JP2001284566A - 固体撮像装置、及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置、及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001284566A JP2001284566A JP2000100230A JP2000100230A JP2001284566A JP 2001284566 A JP2001284566 A JP 2001284566A JP 2000100230 A JP2000100230 A JP 2000100230A JP 2000100230 A JP2000100230 A JP 2000100230A JP 2001284566 A JP2001284566 A JP 2001284566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- passivation film
- passivation
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 330
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 22
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 108700042918 BF02 Proteins 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシベーション膜の段差をなくすことがで
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１上に光電変換を行う受光
部２と、前記受光部２の受光面を覆うことなく設けられ
た遮光膜４とを有し、前記遮光膜４と前記受光部２とを
覆うパッシベーション膜５を有する固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜５の上面が平坦であること
を特徴とする。
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１上に光電変換を行う受光
部２と、前記受光部２の受光面を覆うことなく設けられ
た遮光膜４とを有し、前記遮光膜４と前記受光部２とを
覆うパッシベーション膜５を有する固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜５の上面が平坦であること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置に関
し、特に、受光部の感度が向上するように構成された固
体撮像装置とその製造方法に関するものである。
し、特に、受光部の感度が向上するように構成された固
体撮像装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話を含む携帯情報端末など
では映像の送受信は必須となりつつある。映像の撮影は
ＣＣＤなどのいわゆる固体撮像装置が使用され、表示に
は液晶パネルが使用されている。固体撮像装置において
は、低消費電力化、低コスト化の観点から、通常の集積
回路を作製するいわゆるＣＭＯＳロジックプロセスを基
にしたＣＭＯＳイメージセンサの開発が盛んに行われて
いる。ＣＭＯＳイメージセンサにおいても、ＣＣＤと同
様に高画素化、小型化が進むにつれ、画素サイズが縮小
され、受光部の面積や遮光膜の開口が狭くなってきてい
る。ところが、ＣＭＯＳイメージセンサについてはロジ
ックプロセスを基にした開発を行ってきている為、多層
膜の界面における反射や屈折などの光学的特性を十分考
慮して開発しているとはいえない。そのため、入射した
光を効率よく集光させ、十分な感度を得ることが難しく
なってきている。
では映像の送受信は必須となりつつある。映像の撮影は
ＣＣＤなどのいわゆる固体撮像装置が使用され、表示に
は液晶パネルが使用されている。固体撮像装置において
は、低消費電力化、低コスト化の観点から、通常の集積
回路を作製するいわゆるＣＭＯＳロジックプロセスを基
にしたＣＭＯＳイメージセンサの開発が盛んに行われて
いる。ＣＭＯＳイメージセンサにおいても、ＣＣＤと同
様に高画素化、小型化が進むにつれ、画素サイズが縮小
され、受光部の面積や遮光膜の開口が狭くなってきてい
る。ところが、ＣＭＯＳイメージセンサについてはロジ
ックプロセスを基にした開発を行ってきている為、多層
膜の界面における反射や屈折などの光学的特性を十分考
慮して開発しているとはいえない。そのため、入射した
光を効率よく集光させ、十分な感度を得ることが難しく
なってきている。
【０００３】従来の固体撮像装置、特にＣＭＯＳイメー
ジセンサについて、図５を用いて説明する。シリコン基
板１１の表面に入射した光（ｈν）を電荷に変換する受
光部１２が形成されている。層間絶縁膜１３がシリコン
基板１１上に形成され、一層目メタル１８と二層目メタ
ル１９と遮光膜１４をそれぞれ電気的に分離している。
遮光膜１４は層間絶縁膜１３上に入射した光が受光部１
２以外に入射しないように受光部１２の受光面を覆うこ
となく形成されている。パッシベーション膜１５は遮光
膜１４上と遮光膜１４の開口部にある層間絶縁膜１３上
に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不純物や金
属に対するバリヤ性能向上のために形成されている。平
坦化膜１６はパッシベーション膜１５上に形成され、マ
イクロレンズ１７は平坦化膜１６上に入射する光を集光
させるために形成されている。層間絶縁膜１３として、
Ｐ（プラズマＣＶＤ）−ＳｉＯ2膜、ＮＳＧ膜（不純物
を含まないシリコン酸化膜）、ＢＰＳＧ膜（リンとホウ
素を含むシリコン酸化膜）等の積層膜が使用されてい
る。パッシベーション膜１５として、Ｐ（プラズマＣＶ
Ｄ）−ＳｉＮ膜の単層膜若しくはＰ−ＳｉＮ膜とＰＳＧ
膜（リンを含むシリコン酸化膜）の積層膜が一般的に使
用されている。平坦化膜１６として、主にアクリル材料
が使用されている。また、カラーの固体撮像装置の場合
には、平坦化膜１６として、アクリル材料とカラーフィ
ルターが使用されている。従来の構造ではパッシベーシ
ョン膜１５に段差が有り、その段差が集光の妨げになっ
ていた。そのため、そのままの構造で、高画素化、小型
化を行うとパッシベーション膜１５の段差部分が妨げに
なり、受光部１２に集光される光が減少する。そのた
め、十分な感度を得ることが難しくなってきている。
ジセンサについて、図５を用いて説明する。シリコン基
板１１の表面に入射した光（ｈν）を電荷に変換する受
光部１２が形成されている。層間絶縁膜１３がシリコン
基板１１上に形成され、一層目メタル１８と二層目メタ
ル１９と遮光膜１４をそれぞれ電気的に分離している。
遮光膜１４は層間絶縁膜１３上に入射した光が受光部１
２以外に入射しないように受光部１２の受光面を覆うこ
となく形成されている。パッシベーション膜１５は遮光
膜１４上と遮光膜１４の開口部にある層間絶縁膜１３上
に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不純物や金
属に対するバリヤ性能向上のために形成されている。平
坦化膜１６はパッシベーション膜１５上に形成され、マ
イクロレンズ１７は平坦化膜１６上に入射する光を集光
させるために形成されている。層間絶縁膜１３として、
Ｐ（プラズマＣＶＤ）−ＳｉＯ2膜、ＮＳＧ膜（不純物
を含まないシリコン酸化膜）、ＢＰＳＧ膜（リンとホウ
素を含むシリコン酸化膜）等の積層膜が使用されてい
る。パッシベーション膜１５として、Ｐ（プラズマＣＶ
Ｄ）−ＳｉＮ膜の単層膜若しくはＰ−ＳｉＮ膜とＰＳＧ
膜（リンを含むシリコン酸化膜）の積層膜が一般的に使
用されている。平坦化膜１６として、主にアクリル材料
が使用されている。また、カラーの固体撮像装置の場合
には、平坦化膜１６として、アクリル材料とカラーフィ
ルターが使用されている。従来の構造ではパッシベーシ
ョン膜１５に段差が有り、その段差が集光の妨げになっ
ていた。そのため、そのままの構造で、高画素化、小型
化を行うとパッシベーション膜１５の段差部分が妨げに
なり、受光部１２に集光される光が減少する。そのた
め、十分な感度を得ることが難しくなってきている。
【０００４】次に、その製造方法について図６を用いて
説明する。シリコン基板１１に受光部１２をイオン注入
や熱処理を用いて形成する。また、多結晶シリコン膜と
シリサイド膜をＣＶＤにより形成し、パターニング、エ
ッチング等を用いてシリコン基板１１上にゲート電極
（図示せず）を形成している。その後、層間絶縁膜１３
としてＢＰＳＧ膜をＣＶＤにより堆積させる。ＢＰＳＧ
膜は高温で熱処理すると流動性を生じるため、表面を平
坦にすることができる。その特性を利用して、ＢＰＳＧ
膜の表面を平坦にし一層目メタル１８を形成し易くして
いる。ＢＰＳＧ膜上にスパッタやＣＶＤを用いてＴｉＮ
やＡｌ等を堆積させ、一層目メタル１８を形成してい
る。一層目メタル１８上には層間絶縁膜１３としてＰ−
ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより堆積させ、化学機械研磨によ
り表面を平坦にしている。その後、二層目メタル１９も
