JP2001314079A - スイッチング電源回路 - Google Patents
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力変換効率の向上、及び回路の小型軽量化
【解決手段】 一次側に電圧共振形コンバータを備え、
二次側には並列共振回路又は直列共振回路を備える複合
共振形スイッチングコンバータの構成に対して、その一
次側にアクティブクランプ回路を設けることで一次側並
列共振コンデンサの両端に生じる並列共振電圧パルスを
クランプし、そのレベルを抑制する。これによって、電
源回路に備えられるスイッチング素子、及び一次側並列
共振コンデンサ等の各素子の耐圧について低耐圧品を選
定することができる。
二次側には並列共振回路又は直列共振回路を備える複合
共振形スイッチングコンバータの構成に対して、その一
次側にアクティブクランプ回路を設けることで一次側並
列共振コンデンサの両端に生じる並列共振電圧パルスを
クランプし、そのレベルを抑制する。これによって、電
源回路に備えられるスイッチング素子、及び一次側並列
共振コンデンサ等の各素子の耐圧について低耐圧品を選
定することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器に電
源として備えられるスイッチング電源回路に関するもの
である。
源として備えられるスイッチング電源回路に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】スイッチング電源回路として、例えばフ
ライバックコンバータやフォワードコンバータなどの形
式のスイッチングコンバータを採用したものが広く知ら
れている。これらのスイッチングコンバータはスイッチ
ング動作波形が矩形波状であることから、スイッチング
ノイズの抑制には限界がある。また、その動作特性上、
電力変換効率の向上にも限界があることがわかってい
る。そこで、先に本出願人により、各種共振形コンバー
タによるスイッチング電源回路が各種提案されている。
共振形コンバータは容易に高電力変換効率が得られると
共に、スイッチング動作波形が正弦波状となることで低
ノイズが実現される。また、比較的少数の部品点数によ
り構成することができるというメリットも有している。
ライバックコンバータやフォワードコンバータなどの形
式のスイッチングコンバータを採用したものが広く知ら
れている。これらのスイッチングコンバータはスイッチ
ング動作波形が矩形波状であることから、スイッチング
ノイズの抑制には限界がある。また、その動作特性上、
電力変換効率の向上にも限界があることがわかってい
る。そこで、先に本出願人により、各種共振形コンバー
タによるスイッチング電源回路が各種提案されている。
共振形コンバータは容易に高電力変換効率が得られると
共に、スイッチング動作波形が正弦波状となることで低
ノイズが実現される。また、比較的少数の部品点数によ
り構成することができるというメリットも有している。
【0003】図9の回路図は、先に本出願人が提案した
発明に基づいて構成することのできる、先行技術として
のスイッチング電源回路の一例を示している。この図に
示す電源回路においては、先ず、商用交流電源(交流入
力電圧VAC)を入力して直流入力電圧を得るための整流
平滑回路として、ブリッジ整流回路Di及び平滑コンデ
ンサCiからなる全波整流回路が備えられ、交流入力電
圧VACの1倍のレベルに対応する整流平滑電圧Eiを生
成するようにされる。
発明に基づいて構成することのできる、先行技術として
のスイッチング電源回路の一例を示している。この図に
示す電源回路においては、先ず、商用交流電源(交流入
力電圧VAC)を入力して直流入力電圧を得るための整流
平滑回路として、ブリッジ整流回路Di及び平滑コンデ
ンサCiからなる全波整流回路が備えられ、交流入力電
圧VACの1倍のレベルに対応する整流平滑電圧Eiを生
成するようにされる。
【0004】上記整流平滑電圧Ei(直流入力電圧)を
入力して断続するスイッチングコンバータとしては、1
石のスイッチング素子Q1を備えて、いわゆるシングル
エンド方式によるスイッチング動作を行う電圧共振形コ
ンバータが備えられる。ここでの電圧共振形コンバータ
は他励式の構成を採っており、スイッチング素子Q1に
は例えばMOS−FETが使用される。スイッチング素
子Q1のドレインは、絶縁コンバータトランスPITの
一次巻線N1を介して平滑コンデンサCiの正極と接続
され、ソースは一次側アースに接続される。
入力して断続するスイッチングコンバータとしては、1
石のスイッチング素子Q1を備えて、いわゆるシングル
エンド方式によるスイッチング動作を行う電圧共振形コ
ンバータが備えられる。ここでの電圧共振形コンバータ
は他励式の構成を採っており、スイッチング素子Q1に
は例えばMOS−FETが使用される。スイッチング素
子Q1のドレインは、絶縁コンバータトランスPITの
一次巻線N1を介して平滑コンデンサCiの正極と接続
され、ソースは一次側アースに接続される。
【0005】また、スイッチング素子Q1のドレイン−
ソース間に対しては、並列共振コンデンサCrが並列に
接続される。この並列共振コンデンサCrのキャパシタ
ンスと、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1
に得られるリーケージインダクタンスとによって一次側
並列共振回路を形成するものとされている。そして、ス
イッチング素子Q1のスイッチング動作に応じて、この
並列共振回路による共振動作が得られるようにされるこ
とで、スイッチング素子Q1のスイッチング動作として
は電圧共振形となる。
ソース間に対しては、並列共振コンデンサCrが並列に
接続される。この並列共振コンデンサCrのキャパシタ
ンスと、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1
に得られるリーケージインダクタンスとによって一次側
並列共振回路を形成するものとされている。そして、ス
イッチング素子Q1のスイッチング動作に応じて、この
並列共振回路による共振動作が得られるようにされるこ
とで、スイッチング素子Q1のスイッチング動作として
は電圧共振形となる。
【0006】また、スイッチング素子Q1のドレイン−
ソース間に対しては、いわゆるボディダイオードによる
クランプダイオードDDが並列に接続されていること
で、スイッチング素子がオフとなる期間に流れるクラン
プ電流の経路を形成する。さらにこの場合は、スイッチ
ング素子Q1のドレインが、次に説明するスイッチング
駆動部10B内の発振回路41に対して接続されてい
る。この発振回路41に対して入力されるドレインの出
力は、後述するようにしてスイッチング周波数制御時に
おける1スイッチング周期内のオン期間を可変制御する
ために利用される。
ソース間に対しては、いわゆるボディダイオードによる
クランプダイオードDDが並列に接続されていること
で、スイッチング素子がオフとなる期間に流れるクラン
プ電流の経路を形成する。さらにこの場合は、スイッチ
ング素子Q1のドレインが、次に説明するスイッチング
駆動部10B内の発振回路41に対して接続されてい
る。この発振回路41に対して入力されるドレインの出
力は、後述するようにしてスイッチング周波数制御時に
おける1スイッチング周期内のオン期間を可変制御する
ために利用される。
【0007】上記スイッチング素子Q1は、発振回路4
1及びドライブ回路42を統合的に備えるスイッチング
駆動部10Bによってスイッチング駆動されると共に、
定電圧制御のためにスイッチング周波数が可変制御され
る。なお、この場合のスイッチング駆動部10Bは、例
えば1つの集積回路(IC)として備えられる。また、
このスイッチング駆動部10Bは、起動抵抗Rsを介し
て整流平滑電圧Eiのラインと接続されており、例えば
電源起動時において、上記起動抵抗Rsを介して電源電
圧が印加されることで起動するようにされている。
1及びドライブ回路42を統合的に備えるスイッチング
駆動部10Bによってスイッチング駆動されると共に、
定電圧制御のためにスイッチング周波数が可変制御され
る。なお、この場合のスイッチング駆動部10Bは、例
えば1つの集積回路(IC)として備えられる。また、
このスイッチング駆動部10Bは、起動抵抗Rsを介し
て整流平滑電圧Eiのラインと接続されており、例えば
電源起動時において、上記起動抵抗Rsを介して電源電
圧が印加されることで起動するようにされている。
【0008】スイッチング駆動部10B内の発振回路4
1では、発振動作を行って発振信号を生成して出力す
る。そして、ドライブ回路42においてはこの発振信号
をドライブ電圧に変換してスイッチング素子Q1のゲー
トに対して出力する。これにより、スイッチング素子Q
1は、発振回路41にて生成される発振信号に基づいた
スイッチング動作を行うようにされる。従って、スイッ
チング素子Q1のスイッチング周波数、及び1スイッチ
ング周期内のオン/オフ期間のデューティは、発振回路
41にて生成される発振信号に依存して決定される。
1では、発振動作を行って発振信号を生成して出力す
る。そして、ドライブ回路42においてはこの発振信号
をドライブ電圧に変換してスイッチング素子Q1のゲー
トに対して出力する。これにより、スイッチング素子Q
1は、発振回路41にて生成される発振信号に基づいた
スイッチング動作を行うようにされる。従って、スイッ
チング素子Q1のスイッチング周波数、及び1スイッチ
ング周期内のオン/オフ期間のデューティは、発振回路
41にて生成される発振信号に依存して決定される。
【0009】ここで、上記発振回路41では、後述する
ようにしてフォトカプラ2を介して入力される二次側直
流出力電圧EOのレベルに基づいて発振信号周波数(ス
イッチング周波数fs)を可変する動作を行うようにさ
れている。また、このスイッチング周波数fsを可変す
ると同時に、スイッチング素子Q1がオフとなる期間TO
FFは一定とした上で、スイッチング素子Q1がオンとな
る期間TON(導通角)が可変されるように、発振信号波
形の制御を行うようにされている。この期間TON(導通
角)の可変制御は、並列共振コンデンサCrの両端に得
られる並列共振電圧V1のピーク値に基づいて行うよう
にされる。このような発振回路41の動作により、後述
するようにして二次側直流出力電圧EOについての安定
化が図られる。
ようにしてフォトカプラ2を介して入力される二次側直
流出力電圧EOのレベルに基づいて発振信号周波数(ス
イッチング周波数fs)を可変する動作を行うようにさ
れている。また、このスイッチング周波数fsを可変す
ると同時に、スイッチング素子Q1がオフとなる期間TO
FFは一定とした上で、スイッチング素子Q1がオンとな
る期間TON(導通角)が可変されるように、発振信号波
形の制御を行うようにされている。この期間TON(導通
角)の可変制御は、並列共振コンデンサCrの両端に得
られる並列共振電圧V1のピーク値に基づいて行うよう
にされる。このような発振回路41の動作により、後述
するようにして二次側直流出力電圧EOについての安定
化が図られる。
【0010】絶縁コンバータトランスPITは、スイッ
チング素子Q1のスイッチング出力を二次側に伝送する 絶縁コンバータトランスPITは、図11に示すよう
に、例えばフェライト材によるE型コアCR1、CR2
を互いの磁脚が対向するように組み合わせたEE型コア
が備えられ、このEE型コアの中央磁脚に対して、分割
ボビンBを利用して一次巻線N1と、二次巻線N2をそれ
ぞれ分割した状態で巻装している。そして、中央磁脚に
対しては図のようにギャップGを形成するようにしてい
る。これによって、所要の結合係数による疎結合が得ら
れるようにしている。ギャップGは、E型コアCR1,
CR2の中央磁脚を、2本の外磁脚よりも短くすること
で形成することが出来る。また、結合係数kとしては、
例えばk≒0.85という疎結合の状態を得るようにし
ており、その分、飽和状態が得られにくいようにしてい
る。
チング素子Q1のスイッチング出力を二次側に伝送する 絶縁コンバータトランスPITは、図11に示すよう
に、例えばフェライト材によるE型コアCR1、CR2
を互いの磁脚が対向するように組み合わせたEE型コア
が備えられ、このEE型コアの中央磁脚に対して、分割
ボビンBを利用して一次巻線N1と、二次巻線N2をそれ
ぞれ分割した状態で巻装している。そして、中央磁脚に
対しては図のようにギャップGを形成するようにしてい
る。これによって、所要の結合係数による疎結合が得ら
れるようにしている。ギャップGは、E型コアCR1,
CR2の中央磁脚を、2本の外磁脚よりも短くすること
で形成することが出来る。また、結合係数kとしては、
例えばk≒0.85という疎結合の状態を得るようにし
ており、その分、飽和状態が得られにくいようにしてい
る。
【0011】上記絶縁コンバータトランスPITの一次
巻線N1の巻終わり端部は、図9に示すようにスイッチ
ング素子Q1のドレインと接続され、巻始め端部は平滑
コンデンサCiの正極(整流平滑電圧Ei)と接続され
ている。従って、一次巻線N1に対しては、スイッチン
グ素子Q1のスイッチング出力が供給されることで、ス
イッチング周波数に対応する周期の交番電圧が発生す
る。
巻線N1の巻終わり端部は、図9に示すようにスイッチ
ング素子Q1のドレインと接続され、巻始め端部は平滑
コンデンサCiの正極(整流平滑電圧Ei)と接続され
ている。従って、一次巻線N1に対しては、スイッチン
グ素子Q1のスイッチング出力が供給されることで、ス
イッチング周波数に対応する周期の交番電圧が発生す
る。
【0012】絶縁コンバータトランスPITの二次側で
は、一次巻線N1により誘起された交番電圧が二次巻線
N2に発生する。この場合、二次巻線N2に対しては、二
次側並列共振コンデンサC2が並列に接続されること
で、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と二次
側並列共振コンデンサC2のキャパシタンスとによって
並列共振回路が形成される。この並列共振回路により、
二次巻線N2に誘起される交番電圧は共振電圧となる。
つまり二次側において電圧共振動作が得られる。
は、一次巻線N1により誘起された交番電圧が二次巻線
N2に発生する。この場合、二次巻線N2に対しては、二
次側並列共振コンデンサC2が並列に接続されること
で、二次巻線N2のリーケージインダクタンスL2と二次
側並列共振コンデンサC2のキャパシタンスとによって
並列共振回路が形成される。この並列共振回路により、
二次巻線N2に誘起される交番電圧は共振電圧となる。
つまり二次側において電圧共振動作が得られる。
【0013】即ち、この電源回路では、一次側にはスイ
ッチング動作を電圧共振形とするための並列共振回路が
備えられ、二次側には電圧共振動作を得るための並列共
振回路が備えられる。なお、本明細書では、このように
一次側及び二次側に対して共振回路が備えられて動作す
る構成のスイッチングコンバータについては、「複合共
振形スイッチングコンバータ」ともいうことにする。
ッチング動作を電圧共振形とするための並列共振回路が
備えられ、二次側には電圧共振動作を得るための並列共
振回路が備えられる。なお、本明細書では、このように
一次側及び二次側に対して共振回路が備えられて動作す
る構成のスイッチングコンバータについては、「複合共
振形スイッチングコンバータ」ともいうことにする。
【0014】上記のようにして形成される電源回路の二
次側に対しては、ブリッジ整流回路DBR及び平滑コンデ
ンサCOから成る整流平滑回路を備えることで二次側直
流出力電圧EOを得るようにしている。つまり、この構
成では二次側においてブリッジ整流回路DBRによって全
波整流動作を得ている。この場合、ブリッジ整流回路D
BRは二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力
することで、二次巻線N2に誘起される交番電圧とほぼ
等倍レベルに対応する二次側直流出力電圧EOを生成す
る。また、二次側直流出力電圧EOは、フォトカプラ4
0を介することで一次側と二次側を直流的に絶縁した状
態で、一次側のスイッチング駆動部10B内の発振回路
41に対して入力されるようにもなっている。
次側に対しては、ブリッジ整流回路DBR及び平滑コンデ
ンサCOから成る整流平滑回路を備えることで二次側直
流出力電圧EOを得るようにしている。つまり、この構
成では二次側においてブリッジ整流回路DBRによって全
波整流動作を得ている。この場合、ブリッジ整流回路D
BRは二次側並列共振回路から供給される共振電圧を入力
することで、二次巻線N2に誘起される交番電圧とほぼ
等倍レベルに対応する二次側直流出力電圧EOを生成す
る。また、二次側直流出力電圧EOは、フォトカプラ4
0を介することで一次側と二次側を直流的に絶縁した状
態で、一次側のスイッチング駆動部10B内の発振回路
41に対して入力されるようにもなっている。
【0015】ところで、絶縁コンバータトランスPIT
の二次側の動作としては、一次巻線N1、二次巻線N2の
極性(巻方向)と整流ダイオードDO(DO1,DO2)の
接続関係と、二次巻線N2に励起される交番電圧の極性
変化によって、一次巻線N1のインダクタンスL1と二次
巻線N2のインダクタンスL2との相互インダクタンスM
について、+Mとなる場合と−Mとなる場合とがある。
例えば、図12(a)に示す回路と等価となる場合に相
互インダクタンスは+Mとなり、図12(b)に示す回
路と等価となる場合に相互インダクタンスは−Mとな
る。これを、図9に示す二次側の動作に対応させてみる
と、二次巻線N2に得られる交番電圧が正極性のときに
ブリッジ整流回路DBRに整流電流が流れる動作は+Mの
動作モード(フォワード動作)と見ることができ、また
逆に二次巻線N2に得られる交番電圧が負極性のときに
ブリッジ整流ダイオードDBRに整流電流が流れる動作は
−Mの動作モード(フライバック動作)であると見るこ
とができる。二次巻線N2に得られる交番電圧が正/負
となるごとに、相互インダクタンスが+M/−Mのモー
ドで動作することになる。
の二次側の動作としては、一次巻線N1、二次巻線N2の
極性(巻方向)と整流ダイオードDO(DO1,DO2)の
接続関係と、二次巻線N2に励起される交番電圧の極性
変化によって、一次巻線N1のインダクタンスL1と二次
