JP2008186880A - Cmosイメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フォトダイオード領域に到達する光の減衰を防止し、パシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善したCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】 フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後にパシベーション膜の表面層をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることによりパシベーション膜表面の凹凸を除去し、光学的に平坦化させるようにした。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善した。
【選択図】 図1
【解決手段】 フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後にパシベーション膜の表面層をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることによりパシベーション膜表面の凹凸を除去し、光学的に平坦化させるようにした。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善した。
【選択図】 図1
Description
本発明は、画像情報を読み取り電送する装置、ファクシミリ、イメージスキャナ、電子カメラに用いられるCMOSイメージセンサの製造方法に関する。
図3は従来のCMOSイメージセンサの一例を示す回路図である。CMOSイメージセンサのセンサ回路10では、PN接合を用いたフォトダイオード12に、フォトダイオード12を適当な電圧にリセットするためのスイッチング素子であるリセットトランジスタ11と、フォトダイオード12で蓄積された光電荷を増幅するための増幅回路13が結線されている。
リセットトランジスタ11をONしフォトダイオード12を十分にリセットさせるリセット動作とリセットトランジスタ11をOFFし一定時間フォトダイオード12に光電荷を蓄積させる蓄積動作と増幅回路13をONしフォトダイオード12に蓄積された光電荷を増幅して読み出す読み出し動作で、連続的に光情報を読み取ることができる構成となっている。
読み出し動作後に増幅された信号を一時的に記憶することも、保持容量21と2つのスイッチトランジスタ22Aと22Bからなる保持回路20を用いて行うことができる。
読み出し動作中にスイッチトランジスタ22AをONし、増幅回路13により保持容量21へ信号を電荷として貯え、スイッチトランジスタ22AをOFFした後、任意の保持時間後にスイッチトランジスタ22BをONし保持容量21から読み出すことができる。
リセット、蓄積、読み出しの一連の動作を複数のフォトダイオードに対して一括に処理することで保持回路から個別に任意に読み出すことが可能である。
図4は従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の一例を示す模式的断面図である。P型シリコン基板1上にN-well領域2およびLOCOS酸化膜3が形成されている。またN-well領域2内にはこれよりもN型不純物濃度の高いN+領域4が形成されている。P型シリコン基板1およびN-well領域2、N+領域4上には中間絶縁膜5が形成されており、メタル配線6がN+領域4に接続されている。さらに中間絶縁膜5およびメタル配線6上にはパシベーション膜7が形成されている。パシベーション膜7上に光学層を形成することでさらに光透過性を向上させた例もある。(例えば特許文献を参照)
特開2001−60679号公報
特に光強度の小さな光源を使用する場合、フォトダイオード領域上のパシベーション膜による光の吸収は避けらない。またフォトダイオード領域上に生成されるパシベーション膜のエッジ付近は平坦ではないので、その部分に入射される光は途中で屈折しフォトダイオード領域に到達するまでに光が減衰してしまう課題があった。これによりフォトダイオード領域に照射された光に対する電圧などの電気的な信号量、いわゆる感度の低下という課題があった。
上記課題を解決するために、本発明では以下に示す製造方法によりCMOSイメージセンサを構成した。CMOSイメージセンサ製造プロセスにおいて、パシベーション膜を生成した後SOGあるいはレジストをコーティングし、さらにパシベーション膜の表面層ごとコーティングした薄膜をエッチバックすることでパシベーション膜表面の凹凸を除去し、パシベーション膜が光学的に平坦なCMOSイメージセンサを構成した。
以上説明したように、本発明はフォトダイオード領域上のパシベーション膜を平坦化することにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止できる。また、これによりフォトダイオードを保護するパシベーション膜の表面が光学的に平坦化されるので、パシベーション膜の膜厚ばらつきの少ない高感度なフォトダイオードを実現できる。このようなフォトダイオードを搭載した高解像度のCMOSイメージセンサを高品質で安価に提供する。
図1は本発明に係るCMOSイメージセンサにおけるフォトダイオード部の製造プロセスの概略を示す工程順の断面図である。プラズマCVD法により中間絶縁膜5およびメタル配線6上に生成したパシベーション膜7は、メタル密度の均一性が比較的悪いウェハエッジ付近でパシベーション膜7の膜厚ばらつきが特に大きく表面が平坦になりにくい。(図1(A))そこで生成したパシベーション膜7上にSOG8をコーティングし、パシベーション膜7の表面を平坦化する。(図1(B))ただし、パシベーション膜7に対しSOG8は透過率、屈折率などが異なっており、そのままではフォトダイオード領域に到達する光量にむらができてしまうので、エッチバックによりSOG8およびパシベーション膜7の表面の一部を除去する。(図1(C)に示される灰色の部分)このようにして得られたパシベーション膜7は表面が平坦化されており、光学的にも一様(平坦)であるので、反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止でき、高感度なフォトダイオードを実現できる。(図1(D))