一層目メタル１８と同様に、スパッタやＣＶＤを用い、
ＴｉＮやＡｌ等の薄膜を形成している。同様に二層目メ
タル１９上に層間絶縁膜１３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣ
ＶＤにより堆積させ、化学機械研磨により表面を平坦に
している。その後、遮光膜１４としてスパッタやＣＶＤ
を用いて、ＴｉＮやＡｌ等を堆積させ、受光部１２を覆
うことのないようにパターニングし、エッチングを行っ
ている。遮光膜１４上にはパッシベーション膜１５とし
てＰ−ＳｉＮをＣＶＤ等により堆積させている。アクリ
ル材を塗布することにより平坦化膜１６を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜１６を形成して
いる。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び
熱処理によりマイクロレンズ１７を形成している。
説明する。シリコン基板１１に受光部１２をイオン注入
や熱処理を用いて形成する。また、多結晶シリコン膜と
シリサイド膜をＣＶＤにより形成し、パターニング、エ
ッチング等を用いてシリコン基板１１上にゲート電極
（図示せず）を形成している。その後、層間絶縁膜１３
としてＢＰＳＧ膜をＣＶＤにより堆積させる。ＢＰＳＧ
膜は高温で熱処理すると流動性を生じるため、表面を平
坦にすることができる。その特性を利用して、ＢＰＳＧ
膜の表面を平坦にし一層目メタル１８を形成し易くして
いる。ＢＰＳＧ膜上にスパッタやＣＶＤを用いてＴｉＮ
やＡｌ等を堆積させ、一層目メタル１８を形成してい
る。一層目メタル１８上には層間絶縁膜１３としてＰ−
ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより堆積させ、化学機械研磨によ
り表面を平坦にしている。その後、二層目メタル１９も
一層目メタル１８と同様に、スパッタやＣＶＤを用い、
ＴｉＮやＡｌ等の薄膜を形成している。同様に二層目メ
タル１９上に層間絶縁膜１３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣ
ＶＤにより堆積させ、化学機械研磨により表面を平坦に
している。その後、遮光膜１４としてスパッタやＣＶＤ
を用いて、ＴｉＮやＡｌ等を堆積させ、受光部１２を覆
うことのないようにパターニングし、エッチングを行っ
ている。遮光膜１４上にはパッシベーション膜１５とし
てＰ−ＳｉＮをＣＶＤ等により堆積させている。アクリ
ル材を塗布することにより平坦化膜１６を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜１６を形成して
いる。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び
熱処理によりマイクロレンズ１７を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）の構造にお
いて、パッシベーション膜１５に用いられるＰ−ＳｉＮ
膜の屈折率は約２．０であるのに対し、平坦化膜１６に
用いられるアクリル材料の屈折率は１．５〜１．６程度
である。パッシベーション膜１５の屈折率が平坦化膜１
６の屈折率より高い状態にある場合、パッシベーション
膜１５の段差部分の角に光が入射すると、パッシベーシ
ョン膜１５の角の部分が丸みをおびている為、入射した
光は受光部１２に集光されず、外側の一層目メタル１８
や二層目メタル１９の方へ屈折してしまう。また、図５
（ｂ）の拡大図に示すように、段差部分の上側の平坦な
部分に光が入射した場合、パッシベーション膜１５の屈
折率が平坦化膜１６の屈折率より高いため、入射角度に
よっては遮光膜１４の側壁部分のパッシベーション膜１
５と平坦化膜１６の界面で全反射が起こり、遮光膜１４
の側壁に沿って光が進み、受光部１２に集光されなくな
ってしまう。すなわち、図５（ａ）に示す従来の構造で
は遮光膜１４の側壁に堆積しているパッシベーション膜
１５に入射する光は感度には無効になってしまうので、
実際には遮光膜１４の開口はパッシベーション膜１５の
膜厚分だけ狭くなっていることになる。
いて、パッシベーション膜１５に用いられるＰ−ＳｉＮ
膜の屈折率は約２．０であるのに対し、平坦化膜１６に
用いられるアクリル材料の屈折率は１．５〜１．６程度
である。パッシベーション膜１５の屈折率が平坦化膜１
６の屈折率より高い状態にある場合、パッシベーション
膜１５の段差部分の角に光が入射すると、パッシベーシ
ョン膜１５の角の部分が丸みをおびている為、入射した
光は受光部１２に集光されず、外側の一層目メタル１８
や二層目メタル１９の方へ屈折してしまう。また、図５
（ｂ）の拡大図に示すように、段差部分の上側の平坦な
部分に光が入射した場合、パッシベーション膜１５の屈
折率が平坦化膜１６の屈折率より高いため、入射角度に
よっては遮光膜１４の側壁部分のパッシベーション膜１
５と平坦化膜１６の界面で全反射が起こり、遮光膜１４
の側壁に沿って光が進み、受光部１２に集光されなくな
ってしまう。すなわち、図５（ａ）に示す従来の構造で
は遮光膜１４の側壁に堆積しているパッシベーション膜
１５に入射する光は感度には無効になってしまうので、
実際には遮光膜１４の開口はパッシベーション膜１５の
膜厚分だけ狭くなっていることになる。
【０００６】従来は開口部分が広くても段差部分に入射
する光はあったが、受光部１２に集光された光に比べ段
差部分に入射する光は問題にならなかった。しかし、高
画素化、小型化による画素サイズの縮小により、受光部
１２の受光面が小さくなり遮光膜１４の開口部分も狭く
なってきた。その狭くなった部分にパッシベーション膜
１５の膜厚分だけさらに狭くなると、パッシベーション
膜１５の段差部分に入射する光が増加し、十分な感度を
得ることが難しくなってきた。しかし、パッシベーショ
ン膜１５は耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不
純物や金属に対するバリヤ性能向上といった重要な役割
を果たしているため、取り除くことはできない。
する光はあったが、受光部１２に集光された光に比べ段
差部分に入射する光は問題にならなかった。しかし、高
画素化、小型化による画素サイズの縮小により、受光部
１２の受光面が小さくなり遮光膜１４の開口部分も狭く
なってきた。その狭くなった部分にパッシベーション膜
１５の膜厚分だけさらに狭くなると、パッシベーション
膜１５の段差部分に入射する光が増加し、十分な感度を
得ることが難しくなってきた。しかし、パッシベーショ
ン膜１５は耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不
純物や金属に対するバリヤ性能向上といった重要な役割
を果たしているため、取り除くことはできない。
【０００７】次に、パッシベーション膜の段差部分によ
る影響について具体的に説明する。パッシベーション膜
厚分だけ感度が無効になると仮定すると、開口は（画素
サイズ）−（遮光膜の幅）−（パッシベーション膜の膜
厚×２）と表すことができる。例えば、遮光膜１４の幅
を１．５μｍ、パッシベーション膜１５の膜厚を０．５
μｍとすると、１０μｍ□画素では、遮光膜１４の開口
は１０−１．５−０．５×２＝７．５μｍとなり、開口
率は７５％となる。５μｍ□画素の場合でも同様に、５
−１．５−０．５×２＝２．５μｍとなり開口率は５０
％となる。これは１次元の場合であり、実際には２次元
なので面積成分で比較すると開口率の差はさらに大きく
なる。また、遮光膜１４はマイクロレンズ１７に近い
為、開口の縮小は下層に比べ入射光の妨げになる。
る影響について具体的に説明する。パッシベーション膜
厚分だけ感度が無効になると仮定すると、開口は（画素
サイズ）−（遮光膜の幅）−（パッシベーション膜の膜
厚×２）と表すことができる。例えば、遮光膜１４の幅
を１．５μｍ、パッシベーション膜１５の膜厚を０．５
μｍとすると、１０μｍ□画素では、遮光膜１４の開口
は１０−１．５−０．５×２＝７．５μｍとなり、開口
率は７５％となる。５μｍ□画素の場合でも同様に、５
−１．５−０．５×２＝２．５μｍとなり開口率は５０
％となる。これは１次元の場合であり、実際には２次元
なので面積成分で比較すると開口率の差はさらに大きく
なる。また、遮光膜１４はマイクロレンズ１７に近い
為、開口の縮小は下層に比べ入射光の妨げになる。
【０００８】本発明は、上記のような問題を解決するも
のであり、パッシベーション膜の段差をなくすことがで
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置、及びその製造方法を提供するものである。
のであり、パッシベーション膜の段差をなくすことがで
き、入射した光を受光部に集光させることができる固体
撮像装置、及びその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明（第１発明）の固
体撮像装置は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆うパッシベ
ーション膜を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜の上面が平坦であることを特徴とするもの
である。