巻線N2のインダクタンスL2との相互インダクタンスM
について、+Mとなる場合と−Mとなる場合とがある。
例えば、図12(a)に示す回路と等価となる場合に相
互インダクタンスは+Mとなり、図12(b)に示す回
路と等価となる場合に相互インダクタンスは−Mとな
る。これを、図9に示す二次側の動作に対応させてみる
と、二次巻線N2に得られる交番電圧が正極性のときに
ブリッジ整流回路DBRに整流電流が流れる動作は+Mの
動作モード(フォワード動作)と見ることができ、また
逆に二次巻線N2に得られる交番電圧が負極性のときに
ブリッジ整流ダイオードDBRに整流電流が流れる動作は
−Mの動作モード(フライバック動作)であると見るこ
とができる。二次巻線N2に得られる交番電圧が正/負
となるごとに、相互インダクタンスが+M/−Mのモー
ドで動作することになる。
【0016】このような構成では、一次側並列共振回路
と二次側並列共振回路の作用によって増加された電力が
負荷側に供給され、それだけ負荷側に供給される電力も
増加して、最大負荷電力の増加率も向上する。これは、
先に図11にて説明したように、絶縁コンバータトラン
スPITに対してギャップGを形成して所要の結合係数
による疎結合としたことによって、更に飽和状態となり
にくい状態を得たことで実現されるものである。例え
ば、絶縁コンバータトランスPITに対してギャップG
が設けられない場合には、フライバック動作時において
絶縁コンバータトランスPITが飽和状態となって動作
が異常となる可能性が高く、上述した全波整流動作が適
正に行われるのを望むのは難しい。
と二次側並列共振回路の作用によって増加された電力が
負荷側に供給され、それだけ負荷側に供給される電力も
増加して、最大負荷電力の増加率も向上する。これは、
先に図11にて説明したように、絶縁コンバータトラン
スPITに対してギャップGを形成して所要の結合係数
による疎結合としたことによって、更に飽和状態となり
にくい状態を得たことで実現されるものである。例え
ば、絶縁コンバータトランスPITに対してギャップG
が設けられない場合には、フライバック動作時において
絶縁コンバータトランスPITが飽和状態となって動作
が異常となる可能性が高く、上述した全波整流動作が適
正に行われるのを望むのは難しい。
【0017】また、この図9に示す回路における安定化
動作は次のようになる。一次側のスイッチング駆動部1
0B内の発振回路41に対しては、前述したように、フ
ォトカプラ40を介して二次側直流出力電圧EOが入力
される。そして、発振回路41においては、この入力さ
れた二次側直流出力電圧EOのレベル変化に応じて、発
振信号の周波数を可変して出力するようにされる。これ
は即ち、スイッチング素子Q1のスイッチング周波数を
可変する動作となるが、これにより、一次側電圧共振形
コンバータと絶縁コンバータトランスPITとの共振イ
ンピーダンスが変化し、絶縁コンバータトランスPIT
の二次側に伝送されるエネルギーも変化することにな
る。この結果、二次側直流出力電圧EOとしては、所要
のレベルで一定となるように制御されることになる。即
ち、電源の安定化が図られる。
動作は次のようになる。一次側のスイッチング駆動部1
0B内の発振回路41に対しては、前述したように、フ
ォトカプラ40を介して二次側直流出力電圧EOが入力
される。そして、発振回路41においては、この入力さ
れた二次側直流出力電圧EOのレベル変化に応じて、発
振信号の周波数を可変して出力するようにされる。これ
は即ち、スイッチング素子Q1のスイッチング周波数を
可変する動作となるが、これにより、一次側電圧共振形
コンバータと絶縁コンバータトランスPITとの共振イ
ンピーダンスが変化し、絶縁コンバータトランスPIT
の二次側に伝送されるエネルギーも変化することにな
る。この結果、二次側直流出力電圧EOとしては、所要
のレベルで一定となるように制御されることになる。即
ち、電源の安定化が図られる。
【0018】また、この図9に示す電源回路において
は、発振回路41においてスイッチング周波数を可変す
るのにあたり、先にも述べたように、スイッチング素子
Q1がオフとなる期間TOFFは一定とされたうえで、オン
となる期間TONを可変制御するようにされる。つまり、
この電源回路では、定電圧制御動作として、スイッチン
グ周波数を可変制御するように動作することで、スイッ
チング出力に対する共振インピーダンス制御を行い、こ
れと同時に、スイッチング周期におけるスイッチング素
子の導通角制御(PWM制御)も行うようにされている
ものである。そして、この複合的な制御動作を1組の制
御回路系によって実現している。なお、本明細書では、
このような複合的な制御を「複合制御方式」ともいう。
は、発振回路41においてスイッチング周波数を可変す
るのにあたり、先にも述べたように、スイッチング素子
Q1がオフとなる期間TOFFは一定とされたうえで、オン
となる期間TONを可変制御するようにされる。つまり、
この電源回路では、定電圧制御動作として、スイッチン
グ周波数を可変制御するように動作することで、スイッ
チング出力に対する共振インピーダンス制御を行い、こ
れと同時に、スイッチング周期におけるスイッチング素
子の導通角制御(PWM制御)も行うようにされている
ものである。そして、この複合的な制御動作を1組の制
御回路系によって実現している。なお、本明細書では、
このような複合的な制御を「複合制御方式」ともいう。
【0019】また、図10に、本出願人が提案した内容
に基づいて構成される電源回路としての他の例を示す。
なお、この図において図9と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。図10に示す電源回路の一次側に
は、1石のスイッチング素子Q1によりシングルエンド
動作を行う電圧共振形コンバータ回路として、自励式の
構成が示される。この場合、スイッチング素子Q1に
は、高耐圧のバイポーラトランジスタ(BJT;接合型
トランジスタ)が採用されている。
に基づいて構成される電源回路としての他の例を示す。
なお、この図において図9と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。図10に示す電源回路の一次側に
は、1石のスイッチング素子Q1によりシングルエンド
動作を行う電圧共振形コンバータ回路として、自励式の
構成が示される。この場合、スイッチング素子Q1に
は、高耐圧のバイポーラトランジスタ(BJT;接合型
トランジスタ)が採用されている。
【0020】スイッチング素子Q1のベースは、ベース
電流制限抵抗RB−起動抵抗RSを介して平滑コンデンサ
Ci(整流平滑電圧Ei)の正極側に接続されて、起動
時のベース電流を整流平滑ラインから得るようにしてい
る。また、スイッチング素子Q1のベースと一次側アー
ス間には、駆動巻線NB、共振コンデンサCB、ベース電
流制限抵抗RBの直列接続回路よりなる自励発振駆動用
の直列共振回路が接続される。また、スイッチング素子
Q1のベースと平滑コンデンサCiの負極(1次側アー
ス)間に挿入されるクランプダイオードDDにより、ス
イッチング素子Q1のオフ時に流れるクランプ電流の経
路を形成するようにされており、また、スイッチング素
子Q1のコレクタは、絶縁コンバータトランスPITの
一次巻線N1の一端と接続され、エミッタは接地され
る。
電流制限抵抗RB−起動抵抗RSを介して平滑コンデンサ
Ci(整流平滑電圧Ei)の正極側に接続されて、起動
時のベース電流を整流平滑ラインから得るようにしてい
る。また、スイッチング素子Q1のベースと一次側アー
ス間には、駆動巻線NB、共振コンデンサCB、ベース電
流制限抵抗RBの直列接続回路よりなる自励発振駆動用
の直列共振回路が接続される。また、スイッチング素子
Q1のベースと平滑コンデンサCiの負極(1次側アー
ス)間に挿入されるクランプダイオードDDにより、ス
イッチング素子Q1のオフ時に流れるクランプ電流の経
路を形成するようにされており、また、スイッチング素
子Q1のコレクタは、絶縁コンバータトランスPITの
一次巻線N1の一端と接続され、エミッタは接地され
る。
【0021】また、上記スイッチング素子Q1のコレク
タ−エミッタ間に対しては、並列共振コンデンサCrが
並列に接続されている。そしてこの場合にも、並列共振
コンデンサCr自身のキャパシタンスと、絶縁コンバー
タトランスPITの一次巻線N1側のリーケージインダ
クタンスL1とにより電圧共振形コンバータの一次側並
列共振回路を形成する。
タ−エミッタ間に対しては、並列共振コンデンサCrが
並列に接続されている。そしてこの場合にも、並列共振
コンデンサCr自身のキャパシタンスと、絶縁コンバー
タトランスPITの一次巻線N1側のリーケージインダ
クタンスL1とにより電圧共振形コンバータの一次側並
列共振回路を形成する。
【0022】この図に示す直交形制御トランスPRT
は、共振電流検出巻線ND、駆動巻線NB、及び制御巻線
NCが巻装された可飽和リアクトルである。この直交形
制御トランスPRTは、スイッチング素子Q1を駆動す
ると共に、定電圧制御のために設けられる。この直交形
制御トランスPRTの構造としては、図示は省略する
が、4本の磁脚を有する2つのダブルコの字形コアの互
いの磁脚の端部を接合するようにして立体型コアを形成
する。そして、この立体型コアの所定の2本の磁脚に対
して、同じ巻回方向に共振電流検出巻線ND、駆動巻線
NBを巻装し、更に制御巻線NCを、上記共振電流検出巻
線ND及び駆動巻線NBに対して直交する方向に巻装して
構成される。
は、共振電流検出巻線ND、駆動巻線NB、及び制御巻線
NCが巻装された可飽和リアクトルである。この直交形
制御トランスPRTは、スイッチング素子Q1を駆動す
ると共に、定電圧制御のために設けられる。この直交形
制御トランスPRTの構造としては、図示は省略する
が、4本の磁脚を有する2つのダブルコの字形コアの互
いの磁脚の端部を接合するようにして立体型コアを形成
する。そして、この立体型コアの所定の2本の磁脚に対
して、同じ巻回方向に共振電流検出巻線ND、駆動巻線
NBを巻装し、更に制御巻線NCを、上記共振電流検出巻
線ND及び駆動巻線NBに対して直交する方向に巻装して
構成される。
【0023】この場合、直交形制御トランスPRTの共
振電流検出巻線NDは、平滑コンデンサCiの正極と絶
縁コンバータトランスPITの一次巻線N1との間に直
列に挿入されることで、スイッチング素子Q1のスイッ
チング出力は、一次巻線N1を介して共振電流検出巻線
NDに伝達される。直交形制御トランスPRTにおいて
は、共振電流検出巻線NDに得られたスイッチング出力
がトランス結合を介して駆動巻線NBに誘起されること
で、駆動巻線NBにはドライブ電圧としての交番電圧が
発生する。このドライブ電圧は、自励発振駆動回路を形
成する直列共振回路(NB,CB)からベース電流制限抵
抗RBを介して、ドライブ電流としてスイッチング素子
Q1のベースに出力される。これにより、スイッチング
素子Q1は、直列共振回路の共振周波数により決定され
るスイッチング周波数でスイッチング動作を行うことに
なる。そして、そのコレクタに得られるとされるスイッ
チング出力を絶縁コンバータトランスPITの一次巻線
N1に伝達するようにされている。
振電流検出巻線NDは、平滑コンデンサCiの正極と絶
縁コンバータトランスPITの一次巻線N1との間に直
列に挿入されることで、スイッチング素子Q1のスイッ
チング出力は、一次巻線N1を介して共振電流検出巻線
NDに伝達される。直交形制御トランスPRTにおいて
は、共振電流検出巻線NDに得られたスイッチング出力
がトランス結合を介して駆動巻線NBに誘起されること
で、駆動巻線NBにはドライブ電圧としての交番電圧が
発生する。このドライブ電圧は、自励発振駆動回路を形
成する直列共振回路(NB,CB)からベース電流制限抵
抗RBを介して、ドライブ電流としてスイッチング素子
Q1のベースに出力される。これにより、スイッチング
素子Q1は、直列共振回路の共振周波数により決定され
るスイッチング周波数でスイッチング動作を行うことに
なる。そして、そのコレクタに得られるとされるスイッ
チング出力を絶縁コンバータトランスPITの一次巻線
N1に伝達するようにされている。
【0024】また、この図10に示す回路に備えられる
絶縁コンバータトランスPITとしても、先に図11に
より説明したのと同様の構造を有するものとされている
ことで、一次側と二次側は疎結合の状態が得られるよう
にされている。
絶縁コンバータトランスPITとしても、先に図11に
より説明したのと同様の構造を有するものとされている
ことで、一次側と二次側は疎結合の状態が得られるよう
にされている。
【0025】そして図10に示す回路の絶縁コンバータ
トランスPITの二次側においても、二次巻線N2に対
して二次側並列共振コンデンサC2が並列に接続される
ことで、二次側並列共振回路が形成されており、従っ
て、この電源回路としても複合共振形スイッチングコン
バータとしての構成を得ている。
トランスPITの二次側においても、二次巻線N2に対
して二次側並列共振コンデンサC2が並列に接続される
ことで、二次側並列共振回路が形成されており、従っ
て、この電源回路としても複合共振形スイッチングコン
バータとしての構成を得ている。
【0026】また、この電源回路の二次側では、二次巻
線N2に対して1本のダイオードDOと平滑コンデンサC
Oから成る半波整流回路が備えられていることで、フォ
ワード動作のみの半波整流動作によって二次側直流出力
電圧EOを得るようにされている。この場合、二次側直
流出力電圧EOは制御回路1に対しても分岐して入力さ
れ、制御回路1においては、直流出力電圧EOを検出電
圧として利用するようにしている。
線N2に対して1本のダイオードDOと平滑コンデンサC
Oから成る半波整流回路が備えられていることで、フォ
ワード動作のみの半波整流動作によって二次側直流出力
電圧EOを得るようにされている。この場合、二次側直
流出力電圧EOは制御回路1に対しても分岐して入力さ
れ、制御回路1においては、直流出力電圧EOを検出電
圧として利用するようにしている。
【0027】制御回路1では、二次側の直流出力電圧レ
ベルEOの変化に応じて、制御巻線NCに流す制御電流
(直流電流)レベルを可変することで、直交形制御トラ
ンスPRTに巻装された駆動巻線NBのインダクタンス
LBを可変制御する。これにより、駆動巻線NBのインダ
クタンスLBを含んで形成されるスイッチング素子Q1の
ための自励発振駆動回路内の直列共振回路の共振条件が
変化する。これは、スイッチング素子Q1のスイッチン
グ周波数を可変する動作となり、この動作によって二次
側の直流出力電圧を安定化する。また、このような直交
形制御トランスPRTを備えた定電圧制御の構成にあっ
ても、一次側のスイッチングコンバータが電圧共振形と
されていることで、スイッチング周波数の可変制御と同
時にスイッチング周期におけるスイッチング素子の導通
角制御(PWM制御)も行う、複合制御方式としての動
作が行われる。
ベルEOの変化に応じて、制御巻線NCに流す制御電流
(直流電流)レベルを可変することで、直交形制御トラ
ンスPRTに巻装された駆動巻線NBのインダクタンス
LBを可変制御する。これにより、駆動巻線NBのインダ
クタンスLBを含んで形成されるスイッチング素子Q1の
ための自励発振駆動回路内の直列共振回路の共振条件が
変化する。これは、スイッチング素子Q1のスイッチン
グ周波数を可変する動作となり、この動作によって二次
側の直流出力電圧を安定化する。また、このような直交
形制御トランスPRTを備えた定電圧制御の構成にあっ
ても、一次側のスイッチングコンバータが電圧共振形と
されていることで、スイッチング周波数の可変制御と同
時にスイッチング周期におけるスイッチング素子の導通
角制御(PWM制御)も行う、複合制御方式としての動
作が行われる。
【0028】図13は、上記図10に示した電源回路の
動作を示す波形図である。図13(a)(b)(c)
は、それぞれ交流入力電圧VAC=100Vで、最大負荷
電力Pomax=200W時の動作を示し、図13(d)
(e)(f)は、それぞれ交流入力電圧VAC=100V
で、最小負荷電力Pomin=0Wとされる無負荷時の動
作を示している。
動作を示す波形図である。図13(a)(b)(c)
は、それぞれ交流入力電圧VAC=100Vで、最大負荷
電力Pomax=200W時の動作を示し、図13(d)
(e)(f)は、それぞれ交流入力電圧VAC=100V
で、最小負荷電力Pomin=0Wとされる無負荷時の動
作を示している。
【0029】一次側においてスイッチング素子Q1がス
イッチング動作を行うと、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間TOFFにおいては、一次側並列共振回路の共
振動作が得られる。これによって、並列共振コンデンサ
Crの両端に得られる並列共振電圧V1としては、図1
3(a)(d)に示すようにして、期間TOFFにおいて
正弦波状の共振パルスが現れる波形となる。ここで、複
合共振形として二次側共振回路が並列共振回路である場
合には、図示するように、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間TOFFは一定で、オンとなる期間TONが可変
される。
イッチング動作を行うと、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間TOFFにおいては、一次側並列共振回路の共
振動作が得られる。これによって、並列共振コンデンサ
Crの両端に得られる並列共振電圧V1としては、図1
3(a)(d)に示すようにして、期間TOFFにおいて
正弦波状の共振パルスが現れる波形となる。ここで、複
合共振形として二次側共振回路が並列共振回路である場
合には、図示するように、スイッチング素子Q1がオフ
となる期間TOFFは一定で、オンとなる期間TONが可変
される。
【0030】また、上記したタイミングによって一次側
で電圧共振形コンバータがスイッチングを行うことで、
二次側においては、整流ダイオードDOが二次巻線N2に
励起された交番電圧をスイッチングして整流する動作が
得られる。このとき、図13(b)(e)に示すように
して、二次巻線N2の両端電圧Voとしては、整流ダイ
オードDOがオンとなる期間DONにおいては、二次側直
