または化学的状態に 影響を与えない長波長光を放出し、該長波長光の強度が前記論理値に依存するこ とを特徴とする請求項３２記載の方法。 34．前記機能性媒体（１）の有機材料が強誘電体液晶または強誘電体ポリマで あり、セル（２）のインピーダンスを測定することによって、前記セル（２）に 割り当てられた論理値を検出することを特徴とする請求項２６記載の方法。 35．前記供給された電気エネルギによって、抵抗熱が前記機能性媒体（１）の 導電性を変化させ、前記セルに割り当てられた論理値を切り替えることを特徴と する請求項２６記載の方法。 36．前記機能性媒体（１）の導電性に非可逆的変化を発生させることによって 、 セル（２）に割り当てられた論理値を非可逆的に切り替えることを特徴とする請 求項２６記載の方法。 37．前記機能性媒体（１）といずれかの電極（３，４）との問の界面において 非可逆的変化を発生させることによって、セルに割り当てられた論理値を非可逆 的に切り替えることを特徴とする請求項２６記載の方法。 38. 可溶性微細結晶を前記機能性媒体（１）の有機材料に添加してあり、前記 微細結晶の溶融を発生させることによって、論理セル（２）に割り当てられた論 理値を非可逆的に切り替えることを特徴とする請求項２６記載の方法。 39. 有機材料自体またはこの有機メモリ材料に添加した物質が、結晶相からア モルファス相にまたはその逆に転移可能であり、セル（２）に割り当てらた論理 値が可逆的に切り替られ、該切替が、前記有機材料またはそれに添加された前記 物質における結晶相およびアモルファス相間またはその逆の遷移によって行われ ることを特徴とする請求項２６記載の方法。 40. 前記機能性媒体（１）の有機材料が多安定配座反応性有機材料であり、セ ル（２）内に電界を発生することによって、前記セル（２）に割り当てられた論 理値を可逆的に切り替えることを特徴とする請求項２５記載の方法。 41. 請求項１から２５のいずれか１項記載の電気的アドレス可能素子の使用、 および光検出手段における請求項２６から４０のいずれか１項記載の電気的アド レシング方法。 42. 請求項１から２４のいずれか１項記載の電気的アドレス可能素子の使用、 および立体データ記憶素子またはデータ処理素子における請求項２６から４０の いずれか１項記載の電気的アドレシング方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ， ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ Ｓ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｋ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ， ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，Ｙ Ｕ，ＺＷ (72)発明者 ノルダル、ペル−エリク ノルウェー国 アスケル、パスタドリイゲ ン 19 【要約の続き】 する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 1. データの登録、格納および／または処理のための電気的アドレス可能受動 素子であって、該素子が実質的に層状の連続またはパターン化構造（Ｓ）の形態 の機能性媒体（１）を備え、該機能性媒体が、適切なエネルギの影響によって物 理的または化学的状態変化を呈することができ、前記機能性媒体（１）が、二次 元パターンに形成した、個々にアドレス可能な受動セル（２）から成り、セル（ ２）における所与の物理的または化学的状態が登録または検出される値を表わし 、当該セルに対する所定の論理値が割り割り当てられており、前記セル（２）が 、当該セルにおける前記機能性媒体（１）に直接または間接的に接触する電極手 段（Ｅ）のアノード（３）とカソード（４）との間に配され、前記セルを介した 直接または間接的電気結合を行い、これによって前記セル（２）に電気的エネル ギを直接供給して、前記セルの物理的または化学的状態あるいは前記セルの物理 的または化学的状態の変化を検出すること、複数の実質的に平行な導電体（ｍ， ｎ）を機能媒体（１）の各側に配し、上側および下側導体（ｍ，ｎ）が、実質的 に直交相互関係で互いに交差すること、前記セル（２）の前記電極手段（Ｅ）が 各上側および下側導電体（ｍ，ｎ）間の交差点に形成され、前記機能性媒体（１ ）内のセルおよびそれらの割り当てられた電極手段（Ｅ）がマトリクスの要素を 形成し、その行および列がそれぞれ前記上側および下側の導電体（ｍ，ｎ）によ って規定され、前記交差点において、前記上側および下側の導電体（ｍ，ｎ）が 前記電極手段（Ｅ）の前記アノード（３）および前記カソード（４）を形成する こと、および前記セル（２）の前記機能性媒体が、非線形インピーダンス特性を 有し、該機能性媒体（１）が１つ以上の実質的に有機的な材料から成る均質また は重層構造として形成されていることを特徴とする電気的アドレス可能受動素子 。 