体撮像装置は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆うパッシベ
ーション膜を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜の上面が平坦であることを特徴とするもの
である。
【００１０】また、本発明（第２発明）の固体撮像装置
は、前記第１発明の固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜が、Ｓｉ3Ｎ4膜、或いはＳｉＯＮ膜等のシ
リコン窒化膜系の単層膜、または同シリコン窒化膜系を
含む積層膜であることを特徴とするものである。
は、前記第１発明の固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜が、Ｓｉ3Ｎ4膜、或いはＳｉＯＮ膜等のシ
リコン窒化膜系の単層膜、または同シリコン窒化膜系を
含む積層膜であることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明（第３発明）の固体撮像装置
は、前記第１発明または第２発明の固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜と前記遮光膜との間に介在
する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上面が平坦であること
を特徴とするものである。
は、前記第１発明または第２発明の固体撮像装置に於い
て、前記パッシベーション膜と前記遮光膜との間に介在
する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上面が平坦であること
を特徴とするものである。
【００１２】更に、本発明（第４発明）の固体撮像装置
は、前記第３発明の固体撮像装置に於いて、前記絶縁膜
が、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、或いはＢＰＳＧ膜等のシリ
コン酸化膜系であることを特徴とするものである。
は、前記第３発明の固体撮像装置に於いて、前記絶縁膜
が、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、或いはＢＰＳＧ膜等のシリ
コン酸化膜系であることを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明（第５発明）の固体撮像装置
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を形
成する工程を備えていることを特徴とするものである。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を形
成する工程を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】更に、本発明（第６発明）の固体撮像装置
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜上にＳＯＧ膜を塗布し、前記パッシベー
ション膜形成用薄膜と前記ＳＯＧ膜の選択比が１または
略１となるエッチング条件でエッチバックを行うことに
より、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を
形成する工程を備えていることを特徴とするものであ
る。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜上にＳＯＧ膜を塗布し、前記パッシベー
ション膜形成用薄膜と前記ＳＯＧ膜の選択比が１または
略１となるエッチング条件でエッチバックを行うことに
より、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を
形成する工程を備えていることを特徴とするものであ
る。
【００１５】また、本発明（第７発明）の固体撮像装置
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に絶縁膜を形成し
た後、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材料を堆積して、
その上面が平坦な前記パッシベーション膜を形成する工
程とを備えていることを特徴とするものである。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に絶縁膜を形成し
た後、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材料を堆積して、
その上面が平坦な前記パッシベーション膜を形成する工
程とを備えていることを特徴とするものである。
【００１６】更に、本発明（第８発明）の固体撮像装置
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上にＳＯＧ膜を塗布
形成することによって、その表面が平坦な絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材
料を堆積して、その上面が平坦な前記パッシベーション
膜を形成する工程とを備えていることを特徴とするもの
である。
の製造方法は、半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上にＳＯＧ膜を塗布
形成することによって、その表面が平坦な絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材
料を堆積して、その上面が平坦な前記パッシベーション
膜を形成する工程とを備えていることを特徴とするもの
である。
【００１７】本発明は上記目的を達成する為に、層間絶
縁膜上のパッシベーション膜の厚さが遮光膜よりも厚く
なるまで堆積させる。その後、厚く堆積させたパッシベ
ーション膜の表面を化学機械研磨、またはＳＯＧなどを
塗布し、エッチバックを用いて、遮光膜を露出させない
程度に削り、パッシベーション膜の表面を平坦化する。
縁膜上のパッシベーション膜の厚さが遮光膜よりも厚く
なるまで堆積させる。その後、厚く堆積させたパッシベ
ーション膜の表面を化学機械研磨、またはＳＯＧなどを
塗布し、エッチバックを用いて、遮光膜を露出させない
程度に削り、パッシベーション膜の表面を平坦化する。
【００１８】また、別の解決手段として、遮光膜上と層
間絶縁膜上にシリコン酸化膜系の絶縁膜を前記同様に厚
く堆積させる。その後、化学機械研磨を用いて遮光膜を
露出させない程度に削って、表面を平坦にする。そし
て、このシリコン酸化膜系の絶縁膜の上面にパッシベー
ション膜を堆積させる。シリコン酸化膜系の絶縁膜の上
面が平坦になっているため、パッシベーション膜を堆積
させると、パッシベーション膜の上面も平坦になる。こ
れにより、従来までのパッシベーション膜の段差を無く
すことができる。
間絶縁膜上にシリコン酸化膜系の絶縁膜を前記同様に厚
く堆積させる。その後、化学機械研磨を用いて遮光膜を
露出させない程度に削って、表面を平坦にする。そし
て、このシリコン酸化膜系の絶縁膜の上面にパッシベー
ション膜を堆積させる。シリコン酸化膜系の絶縁膜の上
面が平坦になっているため、パッシベーション膜を堆積
させると、パッシベーション膜の上面も平坦になる。こ
れにより、従来までのパッシベーション膜の段差を無く
すことができる。
【００１９】更に、別の解決手段として、遮光膜上と層
間絶縁膜上にＳＯＧ膜を塗布形成させる。そして、前記
ＳＯＧ膜上面にパッシベーション膜を堆積させる。ＳＯ
Ｇ膜の上面が平坦になっているため、パッシベーション
膜を堆積させると、パッシベーション膜の上面も平坦に
なる。これにより、従来までのパッシベーション膜の段
差を無くすことができる。
間絶縁膜上にＳＯＧ膜を塗布形成させる。そして、前記
ＳＯＧ膜上面にパッシベーション膜を堆積させる。ＳＯ
Ｇ膜の上面が平坦になっているため、パッシベーション
膜を堆積させると、パッシベーション膜の上面も平坦に
なる。これにより、従来までのパッシベーション膜の段
差を無くすことができる。
【００２０】以上のように、本発明は遮光膜上と開口部
分の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を遮光膜の膜厚
以上に厚く堆積させ、その後、パッシベーション膜の上
面を化学機械研磨やエッチバックを用いて遮光膜を露出
させない程度に削って、表面を平坦にする等の手法を採
用することにより、従来のパッシベーション膜の段差を
無くすことができる。これによって、これまでは段差部
分に入射して、受光部以外の方向に屈折していた光を受
光部に集光することができるようになり、高画素化、小
型化に対応できるようになる。
分の層間絶縁膜上にパッシベーション膜を遮光膜の膜厚
以上に厚く堆積させ、その後、パッシベーション膜の上
面を化学機械研磨やエッチバックを用いて遮光膜を露出
させない程度に削って、表面を平坦にする等の手法を採
用することにより、従来のパッシベーション膜の段差を
無くすことができる。これによって、これまでは段差部
分に入射して、受光部以外の方向に屈折していた光を受
光部に集光することができるようになり、高画素化、小
型化に対応できるようになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて詳細に説明する。