流出力電圧EOのレベルによりクランプされ、オフとな
る期間DOFFにおいては、二次側並列共振回路の共振作
用によって、負極性の方向に正弦波状となるパルス波形
が得られる。そして、整流ダイオードDOを介して平滑
コンデンサC0に充電される二次側整流電流I0として
は、図13(c)(f)に示すようにして、期間DON開
始時において急峻に立ち上がり徐々にレベルがて低下し
ていく、略鋸歯状波となる波形が得られる。
で電圧共振形コンバータがスイッチングを行うことで、
二次側においては、整流ダイオードDOが二次巻線N2に
励起された交番電圧をスイッチングして整流する動作が
得られる。このとき、図13(b)(e)に示すように
して、二次巻線N2の両端電圧Voとしては、整流ダイ
オードDOがオンとなる期間DONにおいては、二次側直
流出力電圧EOのレベルによりクランプされ、オフとな
る期間DOFFにおいては、二次側並列共振回路の共振作
用によって、負極性の方向に正弦波状となるパルス波形
が得られる。そして、整流ダイオードDOを介して平滑
コンデンサC0に充電される二次側整流電流I0として
は、図13(c)(f)に示すようにして、期間DON開
始時において急峻に立ち上がり徐々にレベルがて低下し
ていく、略鋸歯状波となる波形が得られる。
【0031】ここで、図13(a)と図13(d)を比
較して分かるように、負荷電力Poが小さくなるのに従
ってスイッチング周波数fsは高くなるように制御され
ており、また、期間TOFFを一定として、スイッチング
素子Q1がオンとなる期間TONについて可変を行うこと
でスイッチング周波数fs(スイッチング周期)を可変
するようにされている。即ち、前述した複合制御方式と
しての動作が示されているものである。
較して分かるように、負荷電力Poが小さくなるのに従
ってスイッチング周波数fsは高くなるように制御され
ており、また、期間TOFFを一定として、スイッチング
素子Q1がオンとなる期間TONについて可変を行うこと
でスイッチング周波数fs(スイッチング周期)を可変
するようにされている。即ち、前述した複合制御方式と
しての動作が示されているものである。
【0032】また、図10に示される電圧共振形コンバ
ータの構成では、上記並列共振電圧V1のレベルは負荷
電力変動に対応して変化し、例えば、最大負荷電力Po
max=200W時には550Vpとなり、最小負荷電力
Pomin=0W時には、300Vpとなる。即ち、負荷
電力が重くなるのに従って、並列共振電圧V1は上昇す
る傾向を有する。同様に、期間DOFFにおいて得られる
二次巻線N2の両端電圧Voのピークレベルも負荷電力
が重くなるのに従って高くなる傾向を有しており、この
場合には、最大負荷電力Pomax=200W時には45
0Vpとなり、最小負荷電力Pomin=0W時には、2
20Vpとなっている。なお、上記図13の波形図によ
り説明した動作は、図9に示した回路においてもほぼ同
様となるものである。
ータの構成では、上記並列共振電圧V1のレベルは負荷
電力変動に対応して変化し、例えば、最大負荷電力Po
max=200W時には550Vpとなり、最小負荷電力
Pomin=0W時には、300Vpとなる。即ち、負荷
電力が重くなるのに従って、並列共振電圧V1は上昇す
る傾向を有する。同様に、期間DOFFにおいて得られる
二次巻線N2の両端電圧Voのピークレベルも負荷電力
が重くなるのに従って高くなる傾向を有しており、この
場合には、最大負荷電力Pomax=200W時には45
0Vpとなり、最小負荷電力Pomin=0W時には、2
20Vpとなっている。なお、上記図13の波形図によ
り説明した動作は、図9に示した回路においてもほぼ同
様となるものである。
【0033】続いて、図9及び図10に示した電源回路
の特性として、最大負荷電力Pomax=200W時にお
ける、交流入力電圧VACに対するスイッチング周波数f
s、スイッチング周期内の期間TOFFと期間TON、及び
並列共振電圧V1の変動特性を、図14に示す。
の特性として、最大負荷電力Pomax=200W時にお
ける、交流入力電圧VACに対するスイッチング周波数f
s、スイッチング周期内の期間TOFFと期間TON、及び
並列共振電圧V1の変動特性を、図14に示す。
【0034】図14に示されるように、先ず、スイッチ
ング周波数fsとしては、交流入力電圧VAC=90V〜
140Vの変動範囲に対してfs=110KHz〜14
0KHz程度の範囲で変化することが示されている。こ
れは即ち、直流入力電圧変動に応じて二次側直流出力電
圧EOの変動を安定化する動作が行われることを示して
いる。交流入力電圧VACの変動に対しては、この交流入
力電圧VACのレベルが高くなるのに応じてスイッチング
周波数を上昇させるように制御を行うようにされてい
る。
ング周波数fsとしては、交流入力電圧VAC=90V〜
140Vの変動範囲に対してfs=110KHz〜14
0KHz程度の範囲で変化することが示されている。こ
れは即ち、直流入力電圧変動に応じて二次側直流出力電
圧EOの変動を安定化する動作が行われることを示して
いる。交流入力電圧VACの変動に対しては、この交流入
力電圧VACのレベルが高くなるのに応じてスイッチング
周波数を上昇させるように制御を行うようにされてい
る。
【0035】そして、1スイッチング周期内における期
間TOFFと期間TONについてであるが、期間TOFFはスイ
ッチング周波数fsに対して一定であり、期間TONがス
イッチング周波数fsの上昇に応じて二次曲線的に低く
なっていくようにされており、スイッチング周波数制御
として複合制御方式の動作となっていることがここでも
示される。
間TOFFと期間TONについてであるが、期間TOFFはスイ
ッチング周波数fsに対して一定であり、期間TONがス
イッチング周波数fsの上昇に応じて二次曲線的に低く
なっていくようにされており、スイッチング周波数制御
として複合制御方式の動作となっていることがここでも
示される。
【0036】また、並列共振電圧V1も、商用交流電源
VACの変動に応じて変化するものとされ、図示するよう
に、交流入力電圧VACが高くなるのに応じてそのレベル
が上昇するように変動する。
VACの変動に応じて変化するものとされ、図示するよう
に、交流入力電圧VACが高くなるのに応じてそのレベル
が上昇するように変動する。
【0037】さらに図15に、本出願人の発明に基づく
他の電源回路の構成を示す。この図に示す電源回路は、
複合共振形スイッチングコンバータとして、二次側に直
列共振回路を備えた構成を採る。なお、この図におい
て、図9及び図10と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。
他の電源回路の構成を示す。この図に示す電源回路は、
複合共振形スイッチングコンバータとして、二次側に直
列共振回路を備えた構成を採る。なお、この図におい
て、図9及び図10と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。
【0038】この図に示す電源回路の二次側は、次のよ
うな構成を採っている。絶縁コンバータトランスPIT
の二次巻線N2の巻始め端部は、直列共振コンデンサC
sの直列接続を介して、整流ダイオードDO1のアノード
と整流ダイオードDO2のカソードの接続点に対して接続
され、巻終わり端部は二次側アースに対して接続され
る。整流ダイオードDO1のカソードは平滑コンデンサC
Oの正極と接続され、整流ダイオードDO2のアノードは
二次側アースに対して接続される。平滑コンデンサCO
の負極側は二次側アースに対して接続される。
うな構成を採っている。絶縁コンバータトランスPIT
の二次巻線N2の巻始め端部は、直列共振コンデンサC
sの直列接続を介して、整流ダイオードDO1のアノード
と整流ダイオードDO2のカソードの接続点に対して接続
され、巻終わり端部は二次側アースに対して接続され
る。整流ダイオードDO1のカソードは平滑コンデンサC
Oの正極と接続され、整流ダイオードDO2のアノードは
二次側アースに対して接続される。平滑コンデンサCO
の負極側は二次側アースに対して接続される。
【0039】このような接続形態では、[二次巻線N2
、直列共振コンデンサCs、整流ダイオードDO1,DO
2、平滑コンデンサCO]の組から成る倍電圧半波整流回
路が形成されることになる。ここで、直列共振コンデン
サCsは、自身のキャパシタンスと二次巻線N2 の漏洩
インダクタンスL2 とによって、整流ダイオードDO1,
DO2のオン/オフ動作に対応して共振動作を行う直列共
振回路を形成する。なお、直列共振コンデンサCsにつ
いては、一次側の並列共振回路(N1 ,Cr)の並列共
振周波数をfo1とし、上記二次側の直列共振回路の直
列共振周波数をfo2とすると、fo1≒fo2となる
ように、そのキャパシタンスが選定される。
、直列共振コンデンサCs、整流ダイオードDO1,DO
2、平滑コンデンサCO]の組から成る倍電圧半波整流回
路が形成されることになる。ここで、直列共振コンデン
サCsは、自身のキャパシタンスと二次巻線N2 の漏洩
インダクタンスL2 とによって、整流ダイオードDO1,
DO2のオン/オフ動作に対応して共振動作を行う直列共
振回路を形成する。なお、直列共振コンデンサCsにつ
いては、一次側の並列共振回路(N1 ,Cr)の並列共
振周波数をfo1とし、上記二次側の直列共振回路の直
列共振周波数をfo2とすると、fo1≒fo2となる
ように、そのキャパシタンスが選定される。
【0040】即ち、この電源回路では、「複合共振形ス
イッチングコンバータ」として、一次側にはスイッチン
グ動作を電圧共振形とするための並列共振回路を備え、
二次側には電流共振動作を得るための直列共振回路が備
えられるものである。
イッチングコンバータ」として、一次側にはスイッチン
グ動作を電圧共振形とするための並列共振回路を備え、
二次側には電流共振動作を得るための直列共振回路が備
えられるものである。
【0041】そして、上記した[二次巻線N2 、直列共
振コンデンサCs、整流ダイオードDO1,DO2,平滑コ
ンデンサCO]の組による倍電圧整流動作としては、例
えば次のようになる。一次側のスイッチング動作により
一次巻線N1 にスイッチング出力が得られると、このス
イッチング出力は二次巻線N2 に励起される。倍電圧整
流回路は、この二次巻線N2 に得られた交番電圧を入力
して整流動作を行う。この場合、先ず、整流ダイオード
DO1がオフとなり、整流ダイオードDO2がオンとなる期
間においては、一次巻線N1 と二次巻線N2 との極性が
−Mとなる減極性モードで動作して、整流ダイオードD
O2により整流した整流電流を直列共振コンデンサCsに
対して充電する動作が得られる。そして、整流ダイオー
ドDO2がオフとなり、整流ダイオードDO1がオンとなっ
て整流動作を行う期間においては、一次巻線N1 と二次
巻線N2 との極性が+Mとなる加極性モードとなり、二
次巻線N2 に誘起された電圧に直列共振コンデンサCs
の電位が加わる状態で平滑コンデンサCOに対して充電
が行われる動作となる。上記のようにして、絶縁コンバ
ータトランスPITの二次側において、二次側直列共振
回路の直列共振動作を伴って、加極性モードと減極性モ
ードを交互に繰り返すようにして整流動作が行われる結
果、平滑コンデンサCOには、二次巻線N2 に発生する
誘起電圧のほぼ2倍のレベルに対応した二次側直流出力
電圧EOが得られる。なお、この場合には倍電圧整流動
作により二次側直流出力電圧EOを得るようにされてい
ることから、例えば二次側に等倍電圧整流回路を備える
構成と比較すれば、二次巻線N2の巻数としては約1/
2で済むことになる。
振コンデンサCs、整流ダイオードDO1,DO2,平滑コ
ンデンサCO]の組による倍電圧整流動作としては、例
えば次のようになる。一次側のスイッチング動作により
一次巻線N1 にスイッチング出力が得られると、このス
イッチング出力は二次巻線N2 に励起される。倍電圧整
流回路は、この二次巻線N2 に得られた交番電圧を入力
して整流動作を行う。この場合、先ず、整流ダイオード
DO1がオフとなり、整流ダイオードDO2がオンとなる期
間においては、一次巻線N1 と二次巻線N2 との極性が
−Mとなる減極性モードで動作して、整流ダイオードD
O2により整流した整流電流を直列共振コンデンサCsに
対して充電する動作が得られる。そして、整流ダイオー
ドDO2がオフとなり、整流ダイオードDO1がオンとなっ
て整流動作を行う期間においては、一次巻線N1 と二次
巻線N2 との極性が+Mとなる加極性モードとなり、二
次巻線N2 に誘起された電圧に直列共振コンデンサCs
の電位が加わる状態で平滑コンデンサCOに対して充電
が行われる動作となる。上記のようにして、絶縁コンバ
ータトランスPITの二次側において、二次側直列共振
回路の直列共振動作を伴って、加極性モードと減極性モ
ードを交互に繰り返すようにして整流動作が行われる結
果、平滑コンデンサCOには、二次巻線N2 に発生する
誘起電圧のほぼ2倍のレベルに対応した二次側直流出力
電圧EOが得られる。なお、この場合には倍電圧整流動
作により二次側直流出力電圧EOを得るようにされてい
ることから、例えば二次側に等倍電圧整流回路を備える
構成と比較すれば、二次巻線N2の巻数としては約1/
2で済むことになる。
【0042】また、この場合にも、二次側直流出力電圧
EOは、フォトカプラ40を介して一次側のスイッチン
グ駆動部10B内の発振回路41に対してフィードバッ
クされており、このフィードバックされた二次側直流出
力電圧レベルに基づいて、一次側において複合制御方式
としての定電圧動作が得られる。
EOは、フォトカプラ40を介して一次側のスイッチン
グ駆動部10B内の発振回路41に対してフィードバッ
クされており、このフィードバックされた二次側直流出
力電圧レベルに基づいて、一次側において複合制御方式
としての定電圧動作が得られる。
【0043】続いて、二次側に直列共振回路を備えた複
合共振形スイッチングコンバータとしての他の例を図1
6に示す。また、この図に示す電源回路は、一次側とし
ては、図10に示したのと同様に、シングルエンド方式
で自励式の電圧共振形コンバータが備えられる。
合共振形スイッチングコンバータとしての他の例を図1
6に示す。また、この図に示す電源回路は、一次側とし
ては、図10に示したのと同様に、シングルエンド方式
で自励式の電圧共振形コンバータが備えられる。
【0044】また、この電源回路の二次側においても、
二次巻線N2の巻始め端部に対して直列共振コンデンサ
Csが直列に接続されることで二次側直列共振回路を形
成するようにされている。そしてこの場合には、二次側
整流回路としてブリッジ整流回路DBRが備えられ、上記
直列共振コンデンサCsを介して二次巻線N2の巻始め
端部をブリッジ整流回路DBRの正極入力端子に接続し、
二次巻線N2の巻始め端部をブリッジ整流回路DBRの負
極入力端子に接続するようにして設けられる。この回路
構成では、二次巻線N2に得られる交番電圧、即ち二次
側直列共振回路の共振出力をブリッジ整流回路DBRによ
り全波整流して平滑コンデンサCOに充電することで、
二次側直流出力電圧EOを得るようにされる。この場合
にも、二次側直流出力電圧EOは制御回路1に対しても
分岐して入力され、制御回路1においては、入力された
直流出力電圧EOを定電圧制御のための検出電圧として
利用するようにしている。
二次巻線N2の巻始め端部に対して直列共振コンデンサ
Csが直列に接続されることで二次側直列共振回路を形
成するようにされている。そしてこの場合には、二次側
整流回路としてブリッジ整流回路DBRが備えられ、上記
直列共振コンデンサCsを介して二次巻線N2の巻始め
端部をブリッジ整流回路DBRの正極入力端子に接続し、
二次巻線N2の巻始め端部をブリッジ整流回路DBRの負
極入力端子に接続するようにして設けられる。この回路
構成では、二次巻線N2に得られる交番電圧、即ち二次
側直列共振回路の共振出力をブリッジ整流回路DBRによ
り全波整流して平滑コンデンサCOに充電することで、
二次側直流出力電圧EOを得るようにされる。この場合
にも、二次側直流出力電圧EOは制御回路1に対しても
分岐して入力され、制御回路1においては、入力された
直流出力電圧EOを定電圧制御のための検出電圧として
利用するようにしている。
【0045】図17は、上記図15及び図16に示した
電源回路の動作を示す波形図である。ここでも、図17
(a)(b)(c)は、それぞれ交流入力電圧VAC=1
00Vで、最大負荷電力Pomax=200W時の動作を
示し、図17(d)(e)(f)は、それぞれ交流入力
電圧VAC=100Vで、最小負荷電力Pomin=0Wと
される無負荷時の動作を示している。
電源回路の動作を示す波形図である。ここでも、図17
(a)(b)(c)は、それぞれ交流入力電圧VAC=1
00Vで、最大負荷電力Pomax=200W時の動作を
示し、図17(d)(e)(f)は、それぞれ交流入力
電圧VAC=100Vで、最小負荷電力Pomin=0Wと
される無負荷時の動作を示している。
【0046】スイッチング素子Q1のスイッチング動作
によって、並列共振コンデンサCrの両端に得られる並
列共振電圧V1としては、図17(a)(d)に示すよ
うにして、期間TOFFにおいて正弦波状の共振パルスが
現れる波形となるが、ここでは、二次側共振回路が並列
共振回路とされていることで、スイッチング素子Q1が
オフとなる期間TOFFとしては、図示するように可変と
なるものである。
によって、並列共振コンデンサCrの両端に得られる並
列共振電圧V1としては、図17(a)(d)に示すよ
うにして、期間TOFFにおいて正弦波状の共振パルスが
現れる波形となるが、ここでは、二次側共振回路が並列
共振回路とされていることで、スイッチング素子Q1が
オフとなる期間TOFFとしては、図示するように可変と
なるものである。
【0047】ここでも、図17(a)及び図17(d)
の波形から分かるように、負荷電力Poが小さくなるの
に従ってスイッチング周波数fsは高くなるように制御
される。また、1周期内においては、スイッチング素子
Q1がオンとなる期間TONについて可変を行うことでス
イッチング周波数fs(スイッチング周期)を可変する
ようにしている。また、図15及び図16に示される回
路構成によっても、上記並列共振電圧V1のレベルは負
荷電力が重くなるのにしたがって並列共振電圧V1が上