2. 前記セル（２）が、前記電極手段（Ｅ）の前記アノード（３）と前記カソ ード（４）との間に形成された整流ダイオードを備え、前記素子が、この種のダ イオードの電気ネットワークを形成することを特徴とする請求項１記載の電気的 アドレス可能受動素子。 3. 前記導電体（ｍ，ｎ）が、前記機能性媒体（１）内またはその上に配され 、これに直接接触することを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能受動 素子。 4. 前記機能性媒体（１）の各側、およびこれと前記導電体（ｍ，ｎ）との間 に誘電体層（７，８）を配し、前記導電体（ｍ，ｎ）が前記機能性媒体（１）に 間接的に接触するようにしたことを特徴とする請求項２記載の電気的アドレス可 能受動素子。 5. 前記導電体（ｍ，ｎ）が、その各側において、前記機能性媒体（１）に隣 接する実質的に層状の基板（５，６）内またはその上に配されることを特徴とす る請求項３または請求項４記載の電気的アドレス可能受動素子。 6. 前記機能性媒体（１）の少なくとも一方の側にある前記導電体（ｍ，ｎ） が、透明材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス 可能受動素子。 7. 有機材料がポリマ材料から成ることを特徴とする請求項１記載の電気的ア ドレス可能受動素子。 8. 前記ポリマ材料が共役ポリマであることを特徴とする請求項７記載の電気 的アドレス可能受動素子。 9. 有機材料が、異方性導電性材料であることを特徴とする請求項１記載の電 気的アドレス可能受動素子。 10．前記異方性導電性材料が、電極分離材料によって包囲された、別個の導電 性ドメイン（１０，１０’）を含むことを特徴とする請求項９記載の電気的アド レス可能受動素子。 11．前記導電体（ｍ，ｎ）およびこれらに可能な基板（５，６）が前記機能性 媒体（１）の各側に配される前に、前記導電性ドメイン（１０，１０’）が、実 質的に層状構造の形態に分散される少なくとも２つの有機液体間の相分離によっ て形成されることを特徴とする請求項１０記載の電気的アドレス可能受動素子。 12．電気エネルギの印加によって光を放出可能な物質を有機材料に添加したこ と、およびこの有機材料が、印加される電気エネルギによる発光および可能な発 熱の影響の下で化学反応を起こし、前記機能性媒体のインピーダンス変化を発生 することを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能受動素子。 13．１つ以上の物質を有機材料に添加し、電気エネルギの印加によって、異な る波長上または異なる波長帯域において、光を放出または検出可能であることを 特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能受動素子。 14．前記機能性材料が、強誘電体液晶または強誘電体ポリマであることを特徴 とする請求項１記載の電気的アドレス可能受動素子。 15．可溶微細結晶を有機材料に、好ましくは、この有機材料の表面上または表 面内に添加したことを特徴とする請求項１記載の電気的アドレス可能受動素子。 16．有機材料自体またはこの有機材料に添加した物質が、ガラス相からアモル ファス相にまたはその逆に転移可能であることを特徴とする請求項１記載の電気 的アドレス可能受動素子。 17．有機材料が多安定配座反応性有機材料であることを特徴とする請求項１記 載の電気的アドレス可能受動素子。 18．データの登録、格納および／または処理のための受動素子の電気的アドレ シング方法であって、該素子が実質的に層状の連続またはパターン化構造（Ｓ） の形態の機能性媒体（１）を備え、該機能性媒体（１）が、適切なエネルギの影 響によって物理的または化学的状態変化を呈することができ、前記機能性媒体（ １）が、二次元パターンに形成した、個々にアドレス可能な受動セル（２）から 成り、セル（２）における所与の物理的または化学的状態が登録または検出され る値を表わし、当該セルに対する所定の論理値が割り当てられており、前記アド レシングが前記セル内における登録または検出値の検出のための動作と、前記セ ルに割り当てられた論理値の書き込み、読み出し、消去およびスイッチングのた めの追加動作とから成り、前記方法が、前記セルの前記機能性媒体に直接電気エ ネルギを供給し、前記セルの物理的および／または化学的状態を検出または変化 させ、したがってアドレシング動作を行わせ、前記セル（２）の前記機能性媒体 （１）に非線形インピーダンス特性を与え、１つ以上の実質的に有機的な材料か ら成る均質または重層構造を前記機能性媒体（１）に形成し、前記セル内の前記 実質的に有機的な材料に直接または間接的に接触する電極手段（Ｅ）内のアノー ド（３）とカソード（４）との間にセルを配し、該セルに電圧を印加し当該セ ルを介した直接または間接的電気結合を形成することによって、前記セル（２） に電気エネルギを供給することを特徴とする方法。 