て、図面を用いて詳細に説明する。
【００２２】本発明の第１の実施形態の基本的な構造を
図１に示す。図１において、シリコン基板１の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部２が形成されている。
層間絶縁膜３がシリコン基板１上に形成され、一層目メ
タル８と二層目メタル９と遮光膜４をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜４は層間絶縁膜３上に受光部２の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部２以外
に入射しないように形成されている。パッシベーション
膜５は遮光膜４上と遮光膜４の開口部にある層間絶縁膜
３上に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不純物
や金属に対するバリヤ性能向上を図る為に形成されてい
る。パッシベーション膜５の表面は化学機械研磨やエッ
チバックを用いて遮光膜４を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。平坦化膜６がパッシベーション
膜５上に形成され、マイクロレンズ７が平坦化膜６上に
入射する光を集光する為に形成されている。本実施の形
態において、パッシベーション膜５としては、ＳｉＮ膜
系の単層膜、若しくはＳｉＮ膜系を含む積層膜が形成さ
れており、ＳｉＮ膜の屈折率は約２．０である。また、
平坦化膜６にはアクリル材料を用いており、屈折率は
１．５〜１．６程度である。
図１に示す。図１において、シリコン基板１の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部２が形成されている。
層間絶縁膜３がシリコン基板１上に形成され、一層目メ
タル８と二層目メタル９と遮光膜４をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜４は層間絶縁膜３上に受光部２の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部２以外
に入射しないように形成されている。パッシベーション
膜５は遮光膜４上と遮光膜４の開口部にある層間絶縁膜
３上に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオン、酸素等の不純物
や金属に対するバリヤ性能向上を図る為に形成されてい
る。パッシベーション膜５の表面は化学機械研磨やエッ
チバックを用いて遮光膜４を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。平坦化膜６がパッシベーション
膜５上に形成され、マイクロレンズ７が平坦化膜６上に
入射する光を集光する為に形成されている。本実施の形
態において、パッシベーション膜５としては、ＳｉＮ膜
系の単層膜、若しくはＳｉＮ膜系を含む積層膜が形成さ
れており、ＳｉＮ膜の屈折率は約２．０である。また、
平坦化膜６にはアクリル材料を用いており、屈折率は
１．５〜１．６程度である。
【００２３】従来の構造では、図５に示すようにパッシ
ベーション膜１５に段差部分があった。その段差部分に
入射した光は段差の角の部分での屈折率の差により受光
部以外の方向へ屈折する。また、パッシベーション膜１
５の屈折率が平坦化膜１６の屈折率より大きい為、遮光
膜１４の側壁部分でパッシベーション膜１５と平坦化膜
１６との界面で全反射が起こり、受光部１２に集光され
なかった。しかしながら、上記の本発明の第１の実施形
態の構造ではパッシベーション膜５を厚く堆積させ、そ
の上面を化学機械研磨やエッチバックにより平坦にして
いるので、従来のようなパッシベーション膜１５の段差
による入射光の屈折は起こらず、マイクロレンズ７によ
り集光された光の殆どが受光部２に集光される。
ベーション膜１５に段差部分があった。その段差部分に
入射した光は段差の角の部分での屈折率の差により受光
部以外の方向へ屈折する。また、パッシベーション膜１
５の屈折率が平坦化膜１６の屈折率より大きい為、遮光
膜１４の側壁部分でパッシベーション膜１５と平坦化膜
１６との界面で全反射が起こり、受光部１２に集光され
なかった。しかしながら、上記の本発明の第１の実施形
態の構造ではパッシベーション膜５を厚く堆積させ、そ
の上面を化学機械研磨やエッチバックにより平坦にして
いるので、従来のようなパッシベーション膜１５の段差
による入射光の屈折は起こらず、マイクロレンズ７によ
り集光された光の殆どが受光部２に集光される。
【００２４】次に、上記本発明の第１の実施形態の固体
撮像装置の製造方法について図３を用いて説明する。シ
リコン基板１に受光部２をイオン注入や熱処理を用いて
形成する。また、多結晶シリコン膜とシリサイド膜をＣ
ＶＤにより形成し、パターニング、エッチング等を用い
てシリコン基板１上にゲート電極（図示せず）を形成し
ている。その後、層間絶縁膜３としてＢＰＳＧ膜をＣＶ
Ｄにより５０００〜１５０００Å堆積させる。ＢＰＳＧ
膜を８５０〜９５０℃で熱処理し、ＢＰＳＧ膜の表面を
平坦にし一層目メタル８を形成し易くしている。ＢＰＳ
Ｇ膜上にスパッタやＣＶＤを用いてＴｉＮを３００〜１
０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å堆積させ、一
層目メタル８を形成している。一層目メタル８上には層
間絶縁膜３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより２００
００〜２５０００Å堆積させ、化学機械研磨により１０
０００Å程度削って、表面を平坦にしている。その後、
二層目メタル９も一層目メタル８と同様に、スパッタや
ＣＶＤを用い、ＴｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３
０００〜１００００Å堆積させている。同様に二層目メ
タル９上に層間絶縁膜３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣＶＤ
により２００００〜２５０００Å堆積させ、化学機械研
磨により１００００Å程度削って、表面を平坦にしてい
る。その後、遮光膜４をスパッタやＣＶＤを用いて、Ｔ
ｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３０００Å〜１００
００Å堆積させ、受光部２を覆うことのないようにパタ
ーニングし、エッチングを行っている。パッシベーショ
ン膜５としてＰ−ＳｉＮを２００００Å堆積させる。そ
の後、Ｐ−ＳｉＮ膜の表面を化学機械研磨により１００
００Å削ることにより平坦化する。また、別の平坦化方
法として、遮光膜４までは従来と同様の製造方法で形成
し、パッシベーション膜５としてＰ−ＳｉＮをＣＶＤ等
により厚く堆積させる。その後、ＳＯＧを塗布して、Ｐ
−ＳｉＮとＳＯＧの選択比がほぼ１となるようなエッチ
ング条件を用いてＲＩＥでエッチングし、パッシベーシ
ョン膜５の上面を平坦にする。具体的には、遮光膜４の
膜厚を３０００Å〜１００００Å堆積させ、パッシベー
ション膜５としてＰ−ＳｉＮ膜を２００００Å堆積させ
る。更に、Ｐ−ＳｉＮ膜上にＳＯＧを１５０００Å塗布
する。ＲＩＥエッチャーの条件を、圧力：４〜１５Ｐ
ａ、ＣＨＦ3：２０〜５０ｓｃｃｍ、ＣＦ4：２０〜５０
ｓｃｃｍ、Ａｒ：５０〜１００ｓｃｃｍ、Ｏ2：１〜５
ｓｃｃｍ、ＲＦ：２００〜７００Ｗとすると、Ｐ−Ｓｉ
ＮとＳＯＧの選択比は１になり、この条件でエッチング
を行うと、Ｐ−ＳｉＮ膜の上面を平坦にすることができ
る。パッシベーション膜５の上面を平坦にした後で、ア
クリル材を塗布することにより平坦化膜６を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜６を形成してい
る。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び熱
処理によりマイクロレンズ７を形成している。
撮像装置の製造方法について図３を用いて説明する。シ
リコン基板１に受光部２をイオン注入や熱処理を用いて
形成する。また、多結晶シリコン膜とシリサイド膜をＣ
ＶＤにより形成し、パターニング、エッチング等を用い
てシリコン基板１上にゲート電極（図示せず）を形成し
ている。その後、層間絶縁膜３としてＢＰＳＧ膜をＣＶ
Ｄにより５０００〜１５０００Å堆積させる。ＢＰＳＧ
膜を８５０〜９５０℃で熱処理し、ＢＰＳＧ膜の表面を
平坦にし一層目メタル８を形成し易くしている。ＢＰＳ
Ｇ膜上にスパッタやＣＶＤを用いてＴｉＮを３００〜１
０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å堆積させ、一
層目メタル８を形成している。一層目メタル８上には層
間絶縁膜３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより２００
００〜２５０００Å堆積させ、化学機械研磨により１０
０００Å程度削って、表面を平坦にしている。その後、
二層目メタル９も一層目メタル８と同様に、スパッタや
ＣＶＤを用い、ＴｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３