昇する傾向を有する。ここでは、最大負荷電力Pomax
=200W時には580Vpとなり、最小負荷電力Po
min=0W時には380Vpとなっている。
の波形から分かるように、負荷電力Poが小さくなるの
に従ってスイッチング周波数fsは高くなるように制御
される。また、1周期内においては、スイッチング素子
Q1がオンとなる期間TONについて可変を行うことでス
イッチング周波数fs(スイッチング周期)を可変する
ようにしている。また、図15及び図16に示される回
路構成によっても、上記並列共振電圧V1のレベルは負
荷電力が重くなるのにしたがって並列共振電圧V1が上
昇する傾向を有する。ここでは、最大負荷電力Pomax
=200W時には580Vpとなり、最小負荷電力Po
min=0W時には380Vpとなっている。
【0048】また、スイッチング素子Q1のドレイン又
はコレクタに流れるスイッチング出力電流IQ1は、図1
7(b)(e)に示すようにして、期間TOFF、TONの
タイミングに同期したうえで、先の図13(b)(e)
と略同様の波形パターンが得られる。つまり、期間TOF
Fには0レベルで、期間TONにおいて図示する波形によ
って流れるものである。そしてこの構成にあっても、ス
イッチング出力電流IQ1は、負荷電力Poが重くなるの
に応じて高くなる傾向を有しており、この場合には、最
大負荷電力Pomax=200W時には3.6Aとなり、
最小負荷電力Pomin=0W時には、0.3Aとなる。
はコレクタに流れるスイッチング出力電流IQ1は、図1
7(b)(e)に示すようにして、期間TOFF、TONの
タイミングに同期したうえで、先の図13(b)(e)
と略同様の波形パターンが得られる。つまり、期間TOF
Fには0レベルで、期間TONにおいて図示する波形によ
って流れるものである。そしてこの構成にあっても、ス
イッチング出力電流IQ1は、負荷電力Poが重くなるの
に応じて高くなる傾向を有しており、この場合には、最
大負荷電力Pomax=200W時には3.6Aとなり、
最小負荷電力Pomin=0W時には、0.3Aとなる。
【0049】また、二次側の動作は、図13(c)
(f)の二次巻線N2の両端電圧V1として示される。こ
の図によれば、最大負荷電力Pomax=200W時に
は、期間DON時において二次側直流出力電圧EOのレベ
ルでクランプされた矩形波状のパルスが得られ、最小負
荷電力Pomin=0W時には、一次側のスイッチング周
期に応じた正弦波状で、そのピークレベルが二次側直流
出力電圧EOのレベルでクランプされた波形となる。
(f)の二次巻線N2の両端電圧V1として示される。こ
の図によれば、最大負荷電力Pomax=200W時に
は、期間DON時において二次側直流出力電圧EOのレベ
ルでクランプされた矩形波状のパルスが得られ、最小負
荷電力Pomin=0W時には、一次側のスイッチング周
期に応じた正弦波状で、そのピークレベルが二次側直流
出力電圧EOのレベルでクランプされた波形となる。
【0050】図18は、図15及び図16に示した電源
回路の特性として、最大負荷電力Pomax=200W時
における、交流入力電圧VACに対するスイッチング周波
数fs、スイッチング周期内の期間TOFFと期間TON、
及び並列共振電圧V1の変動特性を示している。
回路の特性として、最大負荷電力Pomax=200W時
における、交流入力電圧VACに対するスイッチング周波
数fs、スイッチング周期内の期間TOFFと期間TON、
及び並列共振電圧V1の変動特性を示している。
【0051】スイッチング周波数fsとしては、交流入
力電圧VAC=90V〜140Vの変動範囲に対してfs
=110KHz〜160KHz程度の範囲で変化するこ
とが示されており、ここでも、直流入力電圧変動に応じ
て二次側直流出力電圧EOの変動を安定化する動作が行
われることを示している。そしてこの場合にも、交流入
力電圧VACの変動に対しては、この交流入力電圧VACの
レベルが高くなるのに応じてスイッチング周波数を上昇
させるように制御を行うようにされる。
力電圧VAC=90V〜140Vの変動範囲に対してfs
=110KHz〜160KHz程度の範囲で変化するこ
とが示されており、ここでも、直流入力電圧変動に応じ
て二次側直流出力電圧EOの変動を安定化する動作が行
われることを示している。そしてこの場合にも、交流入
力電圧VACの変動に対しては、この交流入力電圧VACの
レベルが高くなるのに応じてスイッチング周波数を上昇
させるように制御を行うようにされる。
【0052】また、この図によっても、1スイッチング
周期内における期間TOFFと期間TONについては、例え
ば負荷が同一とされる条件では、期間TOFFはスイッチ
ング周波数fsに対して一定で、期間TONがスイッチン
グ周波数fsの上昇に応じて低くなっていくようにされ
ている。即ち、スイッチング周波数制御として複合制御
方式の動作となっていることがここでも示される。
周期内における期間TOFFと期間TONについては、例え
ば負荷が同一とされる条件では、期間TOFFはスイッチ
ング周波数fsに対して一定で、期間TONがスイッチン
グ周波数fsの上昇に応じて低くなっていくようにされ
ている。即ち、スイッチング周波数制御として複合制御
方式の動作となっていることがここでも示される。
【0053】商用交流電源VACの変動に応じて変化する
とされる並列共振電圧V1は、この場合には、図示する
ように、交流入力電圧VAC=80〜100V程度の範囲
では、交流入力電圧VACが高くなるのに応じて、600
付近の或るレベル範囲で低くなっていき、交流入力電圧
VAC=100V以上の範囲では上昇していく傾向とな
る。
とされる並列共振電圧V1は、この場合には、図示する
ように、交流入力電圧VAC=80〜100V程度の範囲
では、交流入力電圧VACが高くなるのに応じて、600
付近の或るレベル範囲で低くなっていき、交流入力電圧
VAC=100V以上の範囲では上昇していく傾向とな
る。
【0054】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図9、図1
0、図15、図16に示した電源回路では、次のような
課題を有している。例えば図6及び図7に示したよう
に、複合制御方式により二次側直流出力電圧を安定化す
る構成を採る電源回路では、上記図10(a)(b)及
び図11にも示されるように、並列共振電圧V1のピー
クレベルは、負荷条件及び交流入力電圧VACの変動に応
じて変化する。そして、特に最大負荷電力に近い重負荷
の状態で、例えば100V系の商用交流電源ACとして
の交流入力電圧VACのレベルが140Vにまで上昇した
とされる場合には、並列共振電圧V1は最大で700V
pにまで上昇する。
0、図15、図16に示した電源回路では、次のような
課題を有している。例えば図6及び図7に示したよう
に、複合制御方式により二次側直流出力電圧を安定化す
る構成を採る電源回路では、上記図10(a)(b)及
び図11にも示されるように、並列共振電圧V1のピー
クレベルは、負荷条件及び交流入力電圧VACの変動に応
じて変化する。そして、特に最大負荷電力に近い重負荷
の状態で、例えば100V系の商用交流電源ACとして
の交流入力電圧VACのレベルが140Vにまで上昇した
とされる場合には、並列共振電圧V1は最大で700V
pにまで上昇する。
【0055】このために、並列共振電圧V1が印加され
る並列共振コンデンサCr及びスイッチング素子Q1に
ついては、商用交流電源AC100V系に対応する場合
には800Vの耐圧品を選定し、また、商用交流電源A
C200V系に対応する場合には1200Vの耐圧品を
選定する必要があることになる。これにより、並列共振
コンデンサCr及びスイッチング素子Q1としては共に
大型となり、またコストも高くなる。
る並列共振コンデンサCr及びスイッチング素子Q1に
ついては、商用交流電源AC100V系に対応する場合
には800Vの耐圧品を選定し、また、商用交流電源A
C200V系に対応する場合には1200Vの耐圧品を
選定する必要があることになる。これにより、並列共振
コンデンサCr及びスイッチング素子Q1としては共に
大型となり、またコストも高くなる。
【0056】また、スイッチング素子としては、これを
高耐圧な構造とするほどその特性は低下するという特質
を有している。例えばMOS−FETであればオン抵抗
が高くなり、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジ
スタ)であれば飽和電圧とターンオフ時のテール電流が
増加する。また、BJT(バイポーラトランジスタ)で
あれば、飽和電圧、蓄積時間、下降時間等が増加する。
このため、上記のようにしてスイッチング素子Q1につ
いて高耐圧のものを選定することで、スイッチング動作
による電力損失は増加して電力変換効率の低下を招くこ
とにもなる。
高耐圧な構造とするほどその特性は低下するという特質
を有している。例えばMOS−FETであればオン抵抗
が高くなり、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジ
スタ)であれば飽和電圧とターンオフ時のテール電流が
増加する。また、BJT(バイポーラトランジスタ)で
あれば、飽和電圧、蓄積時間、下降時間等が増加する。
このため、上記のようにしてスイッチング素子Q1につ
いて高耐圧のものを選定することで、スイッチング動作
による電力損失は増加して電力変換効率の低下を招くこ
とにもなる。
【0057】さらに、複合制御方式により二次側直流出
力電圧を安定化する構成を採る場合、二次側の負荷が短
絡するという異常が発生したときには、スイッチング周
波数を低くするように制御系が動作することになる。ス
イッチング周波数が低くなる状態では、図10に示した
波形図からも分かるように、スイッチング素子がオンと
なる期間TONが長くなり、従って例えばスイッチング素
子Q1や並列共振コンデンサCrにかかる電圧(V1)や
電流(IQ1,Icr)のレベルが上昇することになる。
このため、負荷短絡発生時の対策として、このときに生
じる高レベルの電圧や電流を制限してスイッチング素子
を保護するための過電流保護回路や過電圧保護回路を設
ける必要があることになる。これら過電流保護回路や過
電圧保護回路を設けることによっても、回路の小型化及
び低コスト化の促進が妨げられるものである。
力電圧を安定化する構成を採る場合、二次側の負荷が短
絡するという異常が発生したときには、スイッチング周
波数を低くするように制御系が動作することになる。ス
イッチング周波数が低くなる状態では、図10に示した
波形図からも分かるように、スイッチング素子がオンと
なる期間TONが長くなり、従って例えばスイッチング素
子Q1や並列共振コンデンサCrにかかる電圧(V1)や
電流(IQ1,Icr)のレベルが上昇することになる。
このため、負荷短絡発生時の対策として、このときに生
じる高レベルの電圧や電流を制限してスイッチング素子
を保護するための過電流保護回路や過電圧保護回路を設
ける必要があることになる。これら過電流保護回路や過
電圧保護回路を設けることによっても、回路の小型化及
び低コスト化の促進が妨げられるものである。
【0058】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記し
た課題を解決するためにスイッチング電源回路として以
下のように構成する。即ち、入力された直流入力電圧を
断続して出力するためのメインスイッチング素子を備え
て形成されるスイッチング手段と、このスイッチング手
段の動作を電圧共振形とする一次側並列共振回路が形成
されるようにして備えられる一次側並列共振コンデンサ
とを備え、一次側と二次側とについて疎結合とされる所
要の結合係数が得られるようにギャップが形成され、一
次側に得られる上記スイッチング手段の出力を二次側に
伝送する絶縁コンバータトランスを備える。また、絶縁
コンバータトランスの二次巻線に対して二次側共振コン
デンサを接続することで形成される二次側共振回路と、
絶縁コンバータトランスの二次巻線に得られる交番電圧
を入力して整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を
得るように構成される直流出力電圧生成手段と、二次側
直流出力電圧のレベルに応じて、上記メインスイッチン
グ素子のスイッチング周波数を可変制御すると共に、1
スイッチング周期内におけるオフ期間を一定としてオン
期間を可変制御するようにして、上記メインスイッチン
グ素子をスイッチング駆動することで、定電圧制御を行
うようにされるスイッチング駆動手段とを備えるもので
ある。そしてさらに、メインスイッチング素子のオン/
オフ期間に応じて可変される所定のオン/オフ期間を有
するようにしてスイッチングを行う補助スイッチング素
子を備えることで、一次側並列共振コンデンサの両端に
発生する一次側並列共振電圧をクランプするように設け
られるアクティブクランプ手段とを備えて構成するもの
である。
た課題を解決するためにスイッチング電源回路として以
下のように構成する。即ち、入力された直流入力電圧を
断続して出力するためのメインスイッチング素子を備え
て形成されるスイッチング手段と、このスイッチング手
段の動作を電圧共振形とする一次側並列共振回路が形成
されるようにして備えられる一次側並列共振コンデンサ
とを備え、一次側と二次側とについて疎結合とされる所
要の結合係数が得られるようにギャップが形成され、一
次側に得られる上記スイッチング手段の出力を二次側に
伝送する絶縁コンバータトランスを備える。また、絶縁
コンバータトランスの二次巻線に対して二次側共振コン
デンサを接続することで形成される二次側共振回路と、
絶縁コンバータトランスの二次巻線に得られる交番電圧
を入力して整流動作を行うことで二次側直流出力電圧を
得るように構成される直流出力電圧生成手段と、二次側
直流出力電圧のレベルに応じて、上記メインスイッチン
グ素子のスイッチング周波数を可変制御すると共に、1
スイッチング周期内におけるオフ期間を一定としてオン
期間を可変制御するようにして、上記メインスイッチン
グ素子をスイッチング駆動することで、定電圧制御を行
うようにされるスイッチング駆動手段とを備えるもので
ある。そしてさらに、メインスイッチング素子のオン/
オフ期間に応じて可変される所定のオン/オフ期間を有
するようにしてスイッチングを行う補助スイッチング素
子を備えることで、一次側並列共振コンデンサの両端に
発生する一次側並列共振電圧をクランプするように設け
られるアクティブクランプ手段とを備えて構成するもの
である。
【0059】上記構成によれば、一次側においては電圧
共振形コンバータを形成するための一次側並列共振回路
を備え、二次側には、二次巻線及び二次側共振コンデン
サとにより形成される二次側共振回路とが備えられた、
いわゆる複合共振形スイッチングコンバータの構成が得
られる。また、定電圧制御としては、スイッチング素子
の1スイッチング周期内におけるオフ期間を一定として
オン期間を可変するようにしてスイッチング周波数を可
変制御することで行うようにされる。そして一次側にお
いては、メイン用のスイッチング素子のオフ時に発生す
る並列共振電圧をクランプするためのアクティブクラン
プ手段が備えられることで、この並列共振電圧レベルを
抑制するようにされる。
共振形コンバータを形成するための一次側並列共振回路
を備え、二次側には、二次巻線及び二次側共振コンデン
サとにより形成される二次側共振回路とが備えられた、
いわゆる複合共振形スイッチングコンバータの構成が得
られる。また、定電圧制御としては、スイッチング素子
の1スイッチング周期内におけるオフ期間を一定として
オン期間を可変するようにしてスイッチング周波数を可
変制御することで行うようにされる。そして一次側にお
いては、メイン用のスイッチング素子のオフ時に発生す
る並列共振電圧をクランプするためのアクティブクラン
プ手段が備えられることで、この並列共振電圧レベルを
抑制するようにされる。
【0060】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態としての電源回路の構成を示す回路図である。この図
に示す電源回路は、一次側に他励式の電圧共振形コンバ
ータを備えると共に、二次側には直列共振回路を備えた
複合共振形コンバータとしての構成を採っている。な
お、この図において図9、図10、図15、図16と同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。また、こ
の図1に示す電源回路も複合共振形スイッチングコンバ
ータとしての構成を採り、従ってこの場合にも先に図1
1に示した構造の絶縁コンバータトランスPITを備え
ているものとされる。これについては、後述する他の実
施の形態としての電源回路についても同様とされる。
態としての電源回路の構成を示す回路図である。この図
に示す電源回路は、一次側に他励式の電圧共振形コンバ
ータを備えると共に、二次側には直列共振回路を備えた
複合共振形コンバータとしての構成を採っている。な
お、この図において図9、図10、図15、図16と同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。また、こ
の図1に示す電源回路も複合共振形スイッチングコンバ
ータとしての構成を採り、従ってこの場合にも先に図1
1に示した構造の絶縁コンバータトランスPITを備え
ているものとされる。これについては、後述する他の実
施の形態としての電源回路についても同様とされる。
【0061】図1に示す電源回路の一次側の全体構成と
しては、先ず、メインとなるメインスイッチング素子Q
1を備え、基本的にはシングルエンド方式としてのスイ
ッチング動作を他励式により行う電圧共振形コンバータ
が設けられる。また、これに加えて、後述するようにし
て、並列共振コンデンサCrの両端に得られる並列共振
電圧V1をクランプするためのアクティブクランプ回路
20が備えられる。このアクティブクランプ回路20に
は、補助スイッチング素子Q2が備えられる。そして、
上記メインスイッチング素子Q1及び補助スイッチング
素子Q2のそれぞれについてスイッチング駆動するため
のスイッチング駆動部10が備えられる。なお、この場
合、メインスイッチング素子Q1及び補助スイッチング
素子Q2には、共にMOS−FETが使用される。