19．前記機能性媒体（１）の各側に配されたそれぞれ実質的に平行な導電体（ ｍ，ｎ）間の前記交差点に前記セル（２）を形成し、上側および下側導体（ｍ， ｎ）が実質的に直交相互関係で互いに交差し、それぞれ、前記セル（２）の電極 手段（Ｅ）内に前記アノード（３）および前記カソード（４）を備え、前記機能 性媒体（１）内の前記セル（２）およびそれらに割り当てられた電極手段（Ｅ） がマトリクス内の要素を形成し、その行および列を、前記上側および下側導電体 （ｍ，ｎ）によってそれぞれ規定することを特徴とする請求項１８記載の方法。 20．前記機能性媒体の少なくとも一方の側の前記導電体を、透明材料で形成す ることを特徴とする請求項１９記載の方法。 21．前記セル内における電荷の注入によって電気エネルギを供給することを特 徴とする請求項１８記載の方法。 22．前記セル内において電界を発生することによって電気エネルギを供給する ことを特徴とする請求項１８記載の方法。 23．前記セルが、高非線形電圧特性を有して形成されることを特徴とする請求 項１８記載の方法。 24．整流ダイオードで前記セルを形成することを特徴とする請求項１８記載の 方法。 25．前記整流ダイオードが、前記アノードとカソードとの間で、有機材料、好 ましくは共役ポリマに直接接触することによって、自発的に形成されることを特 徴とする請求項２４記載の方法。 26．電気エネルギの印加によって光を放出可能な物質を有機材料に添加し、前 記放出光が、ときには電気エネルギの印加によって発生する熱と共に、この有機 材料における化学反応を引き起こし、前記機能性媒体のインピーダンスを変化さ せることを特徴とする請求項１８記載の方法。 27．電気エネルギの印加によって異なる波長上または異なる波長帯域において 光を放出または検出可能な１つ以上の物質が有機材料に添加されており、前記放 出光のスペクトル特性が、前記印加電気エネルギの電圧値を変化させることによ って変化することを特徴とする請求項１８記載の方法。 28．前記セルに割り当てられる論理値が、当該セルに高電圧値を印加し、低電 圧値の印加の間前記光放出の検出によって前記論理値を読み出すことによって切 り替えられ、前記セルが、前記機能性媒体の物理的または化学的状態に影響を与 えない長波長光を放出し、該長波長光の強度が前記論理値に依存することを特徴 とする請求項２７記載の方法。 29．有機材料が強誘電体液晶または強誘電体ポリマであり、前記セルのインピ ーダンスを測定することによって、前記セルに割り当てられた論理値を検出する ことを特徴とする請求項１８記載の方法。 30．前記供給された電気エネルギによって、抵抗熱が前記機能性媒体の導電性 を変化させ、前記セルに割り当てられた論理値が切り替えられることを特徴とす る請求項１８記載の方法。 31．前記セルに割り当てられた論理値が、前記機能性媒体の導電性に非可逆的 変化を発生させることによって、非可逆的に切り替えられることを特徴とする請 求項１８記載の方法。 32．前記機能性媒体と前記アノードおよび前記カソードそれぞれとの間の界面 において非可逆的変化を発生させることによって、前記セルに割り当てられた論 理値が、非可逆的に切り替えられることを特徴とする請求項１８記載の方法。 33．可溶性微細結晶を有機材料に添加してあり、前記論理セルに割り当てられ た論理値が、前記微細結晶の溶融を発生させることによって、非可逆的に切り替 えられることを特徴とする請求項１８記載の方法。 34．有機材料自体またはこの有機メモリ材料に添加した物質が、ガラス相から アモルファス相にまたはその逆に転移可能であり、前記セルに割り当てられた論 理値が可逆的に切り替られ、該切替が、前記有機材料またはそれに添加された前 記物質におけるガラス相およびアモルファス相間またはその逆の遷移によって行 われることを特徴とする請求項１８記載の方法。 35．有機材料が多安定配座反応性有機材料であり、前記セルに割り当てられた 論理値が、該セル内に電界を発生することによって可逆的に切り替えられること を特徴とする請求項１８記載の方法。 36．請求項１ないし１７のいずれか１項記載の電気的アドレス可能受動素子の 使用、および光検出手段における請求項１８ないし３５のいずれか１項記載の電 気的アドレシング方法。 37．請求項１ないし１７のいずれか１項記載の電気的アドレス可能受動素子の 使用、および立体データ記憶素子またはデータ処理素子における請求項１８ない し３５のいずれか１項記載の電気的アドレシング方法。