０００〜１００００Å堆積させている。同様に二層目メ
タル９上に層間絶縁膜３としてＰ−ＳｉＯ2膜をＣＶＤ
により２００００〜２５０００Å堆積させ、化学機械研
磨により１００００Å程度削って、表面を平坦にしてい
る。その後、遮光膜４をスパッタやＣＶＤを用いて、Ｔ
ｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３０００Å〜１００
００Å堆積させ、受光部２を覆うことのないようにパタ
ーニングし、エッチングを行っている。パッシベーショ
ン膜５としてＰ−ＳｉＮを２００００Å堆積させる。そ
の後、Ｐ−ＳｉＮ膜の表面を化学機械研磨により１００
００Å削ることにより平坦化する。また、別の平坦化方
法として、遮光膜４までは従来と同様の製造方法で形成
し、パッシベーション膜５としてＰ−ＳｉＮをＣＶＤ等
により厚く堆積させる。その後、ＳＯＧを塗布して、Ｐ
−ＳｉＮとＳＯＧの選択比がほぼ１となるようなエッチ
ング条件を用いてＲＩＥでエッチングし、パッシベーシ
ョン膜５の上面を平坦にする。具体的には、遮光膜４の
膜厚を３０００Å〜１００００Å堆積させ、パッシベー
ション膜５としてＰ−ＳｉＮ膜を２００００Å堆積させ
る。更に、Ｐ−ＳｉＮ膜上にＳＯＧを１５０００Å塗布
する。ＲＩＥエッチャーの条件を、圧力：４〜１５Ｐ
ａ、ＣＨＦ3：２０〜５０ｓｃｃｍ、ＣＦ4：２０〜５０
ｓｃｃｍ、Ａｒ：５０〜１００ｓｃｃｍ、Ｏ2：１〜５
ｓｃｃｍ、ＲＦ：２００〜７００Ｗとすると、Ｐ−Ｓｉ
ＮとＳＯＧの選択比は１になり、この条件でエッチング
を行うと、Ｐ−ＳｉＮ膜の上面を平坦にすることができ
る。パッシベーション膜５の上面を平坦にした後で、ア
クリル材を塗布することにより平坦化膜６を形成してい
る。また、カラーの固体撮像装置の場合はアクリル材を
塗布し、その後、カラーフィルターを形成し、さらに保
護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜６を形成してい
る。その後、レンズ材料を塗布し、パターニング及び熱
処理によりマイクロレンズ７を形成している。
【００２５】パッシベーション膜の段差をなくすことに
より、遮光膜の開口は（画素サイズ）−（遮光膜の幅）
で表すことができる。例えば、遮光膜の幅を１．５μｍ
とし、５μｍ□画素では、開口は５−１．５＝３．５μ
ｍとなり、開口率は７０％となる。従来では開口率は５
０％なので、開口率は１．４倍に大幅に改善されてい
る。
より、遮光膜の開口は（画素サイズ）−（遮光膜の幅）
で表すことができる。例えば、遮光膜の幅を１．５μｍ
とし、５μｍ□画素では、開口は５−１．５＝３．５μ
ｍとなり、開口率は７０％となる。従来では開口率は５
０％なので、開口率は１．４倍に大幅に改善されてい
る。
【００２６】次に、本発明の第２の実施形態について説
明をする。
明をする。
【００２７】本発明の第２の実施形態の基本的な構造を
図２に示す。図２において、シリコン基板１の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部２が形成されている。
層間絶縁膜３がシリコン基板１上に形成され、一層目メ
タル８と二層目メタル９と遮光膜４をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜４が層間絶縁膜３上に受光部２の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部２以外
に入射しないように形成されている。シリコン酸化膜１
０が遮光膜４上と遮光膜４の開口部にある層間絶縁膜３
上に形成されている。シリコン酸化膜１０の表面は化学
機械研磨を用いて遮光膜４を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。なお、シリコン酸化膜１０を、
ＳＯＧの塗布により形成した場合は、上記化学機械研磨
を行わなくても、その上面が平坦なシリコン酸化膜を形
成することができる。そして、パッシベーション膜５が
シリコン酸化膜１０上に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオ
ン、酸素等の不純物や金属に対するバリヤ性能向上を図
る為に形成されている。平坦化膜６がパッシベーション
膜５上に形成され、マイクロレンズ７が平坦化膜６上に
入射する光を集光する為に形成されている。
図２に示す。図２において、シリコン基板１の表面に入
射した光を電荷に変換する受光部２が形成されている。
層間絶縁膜３がシリコン基板１上に形成され、一層目メ
タル８と二層目メタル９と遮光膜４をそれぞれ電気的に
分離している。遮光膜４が層間絶縁膜３上に受光部２の
受光面を覆うことなく、入射してきた光が受光部２以外
に入射しないように形成されている。シリコン酸化膜１
０が遮光膜４上と遮光膜４の開口部にある層間絶縁膜３
上に形成されている。シリコン酸化膜１０の表面は化学
機械研磨を用いて遮光膜４を露出させないように削ら
れ、平坦化されている。なお、シリコン酸化膜１０を、
ＳＯＧの塗布により形成した場合は、上記化学機械研磨
を行わなくても、その上面が平坦なシリコン酸化膜を形
成することができる。そして、パッシベーション膜５が
シリコン酸化膜１０上に耐湿性、耐薬品性、Ｎａイオ
ン、酸素等の不純物や金属に対するバリヤ性能向上を図
る為に形成されている。平坦化膜６がパッシベーション
膜５上に形成され、マイクロレンズ７が平坦化膜６上に
入射する光を集光する為に形成されている。
【００２８】本実施形態では、シリコン酸化膜１０はパ
ッシベーション膜５であるＰ−ＳｉＮ膜に比べ容易に化
学機械研磨を行うことができる。まず、Ｐ−ＳｉＮ膜に
比べシリコン酸化膜系はエッチングレートが速いためエ
ッチングし易い。次に、層間絶縁膜３を形成する際に化
学機械研磨を行っているためシリコン酸化膜系の化学機
械研磨は既存プロセスを用いることができる。以上のこ
とにより、シリコン酸化膜系の上面の平坦化を行う方が
有利である。その後、シリコン酸化膜１０上にパッシベ
ーション膜５を堆積させると、パッシベーション膜５の
上面を平坦にすることができる。これにより、図５
（ａ）に示す従来のパッシベーション膜１５の段差部分
をなくすことができ、マイクロレンズ７により集光され
た光は邪魔されることなく受光部２に集光される。
ッシベーション膜５であるＰ−ＳｉＮ膜に比べ容易に化
学機械研磨を行うことができる。まず、Ｐ−ＳｉＮ膜に
比べシリコン酸化膜系はエッチングレートが速いためエ
ッチングし易い。次に、層間絶縁膜３を形成する際に化
学機械研磨を行っているためシリコン酸化膜系の化学機
械研磨は既存プロセスを用いることができる。以上のこ
とにより、シリコン酸化膜系の上面の平坦化を行う方が
有利である。その後、シリコン酸化膜１０上にパッシベ
ーション膜５を堆積させると、パッシベーション膜５の
上面を平坦にすることができる。これにより、図５
（ａ）に示す従来のパッシベーション膜１５の段差部分
をなくすことができ、マイクロレンズ７により集光され
た光は邪魔されることなく受光部２に集光される。
【００２９】次に、本実施形態の製造方法について図４
を用いて説明する。遮光膜４までは従来及び第１実施形
態と同様の製造方法で形成する。シリコン基板１に受光
部２をイオン注入や熱処理を用いて形成する。また、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜をＣＶＤにより形成し、
パターニング、エッチング等を用いてシリコン基板１上
にゲート電極（図示せず）を形成している。その後、層
間絶縁膜３としてＢＰＳＧをＣＶＤにより５０００〜１
５０００Å堆積させる。ＢＰＳＧ膜を８５０〜９５０℃
で熱処理し、ＢＰＳＧ膜の表面を平坦にし一層目メタル
８を形成し易くしている。ＢＰＳＧ膜上にスパッタやＣ
ＶＤを用いてＴｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３０
００〜１００００Å堆積させ、一層目メタル８を形成し
ている。一層目メタル８上には層間絶縁膜３としてＰ−
ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより２００００〜２５０００Å堆
積させ、化学機械研磨により１００００Å程度削って、
表面を平坦にしている。その後、二層目メタル９も一層
目メタル８と同様に、スパッタやＣＶＤを用い、ＴｉＮ
を３００〜１０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å
堆積させている。同様に二層目メタル９上に層間絶縁膜
３としてＰ−ＳｉＯ 2膜をＣＶＤにより２００００〜２
５０００Å堆積させ、化学機械研磨により１００００Å
程度削って、表面を平坦にしている。その後、遮光膜４
としてスパッタやＣＶＤを用いて、ＴｉＮを３００〜１
０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å堆積させ、受
光部２を覆うことのないようにパターニングし、エッチ
ングを行っている。遮光膜４までは従来と同様の製造方
法で形成している。その後、シリコン酸化膜１０をＣＶ
Ｄにより２００００Å〜２５０００Å堆積させ、化学機
械研磨により１００００Å削る。その後、Ｐ−ＳｉＮ膜
を３０００Å〜１００００Å堆積させると、Ｐ−ＳｉＮ