しては、先ず、メインとなるメインスイッチング素子Q
1を備え、基本的にはシングルエンド方式としてのスイ
ッチング動作を他励式により行う電圧共振形コンバータ
が設けられる。また、これに加えて、後述するようにし
て、並列共振コンデンサCrの両端に得られる並列共振
電圧V1をクランプするためのアクティブクランプ回路
20が備えられる。このアクティブクランプ回路20に
は、補助スイッチング素子Q2が備えられる。そして、
上記メインスイッチング素子Q1及び補助スイッチング
素子Q2のそれぞれについてスイッチング駆動するため
のスイッチング駆動部10が備えられる。なお、この場
合、メインスイッチング素子Q1及び補助スイッチング
素子Q2には、共にMOS−FETが使用される。
【0062】この場合、アクティブクランプ回路20
は、補助スイッチング素子Q2,クランプコンデンサCC
L,クランプダイオードDD2を備えて形成される。補助
スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に対しては
クランプダイオードDD2が並列に接続される。ここで
は、クランプダイオードDD2のアノードがソースに対し
て接続され、カソードがドレインに対して接続される。
また、補助スイッチング素子Q2のドレインはクランプ
コンデンサCCLの一方の端子と接続されて、その他方の
端子は、整流平滑電圧Eiのラインと一次巻線N1の巻
始め端部との接続点に対して接続される。また、補助ス
イッチング素子Q2のソースは一次巻線N1の巻終わり端
部に対して接続される。つまり、本実施の形態のアクテ
ィブクランプ回路20としては、上記補助スイッチング
素子Q2//クランプダイオードDD2の並列接続回路に
対して、クランプコンデンサCCLを直列に接続して成る
ものとされる。そして、このようにして形成される回路
を絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に対し
て並列に接続して構成されるものである。なお、図1に
示すように、補助スイッチング素子Q2がMOS−FE
Tとされる場合には、クランプダイオードDD2にはいわ
ゆるボディダイオードが選定される。これは、メインス
イッチング素子Q1についても同様で、クランプダイオ
ードDD1にはボディダイオードを採用することができ
る。
は、補助スイッチング素子Q2,クランプコンデンサCC
L,クランプダイオードDD2を備えて形成される。補助
スイッチング素子Q2のドレイン−ソース間に対しては
クランプダイオードDD2が並列に接続される。ここで
は、クランプダイオードDD2のアノードがソースに対し
て接続され、カソードがドレインに対して接続される。
また、補助スイッチング素子Q2のドレインはクランプ
コンデンサCCLの一方の端子と接続されて、その他方の
端子は、整流平滑電圧Eiのラインと一次巻線N1の巻
始め端部との接続点に対して接続される。また、補助ス
イッチング素子Q2のソースは一次巻線N1の巻終わり端
部に対して接続される。つまり、本実施の形態のアクテ
ィブクランプ回路20としては、上記補助スイッチング
素子Q2//クランプダイオードDD2の並列接続回路に
対して、クランプコンデンサCCLを直列に接続して成る
ものとされる。そして、このようにして形成される回路
を絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に対し
て並列に接続して構成されるものである。なお、図1に
示すように、補助スイッチング素子Q2がMOS−FE
Tとされる場合には、クランプダイオードDD2にはいわ
ゆるボディダイオードが選定される。これは、メインス
イッチング素子Q1についても同様で、クランプダイオ
ードDD1にはボディダイオードを採用することができ
る。
【0063】本実施の形態としてのスイッチング駆動部
10は、図示するように、発振回路11、第1ドライブ
回路12、レベルシフト回路13、第2ドライブ回路1
4を備えてなる。
10は、図示するように、発振回路11、第1ドライブ
回路12、レベルシフト回路13、第2ドライブ回路1
4を備えてなる。
【0064】発振回路11は、複合制御方式による定電
圧制御が行われるようにしてメインスイッチング素子Q
1及び補助スイッチング素子Q2を駆動するために設けら
れる。この発振回路11は、フォトカプラ40を介して
入力される二次側出力電圧EO1のレベルに基づいて発信
信号の発振周波数が可変される。つまりスイッチング周
波数を可変するもので、スイッチング周波数は、この発
振周波数によって決定される。また、入力される一次側
の並列共振電圧V1に基づいて、発振周波数の1周期分
の波形のデューティを可変制御する。この波形のデュー
ティーは、スイッチング周期におけるオン期間とオフ期
間に対応するものであるが、ここでは、メインスイッチ
ング素子Q1の1スイッチング周期内において、オフと
なる期間は一定で、オンとなる期間が可変されるように
波形のデューティ比を制御するようにされる。そして、
このようにして生成された発振周波数信号を、第1ドラ
イブ回路13及びレベルシフト回路13に対して出力す
る。
圧制御が行われるようにしてメインスイッチング素子Q
1及び補助スイッチング素子Q2を駆動するために設けら
れる。この発振回路11は、フォトカプラ40を介して
入力される二次側出力電圧EO1のレベルに基づいて発信
信号の発振周波数が可変される。つまりスイッチング周
波数を可変するもので、スイッチング周波数は、この発
振周波数によって決定される。また、入力される一次側
の並列共振電圧V1に基づいて、発振周波数の1周期分
の波形のデューティを可変制御する。この波形のデュー
ティーは、スイッチング周期におけるオン期間とオフ期
間に対応するものであるが、ここでは、メインスイッチ
ング素子Q1の1スイッチング周期内において、オフと
なる期間は一定で、オンとなる期間が可変されるように
波形のデューティ比を制御するようにされる。そして、
このようにして生成された発振周波数信号を、第1ドラ
イブ回路13及びレベルシフト回路13に対して出力す
る。
【0065】第1ドライブ回路12では、上記発振回路
11から出力された発振信号を電圧信号に変換して、M
OS−FETであるメインスイッチング素子Q1を駆動
するためのスイッチング駆動信号を生成し、メインスイ
ッチング素子Q1のゲート端子に印加する。このスイッ
チング駆動信号に応じて、メインスイッチング素子Q1
はスイッチング動作を行うことになる。
11から出力された発振信号を電圧信号に変換して、M
OS−FETであるメインスイッチング素子Q1を駆動
するためのスイッチング駆動信号を生成し、メインスイ
ッチング素子Q1のゲート端子に印加する。このスイッ
チング駆動信号に応じて、メインスイッチング素子Q1
はスイッチング動作を行うことになる。
【0066】また、メインスイッチング素子Q1と補助
スイッチング素子Q2とでは、後述するようにして同一
のスイッチング周波数で同期してスイッチングを行う
が、1スイッチング周期内におけるオン/オフタイミン
グは互いに異なるようにされる。このために、例えば上
記発振回路では、第1ドライブ回路12に出力する発振
信号とは、例えば位相が180度シフトされた発振信号
をレベルシフト回路13に対して出力する。この発振信
号の極性のタイミングが補助スイッチング素子Q2のオ
ン/オフタイミングを決定することになる。レベルシフ
ト回路13では、入力された発振信号について所定のレ
ベルシフト処理を行うことで、補助スイッチング素子Q
2を駆動するのに適当とされる発振信号のレベルを設定
する。そして、この信号を第2ドライブ回路14に対し
て供給する。第2ドライブ回路14では、入力された信
号を電圧変換して補助スイッチング素子Q2のためのス
イッチング駆動信号を生成し、MOS−FETである補
助スイッチング素子Q2のゲート端子に対して印加す
る。これにより、補助スイッチング素子Q2が所要のオ
ン/オフタイミングで以てスイッチング動作を行うよう
にされる。なお、上記構成による本実施の形態のスイッ
チング駆動部10としては、1つのICとして構成され
るものとされる。
スイッチング素子Q2とでは、後述するようにして同一
のスイッチング周波数で同期してスイッチングを行う
が、1スイッチング周期内におけるオン/オフタイミン
グは互いに異なるようにされる。このために、例えば上
記発振回路では、第1ドライブ回路12に出力する発振
信号とは、例えば位相が180度シフトされた発振信号
をレベルシフト回路13に対して出力する。この発振信
号の極性のタイミングが補助スイッチング素子Q2のオ
ン/オフタイミングを決定することになる。レベルシフ
ト回路13では、入力された発振信号について所定のレ
ベルシフト処理を行うことで、補助スイッチング素子Q
2を駆動するのに適当とされる発振信号のレベルを設定
する。そして、この信号を第2ドライブ回路14に対し
て供給する。第2ドライブ回路14では、入力された信
号を電圧変換して補助スイッチング素子Q2のためのス
イッチング駆動信号を生成し、MOS−FETである補
助スイッチング素子Q2のゲート端子に対して印加す
る。これにより、補助スイッチング素子Q2が所要のオ
ン/オフタイミングで以てスイッチング動作を行うよう
にされる。なお、上記構成による本実施の形態のスイッ
チング駆動部10としては、1つのICとして構成され
るものとされる。
【0067】また、この電源回路の二次側においては、
二次巻線N2及び並列共振コンデンサC2から成る並列共
振回路を備える。これにより電源回路全体としては、一
次側の電圧共振形コンバータと共に複合共振形スイッチ
ングコンバータを形成する。また、この場合には、二次
巻線N2の巻始め端部に対しては、整流ダイオードDO1
及び平滑コンデンサCO1から成る半波整流回路を接続す
ることで、二次側直流出力電圧EO1を得るようにしてい
る。この二次側直流出力電圧EO1は、前述もしたよう
に、安定化のための検出電圧として、フォトカプラ40
を介して発振回路11に対しても分岐して供給されるよ
うになっている。またこの場合には、二次巻線N2に対
してタップを設け、この二次巻線N2のタップ端子と二
次側アース間を整流電流経路とする、整流ダイオードD
O2及び平滑コンデンサCO2から成る半波整流回路を接続
することで、低圧の二次側直流出力電圧EO2を得るよう
にもしている。
二次巻線N2及び並列共振コンデンサC2から成る並列共
振回路を備える。これにより電源回路全体としては、一
次側の電圧共振形コンバータと共に複合共振形スイッチ
ングコンバータを形成する。また、この場合には、二次
巻線N2の巻始め端部に対しては、整流ダイオードDO1
及び平滑コンデンサCO1から成る半波整流回路を接続す
ることで、二次側直流出力電圧EO1を得るようにしてい
る。この二次側直流出力電圧EO1は、前述もしたよう
に、安定化のための検出電圧として、フォトカプラ40
を介して発振回路11に対しても分岐して供給されるよ
うになっている。またこの場合には、二次巻線N2に対
してタップを設け、この二次巻線N2のタップ端子と二
次側アース間を整流電流経路とする、整流ダイオードD
O2及び平滑コンデンサCO2から成る半波整流回路を接続
することで、低圧の二次側直流出力電圧EO2を得るよう
にもしている。
【0068】図2の波形図は、上記図1に示した回路の
動作として、主として一次側のスイッチング動作を示し
ている。つまり、アクティブクランプ回路20が設けら
れた電圧共振形コンバータとしての動作が示されている
ものである。この図2に示される動作は、図1に示す回
路についてAC100V系に対応する構成とした場合に
得られるものとされ、図2(a)〜(g)には、交流入
力電圧VAC=100V、最大負荷電力Pomax=200
Wとされる条件での各部の動作が示され、図2(h)〜
(n)には、交流入力電圧VAC=100V、最小負荷電
力Pomin=20Wとされる条件での図2(a)〜
(g)と同じ部位の動作が示される。
動作として、主として一次側のスイッチング動作を示し
ている。つまり、アクティブクランプ回路20が設けら
れた電圧共振形コンバータとしての動作が示されている
ものである。この図2に示される動作は、図1に示す回
路についてAC100V系に対応する構成とした場合に
得られるものとされ、図2(a)〜(g)には、交流入
力電圧VAC=100V、最大負荷電力Pomax=200
Wとされる条件での各部の動作が示され、図2(h)〜
(n)には、交流入力電圧VAC=100V、最小負荷電
力Pomin=20Wとされる条件での図2(a)〜
(g)と同じ部位の動作が示される。
【0069】先ず、図2(a)〜(g)に示される最大
負荷電力Pomax=200W時の動作から説明する。こ
の図においては、1スイッチング周期内の動作モードに
ついて、モード〜までの5段階の動作モードが示さ
れる。メインスイッチング素子Q1がオンとなるように
制御されるのは、図2(b)に示すスイッチング出力電
流IQ1が流れる期間ton2においてであり、この期間to
n2においてはモードとしての動作が得られる。なお、
補助スイッチング素子Q2は、この期間ton2においては
オフ状態にあるように制御される。
負荷電力Pomax=200W時の動作から説明する。こ
の図においては、1スイッチング周期内の動作モードに
ついて、モード〜までの5段階の動作モードが示さ
れる。メインスイッチング素子Q1がオンとなるように
制御されるのは、図2(b)に示すスイッチング出力電
流IQ1が流れる期間ton2においてであり、この期間to
n2においてはモードとしての動作が得られる。なお、
補助スイッチング素子Q2は、この期間ton2においては
オフ状態にあるように制御される。
【0070】モード(期間ton2)においては、図2
(e)に示す波形により、絶縁コンバータトランスPI
Tの一次巻線N1に一次巻線電流I1が流れるのである
が、この一次巻線電流I1は、絶縁コンバータトランス
PITの一次巻線N1に得られるリーケージインダクタ
ンスL1を介して上記スイッチング出力電流IQ1として
流れていく動作が得られる。このときのスイッチング出
力電流IQ1としては、図2(b)の期間ton2に示すよ
うに、負の方向から正の方向に反転する波形となり、ほ
ぼ同期間の一次巻線電流I1の波形(図2(e))に対
応する。ここで、スイッチング出力電流IQ1が負の方向
に流れる期間は、直前の期間td2の終了を以て並列共
振コンデンサCrにおける放電が終了することでクラン
プダイオードDD1が導通し、クランプダイオードDD1→
一次巻線N1を介してスイッチング出力電流IQ1を流す
ことで、電源側に電力を回生するモードとなる。そし
て、スイッチング出力電流IQ1(図2(b))が負の方
向から正の方向に反転するタイミングにおいては、メイ
ンスイッチング素子Q1は、ZVS(Zero Volt Switchin
g)及びZCS(Zero Current Switching)によりターンオ
ンする。
(e)に示す波形により、絶縁コンバータトランスPI
Tの一次巻線N1に一次巻線電流I1が流れるのである
が、この一次巻線電流I1は、絶縁コンバータトランス
PITの一次巻線N1に得られるリーケージインダクタ
ンスL1を介して上記スイッチング出力電流IQ1として
流れていく動作が得られる。このときのスイッチング出
力電流IQ1としては、図2(b)の期間ton2に示すよ
うに、負の方向から正の方向に反転する波形となり、ほ
ぼ同期間の一次巻線電流I1の波形(図2(e))に対
応する。ここで、スイッチング出力電流IQ1が負の方向
に流れる期間は、直前の期間td2の終了を以て並列共
振コンデンサCrにおける放電が終了することでクラン
プダイオードDD1が導通し、クランプダイオードDD1→
一次巻線N1を介してスイッチング出力電流IQ1を流す
ことで、電源側に電力を回生するモードとなる。そし
て、スイッチング出力電流IQ1(図2(b))が負の方
向から正の方向に反転するタイミングにおいては、メイ
ンスイッチング素子Q1は、ZVS(Zero Volt Switchin
g)及びZCS(Zero Current Switching)によりターンオ
ンする。
【0071】そして、次の期間td1においては、モー
ドとしての動作となる。この期間では、メインスイッ
チング素子Q1がターンオフすることで、一次巻線N1に
流れていた電流は、並列共振コンデンサCrに流れるこ
とになる。図示していないが、このときに、並列共振コ
ンデンサCrに流れる電流は、正極性によりパルス的に
現れる波形を示す。これは部分共振モードとしての動作
とされる。また、このときには、メインスイッチング素
子Q1に対して並列に並列共振コンデンサCrが接続さ
れていることで、メインスイッチング素子Q1はZVS
によりターンオフされるものである。
ドとしての動作となる。この期間では、メインスイッ
チング素子Q1がターンオフすることで、一次巻線N1に
流れていた電流は、並列共振コンデンサCrに流れるこ
とになる。図示していないが、このときに、並列共振コ
ンデンサCrに流れる電流は、正極性によりパルス的に
現れる波形を示す。これは部分共振モードとしての動作
とされる。また、このときには、メインスイッチング素
子Q1に対して並列に並列共振コンデンサCrが接続さ
れていることで、メインスイッチング素子Q1はZVS
によりターンオフされるものである。
【0072】続いては、補助スイッチング素子Q2がオ
ン状態となるように制御されると共に、メインスイッチ
ング素子Q1がオフ状態にあるように制御される期間と
なり、これは、図2(c)に示す補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2が0レベルとなる期間TON2に相当す
る。この期間TON2は、アクティブクランプ回路の動作
期間であり、先ずモードとしての動作を行った後にモ
ードとしての動作を行うようにされる。
ン状態となるように制御されると共に、メインスイッチ
ング素子Q1がオフ状態にあるように制御される期間と
なり、これは、図2(c)に示す補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2が0レベルとなる期間TON2に相当す
る。この期間TON2は、アクティブクランプ回路の動作
期間であり、先ずモードとしての動作を行った後にモ
ードとしての動作を行うようにされる。