図2は本発明に係るCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の実施例を示す模式的断面図である。P型シリコン基板1上にN-well領域2およびLOCOS酸化膜3が形成されている。またN-well領域2内にはN-well領域2のN型不純物濃度よりも高濃度のN+領域4が形成されている。P型シリコン基板1およびN-well領域2、N+領域4上には中間絶縁膜5が形成されており、メタル配線6が中間絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介してN+領域4に接続されている。従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード領域では中間絶縁膜5およびメタル配線6上にパシベーション膜7が形成されるが、本発明のCMOSイメージセンサはフォトダイオード領域上のパシベーション膜が平坦化された構造をとっている。
図2は本発明に係るCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の実施例を示す模式的断面図である。P型シリコン基板1上にN-well領域2およびLOCOS酸化膜3が形成されている。またN-well領域2内にはN-well領域2のN型不純物濃度よりも高濃度のN+領域4が形成されている。P型シリコン基板1およびN-well領域2、N+領域4上には中間絶縁膜5が形成されており、メタル配線6が中間絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介してN+領域4に接続されている。従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード領域では中間絶縁膜5およびメタル配線6上にパシベーション膜7が形成されるが、本発明のCMOSイメージセンサはフォトダイオード領域上のパシベーション膜が平坦化された構造をとっている。
フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後に表面層のパシベーション膜をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることで表面の凹凸を除去し、パシベーション膜の表面を光学的に平坦化した。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにエッジ付近のパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善できる。
1 P型シリコン基板
2 N-well領域
3 LOCOS 酸化膜
4 N+領域
5 中間絶縁膜
6 メタル配線
7 パシベーション膜
8 SOGあるいはレジスト
10 センサ回路
11 リセットトランジスタ
12 フォトダイオード
13 増幅回路
20 保持回路
21 保持容量
22A スイッチトランジスタ
22B スイッチトランジスタ
2 N-well領域
3 LOCOS 酸化膜
4 N+領域
5 中間絶縁膜
6 メタル配線
7 パシベーション膜
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10 センサ回路
11 リセットトランジスタ
12 フォトダイオード
13 増幅回路
20 保持回路
21 保持容量
22A スイッチトランジスタ
22B スイッチトランジスタ
Claims (3)
- フォトダイオードおよびMOSトランジスタなどの素子を同一シリコン基板上に構成するCMOSイメージセンサにおいて、前記フォトダイオード領域上の中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜に開口されたコンタクト孔を介して前記フォトダイオード領域と接合している金属配線と、前記金属配線の上では膜厚が薄く、前記金属配線の無い領域の上では膜厚が厚い、エッチバックされたパシベーション膜とを具備し、前記パシベーション膜は光学的に平坦であることを特徴とするCMOSイメージセンサ。
- 半導体基板上に中間絶縁膜を形成する工程と、
金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の全面にパシベーション膜を堆積する工程と、
前記パシベーション膜表面にSOGを塗布してからエッチバックし前記パシベーション膜の表面層を平坦化する工程と、
を有するCMOSイメージセンサの製造方法。 - 半導体基板上に中間絶縁膜を形成する工程と、
金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の全面にパシベーション膜を堆積する工程と、
前記パシベーション膜表面にレジストを塗布してからエッチバックし前記パシベーション膜の表面層を平坦化する工程と、
を有するCMOSイメージセンサの製造方法。
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JP2007017392A JP2008186880A (ja) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Cmosイメージセンサおよびその製造方法 |
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JP2007017392A Pending JP2008186880A (ja) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Cmosイメージセンサおよびその製造方法 |
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2007
- 2007-01-29 JP JP2007017392A patent/JP2008186880A/ja active Pending
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2008
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