膜の上面は平坦になる。また、別の平坦化方法として、
遮光膜４までは従来と同様の製造方法で形成し、遮光膜
４上にシリコン酸化膜１０としてＳＯＧを塗布する。Ｓ
ＯＧ膜による平坦化されたシリコン酸化膜１０上にＰ−
ＳｉＮ膜を堆積させると、上面が平坦なＰ−ＳｉＮ膜を
得ることができる。この場合に於いて、ＳＯＧの塗布膜
厚は１００００〜１５０００Åであり、Ｐ−ＳｉＮ膜は
３０００〜１００００Å程度、ＣＶＤにより堆積してい
る。その後、アクリル材を塗布することにより平坦化膜
６を形成している。また、カラーの固体撮像装置の場合
はアクリル材を塗布し、その後、カラーフィルターを形
成し、さらに保護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜
６を形成している。その後、レンズ材料を塗布し、パタ
ーニング及び熱処理によりマイクロレンズ７を形成して
いる。
を用いて説明する。遮光膜４までは従来及び第１実施形
態と同様の製造方法で形成する。シリコン基板１に受光
部２をイオン注入や熱処理を用いて形成する。また、多
結晶シリコン膜とシリサイド膜をＣＶＤにより形成し、
パターニング、エッチング等を用いてシリコン基板１上
にゲート電極（図示せず）を形成している。その後、層
間絶縁膜３としてＢＰＳＧをＣＶＤにより５０００〜１
５０００Å堆積させる。ＢＰＳＧ膜を８５０〜９５０℃
で熱処理し、ＢＰＳＧ膜の表面を平坦にし一層目メタル
８を形成し易くしている。ＢＰＳＧ膜上にスパッタやＣ
ＶＤを用いてＴｉＮを３００〜１０００Å、Ａｌを３０
００〜１００００Å堆積させ、一層目メタル８を形成し
ている。一層目メタル８上には層間絶縁膜３としてＰ−
ＳｉＯ2膜をＣＶＤにより２００００〜２５０００Å堆
積させ、化学機械研磨により１００００Å程度削って、
表面を平坦にしている。その後、二層目メタル９も一層
目メタル８と同様に、スパッタやＣＶＤを用い、ＴｉＮ
を３００〜１０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å
堆積させている。同様に二層目メタル９上に層間絶縁膜
３としてＰ−ＳｉＯ 2膜をＣＶＤにより２００００〜２
５０００Å堆積させ、化学機械研磨により１００００Å
程度削って、表面を平坦にしている。その後、遮光膜４
としてスパッタやＣＶＤを用いて、ＴｉＮを３００〜１
０００Å、Ａｌを３０００〜１００００Å堆積させ、受
光部２を覆うことのないようにパターニングし、エッチ
ングを行っている。遮光膜４までは従来と同様の製造方
法で形成している。その後、シリコン酸化膜１０をＣＶ
Ｄにより２００００Å〜２５０００Å堆積させ、化学機
械研磨により１００００Å削る。その後、Ｐ−ＳｉＮ膜
を３０００Å〜１００００Å堆積させると、Ｐ−ＳｉＮ
膜の上面は平坦になる。また、別の平坦化方法として、
遮光膜４までは従来と同様の製造方法で形成し、遮光膜
４上にシリコン酸化膜１０としてＳＯＧを塗布する。Ｓ
ＯＧ膜による平坦化されたシリコン酸化膜１０上にＰ−
ＳｉＮ膜を堆積させると、上面が平坦なＰ−ＳｉＮ膜を
得ることができる。この場合に於いて、ＳＯＧの塗布膜
厚は１００００〜１５０００Åであり、Ｐ−ＳｉＮ膜は
３０００〜１００００Å程度、ＣＶＤにより堆積してい
る。その後、アクリル材を塗布することにより平坦化膜
６を形成している。また、カラーの固体撮像装置の場合
はアクリル材を塗布し、その後、カラーフィルターを形
成し、さらに保護膜としてアクリル材を塗布し平坦化膜
６を形成している。その後、レンズ材料を塗布し、パタ
ーニング及び熱処理によりマイクロレンズ７を形成して
いる。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、パッシベーション膜の上面を平坦化することに
より、段差部分をなくすことができ、受光部に入射光を
集光できる。そのため、画素を縮小しても、効率よく入
射光を受光部に集光できる固体撮像装置を提供すること
ことできるものである。
よれば、パッシベーション膜の上面を平坦化することに
より、段差部分をなくすことができ、受光部に入射光を
集光できる。そのため、画素を縮小しても、効率よく入
射光を受光部に集光できる固体撮像装置を提供すること
ことできるものである。
【図１】本発明の第１の実施形態の固体撮像装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の固体撮像装置の断面
図である。
図である。
【図３】本発明の第１実施形態の固体撮像装置の製造工
程断面図である。
程断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の固体撮像装置の製造工
程断面図である。
程断面図である。
【図５】従来の固体撮像装置の構成を示す図であり、
（ａ）は、その断面図、（ｂ）は、（ａ）の部分拡大図
である。
（ａ）は、その断面図、（ｂ）は、（ａ）の部分拡大図
である。
【図６】従来の固体撮像装置の製造工程断面図である。
１ シリコン基板 ２ 受光部 ３ 層間絶縁膜 ４ 遮光膜 ５ パッシベーション膜 ６ 平坦化膜 ７ マイクロレンズ ８ 一層目メタル ９ 二層目メタル １０ シリコン酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AA10 AB01 BA14 CA03 CA33 CA34 CA40 CB13 CB14 EA01 FA06 GB06 GB17 GD04 5C024 CX41 CY47 EX43 GX12 5F049 MA02 MB03 NB05 PA14 QA04 QA11 QA15 QA20 SE05 SE12 SZ10 SZ12 SZ20 TA12 TA13 5F058 BA09 BA20 BC02 BC08 BC09 BF02 BF12 BF46 BH11 BH20 BJ03
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆うパッシベ
ーション膜を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシ
ベーション膜の上面が平坦であることを特徴とする固体
撮像装置。 - 【請求項２】 前記パッシベーション膜が、シリコン窒
化膜系の単層膜またはシリコン窒化膜系を含む積層膜で
あることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像装
置。 - 【請求項３】 前記パッシベーション膜と前記遮光膜と
の間に介在する絶縁膜を有し、前記絶縁膜の上面が平坦
であることを特徴とする、請求項１または２に記載の固
体撮像装置。 - 【請求項４】 前記絶縁膜がシリコン酸化膜系であるこ
とを特徴とする、請求項３に記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を形
成する工程を備えていることを特徴とする固体撮像装置
の製造方法。 - 【請求項６】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に前記パッシベー
ション膜形成用薄膜を形成した後、前記パッシベーショ
ン膜形成用薄膜上にＳＯＧ膜を塗布し、前記パッシベー
ション膜形成用薄膜と前記ＳＯＧ膜の選択比が１または
略１となるエッチング条件でエッチバックを行うことに
より、その上面が平坦である前記パッシベーション膜を
形成する工程を備えていることを特徴とする固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上に絶縁膜を形成し
た後、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により平坦化し
て、その上面が平坦である絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材料を堆積して、
その上面が平坦な前記パッシベーション膜を形成する工
程とを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造
方法。 - 【請求項８】 半導体基板上に光電変換を行う受光部
と、前記受光部の受光面を覆うことなく設けられた遮光
膜とを有し、前記遮光膜と前記受光部とを覆う、その上
面が平坦であるパッシベーション膜を有する固体撮像装
置の製造方法であって、前記遮光膜上にＳＯＧ膜を塗布
形成することによって、その表面が平坦な絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜上にパッシベーション膜形成材
料を堆積して、その上面が平坦な前記パッシベーション
膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体
撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100230A JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
| KR1020010017413A KR20010095237A (ko) | 2000-04-03 | 2001-04-02 | 고체촬상장치 및 그의 제조방법 |