【0073】先のモードの動作では、一次巻線N1か
ら流れる電流によって並列共振コンデンサCrへの充電
が行われるが、これによりモードの動作としては、一
次巻線N1に得られている電圧が、図2(h)に示され
ているクランプコンデンサCCL1の両端電圧VCLの初期
時(期間TON2開始時)電圧レベルに対して同電位もし
くはそれ以上となる。これにより、補助スイッチング素
子Q2に並列接続されるクランプダイオードDD2の導通
条件が満たされて導通することで、クランプダイオード
DD2→クランプコンデンサCCL1の経路で電流が流れる
ようにされ、クランプ電流IQ2としては、図2(d)の
期間TON2開始時以降において、負方向から時間経過に
従って0レベルに近づく鋸歯状波形が得られることにな
る。ここで、クランプコンデンサCCL1のキャパシタン
スは並列共振コンデンサCrのキャパシタンスの25倍
以上となるように選定されている。このため、このモー
ドとしての動作によっては、大部分の電流がクランプ
電流IQ2としてクランプコンデンサCCL1に対して流れ
るようにされ、並列共振コンデンサCrに対してはほと
んど流れない。これにより、この期間TON2時にメイン
スイッチング素子Q1にかかる並列共振電圧V1の傾きは
緩やかとなるようにされ、結果的には図2(a)に示す
ようにして、270Vpにまで抑制されてその導通角は
広がることになる。即ち、並列共振電圧V1に対するク
ランプ動作が得られる。先行技術としての回路(図9及
び図10の回路)において得られる並列共振電圧V1
は、550Vpのレベルを有するパルス波形とされてい
たものである。
ら流れる電流によって並列共振コンデンサCrへの充電
が行われるが、これによりモードの動作としては、一
次巻線N1に得られている電圧が、図2(h)に示され
ているクランプコンデンサCCL1の両端電圧VCLの初期
時(期間TON2開始時)電圧レベルに対して同電位もし
くはそれ以上となる。これにより、補助スイッチング素
子Q2に並列接続されるクランプダイオードDD2の導通
条件が満たされて導通することで、クランプダイオード
DD2→クランプコンデンサCCL1の経路で電流が流れる
ようにされ、クランプ電流IQ2としては、図2(d)の
期間TON2開始時以降において、負方向から時間経過に
従って0レベルに近づく鋸歯状波形が得られることにな
る。ここで、クランプコンデンサCCL1のキャパシタン
スは並列共振コンデンサCrのキャパシタンスの25倍
以上となるように選定されている。このため、このモー
ドとしての動作によっては、大部分の電流がクランプ
電流IQ2としてクランプコンデンサCCL1に対して流れ
るようにされ、並列共振コンデンサCrに対してはほと
んど流れない。これにより、この期間TON2時にメイン
スイッチング素子Q1にかかる並列共振電圧V1の傾きは
緩やかとなるようにされ、結果的には図2(a)に示す
ようにして、270Vpにまで抑制されてその導通角は
広がることになる。即ち、並列共振電圧V1に対するク
ランプ動作が得られる。先行技術としての回路(図9及
び図10の回路)において得られる並列共振電圧V1
は、550Vpのレベルを有するパルス波形とされてい
たものである。
【0074】そして、期間TON2において上記モード
が終了すると引き続いてモードとしての動作に移行す
る。このモード開始時は、図2(d)に示すクランプ
電流IQ2が負の方向から正方向に反転するタイミングと
される。このタイミングでは、補助スイッチング素子Q
2は、このクランプ電流IQ2が負の方向から正方向に反
転するタイミングで、ZVS及びZCSによりターンオ
ンする。このようにして補助スイッチング素子Q2がオ
ンとなる状態では、このときに得られる一次側並列共振
回路の共振作用によって、補助スイッチング素子Q2に
対しては、一次巻線N1→クランプコンデンサCCLを介
して、正方向に増加していくクランプ電流IQ2が図2
(d)に示すようにして流れる。
が終了すると引き続いてモードとしての動作に移行す
る。このモード開始時は、図2(d)に示すクランプ
電流IQ2が負の方向から正方向に反転するタイミングと
される。このタイミングでは、補助スイッチング素子Q
2は、このクランプ電流IQ2が負の方向から正方向に反
転するタイミングで、ZVS及びZCSによりターンオ
ンする。このようにして補助スイッチング素子Q2がオ
ンとなる状態では、このときに得られる一次側並列共振
回路の共振作用によって、補助スイッチング素子Q2に
対しては、一次巻線N1→クランプコンデンサCCLを介
して、正方向に増加していくクランプ電流IQ2が図2
(d)に示すようにして流れる。
【0075】上記モードの動作は、補助スイッチング
素子Q2がターンオンすることで、期間TON1において0
レベルとされていた補助スイッチング素子Q2の両端電
圧V2が立ち上がりを開始するタイミングを以て終了す
るようにされ、続いては、期間td2におけるモード
としての動作に移行する。モードでは、並列共振コン
デンサCrが一次巻線N1に対して放電電流を流す作が
得られる。つまり部分共振動作が得られる。このときに
メインスイッチング素子Q1にかかる並列共振電圧V1
は、上述もしたように並列共振コンデンサCrのキャパ
シタンスが小さいことに因って、その傾きが大きいもの
となり、図2(a)に示すようにして、急速に0レベル
に向かって下降するようにして立ち下がっていく。そし
て、補助スイッチング素子Q2は、上記モードが終了
してモードが開始されるタイミングでターンオフを開
始するが、このときには、上記したようにして並列共振
電圧V1が或る傾きを有して立ち下がることで、ZVS
によるターンオフ動作となる。また、補助スイッチング
素子Q2がターンオフすることによって発生する電圧
は、上記したようにして並列共振コンデンサCrが放電
を行うことで、急峻には立ち上がらないようにされる。
この動作は、例えば図2(c)の補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2として示されるように、期間td2
(モード時)を以て、或る傾きを有して0レベルから
ピークレベルに遷移する波形として示されている。な
お、この補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2として
は、補助スイッチング素子Q2がオフとされる期間TOFF
2において、例えば240Vpを有すると共に、この期
間TOFF2の開始期間である期間td1(モード時)を
以て240Vpから0レベルに遷移し、終了期間である
期間td2(モード時)を以て、上述のように0レベ
ルから240Vpに遷移する波形となる。そして、以降
は、1スイッチング周期ごとにモード〜の動作が繰
り返される。
素子Q2がターンオンすることで、期間TON1において0
レベルとされていた補助スイッチング素子Q2の両端電
圧V2が立ち上がりを開始するタイミングを以て終了す
るようにされ、続いては、期間td2におけるモード
としての動作に移行する。モードでは、並列共振コン
デンサCrが一次巻線N1に対して放電電流を流す作が
得られる。つまり部分共振動作が得られる。このときに
メインスイッチング素子Q1にかかる並列共振電圧V1
は、上述もしたように並列共振コンデンサCrのキャパ
シタンスが小さいことに因って、その傾きが大きいもの
となり、図2(a)に示すようにして、急速に0レベル
に向かって下降するようにして立ち下がっていく。そし
て、補助スイッチング素子Q2は、上記モードが終了
してモードが開始されるタイミングでターンオフを開
始するが、このときには、上記したようにして並列共振
電圧V1が或る傾きを有して立ち下がることで、ZVS
によるターンオフ動作となる。また、補助スイッチング
素子Q2がターンオフすることによって発生する電圧
は、上記したようにして並列共振コンデンサCrが放電
を行うことで、急峻には立ち上がらないようにされる。
この動作は、例えば図2(c)の補助スイッチング素子
Q2の両端電圧V2として示されるように、期間td2
(モード時)を以て、或る傾きを有して0レベルから
ピークレベルに遷移する波形として示されている。な
お、この補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2として
は、補助スイッチング素子Q2がオフとされる期間TOFF
2において、例えば240Vpを有すると共に、この期
間TOFF2の開始期間である期間td1(モード時)を
以て240Vpから0レベルに遷移し、終了期間である
期間td2(モード時)を以て、上述のように0レベ
ルから240Vpに遷移する波形となる。そして、以降
は、1スイッチング周期ごとにモード〜の動作が繰
り返される。
【0076】また、二次側の動作としては、図2(f)
に二次巻線N2(二次側並列共振コンデンサC2)の両端
に得られる二次側交番電圧Voが示され、図2(g)に
二次側整流ダイオードDO1に流れる二次側整流電流Io
が示される。二次側交番電圧Voは、二次側整流ダイオ
ードDO1が導通してオンとなる期間DONにおいて、二次
側直流電圧EO1のレベルでクランプされ、オフとなる期
間DOFFにおいて、負極性の方向にピークとなる正弦波
上の波形が得られる。また、二次側整流電流Ioは、期
間DOFFには0レベルで、期間DONにおいて図示する波
形により流れるものとなる。
に二次巻線N2(二次側並列共振コンデンサC2)の両端
に得られる二次側交番電圧Voが示され、図2(g)に
二次側整流ダイオードDO1に流れる二次側整流電流Io
が示される。二次側交番電圧Voは、二次側整流ダイオ
ードDO1が導通してオンとなる期間DONにおいて、二次
側直流電圧EO1のレベルでクランプされ、オフとなる期
間DOFFにおいて、負極性の方向にピークとなる正弦波
上の波形が得られる。また、二次側整流電流Ioは、期
間DOFFには0レベルで、期間DONにおいて図示する波
形により流れるものとなる。
【0077】また、上記図2(a)〜(g)に示した各
部の動作波形は、例えば最小負荷電力Pomin=20W
にまで負荷電力が小さくなった条件の下では、それぞ
れ、図2(h)〜(n)に示すようにして変化する。
部の動作波形は、例えば最小負荷電力Pomin=20W
にまで負荷電力が小さくなった条件の下では、それぞ
れ、図2(h)〜(n)に示すようにして変化する。
【0078】ここで、例えば図2(a)と図2(h)の
一次側並列共振電圧V1を比較して分かるように、メイ
ンスイッチング素子Q1がオフとなる期間TOFF1は固定
とされた上で、図2(h)に示す波形のほうが、オンと
なる期間TON1が短くなっており、これによってスイッ
チング周波数は図2(a)に示す最大負荷電力時よりも
高くなっている。これは、一次側のメインスイッチング
素子Q1は、負荷電力が小さくなって二次側出力電圧EO
1が上昇するのに応じて、スイッチング周波数が高くな
るように制御され、このときには、オフ期間は一定で、
オン期間が可変制御されることを示している。即ち、複
合制御方式による定電圧動作が得られていることを示し
ている。また、このようにしてメインスイッチング素子
Q1のスイッチング動作が制御されるのに同期するよう
にして、補助スイッチング素子Q2は、オンとなる期間
TON2は一定で、オフとなる期間TOFF2が可変されるこ
とで、やはりスイッチング周波数が可変制御される。そ
して、このような軽負荷の条件の下でも、図2(h)〜
(n)側に示すタイミングでモード〜の動作が行わ
れることで、一次側並列共振電圧V1のピークレベルが
抑制され、また、補助スイッチング素子Q2の両端電圧
V2のピークレベルも例えば240Vp程度にまで抑制
される。特に一次側並列共振電圧V1は、最小負荷電力
時においては、120Vpにまで抑制される。
一次側並列共振電圧V1を比較して分かるように、メイ
ンスイッチング素子Q1がオフとなる期間TOFF1は固定
とされた上で、図2(h)に示す波形のほうが、オンと
なる期間TON1が短くなっており、これによってスイッ
チング周波数は図2(a)に示す最大負荷電力時よりも
高くなっている。これは、一次側のメインスイッチング
素子Q1は、負荷電力が小さくなって二次側出力電圧EO
1が上昇するのに応じて、スイッチング周波数が高くな
るように制御され、このときには、オフ期間は一定で、
オン期間が可変制御されることを示している。即ち、複
合制御方式による定電圧動作が得られていることを示し
ている。また、このようにしてメインスイッチング素子
Q1のスイッチング動作が制御されるのに同期するよう
にして、補助スイッチング素子Q2は、オンとなる期間
TON2は一定で、オフとなる期間TOFF2が可変されるこ
とで、やはりスイッチング周波数が可変制御される。そ
して、このような軽負荷の条件の下でも、図2(h)〜
(n)側に示すタイミングでモード〜の動作が行わ
れることで、一次側並列共振電圧V1のピークレベルが
抑制され、また、補助スイッチング素子Q2の両端電圧
V2のピークレベルも例えば240Vp程度にまで抑制
される。特に一次側並列共振電圧V1は、最小負荷電力
時においては、120Vpにまで抑制される。
【0079】上記図2による説明から分かるように、図
1に示す回路では、メイン用スイッチング素子Q1のオ
フ時に発生するとされる並列共振電圧V1に対するクラ
ンプが行われて、そのレベルが抑制されることになる。
そして、例えば最大負荷条件のもとでAC100V系と
してVAC=144V程度までに上昇したとしても、並列
共振電圧V1は270Vp程度に抑えられる。また、A
C200V系の場合でも、並列共振電圧V1のピークレ
ベルの最大値としては、600V程度にで抑制すること
が可能になる。従って、図1に示す回路としては、メイ
ン用スイッチング素子Q1について、AV100V系に
対応する場合には400Vの耐圧品を選定し、また、A
C200V系に対応する場合には、800Vの耐圧品を
選定すればよいことになる。つまり、例えば図9,図1
0,図15,図16に示した回路の場合よりも定耐圧品
を選定することができる。また、補助スイッチング素子
Q2についても同様の耐圧品を選定すればよい。
1に示す回路では、メイン用スイッチング素子Q1のオ
フ時に発生するとされる並列共振電圧V1に対するクラ
ンプが行われて、そのレベルが抑制されることになる。
そして、例えば最大負荷条件のもとでAC100V系と
してVAC=144V程度までに上昇したとしても、並列
共振電圧V1は270Vp程度に抑えられる。また、A
C200V系の場合でも、並列共振電圧V1のピークレ
ベルの最大値としては、600V程度にで抑制すること
が可能になる。従って、図1に示す回路としては、メイ
ン用スイッチング素子Q1について、AV100V系に
対応する場合には400Vの耐圧品を選定し、また、A
C200V系に対応する場合には、800Vの耐圧品を
選定すればよいことになる。つまり、例えば図9,図1
0,図15,図16に示した回路の場合よりも定耐圧品
を選定することができる。また、補助スイッチング素子
Q2についても同様の耐圧品を選定すればよい。
【0080】これにより、図1に示す回路としては、図
9,図10,図15,図16に示す回路よりもスイッチ
ング素子の特性が向上する。例えばスイッチング素子が
MOS−FETとされる場合には、オン抵抗が低下する
ものである。そしてこれにより電力変換効率の向上が図
られる。
9,図10,図15,図16に示す回路よりもスイッチ
ング素子の特性が向上する。例えばスイッチング素子が
MOS−FETとされる場合には、オン抵抗が低下する
ものである。そしてこれにより電力変換効率の向上が図
られる。
【0081】また、スイッチング素子について低耐圧品
が選定されることで、スイッチング素子の小型化も図ら
れることになる。例えば図9,図10,図15,図16
に示す回路に使用されるスイッチング素子は、1000
V以上の耐圧品が必要となることから、そのパッケージ
のサイズが比較的大型となるのに対して、図1に示す回
路における各スイッチング素子Q1,Q2としては、より
小さなパッケージ品を使用することが可能になるもので
ある。また、並列共振電圧V1のレベルが抑制されるこ
とで、図1に示す回路では、並列共振コンデンサCrに
ついても、図6及び図7の回路の場合より低耐圧品を採
用することが可能になり、従って、並列共振コンデンサ
Crの小型化も図られる。また、この図に示す電源回路
では、負荷電力(二次側出力電圧)の変動に応じて一次
側スイッチングコンバータのスイッチング周波数が可変
制御されるために、負荷短絡時においては、スイッチン
グ周波数を低下させるように動作する。しかし、この負
荷短絡時の動作モードでメインスイッチング素子Q1と
補助スイッチング素子Q2にかかる電圧とこれらの素子
に流れる電流量とが定格内となるスイッチング素子であ
れば、これらの素子の破壊は防止され、従って本実施の
形態としては負荷短絡時に対応する保護回路を省略する
ことが可能となる。
が選定されることで、スイッチング素子の小型化も図ら
れることになる。例えば図9,図10,図15,図16
に示す回路に使用されるスイッチング素子は、1000
V以上の耐圧品が必要となることから、そのパッケージ
のサイズが比較的大型となるのに対して、図1に示す回
路における各スイッチング素子Q1,Q2としては、より
小さなパッケージ品を使用することが可能になるもので
ある。また、並列共振電圧V1のレベルが抑制されるこ
とで、図1に示す回路では、並列共振コンデンサCrに
ついても、図6及び図7の回路の場合より低耐圧品を採
用することが可能になり、従って、並列共振コンデンサ
Crの小型化も図られる。また、この図に示す電源回路
では、負荷電力(二次側出力電圧)の変動に応じて一次
側スイッチングコンバータのスイッチング周波数が可変
制御されるために、負荷短絡時においては、スイッチン
グ周波数を低下させるように動作する。しかし、この負
荷短絡時の動作モードでメインスイッチング素子Q1と
補助スイッチング素子Q2にかかる電圧とこれらの素子
に流れる電流量とが定格内となるスイッチング素子であ
れば、これらの素子の破壊は防止され、従って本実施の
形態としては負荷短絡時に対応する保護回路を省略する
ことが可能となる。
【0082】参考のために、上記図2に示した実験結果
を得た際の、図1に示した電源回路における要部の素子
についての選定値を示しておく。 並列共振コンデンサCr=6800pF クランプコンデンサCCL=0.27μF 二次側並列共振コンデンサC2=0.01μF 一次巻線N1=二次巻線N2=43T
を得た際の、図1に示した電源回路における要部の素子
についての選定値を示しておく。 並列共振コンデンサCr=6800pF クランプコンデンサCCL=0.27μF 二次側並列共振コンデンサC2=0.01μF 一次巻線N1=二次巻線N2=43T
【0083】図3は、本発明の第2の実施の形態として
の電源回路の構成を示す回路図である。この電源回路
は、一次側に電圧共振形コンバータを備え、二次側に並
列共振回路を備えた複合共振形スイッチングコンバータ
とされる。また、一次側電圧共振形コンバータは、1石
のスイッチング素子を備えたシングルエンド方式の構成
を採る。なお、この図に示す電源回路において、図1,
図9,図10,図15,図16と同一部分には同一符号
を付して説明を省略する。
の電源回路の構成を示す回路図である。この電源回路
は、一次側に電圧共振形コンバータを備え、二次側に並
列共振回路を備えた複合共振形スイッチングコンバータ
とされる。また、一次側電圧共振形コンバータは、1石
のスイッチング素子を備えたシングルエンド方式の構成
を採る。なお、この図に示す電源回路において、図1,
図9,図10,図15,図16と同一部分には同一符号
を付して説明を省略する。
【0084】図3に示す電源回路は、一次側の構成とし
ては、先に図10又は図16に示した自励シングルエン
ド方式の電圧共振形コンバータを備え、また、定電圧制
御方式としては複合制御方式を採るために、直交型制御
トランスPRTを備える構成を採っている。そして、こ
の構成に対して、自励式により動作するアクティブクラ
ンプ回路20Aが備えられる。
ては、先に図10又は図16に示した自励シングルエン
ド方式の電圧共振形コンバータを備え、また、定電圧制
御方式としては複合制御方式を採るために、直交型制御
トランスPRTを備える構成を採っている。そして、こ
の構成に対して、自励式により動作するアクティブクラ
ンプ回路20Aが備えられる。
【0085】アクティブクランプ回路20Aは、この場
合にはBJTである補助スイッチング素子Q2を備えて
なる。この補助スイッチング素子Q2のコレクタはクラ
ンプコンデンサCCLを介して一次巻線N1の巻始め端部
と接続される。この場合、一次巻線N1の巻始め端部
は、電流検出巻線NDを介して平滑コンデンサCiの正
極端子に接続される。補助スイッチング素子Q2のエミ
ッタは、スイッチング素子Q1のコレクタに対して接続
される。また、補助スイッチング素子Q2のベースに
は、ベース電流制限抵抗RB1−共振用コンデンサCB2−
駆動巻線LB2の直列接続回路から成る自励発振駆動回
路が接続される。駆動巻線LB2の端部は、絶縁コンバ
ータトランスPITの検出巻線N1Aの巻終わり端部に接
続されている。この検出巻線N1Aは、絶縁コンバータト
ランスPITの一次巻線N1の巻終わり端部から数ター
ン分巻き上げるようにして設けられているもので、一次
巻線N1によって励起された交番電圧を自励発振駆動回
路に出力する。また、検出巻線N1Aの巻終わり端部が自
励発振駆動回路と接続されることで、補助スイッチング
素子Q2のベースには、メインスイッチング素子Q1とは
逆極性の駆動電流が流されることになる。また、補助ス
イッチング素子Q2のベース−エミッタ間にはターンオ
ン時のクランプ電流の経路を形成するクランプダイオー
ドが並列に接続される。
合にはBJTである補助スイッチング素子Q2を備えて
なる。この補助スイッチング素子Q2のコレクタはクラ
ンプコンデンサCCLを介して一次巻線N1の巻始め端部
と接続される。この場合、一次巻線N1の巻始め端部
は、電流検出巻線NDを介して平滑コンデンサCiの正
極端子に接続される。補助スイッチング素子Q2のエミ
ッタは、スイッチング素子Q1のコレクタに対して接続
される。また、補助スイッチング素子Q2のベースに
は、ベース電流制限抵抗RB1−共振用コンデンサCB2−
駆動巻線LB2の直列接続回路から成る自励発振駆動回
路が接続される。駆動巻線LB2の端部は、絶縁コンバ
ータトランスPITの検出巻線N1Aの巻終わり端部に接
続されている。この検出巻線N1Aは、絶縁コンバータト
ランスPITの一次巻線N1の巻終わり端部から数ター
ン分巻き上げるようにして設けられているもので、一次
巻線N1によって励起された交番電圧を自励発振駆動回
路に出力する。また、検出巻線N1Aの巻終わり端部が自
励発振駆動回路と接続されることで、補助スイッチング
素子Q2のベースには、メインスイッチング素子Q1とは
逆極性の駆動電流が流されることになる。また、補助ス
イッチング素子Q2のベース−エミッタ間にはターンオ
ン時のクランプ電流の経路を形成するクランプダイオー
ドが並列に接続される。
【0086】また、この電源回路の二次側は、図1と同
様の構成を採っている。この場合には、二次側直流出力
電圧E01を分岐して制御回路1の検出電圧として入力
し、これより低圧とされる二次側直流出力電圧E02を制
御回路1の動作電源として供給している。
様の構成を採っている。この場合には、二次側直流出力
電圧E01を分岐して制御回路1の検出電圧として入力
し、これより低圧とされる二次側直流出力電圧E02を制
御回路1の動作電源として供給している。
【0087】この図3に示す電源回路の要部の動作波形
を図4に示す。図4(a)〜(h)には、交流入力電圧
VAC=100V、最大負荷電力Pomax=200Wとさ
れる条件での各部の動作が示され、図4(i)〜(p)
には、交流入力電圧VAC=100V、最小負荷電力Po
min=20Wとされる条件での図2(a)〜(h)と同
じ部位の動作が示される。
を図4に示す。図4(a)〜(h)には、交流入力電圧
VAC=100V、最大負荷電力Pomax=200Wとさ
れる条件での各部の動作が示され、図4(i)〜(p)
には、交流入力電圧VAC=100V、最小負荷電力Po
min=20Wとされる条件での図2(a)〜(h)と同
じ部位の動作が示される。
【0088】先ず、図4(a)〜(h)に示される最大
負荷電力Pomax=200W時の動作から説明する。メ
インスイッチング素子Q1の自励発振駆動回路からベー
スに流されるベース電流IB1(スイッチング駆動信号)
は図4(c)に示す波形により流れる。つまり、期間T
OFF1は0レベルで、期間TON1において図示する波形に
よる電流をメインスイッチング素子Q1のベースに供給
するものである。これにより、メインスイッチング素子
Q1は、1スイッチング周期内において、期間TONにて
オン状態となり、期間TOFF1においてオフ状態となるス
イッチング動作を繰り返すようにされる。
負荷電力Pomax=200W時の動作から説明する。メ
インスイッチング素子Q1の自励発振駆動回路からベー
スに流されるベース電流IB1(スイッチング駆動信号)
は図4(c)に示す波形により流れる。つまり、期間T
OFF1は0レベルで、期間TON1において図示する波形に
よる電流をメインスイッチング素子Q1のベースに供給
するものである。これにより、メインスイッチング素子
Q1は、1スイッチング周期内において、期間TONにて
オン状態となり、期間TOFF1においてオフ状態となるス
イッチング動作を繰り返すようにされる。
【0089】このときにメインスイッチング素子Q1の
コレクタに流れるコレクタ電流Icpは、図4(b)に
示すようにして、期間TOFF1においては0レベルで、期
間TON1において、初期時に負極正方向のクランプ電流
が流れた後にコレクタ→エミッタを介してスイッチング
電流が波形が得られる。また、並列共振電圧V1は、図
4(a)に示されるように、期間TON1は0レベルで期
間TOFF1において図示するパルス波形が得られるものと
なる。
コレクタに流れるコレクタ電流Icpは、図4(b)に
示すようにして、期間TOFF1においては0レベルで、期
間TON1において、初期時に負極正方向のクランプ電流
が流れた後にコレクタ→エミッタを介してスイッチング
電流が波形が得られる。また、並列共振電圧V1は、図
4(a)に示されるように、期間TON1は0レベルで期
間TOFF1において図示するパルス波形が得られるものと
なる。
【0090】また、補助スイッチング素子Q2のベース
には、その自励発振駆動回路から図4(f)に示す波形
のベース電流IB2が流される。ここで、図4(c)と図
4(e)と比較して分かるように、ベース電流IB1,I
B2は、互いに逆極性となるタイミングで流れるようにさ
れる。従って、補助スイッチング素子Q2は、メインス
イッチング素子Q1がオフとなる期間TOFF1内の期間TO
N2においてオンとなり、残る1スイッチング周期内の期
間TOFF2においてオフとなるようにスイッチングを行
う。つまりは、メインスイッチング素子Q1と補助スイ
ッチング素子Q2はほぼ交互となるタイミングでオン/
オフ動作を行う。この動作は、例えば図4(d)の補助
スイッチング素子Q2の両端電圧V2、及び補助スイッチ
ング素子Q2のコレクタ電流IQ2の波形によっても示さ
れており、補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2は、
期間TOFF2において0レベルで、期間TON2において図
示する波形によるパルスが得られるものとなる。また、
コレクタ電流IQ2は、期間TOFF2は0レベルで、期間T
ON2において、先ずクランプコンデンサCCL→一次巻線
N1への放電電流が流れ、続いてクランプコンデンサCC
Lからコレクタ→エミッタに流れる波形が得られる。
には、その自励発振駆動回路から図4(f)に示す波形
のベース電流IB2が流される。ここで、図4(c)と図
4(e)と比較して分かるように、ベース電流IB1,I
B2は、互いに逆極性となるタイミングで流れるようにさ
れる。従って、補助スイッチング素子Q2は、メインス
イッチング素子Q1がオフとなる期間TOFF1内の期間TO
N2においてオンとなり、残る1スイッチング周期内の期
間TOFF2においてオフとなるようにスイッチングを行
う。つまりは、メインスイッチング素子Q1と補助スイ
ッチング素子Q2はほぼ交互となるタイミングでオン/
オフ動作を行う。この動作は、例えば図4(d)の補助
スイッチング素子Q2の両端電圧V2、及び補助スイッチ
ング素子Q2のコレクタ電流IQ2の波形によっても示さ
れており、補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2は、
期間TOFF2において0レベルで、期間TON2において図
示する波形によるパルスが得られるものとなる。また、
コレクタ電流IQ2は、期間TOFF2は0レベルで、期間T
ON2において、先ずクランプコンデンサCCL→一次巻線
N1への放電電流が流れ、続いてクランプコンデンサCC
Lからコレクタ→エミッタに流れる波形が得られる。
【0091】そして、上記のようにして補助スイッチン
グ素子Q2がスイッチング動作を行うことで、先に図2
にて説明したのと同様のモード〜の動作が各期間
(ton2,td1,ton1,td2)にて得られること
で、本実施の形態においても、図4(a)に示す並列共
振電圧V1、及び図4(d)に示す補助スイッチング素
子Q2の両端電圧V2のレベルがクランプされて、そのピ
ークレベルが抑制される。
グ素子Q2がスイッチング動作を行うことで、先に図2
にて説明したのと同様のモード〜の動作が各期間
(ton2,td1,ton1,td2)にて得られること
で、本実施の形態においても、図4(a)に示す並列共
振電圧V1、及び図4(d)に示す補助スイッチング素
子Q2の両端電圧V2のレベルがクランプされて、そのピ
ークレベルが抑制される。
【0092】また、二次側の動作としては、ここでも図
4(g)に二次側交番電圧Voを示し、図4(h)に二
次側整流電流Ioを示しているが、これらの波形は、例
えばこの第2の実施の形態と同じ二次側の構成を採る図
1に示した第1の実施の形態の回路の場合の動作(図2
(f)(g))と同様となる。
4(g)に二次側交番電圧Voを示し、図4(h)に二
次側整流電流Ioを示しているが、これらの波形は、例
えばこの第2の実施の形態と同じ二次側の構成を採る図
1に示した第1の実施の形態の回路の場合の動作(図2
(f)(g))と同様となる。
【0093】また、上記図4(a)〜(h)に示した各
部の波形は、最小負荷電力時においては図4(i)〜
(n)に示すように変化する。例えば図4(a)と図4
(i)を比較して分かるように、この第2の実施の形態
の電源回路にあっても第1の電源回路と同様、複合制御
に対応したメインスイッチング素子Q1のスイッチング
動作の制御が行われている。つまり、負荷条件が軽くな
るのに従って、メインスイッチング素子Q1のスイッチ
ング周波数を高くするように制御し、これと共に、1ス
イッチング周期内の期間TOFF1は一定としたうえで、期
間TON1が短くなるように制御されるものである。ま
た、これに同期して、補助スイッチング素子Q2は、期
間TON2は一定とされたうえでで、期間TOFF2が短くな
るようにして、スイッチング周波数を高めるように可変
制御される。そして、このような軽負荷時においては、
図4(i)〜(p)側に示すタイミングでモード〜
の動作が行われることになり、重負荷時の場合と同様に
一次側並列共振電圧V1及び補助スイッチング素子Q2の
両端電圧V2のピークレベルが抑制される。
部の波形は、最小負荷電力時においては図4(i)〜
(n)に示すように変化する。例えば図4(a)と図4
(i)を比較して分かるように、この第2の実施の形態
の電源回路にあっても第1の電源回路と同様、複合制御
に対応したメインスイッチング素子Q1のスイッチング
動作の制御が行われている。つまり、負荷条件が軽くな
るのに従って、メインスイッチング素子Q1のスイッチ
ング周波数を高くするように制御し、これと共に、1ス
イッチング周期内の期間TOFF1は一定としたうえで、期
間TON1が短くなるように制御されるものである。ま
た、これに同期して、補助スイッチング素子Q2は、期
間TON2は一定とされたうえでで、期間TOFF2が短くな
るようにして、スイッチング周波数を高めるように可変
制御される。そして、このような軽負荷時においては、
図4(i)〜(p)側に示すタイミングでモード〜
の動作が行われることになり、重負荷時の場合と同様に
一次側並列共振電圧V1及び補助スイッチング素子Q2の
両端電圧V2のピークレベルが抑制される。
【0094】続いて、第3の実施の形態について説明す
る。図5は、第3の実施の形態としての電源回路の構成
を示している。なお、この図において図1,図3,図
9,図10,図15,図16と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。
る。図5は、第3の実施の形態としての電源回路の構成
を示している。なお、この図において図1,図3,図
9,図10,図15,図16と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。
【0095】この図3に示す第3の実施の形態としての
電源回路における一次側の構成は、例えば図1に示した
第1の実施の形態の電源回路と同様とされるが、二次側
の構成が異なる。この第3の実施の形態の電源回路の二
次側においては、二次側直列共振コンデンサCs、整流
ダイオードDO1,DO2、及び平滑コンデンサCO1を図の
ように接続して成る整流回路系を二次側に備えるもので
ある。つまり、二次側直列共振コンデンサCsと二次巻
線N2から成る二次側直列共振回路を含む倍電圧整流回
路を形成しているものである。つまり図15に示した二
次側と同様の構成を採る。そして、この倍電圧整流回路
によって二次側直流出力電圧EO1を得るもので或る。
電源回路における一次側の構成は、例えば図1に示した
第1の実施の形態の電源回路と同様とされるが、二次側
の構成が異なる。この第3の実施の形態の電源回路の二
次側においては、二次側直列共振コンデンサCs、整流
ダイオードDO1,DO2、及び平滑コンデンサCO1を図の
ように接続して成る整流回路系を二次側に備えるもので
ある。つまり、二次側直列共振コンデンサCsと二次巻
線N2から成る二次側直列共振回路を含む倍電圧整流回
路を形成しているものである。つまり図15に示した二
次側と同様の構成を採る。そして、この倍電圧整流回路
によって二次側直流出力電圧EO1を得るもので或る。
【0096】また、この図にあっては、絶縁コンバータ
トランスPITの二次側において三次巻線N3が巻装さ
れており、低圧の二次側直流出力電圧EO2は、この三次
巻線N3に対して接続される、整流ダイオードDO3、平
滑コンデンサCO2から成る半波整流回路によって得るよ
うにされている。
トランスPITの二次側において三次巻線N3が巻装さ
れており、低圧の二次側直流出力電圧EO2は、この三次
巻線N3に対して接続される、整流ダイオードDO3、平
滑コンデンサCO2から成る半波整流回路によって得るよ
うにされている。
【0097】このようにして構成される電源回路におけ
る要部の動作波形は、図6に示すものとなる。図6
(a)〜(n)に示す各部の波形は、例えば先の図2
(a)〜(n)と同じとされる部位の波形とされる。つ
まり、図6(a)〜(g)には、交流入力電圧VAC=1
00V、最大負荷電力Pomax=200Wとされる条件
での各部(V1,IQ1,V2,IQ2,I1,Vo,Io)
の動作が示され、図6(h)〜(n)には、交流入力電
圧VAC=100V、最小負荷電力Pomin=20Wとさ
れる条件での図6(a)〜(g)と同じ部位の動作が示
されている。また、この図に示す実験結果を得た第3の
実施の形態としての電源回路の要部の素子についての選
定値は次のようになる。 並列共振コンデンサCr=4700pF クランプコンデンサCCL=0.22μF 二次側直列共振コンデンサCs=0.1μF 一次巻線N1=43T 二次巻線N2=23T
る要部の動作波形は、図6に示すものとなる。図6
(a)〜(n)に示す各部の波形は、例えば先の図2
(a)〜(n)と同じとされる部位の波形とされる。つ
まり、図6(a)〜(g)には、交流入力電圧VAC=1
00V、最大負荷電力Pomax=200Wとされる条件
での各部(V1,IQ1,V2,IQ2,I1,Vo,Io)
の動作が示され、図6(h)〜(n)には、交流入力電
圧VAC=100V、最小負荷電力Pomin=20Wとさ
れる条件での図6(a)〜(g)と同じ部位の動作が示
されている。また、この図に示す実験結果を得た第3の
実施の形態としての電源回路の要部の素子についての選
定値は次のようになる。 並列共振コンデンサCr=4700pF クランプコンデンサCCL=0.22μF 二次側直列共振コンデンサCs=0.1μF 一次巻線N1=43T 二次巻線N2=23T
【0098】この図6において、一次側の波形の動作
は、図2の場合とほぼ同様とされることになる。従っ
て、図5の電源回路にあっても、アクティブクランプ回
路20が備えられることによって、並列共振電圧V1及
び補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2のピークレベ
ルが抑制される。なお、ここでの二次側の動作として、
図6(f)(m)には、整流ダイオードDO1,DO2の接
続点と二次巻線N2の巻終わり端部(二次側アース)間
の電位としての二次側交番電圧Voのレベルが示され
る。また、図6(g)(n)には、整流ダイオードDO1
を流れて平滑コンデンサCO1に充電される電流をIoと
して示している。この場合の二次側交番電圧Vo(図6
(f)(m))は、整流ダイオードDO1がオンとなる期
間DONには0レベルで、オフとなる期間DOFFに二次側
直流出力電圧EO1のレベルでクランプされる矩形波が得
られる。
は、図2の場合とほぼ同様とされることになる。従っ
て、図5の電源回路にあっても、アクティブクランプ回
路20が備えられることによって、並列共振電圧V1及
び補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2のピークレベ
ルが抑制される。なお、ここでの二次側の動作として、
図6(f)(m)には、整流ダイオードDO1,DO2の接
続点と二次巻線N2の巻終わり端部(二次側アース)間
の電位としての二次側交番電圧Voのレベルが示され
る。また、図6(g)(n)には、整流ダイオードDO1
を流れて平滑コンデンサCO1に充電される電流をIoと
して示している。この場合の二次側交番電圧Vo(図6
(f)(m))は、整流ダイオードDO1がオンとなる期
間DONには0レベルで、オフとなる期間DOFFに二次側
直流出力電圧EO1のレベルでクランプされる矩形波が得
られる。
【0099】図7は、第4の実施の形態の電源回路の構
成を示す回路図である。この図において図1,図3,図
5,図9,図10,図15,図16と同一部分には同一
符号を付して説明を省略する。
成を示す回路図である。この図において図1,図3,図
5,図9,図10,図15,図16と同一部分には同一
符号を付して説明を省略する。
【0100】この図に示す電源回路は、一次側に自励シ
ングルエンド方式の電圧共振形コンバータが備えられ、
さらにこの電圧共振形コンバータに対して、アクティブ
クランプ回路20Aが備えられる。この点では、先に図
3に示した電源回路と同様の構成を採る。また、この電
源回路も複合共振形スイッチングコンバータとしての構
成を採っているが、二次側には、二次側直列共振コンデ
ンサCsを含んで形成される倍電圧整流回路が備えられ
る。つまり、複合共振形スイッチングコンバータとし
て、一次側には電圧共振形コンバータのための並列共振
回路を備え、二次側には直列共振回路を備えるもので、
この点では、先の図5に示した電源回路と同様となる。
ングルエンド方式の電圧共振形コンバータが備えられ、
さらにこの電圧共振形コンバータに対して、アクティブ
クランプ回路20Aが備えられる。この点では、先に図
3に示した電源回路と同様の構成を採る。また、この電
源回路も複合共振形スイッチングコンバータとしての構
成を採っているが、二次側には、二次側直列共振コンデ
ンサCsを含んで形成される倍電圧整流回路が備えられ
る。つまり、複合共振形スイッチングコンバータとし
て、一次側には電圧共振形コンバータのための並列共振
回路を備え、二次側には直列共振回路を備えるもので、
この点では、先の図5に示した電源回路と同様となる。
【0101】この図7に示した構成の電源回路の動作波
形は図8に示される。図8(a)〜(p)に示す各部の
波形は、例えば先の図4(a)〜(p)と同じとされる
部位の波形とされる。つまり、図8(a)〜(h)に
は、交流入力電圧VAC=100V、最大負荷電力Poma
x=200Wとされる条件での各部(V1,Icp,IB
1,V2,IQ2,IB2,Vo,Io)の動作が示され、図
8(i)〜(p)には、交流入力電圧VAC=100V、
最小負荷電力Pomin=20Wとされる条件での図8
(a)〜(h)と同じ部位の動作が示されている。
形は図8に示される。図8(a)〜(p)に示す各部の
波形は、例えば先の図4(a)〜(p)と同じとされる
部位の波形とされる。つまり、図8(a)〜(h)に
は、交流入力電圧VAC=100V、最大負荷電力Poma
x=200Wとされる条件での各部(V1,Icp,IB
1,V2,IQ2,IB2,Vo,Io)の動作が示され、図
8(i)〜(p)には、交流入力電圧VAC=100V、
最小負荷電力Pomin=20Wとされる条件での図8
(a)〜(h)と同じ部位の動作が示されている。
【0102】この図8(a)〜(e)、及び図8(i)
〜(n)に示される一次側の各部の動作波形は、図4
(a)〜(e)、図4(i)〜(n)の場合とほぼ同様
となる。このことから、図7の電源回路にあっても、ア
クティブクランプ回路20Aが動作することで、並列共
振電圧V1及び補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2
のピークレベルが抑制される。また、図8(g)
(h)、及び図8(o)(p)に示される二次側の部位
の動作としては、先に図6(g)(h)、図6(o)
(p)に示した波形と同様となる。これは、二次側が直
列共振回路を備えた倍電圧整流回路を備えていることに
依る。
〜(n)に示される一次側の各部の動作波形は、図4
(a)〜(e)、図4(i)〜(n)の場合とほぼ同様
となる。このことから、図7の電源回路にあっても、ア
クティブクランプ回路20Aが動作することで、並列共
振電圧V1及び補助スイッチング素子Q2の両端電圧V2
のピークレベルが抑制される。また、図8(g)
(h)、及び図8(o)(p)に示される二次側の部位
の動作としては、先に図6(g)(h)、図6(o)
(p)に示した波形と同様となる。これは、二次側が直
列共振回路を備えた倍電圧整流回路を備えていることに
依る。
【0103】なお、本発明の実施の形態として各図に示
した構成に限定されるものではない。例えば、上記実施
の形態では、メインとなるスイッチング素子と補助スイ
ッチング素子とについては、MOS−FET、あるいは
BJTを採用するものとしているが、ほかにも例えばI
GBTやSIT(静電誘導サイリスタ)などの他の素子
を採用することも考えられるものであり、また、他励式
とするためのスイッチング駆動部の構成も各図に示した
ものに限定される必要はなく、適宜適切とされる回路構
成に変更されて構わない。また、二次側共振回路を含ん
で形成される二次側の整流回路としても、実施の形態と
しての各図に示した構成に限定されるものではなく、他
の回路構成が採用されて構わないものである。
した構成に限定されるものではない。例えば、上記実施
の形態では、メインとなるスイッチング素子と補助スイ
ッチング素子とについては、MOS−FET、あるいは
BJTを採用するものとしているが、ほかにも例えばI
GBTやSIT(静電誘導サイリスタ)などの他の素子
を採用することも考えられるものであり、また、他励式
とするためのスイッチング駆動部の構成も各図に示した
ものに限定される必要はなく、適宜適切とされる回路構
成に変更されて構わない。また、二次側共振回路を含ん
で形成される二次側の整流回路としても、実施の形態と
しての各図に示した構成に限定されるものではなく、他
の回路構成が採用されて構わないものである。
【0104】
【発明の効果】以上説明したように本発明のスイッチン
グ電源回路では、一次側に電圧共振形コンバータを備
え、二次側には並列共振回路又は直列共振回路を備える
複合共振形スイッチングコンバータの構成に対して、そ
の一次側にアクティブクランプ回路を設けることで、一
次側並列共振コンデンサの両端に生じる並列共振電圧パ
ルスをクランプして、そのレベルを抑制するようにされ
る。これによって、電源回路に備えられるスイッチング
素子、及び一次側並列共振コンデンサ等の各素子の耐圧
については、これまでよりも低耐圧品を選定することが
できる。
グ電源回路では、一次側に電圧共振形コンバータを備
え、二次側には並列共振回路又は直列共振回路を備える
複合共振形スイッチングコンバータの構成に対して、そ
の一次側にアクティブクランプ回路を設けることで、一
次側並列共振コンデンサの両端に生じる並列共振電圧パ
ルスをクランプして、そのレベルを抑制するようにされ
る。これによって、電源回路に備えられるスイッチング
素子、及び一次側並列共振コンデンサ等の各素子の耐圧
については、これまでよりも低耐圧品を選定することが
できる。
【0105】そして、このようにして低耐圧品が選定さ
れることで、スイッチング素子のスイッチング特性が向
上するために、電力変換効率の向上も図られることにな
る。また、低耐圧品を選定した場合には、これら各部品
素子も小型となるため、電源回路としての基板サイズの
小型軽量化を促進することも可能となるものである。ま
た、本発明としての構成であれば、例えば負荷短絡時に
おいてスイッチング周波数が低下して不安定な動作にな
ったときの電圧、電流が定格内となるものを選定するこ
とができるのであるが、これによって、負荷短絡時にお
けるスイッチング素子の破壊を防止することができ、従
って、負荷短絡時に対応した保護回路を設ける必要もな
くなる。これによっても、回路の小型軽量化及び低コス
ト化を促進できるものである。
れることで、スイッチング素子のスイッチング特性が向
上するために、電力変換効率の向上も図られることにな
る。また、低耐圧品を選定した場合には、これら各部品
素子も小型となるため、電源回路としての基板サイズの
小型軽量化を促進することも可能となるものである。ま
た、本発明としての構成であれば、例えば負荷短絡時に
おいてスイッチング周波数が低下して不安定な動作にな
ったときの電圧、電流が定格内となるものを選定するこ
とができるのであるが、これによって、負荷短絡時にお
けるスイッチング素子の破壊を防止することができ、従
って、負荷短絡時に対応した保護回路を設ける必要もな
くなる。これによっても、回路の小型軽量化及び低コス
ト化を促進できるものである。
【0106】また、本発明のアクティブクランプ回路と
しては、例えば補助スイッチング素子、クランプ用コン
デンサ、クランプダイオードを接続して形成される回路
を絶縁コンバータトランスの一次巻線に並列接続するよ
うにして構成することができるため、追加すべき部品点
数としても少なくて済み、回路の小型軽量化の妨げには
ならないものである。
しては、例えば補助スイッチング素子、クランプ用コン
デンサ、クランプダイオードを接続して形成される回路
を絶縁コンバータトランスの一次巻線に並列接続するよ
うにして構成することができるため、追加すべき部品点
数としても少なくて済み、回路の小型軽量化の妨げには
ならないものである。
【図1】本発明の第1の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図2】第1の実施の形態のスイッチング電源回路にお
ける要部の動作を示す波形図である
ける要部の動作を示す波形図である
【図3】本発明の第2の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図4】第2の実施の形態のスイッチング電源回路にお
ける要部の動作を示す波形図である
ける要部の動作を示す波形図である
【図5】本発明の第3の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図6】第3の実施の形態のスイッチング電源回路にお
ける要部の動作を示す波形図である
ける要部の動作を示す波形図である
【図7】本発明の第4の実施の形態としてのスイッチン
グ電源回路の構成を示す回路図である。
グ電源回路の構成を示す回路図である。
【図8】第4の実施の形態のスイッチング電源回路にお
ける要部の動作を示す波形図である
ける要部の動作を示す波形図である
【図9】先行技術としてのスイッチング電源回路の構成
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図10】先行技術としてのスイッチング電源回路の他
の構成例を示す回路図である。
の構成例を示す回路図である。
【図11】絶縁コンバータトランスの構成を示す断面図
である。
である。
【図12】相互インダクタンスが+M/−Mの場合の各
動作を示す等価回路図である。
動作を示す等価回路図である。
【図13】図10及び図11に示すスイッチング電源回
路の動作を示す波形図である。
路の動作を示す波形図である。
【図14】図10及び図11に示すスイッチング電源回
路についての、交流入力電圧に対する特性を示す説明図
である。
路についての、交流入力電圧に対する特性を示す説明図
である。
【図15】先行技術としてのスイッチング電源回路の、
さらに他の構成例を示す回路図である。
さらに他の構成例を示す回路図である。
【図16】先行技術としてのスイッチング電源回路の、
さらに他の構成例を示す回路図である。
さらに他の構成例を示す回路図である。
【図17】図15及び図16に示すスイッチング電源回
路の動作を示す波形図である。
路の動作を示す波形図である。
【図18】図15及び図16に示すスイッチング電源回
路についての、交流入力電圧に対する特性を示す説明図
である。
路についての、交流入力電圧に対する特性を示す説明図
である。
1制御回路、10 スイッチング駆動部、11 発振回
路、12 第1ドライブ回路、13 レベルシフト回
路、14 第2ドライブ回路、20,20A アクティ
ブクランプ回路、40 フォトカプラ、Q1 メインス
イッチング素子、Q3 補助スイッチング素子、PIT
絶縁コンバータトランス、Cr 一次側並列共振コン
デンサ、C2 二次側並列共振コンデンサ、Cs 二次
側直列共振コンデンサ
路、12 第1ドライブ回路、13 レベルシフト回
路、14 第2ドライブ回路、20,20A アクティ
ブクランプ回路、40 フォトカプラ、Q1 メインス
イッチング素子、Q3 補助スイッチング素子、PIT
絶縁コンバータトランス、Cr 一次側並列共振コン
デンサ、C2 二次側並列共振コンデンサ、Cs 二次
側直列共振コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項1】 入力された直流入力電圧を断続して出力
するためのメインスイッチング素子を備えて形成される
スイッチング手段と、 上記スイッチング手段の動作を電圧共振形とする一次側
並列共振回路が形成されるようにして備えられる一次側
並列共振コンデンサと、 一次側と二次側とについて疎結合とされる所要の結合係
数が得られるようにギャップが形成され、一次側に得ら
れる上記スイッチング手段の出力を二次側に伝送する絶
縁コンバータトランスと、 上記絶縁コンバータトランスの二次巻線に対して二次側
共振コンデンサを接続することで形成される二次側共振
回路と、 上記絶縁コンバータトランスの二次巻線に得られる交番
電圧を入力して整流動作を行うことで二次側直流出力電
圧を得るように構成される直流出力電圧生成手段と、 上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて、上記メイン
スイッチング素子のスイッチング周波数を可変制御する
と共に、1スイッチング周期内におけるオフ期間を一定
としてオン期間を可変制御するようにして、上記メイン
スイッチング素子をスイッチング駆動することで、定電
圧制御を行うようにされるスイッチング駆動手段と、 上記メインスイッチング素子のオン/オフ期間に応じて
可変される所定のオン/オフ期間を有するようにしてス
イッチングを行う補助スイッチング素子を備えること
で、上記一次側並列共振コンデンサの両端に発生する一
次側並列共振電圧をクランプするように設けられるアク
ティブクランプ手段と、 を備えて構成されることを特徴とするスイッチング電源
回路。
Priority Applications (8)
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JP2000134281A JP2001314079A (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | スイッチング電源回路 |
KR1020010019867A KR100741872B1 (ko) | 2000-04-28 | 2001-04-13 | 액티브 클램프회로를 갖는 스위칭 전원장치 |
TW090109661A TW517442B (en) | 2000-04-28 | 2001-04-23 | Switching power supply apparatus with active clamp circuit |
DE60135174T DE60135174D1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-25 | Schaltnetzteilgerät mit aktiver Spannungsklemmschaltung |
EP01303771A EP1150418B1 (en) | 2000-04-28 | 2001-04-25 | Switching power supply apparatus with active voltage clamp circuit |
MYPI20011959A MY127184A (en) | 2000-04-28 | 2001-04-26 | Switching power supply apparatus with active clamp circuit |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE (1) | DE60135174D1 (ja) |
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