| US09/824,549 US6903322B2 (en) | 2000-04-03 | 2001-04-02 | Solid-state imaging device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100230A JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284566A true JP2001284566A (ja) | 2001-10-12 |
| JP3824469B2 JP3824469B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=18614461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000100230A Expired - Fee Related JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6903322B2 (ja) |
| JP (1) | JP3824469B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010095237A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2006032897A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Dongbuanam Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2006191047A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | カラー毎に焦点距離の調整が可能なイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2007043108A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
| US7453109B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
| JP2011233862A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-17 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP2012009881A (ja) * | 2011-08-12 | 2012-01-12 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| US8692345B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device, image sensing system, and method for manufacturing image sensing device |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038838A (ko) * | 2001-11-06 | 2003-05-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP3709873B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2005-10-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び撮像カメラ |
| US7279353B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Passivation planarization |
| KR100538150B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100685881B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP4647404B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2011-03-09 | 三星電子株式会社 | 転送ゲート電極に重畳しながら自己整列されたフォトダイオードを有するイメージセンサの製造方法 |
| KR100653691B1 (ko) * | 2004-07-16 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들 |
| JP5272281B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-08-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
| US20070152139A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Moores Mark D | Techniques to control illumination for image sensors |
| JP2008186880A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Seiko Instruments Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 |
| KR100881200B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP2010238848A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
| US20110127628A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Ion implantation to change the optical properties of the passivation films in cmos imager devices |
| WO2011142065A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US8767108B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-07-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
| JP2015015296A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
| US20230411540A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor device and method of making |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226624A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH0645569A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-02-18 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH06125070A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH08330557A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH08335685A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB887847A (en) * | 1959-09-17 | 1962-01-24 | Shannon Ltd | Improvements in photo-copying |
| JPS63318154A (ja) | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4986878A (en) * | 1988-07-19 | 1991-01-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Process for improved planarization of the passivation layers for semiconductor devices |
| KR100262400B1 (ko) * | 1995-11-20 | 2000-09-01 | 김영환 | 반도체 소자의 평탄화방법 |
| US6831623B2 (en) * | 1996-10-22 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same |
| US5908672A (en) * | 1997-10-15 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer |
| US6396089B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-05-28 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor image sensor |
| US6171885B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices |
| JP2001284568A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100230A patent/JP3824469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-02 KR KR1020010017413A patent/KR20010095237A/ko active Search and Examination
- 2001-04-02 US US09/824,549 patent/US6903322B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226624A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH0645569A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-02-18 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH06125070A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JPH08330557A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH08335685A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2006032897A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Dongbuanam Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
| US7453109B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
| US7745247B2 (en) | 2004-09-03 | 2010-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
| JP2006191047A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | カラー毎に焦点距離の調整が可能なイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2007043108A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
| JP2011233862A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-17 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| US8525907B2 (en) | 2010-04-06 | 2013-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
| US9054243B2 (en) | 2010-04-06 | 2015-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
| US8692345B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device, image sensing system, and method for manufacturing image sensing device |
| JP2012009881A (ja) * | 2011-08-12 | 2012-01-12 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010095237A (ko) | 2001-11-03 |
| US20010054677A1 (en) | 2001-12-27 |
| JP3824469B2 (ja) | 2006-09-20 |
| US6903322B2 (en) | 2005-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3824469B2 (ja) | 固体撮像装置、及びその製造方法 | |
| JP4384454B2 (ja) | イメージ素子 | |
| JP3620237B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3827909B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| TWI399849B (zh) | 固態成像裝置，製造固態成像裝置之方法，及電子設備 | |
| KR20060104273A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법. | |
| JP2007048893A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2015029011A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP4964418B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4923357B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| US11335726B2 (en) | Lens structure configured to increase quantum efficiency of image sensor | |
| JP2012186396A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2007088057A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| US7294819B2 (en) | Solid state image sensor including transparent film layers each having a convex lens-shaped portion with increased light intake efficiency and manufacturing method therefor | |
| JP3467434B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2006319037A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP5383124B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR100732847B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2004356269A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP3664997B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4835080B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法、及び、固体撮像素子 | |
| JP3485304B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20210053152A (ko) | 이미지 센서의 양자 효율을 증가시키도록 구성되는 렌즈 구조물 | |
| JPH05183136A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2007115976A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050812 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060627 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3824469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707 Year of fee payment: 7 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |