JP2001281862A - メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 - Google Patents
メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプあるいは配線等の膜厚のメッキ造形物
を精度よく形成でき、かつ感度、解像度等にも優れたメ
ッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物および当
該組成物を用いるメッキ造形物の製造方法を提供する。 【解決手段】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体および（Ｂ）放射線
の照射により酸を発生する成分を含有するメッキ造形物
製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。この組成物は、ポ
ジ型感放射線性樹脂膜としても使用される。メッキ造形
物は、基板上に前記組成物または樹脂膜から形成された
パターンを鋳型として電解メッキする工程を経て製造さ
れる。
を精度よく形成でき、かつ感度、解像度等にも優れたメ
ッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物および当
該組成物を用いるメッキ造形物の製造方法を提供する。 【解決手段】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体および（Ｂ）放射線
の照射により酸を発生する成分を含有するメッキ造形物
製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。この組成物は、ポ
ジ型感放射線性樹脂膜としても使用される。メッキ造形
物は、基板上に前記組成物または樹脂膜から形成された
パターンを鋳型として電解メッキする工程を経て製造さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ造形物製造
用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製
造方法に関わり、さらに詳しくは、酸解離性官能基を有
する重合体を含有するメッキ造形物製造用ポジ型感放射
線性樹脂組成物、および当該メッキ造形物製造用ポジ型
感放射線性樹脂組成物を用いて、集積回路素子に実装す
る際のバンプあるいは配線等として使用されるメッキ造
形物を製造する方法に関わる。
用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製
造方法に関わり、さらに詳しくは、酸解離性官能基を有
する重合体を含有するメッキ造形物製造用ポジ型感放射
線性樹脂組成物、および当該メッキ造形物製造用ポジ型
感放射線性樹脂組成物を用いて、集積回路素子に実装す
る際のバンプあるいは配線等として使用されるメッキ造
形物を製造する方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路素子の微細化に伴い、大
規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化およびＡＳＩＣと呼
ばれる特定用途に適合させた集積回路への移行が急激に
進んでおり、そのためＬＳＩを電子機器に搭載するため
の多ピン薄膜実装が必要とされとされ、テープオートメ
ーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式やフリップチップ
方式によるベアチップ実装などが採用されてきている。
このような多ピン薄膜実装法では、接続用端子として、
バンプと呼ばれる高さ１０μｍ以上の突起電極が基板上
に高精度に配置されることが必要であり、今後ＬＳＩの
さらなる高集積化に対応して、バンプの高精度化がより
一層必要になってきている。このバンプは現在、以下の
ような手順で加工されている。すなわち、ＬＳＩ素子が
加工されたウェハー上に、導電層となるバリアメタルを
積層し、感放射性樹脂組成物、いわゆるレジストを塗布
して乾燥する。次いで、バンプを形成する部分が開口す
るように、マスクを介して放射線を照射（以下、「露
光」という。）したのち現像して、パターンを形成す
る。その後、このパターンを鋳型として、電解メッキに
より金や銅等の電極材料を析出させる。次いで、樹脂部
分を剥離したのち、バリアメタルをエッチングにより除
去する。その後、ウェハーからチップが方形に切り出さ
れて、ＴＡＢ等のパッケージングやフリップチップ等の
実装工程に移っていく。
規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化およびＡＳＩＣと呼
ばれる特定用途に適合させた集積回路への移行が急激に
進んでおり、そのためＬＳＩを電子機器に搭載するため
の多ピン薄膜実装が必要とされとされ、テープオートメ
ーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式やフリップチップ
方式によるベアチップ実装などが採用されてきている。
このような多ピン薄膜実装法では、接続用端子として、
バンプと呼ばれる高さ１０μｍ以上の突起電極が基板上
に高精度に配置されることが必要であり、今後ＬＳＩの
さらなる高集積化に対応して、バンプの高精度化がより
一層必要になってきている。このバンプは現在、以下の
ような手順で加工されている。すなわち、ＬＳＩ素子が
加工されたウェハー上に、導電層となるバリアメタルを
積層し、感放射性樹脂組成物、いわゆるレジストを塗布
して乾燥する。次いで、バンプを形成する部分が開口す
るように、マスクを介して放射線を照射（以下、「露
光」という。）したのち現像して、パターンを形成す
る。その後、このパターンを鋳型として、電解メッキに
より金や銅等の電極材料を析出させる。次いで、樹脂部
分を剥離したのち、バリアメタルをエッチングにより除
去する。その後、ウェハーからチップが方形に切り出さ
れて、ＴＡＢ等のパッケージングやフリップチップ等の
実装工程に移っていく。
【０００３】前述したバンプの一連の加工工程において
は、レジストに対して、以下のような特性が要求されて
いる。 ２０μｍ以上の均一な厚みの塗膜が形成できるこ
と。 バンプの狭ピッチ化に対応するために解像性が高い
こと。 鋳型となるパターンの側壁が垂直に近く、パターン
がマスク寸法に忠実であること。 工程の生産効率を高めるために、高感度で現像性の
良いこと。 メッキ液に対する良好な濡れ性を有していること。 メッキ時にレジスト成分がメッキ液中に溶出してメ
ッキ液を劣化させることがないこと。 メッキ時にメッキ液が基板とレジストとの界面にし
み出さないように、基板に対して高い密着性を有するこ
と。 メッキ後は、剥離液により容易に剥離されること。 さらに、得られるメッキ析出物には、 鋳型となるパ
ターンの形状を忠実に転写しており、かつマスク寸法に
忠実であることも必要とされている。
は、レジストに対して、以下のような特性が要求されて
いる。 ２０μｍ以上の均一な厚みの塗膜が形成できるこ
と。 バンプの狭ピッチ化に対応するために解像性が高い
こと。 鋳型となるパターンの側壁が垂直に近く、パターン
がマスク寸法に忠実であること。 工程の生産効率を高めるために、高感度で現像性の
良いこと。 メッキ液に対する良好な濡れ性を有していること。 メッキ時にレジスト成分がメッキ液中に溶出してメ
ッキ液を劣化させることがないこと。 メッキ時にメッキ液が基板とレジストとの界面にし
み出さないように、基板に対して高い密着性を有するこ
と。 メッキ後は、剥離液により容易に剥離されること。 さらに、得られるメッキ析出物には、 鋳型となるパ
ターンの形状を忠実に転写しており、かつマスク寸法に
忠実であることも必要とされている。
【０００４】従来、バンプ加工用レジストとしては、ノ
ボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物を主
成分とするネガ型感放射線性樹脂組成物（特開平１０−
２０７０６７号公報参照）が用いられているが、このレ
ジストは、パターン形状が順テーパー状となり、垂直な
側壁を有するパターンが得られず、また感度が低いため
露光時間が長くなり、生産効率が低いという問題点があ
った。しかも解像度や、厚膜のメッキ析出物のマスク寸
法に対する忠実性の点でも十分とはいえなかった。
ボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物を主
成分とするネガ型感放射線性樹脂組成物（特開平１０−
２０７０６７号公報参照）が用いられているが、このレ
ジストは、パターン形状が順テーパー状となり、垂直な
側壁を有するパターンが得られず、また感度が低いため
露光時間が長くなり、生産効率が低いという問題点があ
った。しかも解像度や、厚膜のメッキ析出物のマスク寸
法に対する忠実性の点でも十分とはいえなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける前記問題点に鑑み、バンプなどの加工用レジスト
として使用される感放射線性樹脂組成物の構成成分につ
いて鋭意検討した結果なされたものであり、その課題
は、バンプあるいは配線等の厚膜のメッキ造形物を精度
よく形成することができ、かつ感度、解像度等にも優れ
たメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物、並
びに当該メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成
物を用いるメッキ造形物の製造方法を提供することにあ
る。
おける前記問題点に鑑み、バンプなどの加工用レジスト
として使用される感放射線性樹脂組成物の構成成分につ
いて鋭意検討した結果なされたものであり、その課題
は、バンプあるいは配線等の厚膜のメッキ造形物を精度
よく形成することができ、かつ感度、解像度等にも優れ
たメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物、並
びに当該メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成
物を用いるメッキ造形物の製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、第一に、（Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体および（Ｂ）露光に
より酸を発生する成分を含有するメッキ造形物製造用ポ
ジ型感放射線性樹脂組成物、により達成される。
題は、第一に、（Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体および（Ｂ）露光に
より酸を発生する成分を含有するメッキ造形物製造用ポ
ジ型感放射線性樹脂組成物、により達成される。
【０００７】本発明によると、前記課題は、第二に、
（イ）前記メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組
成物を、表面に導電層を有する基板上に塗布したのち乾
燥して樹脂膜を形成する工程、（ロ）該樹脂膜に所定の
形状に露光後加熱し、さらに現像してパターンを形成す
る工程、（ハ）基板上に形成された該パターンを鋳型と
し所定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を形成する工
程、（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工程、および
（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域以外の導電
層を除去する工程を経てなることを特徴とするメッキ造
形物の製造方法、により達成される。
（イ）前記メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組
成物を、表面に導電層を有する基板上に塗布したのち乾
燥して樹脂膜を形成する工程、（ロ）該樹脂膜に所定の
形状に露光後加熱し、さらに現像してパターンを形成す
る工程、（ハ）基板上に形成された該パターンを鋳型と
し所定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を形成する工
程、（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工程、および
（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域以外の導電
層を除去する工程を経てなることを特徴とするメッキ造
形物の製造方法、により達成される。
【０００８】本発明によると、前記課題は、第三に、
（Ａ）酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官
能基を有する重合体および（Ｂ）露光により酸を発生す
る成分を含有するメッキ造形物形成用ポジ型感放射線性
樹脂組成物を支持体フィルム上に塗布して乾燥したの
ち、該支持体フィルムを剥離することにより形成された
樹脂膜からなるメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹
脂樹脂膜、により達成される。
（Ａ）酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官
能基を有する重合体および（Ｂ）露光により酸を発生す
る成分を含有するメッキ造形物形成用ポジ型感放射線性
樹脂組成物を支持体フィルム上に塗布して乾燥したの
ち、該支持体フィルムを剥離することにより形成された
樹脂膜からなるメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹
脂樹脂膜、により達成される。
【０００９】本発明によると、前記課題は、第四に、
（イ）前記メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂膜
を、表面に導電層を有する基板上に積層する工程、
（ロ）積層された樹脂膜に所定の形状に露光後加熱し、
さらに現像してパターンを形成する工程、（ハ）基板上
に形成された該パターンを鋳型とし所定厚さに電解メッ
キしてメッキ造形物を形成する工程、（ニ）基板から樹
脂膜部分を剥離する工程、および（ホ）基板上のメッキ
造形物を形成した領域以外の導電層を除去する工程を経
てなることを特徴とするメッキ造形物の製造方法、によ
り達成される。
（イ）前記メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂膜
を、表面に導電層を有する基板上に積層する工程、
（ロ）積層された樹脂膜に所定の形状に露光後加熱し、
さらに現像してパターンを形成する工程、（ハ）基板上
に形成された該パターンを鋳型とし所定厚さに電解メッ
キしてメッキ造形物を形成する工程、（ニ）基板から樹
脂膜部分を剥離する工程、および（ホ）基板上のメッキ
造形物を形成した領域以外の導電層を除去する工程を経
てなることを特徴とするメッキ造形物の製造方法、によ
り達成される。
【００１０】本発明において、メッキ造形物の製造に使
用されるポジ型感放射線性樹脂組成物は、それに含有さ
れる露光により酸を発生する成分（以下、「感放射線性
酸発生剤」という。）に露光することにより酸が発生
し、この酸の触媒作用により、当該ポジ型感放射線性樹
脂組成物からなる樹脂膜（すなわちレジスト被膜）中で
化学反応（例えば極性の変化、化学結合の分解、架橋反
応等）が生起することにより、現像液に対する溶解性が
露光部において変化する現象を利用して、パターンを形
成するものである。このパターンの形成機構をさらに説
明すると、次のとおりである。感放射線性酸発生剤への
露光により発生した酸の触媒作用により、ポジ型感放射
線性樹脂組成物に含まれる酸解離性官能基を有する重合
体中の該酸解離性官能基が解離して酸性官能基を生じ、
その結果重合体のアルカリ現像液に対する溶解性が露光
部において増大する。また、この酸解離性官能基の解離
は、露光後に加熱（Post Exposure Bake。以下、「ＰＥ
Ｂ」という。）することにより促進される。この酸解離
性官能基の解離によって新たに発生した酸は次の解離に
触媒作用を及ぼし、酸解離性官能基の解離と酸の発生が
次々と“増幅”されることになる。このような化学増幅
作用を利用することにより、所定のパターンが高感度
（すなわち低露光量）かつ高解像度に形成されるのであ
る。
用されるポジ型感放射線性樹脂組成物は、それに含有さ
れる露光により酸を発生する成分（以下、「感放射線性
酸発生剤」という。）に露光することにより酸が発生
し、この酸の触媒作用により、当該ポジ型感放射線性樹
脂組成物からなる樹脂膜（すなわちレジスト被膜）中で
化学反応（例えば極性の変化、化学結合の分解、架橋反
応等）が生起することにより、現像液に対する溶解性が
露光部において変化する現象を利用して、パターンを形
成するものである。このパターンの形成機構をさらに説
明すると、次のとおりである。感放射線性酸発生剤への
露光により発生した酸の触媒作用により、ポジ型感放射
線性樹脂組成物に含まれる酸解離性官能基を有する重合
体中の該酸解離性官能基が解離して酸性官能基を生じ、
その結果重合体のアルカリ現像液に対する溶解性が露光
部において増大する。また、この酸解離性官能基の解離
は、露光後に加熱（Post Exposure Bake。以下、「ＰＥ
Ｂ」という。）することにより促進される。この酸解離
性官能基の解離によって新たに発生した酸は次の解離に
触媒作用を及ぼし、酸解離性官能基の解離と酸の発生が
次々と“増幅”されることになる。このような化学増幅
作用を利用することにより、所定のパターンが高感度
（すなわち低露光量）かつ高解像度に形成されるのであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。重合体（Ａ） 本発明に用いられる酸により解離して酸性官能基を生じ
る酸解離性官能基を有する重合体（以下、「重合体
（Ａ）」という。）としては、酸により解離して、例え
ばカルボキシル基、フェノール性水酸基等の酸性官能基
を生成する酸解離性官能基を有する限り特に限定される
ものではないが、前記酸解離性官能基を有するラジカル
重合性単量体（以下、「単量体（Ｉ）」という。）の重
合性不飽和結合が開裂した繰返し単位（以下、「酸解離
性繰返し単位」という。）を含有する重合体が好まし
い。
る。重合体（Ａ） 本発明に用いられる酸により解離して酸性官能基を生じ
る酸解離性官能基を有する重合体（以下、「重合体
（Ａ）」という。）としては、酸により解離して、例え
ばカルボキシル基、フェノール性水酸基等の酸性官能基
を生成する酸解離性官能基を有する限り特に限定される
ものではないが、前記酸解離性官能基を有するラジカル
重合性単量体（以下、「単量体（Ｉ）」という。）の重
合性不飽和結合が開裂した繰返し単位（以下、「酸解離
性繰返し単位」という。）を含有する重合体が好まし
い。
【００１２】酸解離性繰返し単位のうち、酸により解離
してカルボキシル基を生成する繰返し単位としては、例
えば、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロ
ピラニル（メタ）アクリレート、２−ｔ−ブトキシカル
ボニルメチル（メタ）アクリレート、２−ベンジルオキ
シカルボニルエチル（メタ）アクリレート、２−メチル
アダマンチル（メタ）アクリレート、１，１−ジメチル
−３−オキソブチル（メタ）アクリレートまたはｔ−ブ
トキシカルボニルメトキシスチレンの重合性不飽和結合
が開裂した単位や、下記一般式（１）で表される繰返し
単位（以下、「繰返し単位（１）」という。）等を挙げ
ることができる。
してカルボキシル基を生成する繰返し単位としては、例
えば、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロ
ピラニル（メタ）アクリレート、２−ｔ−ブトキシカル
ボニルメチル（メタ）アクリレート、２−ベンジルオキ
シカルボニルエチル（メタ）アクリレート、２−メチル
アダマンチル（メタ）アクリレート、１，１−ジメチル
−３−オキソブチル（メタ）アクリレートまたはｔ−ブ
トキシカルボニルメトキシスチレンの重合性不飽和結合
が開裂した単位や、下記一般式（１）で表される繰返し
単位（以下、「繰返し単位（１）」という。）等を挙げ
ることができる。
【００１３】
【化２】 〔一般式（１）において、Ｒ1 は水素原子またはメチル
基を示し、Ｒ2 は置換されてもよい炭素数６〜２０の１
価の脂環族基または置換されてもよい炭素数６〜２０の
１価の芳香族基を示す。〕
基を示し、Ｒ2 は置換されてもよい炭素数６〜２０の１
価の脂環族基または置換されてもよい炭素数６〜２０の
１価の芳香族基を示す。〕
【００１４】一般式（１）において、Ｒ2 の置換されて
もよい炭素数６〜２０の１価の脂環族基としては、例え
ば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシク
ロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−クロ
ロシクロヘキシル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル
基、２−メチルアダマンチル基、トリシクロデカニル基
等を挙げることができる。
もよい炭素数６〜２０の１価の脂環族基としては、例え
ば、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基、２−メチルシクロヘキシル基、３−メチルシク
ロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−クロ
ロシクロヘキシル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル
基、２−メチルアダマンチル基、トリシクロデカニル基
等を挙げることができる。
【００１５】また、Ｒ2 の置換されてもよい炭素数６〜
２０の１価の芳香族基としては、例えば、フェニル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−クロ
ロフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、１−ナフチ
ル基、ベンジル基等を挙げることができる。
２０の１価の芳香族基としては、例えば、フェニル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、４−クロ
ロフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、１−ナフチ
ル基、ベンジル基等を挙げることができる。
【００１６】さらに、酸により解離してフェノール性水
酸基を生成する繰返し単位としては、例えば、ｐ−１−
メトキシエトキシスチレン、ｐ−１−エトキシエトキシ
スチレン等のアセタール基で保護されたヒドロキシスチ
レン類や、ｔ−ブトキシスチレン、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単
位等を挙げることができる。
酸基を生成する繰返し単位としては、例えば、ｐ−１−
メトキシエトキシスチレン、ｐ−１−エトキシエトキシ
スチレン等のアセタール基で保護されたヒドロキシスチ
レン類や、ｔ−ブトキシスチレン、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単
位等を挙げることができる。
【００１７】重合体（Ａ）は、その酸解離性繰返し単位
中の酸解離性官能基が酸により解離して酸性官能基を生
成するとともに、この解離により酸解離物質を生成し、
例えば繰返し単位（１）が２−ベンジルプロピル（メ
タ）アクリレートに由来する繰返し単位の場合、２−ベ
ンジルプロペンを生成する。この酸解離物質の１気圧に
おける沸点（以下、単に「沸点」という。）が室温以下
の場合、メッキ造形物を製造する際のパターン形状に悪
影響を与えるおそれがある。一般に、レジスト被膜の厚
さが集積回路素子の回路を形成する場合のように１〜２
μｍ程度であるときには、沸点が２０℃を下回るような
酸解離物質であっても、ＰＥＢの過程でガス成分として
レジスト被膜中を透過してしまい、パターン形状に実際
上影響を与えない。しかし、バンプなどを製造するため
のレジスト被膜では、厚さを２０μｍ以上に厚くしなけ
ればならない場合があり、発生したガス成分がレジスト
被膜内に滞留して、大きな気泡を形成し、現像した際に
パターン形状が著しく損なわれるおそれがある。このた
め、酸解離物質が低沸点、特に沸点が２０℃未満の場合
は、レジスト被膜の厚さが２０μｍを超えるような用途
には使用が困難である。
中の酸解離性官能基が酸により解離して酸性官能基を生
成するとともに、この解離により酸解離物質を生成し、
例えば繰返し単位（１）が２−ベンジルプロピル（メ
タ）アクリレートに由来する繰返し単位の場合、２−ベ
ンジルプロペンを生成する。この酸解離物質の１気圧に
おける沸点（以下、単に「沸点」という。）が室温以下
の場合、メッキ造形物を製造する際のパターン形状に悪
影響を与えるおそれがある。一般に、レジスト被膜の厚
さが集積回路素子の回路を形成する場合のように１〜２
μｍ程度であるときには、沸点が２０℃を下回るような
酸解離物質であっても、ＰＥＢの過程でガス成分として
レジスト被膜中を透過してしまい、パターン形状に実際
上影響を与えない。しかし、バンプなどを製造するため
のレジスト被膜では、厚さを２０μｍ以上に厚くしなけ
ればならない場合があり、発生したガス成分がレジスト
被膜内に滞留して、大きな気泡を形成し、現像した際に
パターン形状が著しく損なわれるおそれがある。このた
め、酸解離物質が低沸点、特に沸点が２０℃未満の場合
は、レジスト被膜の厚さが２０μｍを超えるような用途
には使用が困難である。
【００１８】したがって、重合体（Ａ）における酸解離
性繰返し単位としては、生成される酸解離物質の沸点が
２０℃以上である単位、より具体的には、１，１−ジメ
チル−３−オキソブチル（メタ）アクリレートの重合性
不飽和結合が開裂した繰返し単位、繰返し単位（１）等
がさらに好ましく、特に、１，１−ジメチル−３−オキ
ソブチル（メタ）アクリレートあるいは２−ベンジルプ
ロピル（メタ）アクリレートの重合性不飽和結合が開裂
した繰返し単位が好ましい。１，１−ジメチル−３−オ
キソブチル（メタ）アクリレートに由来する繰返し単位
から生成される酸解離物質は４−メチル−４−ペンテン
−２−オンで、その沸点は約１３０℃であり、また２−
ベンジルプロペンの沸点は約１７０℃である。重合体
（Ａ）において、酸解離性繰返し単位は、単独でまたは
２種以上を組み合わせて存在することができる。
性繰返し単位としては、生成される酸解離物質の沸点が
２０℃以上である単位、より具体的には、１，１−ジメ
チル−３−オキソブチル（メタ）アクリレートの重合性
不飽和結合が開裂した繰返し単位、繰返し単位（１）等
がさらに好ましく、特に、１，１−ジメチル−３−オキ
ソブチル（メタ）アクリレートあるいは２−ベンジルプ
ロピル（メタ）アクリレートの重合性不飽和結合が開裂
した繰返し単位が好ましい。１，１−ジメチル−３−オ
キソブチル（メタ）アクリレートに由来する繰返し単位
から生成される酸解離物質は４−メチル−４−ペンテン
−２−オンで、その沸点は約１３０℃であり、また２−
ベンジルプロペンの沸点は約１７０℃である。重合体
（Ａ）において、酸解離性繰返し単位は、単独でまたは
２種以上を組み合わせて存在することができる。
【００１９】重合体（Ａ）は、さらに、単量体（Ｉ）以
外の共重合可能なラジカル重合性単量体（以下、「単量
体（II) 」という。）の重合性不飽和結合が開裂した繰
返し単位（以下、「他の繰返し単位」という。）を含有
することができる。単量体（II) としては、例えば、ｏ
−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、
スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、
ｐ−メトキシスチレン等の芳香族ビニル化合物；Ｎ−ビ
ニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等のヘテロ
原子含有脂環式ビニル化合物；アクリロニトリル、メタ
クリロニトリル等のシアノ基含有ビニル化合物；１．３
−ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；ア
クリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有ビニ
ル化合物；アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有ビニル化合物；メチル（メタ）アクリレート、エ
チル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アク
リレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール
モノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール
モノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）
アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジ
ル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アク
リレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシ
クロデカニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリ
ル酸エステル類などを挙げることができる。
外の共重合可能なラジカル重合性単量体（以下、「単量
体（II) 」という。）の重合性不飽和結合が開裂した繰
返し単位（以下、「他の繰返し単位」という。）を含有
することができる。単量体（II) としては、例えば、ｏ
−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、
スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、
ｐ−メトキシスチレン等の芳香族ビニル化合物；Ｎ−ビ
ニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等のヘテロ
原子含有脂環式ビニル化合物；アクリロニトリル、メタ
クリロニトリル等のシアノ基含有ビニル化合物；１．３
−ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類；ア
クリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有ビニ
ル化合物；アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有ビニル化合物；メチル（メタ）アクリレート、エ
チル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アク
リレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール
モノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール
モノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）
アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジ
ル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アク
リレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシ
クロデカニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリ
ル酸エステル類などを挙げることができる。
【００２０】これらの単量体（II) のうち、ｐ−ヒドロ
キシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、スチレ
ン、アクリル酸、メタクリル酸、メチル（メタ）アクリ
レート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メ
タ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アク
リレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メ
タ）アクリレート等が好ましい。単量体（II) は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。
キシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、スチレ
ン、アクリル酸、メタクリル酸、メチル（メタ）アクリ
レート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メ
タ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アク
リレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メ
タ）アクリレート等が好ましい。単量体（II) は、単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００２１】重合体（Ａ）中における酸解離性繰返し単
位と他の繰返し単位との比率は、本発明の所期の効果を
損なわない範囲であれば特に限定されるものではない
が、酸解離性繰返し単位／他の繰返し単位（重量比）
が、通常、５／９５〜１００／０、好ましくは１０／９
０〜９０／１０、さらに好ましくは２０／８０〜８０／
２０である。この場合、酸解離性繰返し単位の含有率が
５重量％未満では、生成される酸性官能基の割合が低く
なり、得られる重合体のアルカリ性現像液に対する溶解
性が低下してパターン形成が困難になるおそれがある。
位と他の繰返し単位との比率は、本発明の所期の効果を
損なわない範囲であれば特に限定されるものではない
が、酸解離性繰返し単位／他の繰返し単位（重量比）
が、通常、５／９５〜１００／０、好ましくは１０／９
０〜９０／１０、さらに好ましくは２０／８０〜８０／
２０である。この場合、酸解離性繰返し単位の含有率が
５重量％未満では、生成される酸性官能基の割合が低く
なり、得られる重合体のアルカリ性現像液に対する溶解
性が低下してパターン形成が困難になるおそれがある。
【００２２】重合体（Ａ）は、例えば、（ｉ） 単量体
（Ｉ）を、好ましくは単量体（II) と共に、直接重合す
る方法、（ii) 単量体（Ｉ）とｐ−アセトキシスチレ
ンとを、場合により単量体（II)と共に、共重合したの
ち、塩基性条件下で加水分解を行って、重合体中のアセ
トキシ基をヒドロキシル基に変換する方法、（iii) ｐ
−ｔ−ブトキシスチレンを重合したのち、酸性条件下で
加水分解を行って、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）に
変性し、その後ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のヒ
ドロキシル基を少なくとも部分的に、例えばｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ基、１−エトキシエトキシ基等で保
護する方法等により製造することができる。前記（ｉ）
〜（iii)の方法における重合は、通常のラジカル重合開
始剤を使用し、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、
塊状重合法等の適宜の重合方法によって実施することが
できるが、特に溶液重合法が好ましい。
（Ｉ）を、好ましくは単量体（II) と共に、直接重合す
る方法、（ii) 単量体（Ｉ）とｐ−アセトキシスチレ
ンとを、場合により単量体（II)と共に、共重合したの
ち、塩基性条件下で加水分解を行って、重合体中のアセ
トキシ基をヒドロキシル基に変換する方法、（iii) ｐ
−ｔ−ブトキシスチレンを重合したのち、酸性条件下で
加水分解を行って、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）に
変性し、その後ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のヒ
ドロキシル基を少なくとも部分的に、例えばｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ基、１−エトキシエトキシ基等で保
護する方法等により製造することができる。前記（ｉ）
〜（iii)の方法における重合は、通常のラジカル重合開
始剤を使用し、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、
塊状重合法等の適宜の重合方法によって実施することが
できるが、特に溶液重合法が好ましい。
【００２３】前記ラジカル重合開始剤としては、例え
ば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）等のアゾ化合物や、ベンゾイルペルオキシ
ド、ラウリルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシド等
の有機過酸化物などを挙げることができる。また、前記
溶液重合法に用いられる溶媒としては、使用される単量
体成分と反応せず、生成する重合体を溶解するものであ
れば特に限定されるものではなく、例えば、メタノー
ル、エタノール、ｎ−ヘキサン、トルエン、テトラヒド
ロフラン、１，４−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ｎ−
ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メ
チル、３−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、
γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。これらの
溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用すること
ができる。なお、重合体（Ａ）が溶液重合法により製造
された場合、得られる重合体溶液をそのままポジ型感放
射線性樹脂組成物の調製に供してもよく、あるいは重合
体溶液から重合体（Ａ）を分離してポジ型感放射線性樹
脂組成物の調製に供してもよい。また、前記（ｉ）〜
（iii)の方法における重合に際しては、必要に応じて、
例えばメルカプタン化合物、ハロゲン炭化水素等の分子
量調節剤を使用することができる。
ば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）等のアゾ化合物や、ベンゾイルペルオキシ
ド、ラウリルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシド等
の有機過酸化物などを挙げることができる。また、前記
溶液重合法に用いられる溶媒としては、使用される単量
体成分と反応せず、生成する重合体を溶解するものであ
れば特に限定されるものではなく、例えば、メタノー
ル、エタノール、ｎ−ヘキサン、トルエン、テトラヒド
ロフラン、１，４−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ｎ−
ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メ
チル、３−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、
γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。これらの
溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用すること
ができる。なお、重合体（Ａ）が溶液重合法により製造
された場合、得られる重合体溶液をそのままポジ型感放
射線性樹脂組成物の調製に供してもよく、あるいは重合
体溶液から重合体（Ａ）を分離してポジ型感放射線性樹
脂組成物の調製に供してもよい。また、前記（ｉ）〜
（iii)の方法における重合に際しては、必要に応じて、
例えばメルカプタン化合物、ハロゲン炭化水素等の分子
量調節剤を使用することができる。
【００２４】重合体（Ａ）の分子量は、単量体組成、ラ
ジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度などの重合
条件を適切に選択することにより調節することができる
が、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で、通
常、５，０００〜２００，０００、好ましくは７，００
０〜１００，０００である。この場合、重合体（Ａ）の
Ｍｗが５，０００未満では、強度が低下して、樹脂膜の
メッキ耐性が不十分となるおそれがあり、一方２００，
０００を超えると、重合体の露光後のアルカリ溶解性が
低下して、微細パターンの形成が困難になる傾向があ
る。本発明において、重合体（Ａ）は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。
ジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度などの重合
条件を適切に選択することにより調節することができる
が、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）で、通
常、５，０００〜２００，０００、好ましくは７，００
０〜１００，０００である。この場合、重合体（Ａ）の
Ｍｗが５，０００未満では、強度が低下して、樹脂膜の
メッキ耐性が不十分となるおそれがあり、一方２００，
０００を超えると、重合体の露光後のアルカリ溶解性が
低下して、微細パターンの形成が困難になる傾向があ
る。本発明において、重合体（Ａ）は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。
【００２５】酸発生剤（Ｂ） 本発明に用いられる感放射線性酸発生剤（以下、「酸発
生剤（Ｂ）」という。）は、露光により酸を発生する化
合物であり、この酸の作用により重合体（Ａ）中に存在
する酸解離性官能基が解離して、例えばカルボキシル
基、フェノール性水酸基等の酸性官能基が生成し、その
結果、ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成された樹脂
膜の露光部がアルカリ性現像液に易溶性となり、ポジ型
のパターンを形成することができる。酸発生剤（Ｂ）と
しては、例えば、オニウム塩化合物（但し、チオフェニ
ウム塩化合物を含む。）、ハロゲン含有化合物、ジアゾ
ケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、ス
ルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等を挙げるこ
とができる。以下、これらの化合物の例を示す。
生剤（Ｂ）」という。）は、露光により酸を発生する化
合物であり、この酸の作用により重合体（Ａ）中に存在
する酸解離性官能基が解離して、例えばカルボキシル
基、フェノール性水酸基等の酸性官能基が生成し、その
結果、ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成された樹脂
膜の露光部がアルカリ性現像液に易溶性となり、ポジ型
のパターンを形成することができる。酸発生剤（Ｂ）と
しては、例えば、オニウム塩化合物（但し、チオフェニ
ウム塩化合物を含む。）、ハロゲン含有化合物、ジアゾ
ケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、ス
ルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等を挙げるこ
とができる。以下、これらの化合物の例を示す。
【００２６】オニウム塩化合物 オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、
スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピ
リジニウム塩等を挙げることができる。好ましいオニウ
ム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルヘキ
サフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−
ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムベンゼンスルホネート、４，７−ジ−ｎ−ブトキ
シナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート等を挙げることができる。
スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピ
リジニウム塩等を挙げることができる。好ましいオニウ
ム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウム
トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルヘキ
サフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−
ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスル
ホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムベンゼンスルホネート、４，７−ジ−ｎ−ブトキ
シナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメ
タンスルホネート等を挙げることができる。
【００２７】ハロゲン含有化合物 ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基
含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合
物等を挙げることができる。好ましいハロゲン含有化合
物の具体例としては、１，１０−ジブロモ−ｎ−デカ
ン、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２
−トリクロロエタンや、フェニル−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニル−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、スチリル−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の（トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体などを挙げるこ
とができる。 ジアゾケトン化合物 ジアゾケトン化合物としては、例えば、１，３−ジケト
−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジア
ゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。好まし
いジアゾケトン化合物の具体例としては、フェノール類
の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル化物、フェノール類の１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル化物等を挙げることができ
る。 スルホン化合物 スルホン化物としては、例えば、β−ケトスルホン、β
−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ
化合物等を挙げることができる。好ましいスルホン化合
物の具体例としては、４−トリスフェナシルスルホン、
メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニ
ル）メタン等を挙げることができる。 スルホン酸化合物 スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン
酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリー
ルスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げる
ことができる。好ましいスルホン酸化合物の具体例とし
ては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリ
フルオロメタンスルホネート、ｏ−ニトロベンジルトリ
フルオロメタンスルホネート、ｏ−ニトロベンジル−ｐ
−トルエンスルホネート等を挙げることができる。
含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合
物等を挙げることができる。好ましいハロゲン含有化合
物の具体例としては、１，１０−ジブロモ−ｎ−デカ
ン、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２
−トリクロロエタンや、フェニル−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニル−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、スチリル−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−
ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の（トリ
クロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体などを挙げるこ
とができる。 ジアゾケトン化合物 ジアゾケトン化合物としては、例えば、１，３−ジケト
−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジア
ゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。好まし
いジアゾケトン化合物の具体例としては、フェノール類
の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル化物、フェノール類の１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル化物等を挙げることができ
る。 スルホン化合物 スルホン化物としては、例えば、β−ケトスルホン、β
−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ
化合物等を挙げることができる。好ましいスルホン化合
物の具体例としては、４−トリスフェナシルスルホン、
メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニ
ル）メタン等を挙げることができる。 スルホン酸化合物 スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン
酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリー
ルスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げる
ことができる。好ましいスルホン酸化合物の具体例とし
ては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリ
フルオロメタンスルホネート、ｏ−ニトロベンジルトリ
フルオロメタンスルホネート、ｏ−ニトロベンジル−ｐ
−トルエンスルホネート等を挙げることができる。
【００２８】スルホンイミド化合物 好ましいスルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチル
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフル
オロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メ
チルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニ
ルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチル
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフル
オロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メ
チルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニ
ルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニ
ルオキシ）ナフチルイミド、
【００２９】Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフ
ルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フ
ルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ
−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．１．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．１．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、Ｎ−（１０−カンファ−スルホニルオキシ）ナフ
チルイミド等を挙げることができる。
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフ
ルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−フ
ルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ
−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．１．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．１．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、Ｎ−（１０−カンファ−スルホニルオキシ）ナフ
チルイミド等を挙げることができる。
【００３０】ジアゾメタン化合物 好ましいジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス
（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエン
スルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−ト
ルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホ
ニル−１，１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタ
ン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾ
メタン等を挙げることができる。
（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエン
スルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−ト
ルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホ
ニル−１，１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタ
ン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾ
メタン等を挙げることができる。
【００３１】これらの酸発生剤（Ｂ）のうち、さらに好
ましくは、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジ
フェニルスルホニウムピレンスルホネート、４，７−ジ
−ｎ−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート等であり、特に、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４，７−ジ−ｎ−ブトキシナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート等が好ましい。本発明において、酸発生剤
（Ｂ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。
ましくは、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジ
フェニルスルホニウムピレンスルホネート、４，７−ジ
−ｎ−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート等であり、特に、４−ｔ
−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４，７−ジ−ｎ−ブトキシナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート等が好ましい。本発明において、酸発生剤
（Ｂ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。
【００３２】酸発生剤（Ｂ）の使用量は、レジストとし
ての感度、解像性、パターン形状等を確保する観点か
ら、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、０．１
〜２０重量部、好ましくは０．３〜１０重量部である。
この場合、酸発生剤（Ｂ）の使用量が０．１重量部未満
では、感度、解像性が低下する傾向があり、一方２０重
量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、パ
ターン形状が劣化する傾向がある。
ての感度、解像性、パターン形状等を確保する観点か
ら、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、０．１
〜２０重量部、好ましくは０．３〜１０重量部である。
この場合、酸発生剤（Ｂ）の使用量が０．１重量部未満
では、感度、解像性が低下する傾向があり、一方２０重
量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、パ
ターン形状が劣化する傾向がある。
【００３３】酸拡散制御剤 本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成物には、酸発
生剤（Ｂ）から発生する酸の樹脂膜中における拡散を制
御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制す
る作用等を有する酸拡散制御剤を配合することが好まし
い。このような酸拡散制御剤を使用することにより、組
成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像
度がさらに向上するとともに、露光からＰＥＢまでの引
き置き時間の変動によるパターンの線幅変化を抑えるこ
とができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
酸拡散制御剤としては、メッキ造形物の製造工程におけ
る露光や加熱により塩基性が変化しない含窒素有機化合
物が好ましい。
生剤（Ｂ）から発生する酸の樹脂膜中における拡散を制
御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制す
る作用等を有する酸拡散制御剤を配合することが好まし
い。このような酸拡散制御剤を使用することにより、組
成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像
度がさらに向上するとともに、露光からＰＥＢまでの引
き置き時間の変動によるパターンの線幅変化を抑えるこ
とができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
酸拡散制御剤としては、メッキ造形物の製造工程におけ
る露光や加熱により塩基性が変化しない含窒素有機化合
物が好ましい。
【００３４】前記含窒素有機化合物としては、例えば、
ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチ
ルアミン、ｎ−ノニルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、メチルウ
レア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレ
ア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジ
フェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、
４−メチルイミダゾール、８−オキシキノリン、アクリ
ジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、２，４，６−
トリ（２−ピリジル）−Ｓ−トリアジン、モルホリン、
４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチル
ピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オ
クタン等を挙げることができる。これらの含窒素有機化
合物のうち、特に、２，４，６−トリ（２−ピリジル）
−ｓ−トリアジンが好ましい。前記酸拡散制御剤は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチ
ルアミン、ｎ−ノニルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、メチルウ
レア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレ
ア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジ
フェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、
４−メチルイミダゾール、８−オキシキノリン、アクリ
ジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、２，４，６−
トリ（２−ピリジル）−Ｓ−トリアジン、モルホリン、
４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチル
ピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オ
クタン等を挙げることができる。これらの含窒素有機化
合物のうち、特に、２，４，６−トリ（２−ピリジル）
−ｓ−トリアジンが好ましい。前記酸拡散制御剤は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００３５】酸拡散制御剤の使用量は、重合体（Ａ）１
００重量部当り、通常、１５重量部以下、好ましくは
０．００１〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５
〜５重量部である。この場合、酸拡散制御剤の使用量が
１５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部
の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の
使用量が０．００１重量部未満であると、プロセス条件
によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実
度が低下するおそれがある。
００重量部当り、通常、１５重量部以下、好ましくは
０．００１〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５
〜５重量部である。この場合、酸拡散制御剤の使用量が
１５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部
の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の
使用量が０．００１重量部未満であると、プロセス条件
によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実
度が低下するおそれがある。
【００３６】他のアルカリ可溶性樹脂 また、本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成物に
は、場合により、重合体（Ａ）以外のアルカリ可溶性樹
脂（以下、「他のアルカリ可溶性樹脂」という。）を添
加することができる。他のアルカリ可溶性樹脂は、アル
カリ性現像液と親和性を示す官能基、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上有
する、アルカリ現像液に可溶な樹脂である。このような
アルカリ可溶性樹脂を添加することにより、ポジ型感放
射線性樹脂組成物から形成した樹脂膜のアルカリ現像液
への溶解速度の制御がより容易となる結果、現像性をさ
らに向上させることができる。
は、場合により、重合体（Ａ）以外のアルカリ可溶性樹
脂（以下、「他のアルカリ可溶性樹脂」という。）を添
加することができる。他のアルカリ可溶性樹脂は、アル
カリ性現像液と親和性を示す官能基、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上有
する、アルカリ現像液に可溶な樹脂である。このような
アルカリ可溶性樹脂を添加することにより、ポジ型感放
射線性樹脂組成物から形成した樹脂膜のアルカリ現像液
への溶解速度の制御がより容易となる結果、現像性をさ
らに向上させることができる。
【００３７】他のアルカリ可溶性樹脂は、アルカリ性現
像液に可溶である限り特に限定されるものではないが、
好ましい他のアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ｏ
−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、
ｐ−ビニル安息香酸、ｐ−カルボキシメチルスチレン、
ｐ−カルボキシメトキシスチレン、アクリル酸、メタク
リル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン
酸、シトラコン酸 メサコン酸、ケイ皮酸等の酸性官能
基を有する少なくとも１種の単量体の重合性不飽和結合
が開裂した繰返し単位を含有する付加重合系樹脂や、ノ
ボラック樹脂に代表される酸性官能基を有する縮合系繰
返し単位を含有する重縮合系樹脂等を挙げることができ
る。アルカリ可溶性の付加重合系樹脂は、前記酸性官能
基を有する単量体の重合性不飽和結合が開裂した繰返し
単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂が
アルカリ現像液に可溶である限りでは、１種以上の他の
繰返し単位をさらに含有することもできる。前記他の繰
返し単位としては、例えば、スチレン、α−メチルスチ
レン、ｏ−ビニルトルエン、ｍ−ビニルトルエン、ｐ−
ビニルトルエン、無水マレイン酸、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニト
リル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコン
ニトリル、イタコンニトリル、アクリルアミド、メタク
リルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマル
アミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコン
アミド、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４
−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルアニリン、Ｎ−ビニル−
ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニ
ルイミダゾール等の重合性不飽和結合が開裂した単位を
挙げることができる。アルカリ可溶性の付加重合系樹脂
としては、樹脂膜としたときの放射線の透過性が高く、
またドライエッチング耐性にも優れるという観点から、
特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ｐ−イソプロ
ペニルフェノールの共重合体等が好ましい。アルカリ可
溶性の付加重合系樹脂の分子量は、ポリスチレン換算重
量平均分子量（Ｍｗ）で、通常、１，０００〜２００，
０００、好ましくは５，０００〜５０，０００である。
像液に可溶である限り特に限定されるものではないが、
好ましい他のアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ｏ
−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、
ｐ−ビニル安息香酸、ｐ−カルボキシメチルスチレン、
ｐ−カルボキシメトキシスチレン、アクリル酸、メタク
リル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン
酸、シトラコン酸 メサコン酸、ケイ皮酸等の酸性官能
基を有する少なくとも１種の単量体の重合性不飽和結合
が開裂した繰返し単位を含有する付加重合系樹脂や、ノ
ボラック樹脂に代表される酸性官能基を有する縮合系繰
返し単位を含有する重縮合系樹脂等を挙げることができ
る。アルカリ可溶性の付加重合系樹脂は、前記酸性官能
基を有する単量体の重合性不飽和結合が開裂した繰返し
単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂が
アルカリ現像液に可溶である限りでは、１種以上の他の
繰返し単位をさらに含有することもできる。前記他の繰
返し単位としては、例えば、スチレン、α−メチルスチ
レン、ｏ−ビニルトルエン、ｍ−ビニルトルエン、ｐ−
ビニルトルエン、無水マレイン酸、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニト
リル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコン
ニトリル、イタコンニトリル、アクリルアミド、メタク
リルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマル
アミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコン
アミド、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４
−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルアニリン、Ｎ−ビニル−
ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニ
ルイミダゾール等の重合性不飽和結合が開裂した単位を
挙げることができる。アルカリ可溶性の付加重合系樹脂
としては、樹脂膜としたときの放射線の透過性が高く、
またドライエッチング耐性にも優れるという観点から、
特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ｐ−イソプロ
ペニルフェノールの共重合体等が好ましい。アルカリ可
溶性の付加重合系樹脂の分子量は、ポリスチレン換算重
量平均分子量（Ｍｗ）で、通常、１，０００〜２００，
０００、好ましくは５，０００〜５０，０００である。
【００３８】また、アルカリ可溶性の重縮合系樹脂は、
酸性官能基を有する縮合系繰返し単位のみから構成され
ていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶
である限りでは、他の縮合系繰返し単位をさらに含有す
ることもできる。このような重縮合系樹脂は、例えば、
１種以上のフェノール類と１種以上のアルデヒド類と
を、場合により他の縮合系繰返し単位を形成しうる重縮
合成分と共に、酸性触媒または塩基性触媒の存在下、水
媒質中または水と親水性溶媒との混合媒質中で（共）重
縮合することによって製造することができる。前記フェ
ノール類としては、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，
４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キ
シレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール
等を挙げることができ、また前記アルデヒド類として
は、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホ
ルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等
を挙げることができる。アルカリ可溶性の重縮合系樹脂
の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）
で、通常、１，０００〜１００，０００、好ましくは
２，０００〜５０，０００である。これらの他のアルカ
リ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。他のアルカリ可溶性樹脂の使用量
は、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、２００
重量部以下である。
酸性官能基を有する縮合系繰返し単位のみから構成され
ていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶
である限りでは、他の縮合系繰返し単位をさらに含有す
ることもできる。このような重縮合系樹脂は、例えば、
１種以上のフェノール類と１種以上のアルデヒド類と
を、場合により他の縮合系繰返し単位を形成しうる重縮
合成分と共に、酸性触媒または塩基性触媒の存在下、水
媒質中または水と親水性溶媒との混合媒質中で（共）重
縮合することによって製造することができる。前記フェ
ノール類としては、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，
４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キ
シレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリ
メチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール
等を挙げることができ、また前記アルデヒド類として
は、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホ
ルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等
を挙げることができる。アルカリ可溶性の重縮合系樹脂
の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）
で、通常、１，０００〜１００，０００、好ましくは
２，０００〜５０，０００である。これらの他のアルカ
リ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。他のアルカリ可溶性樹脂の使用量
は、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、２００
重量部以下である。
【００３９】界面活性剤 また、本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を添加することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェ
ノールエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェノ
ールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等を挙げること
ができる。これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。界面活性剤の使用
量は、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、２重
量部以下である。
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を添加することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェ
ノールエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェノ
ールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等を挙げること
ができる。これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。界面活性剤の使用
量は、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、２重
量部以下である。
【００４０】他の添加剤 さらに、本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成物に
配合可能な他の添加剤としては、例えば、紫外線吸収
剤、増感剤、分散剤、可塑剤、保存安定性を高めるため
の熱重合禁止剤、酸化防止剤等を挙げることができ、中
でも紫外線吸収剤は、露光時の散乱光の未露光部への回
り込みによる光反応を阻止する作用があるために有用で
ある。このような紫外線吸収剤としては、露光に使用さ
れる紫外線の波長域で高い吸光係数を有する化合物が好
ましい。また、有機顔料も同様の目的に使用することが
できる。
配合可能な他の添加剤としては、例えば、紫外線吸収
剤、増感剤、分散剤、可塑剤、保存安定性を高めるため
の熱重合禁止剤、酸化防止剤等を挙げることができ、中
でも紫外線吸収剤は、露光時の散乱光の未露光部への回
り込みによる光反応を阻止する作用があるために有用で
ある。このような紫外線吸収剤としては、露光に使用さ
れる紫外線の波長域で高い吸光係数を有する化合物が好
ましい。また、有機顔料も同様の目的に使用することが
できる。
【００４１】有機溶剤 本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成物は、前述し
た重合体（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）および必要に応じて配
合される添加剤を均一に混合する目的で、有機溶剤で希
釈することができる。このような有機溶剤としては、例
えば、重合体（Ａ）を製造する溶液重合法について例示
した溶媒のほか、ジメチルスルホキシド、アセトニルア
セトン、イソホロン、炭酸プロピレン等を挙げることが
できる。これらの有機溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。有機溶剤の使用量は、
ポジ型感放射線性樹脂組成物の塗布方法、メッキ造形物
製造用組成物の用途等を考慮して調整することができ、
組成物を均一に混合させることができれば特に限定され
ないが、組成物中の固形分含量が３０〜９０重量％、好
ましくは４０〜８０重量％となる量である。
た重合体（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）および必要に応じて配
合される添加剤を均一に混合する目的で、有機溶剤で希
釈することができる。このような有機溶剤としては、例
えば、重合体（Ａ）を製造する溶液重合法について例示
した溶媒のほか、ジメチルスルホキシド、アセトニルア
セトン、イソホロン、炭酸プロピレン等を挙げることが
できる。これらの有機溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。有機溶剤の使用量は、
ポジ型感放射線性樹脂組成物の塗布方法、メッキ造形物
製造用組成物の用途等を考慮して調整することができ、
組成物を均一に混合させることができれば特に限定され
ないが、組成物中の固形分含量が３０〜９０重量％、好
ましくは４０〜８０重量％となる量である。
【００４２】本発明におけるポジ型感放射線性樹脂組成
物は、例えば集積回路素子のバンプあるいは配線等のメ
ッキ造形物の製造に使用される。また、本発明における
ポジ型感放射線性樹脂組成物は、支持体フィルム上に塗
布して乾燥したのち、該支持体フィルムを剥離すること
により樹脂膜とし、得られたポジ型感放射線性樹脂膜を
前記と同様のメッキ造形物の製造に使用することができ
る。この場合、ポジ型感放射線性樹脂組成物を支持体フ
ィルム上に塗布する方法としては、例えば、スピンコー
ト法、ロールコート法、スクリーン印刷、アプリケータ
ー法等を挙げることができる。なお、支持体フィルムの
材料は、特に限定されるものではなく、所要の強度を有
する限り適宜のものを使用することができる。
物は、例えば集積回路素子のバンプあるいは配線等のメ
ッキ造形物の製造に使用される。また、本発明における
ポジ型感放射線性樹脂組成物は、支持体フィルム上に塗
布して乾燥したのち、該支持体フィルムを剥離すること
により樹脂膜とし、得られたポジ型感放射線性樹脂膜を
前記と同様のメッキ造形物の製造に使用することができ
る。この場合、ポジ型感放射線性樹脂組成物を支持体フ
ィルム上に塗布する方法としては、例えば、スピンコー
ト法、ロールコート法、スクリーン印刷、アプリケータ
ー法等を挙げることができる。なお、支持体フィルムの
材料は、特に限定されるものではなく、所要の強度を有
する限り適宜のものを使用することができる。
【００４３】以下、本発明のメッキ造形物の製造方法に
ついて説明する。本発明におけるポジ型感放射線性樹脂
組成物を用いるメッキ造形物の製造方法（以下、「製造
方法（１）」という。）は、（イ）メッキ造形物製造用
ポジ型感放射線性樹脂組成物を、表面に導電層を有する
基板上に塗布したのち乾燥して樹脂膜を形成する工程、
（ロ）該樹脂膜に所定の形状に露光後加熱し、さらに現
像してパターンを形成する工程、（ハ）基板上に形成さ
れた該パターンを鋳型とし所定厚さに電解メッキしてメ
ッキ造形物を形成する工程、（ニ）基板から樹脂膜部分
を剥離する工程、および（ホ）基板上のメッキ造形物を
形成した領域以外の導電層を除去する工程を経ることか
らなる。
ついて説明する。本発明におけるポジ型感放射線性樹脂
組成物を用いるメッキ造形物の製造方法（以下、「製造
方法（１）」という。）は、（イ）メッキ造形物製造用
ポジ型感放射線性樹脂組成物を、表面に導電層を有する
基板上に塗布したのち乾燥して樹脂膜を形成する工程、
（ロ）該樹脂膜に所定の形状に露光後加熱し、さらに現
像してパターンを形成する工程、（ハ）基板上に形成さ
れた該パターンを鋳型とし所定厚さに電解メッキしてメ
ッキ造形物を形成する工程、（ニ）基板から樹脂膜部分
を剥離する工程、および（ホ）基板上のメッキ造形物を
形成した領域以外の導電層を除去する工程を経ることか
らなる。
【００４４】また、本発明におけるポジ型感放射線性樹
脂樹脂膜を用いるメッキ造形物の製造方法（以下、「製
造方法（２）」という。）は、（イ）メッキ造形物製造
用ポジ型感放射線性樹脂膜を、表面に導電層を有する基
板上に積層する工程、（ロ）積層された樹脂膜に所定の
形状に露光後加熱し、さらに現像してパターンを形成す
る工程、（ハ）基板上に形成された該パターンを鋳型と
し所定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を形成する工
程、（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工程、および
（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域以外の導電
層を除去する工程を経ることからなる。
脂樹脂膜を用いるメッキ造形物の製造方法（以下、「製
造方法（２）」という。）は、（イ）メッキ造形物製造
用ポジ型感放射線性樹脂膜を、表面に導電層を有する基
板上に積層する工程、（ロ）積層された樹脂膜に所定の
形状に露光後加熱し、さらに現像してパターンを形成す
る工程、（ハ）基板上に形成された該パターンを鋳型と
し所定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を形成する工
程、（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工程、および
（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域以外の導電
層を除去する工程を経ることからなる。
【００４５】製造方法（１）および製造方法（２）にお
いて、基板としては、例えば、ソーダガラス、石英ガラ
ス、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、窒化
ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、シリコン、ゲ
ルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン等を挙げ
ることができる。また、基板の表面に導電層を形成する
ために使用される導電材料としては、例えば、アルミニ
ウム、銅、銀、金、パラジウムや、これらの２種以上の
合金（例えばパラジウム−金）等を挙げることができ
る。基板表面の導電層は、前記導電材料を例えばスパッ
タ法により処理することより形成することができる。導
電層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、
２００〜１０，０００Å、好ましくは５００〜２，００
０Å程度である。
いて、基板としては、例えば、ソーダガラス、石英ガラ
ス、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、窒化
ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、シリコン、ゲ
ルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン等を挙げ
ることができる。また、基板の表面に導電層を形成する
ために使用される導電材料としては、例えば、アルミニ
ウム、銅、銀、金、パラジウムや、これらの２種以上の
合金（例えばパラジウム−金）等を挙げることができ
る。基板表面の導電層は、前記導電材料を例えばスパッ
タ法により処理することより形成することができる。導
電層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、
２００〜１０，０００Å、好ましくは５００〜２，００
０Å程度である。
【００４６】製造方法（１）において、メッキ造形物製
造用組成物を基板上に塗布する方法としては、例えば、
スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、ア
プリケーター法等を挙げることができる。また、製造方
法（２）において、メッキ造形物製造用樹脂膜を基板上
に積層する方法としては、例えば、接着法、ロール法、
プレス法等を挙げることができる。製造方法（１）およ
び製造方法（２）における樹脂膜の厚さは、メッキ造形
物の用途により変わり、例えば、バンプの場合、通常、
２０〜１００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍ、さらに
好ましくは２０〜５０μｍであり、また配線の場合、通
常、１〜３０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、さらに好
ましくは５〜２０μｍである。
造用組成物を基板上に塗布する方法としては、例えば、
スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、ア
プリケーター法等を挙げることができる。また、製造方
法（２）において、メッキ造形物製造用樹脂膜を基板上
に積層する方法としては、例えば、接着法、ロール法、
プレス法等を挙げることができる。製造方法（１）およ
び製造方法（２）における樹脂膜の厚さは、メッキ造形
物の用途により変わり、例えば、バンプの場合、通常、
２０〜１００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍ、さらに
好ましくは２０〜５０μｍであり、また配線の場合、通
常、１〜３０μｍ、好ましくは３〜３０μｍ、さらに好
ましくは５〜２０μｍである。
【００４７】露光に用いる放射線としては、低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドラン
プ、ｇ線ステッパー、ｉ線ステッパー等からの紫外線；
ＫｒＦエキシマーレーザーあるいはＡｒＦエキシマーレ
ーザー等に代表される遠紫外線のほか、電子線等の荷電
粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線などを挙げるこ
とができ、就中、波長が１５０〜５００μｍの範囲内に
ある放射線が好ましい。露光量は、放射線の種類、組成
物の組成、樹脂膜の厚さ等によって異なるが、例えば高
圧水銀灯からの紫外線の場合、通常、１，０００〜２
０，０００Ｊ／ｍ2 程度である。露光後は、重合体
（Ａ）中の酸解離性官能基の解離を促進するため、ＰＥ
Ｂを行う。その処理条件は、組成物の組成、樹脂膜の厚
さ等によって異なるが、通常、７０〜１２０℃、好まし
くは１００〜１２０℃で、３０秒〜１０分程度である。
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドラン
プ、ｇ線ステッパー、ｉ線ステッパー等からの紫外線；
ＫｒＦエキシマーレーザーあるいはＡｒＦエキシマーレ
ーザー等に代表される遠紫外線のほか、電子線等の荷電
粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線などを挙げるこ
とができ、就中、波長が１５０〜５００μｍの範囲内に
ある放射線が好ましい。露光量は、放射線の種類、組成
物の組成、樹脂膜の厚さ等によって異なるが、例えば高
圧水銀灯からの紫外線の場合、通常、１，０００〜２
０，０００Ｊ／ｍ2 程度である。露光後は、重合体
（Ａ）中の酸解離性官能基の解離を促進するため、ＰＥ
Ｂを行う。その処理条件は、組成物の組成、樹脂膜の厚
さ等によって異なるが、通常、７０〜１２０℃、好まし
くは１００〜１２０℃で、３０秒〜１０分程度である。
【００４８】その後、アルカリ性現像液により現像し
て、露光部を溶解、除去することにより、所定形状のパ
ターンを形成する。アルカリ性現像液により現像法とし
ては、例えば、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬
現像法、パドル現像法等を挙げることができる。現像時
間は、通常、常温で１〜３０分程度である。前記アルカ
リ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アン
モニア水、エチルアミン、ｎ-プロピルアミン、ジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン等の
アルカリ性化合物を、濃度が例えば１〜１０重量％にな
るように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることが
できる。前記アルカリ性水溶液には、例えばメタノー
ル、エタノール等の有機溶剤や界面活性剤等を適量添加
することもできる。なお、アルカリ性現像液で現像した
のちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
て、露光部を溶解、除去することにより、所定形状のパ
ターンを形成する。アルカリ性現像液により現像法とし
ては、例えば、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬
現像法、パドル現像法等を挙げることができる。現像時
間は、通常、常温で１〜３０分程度である。前記アルカ
リ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アン
モニア水、エチルアミン、ｎ-プロピルアミン、ジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン等の
アルカリ性化合物を、濃度が例えば１〜１０重量％にな
るように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることが
できる。前記アルカリ性水溶液には、例えばメタノー
ル、エタノール等の有機溶剤や界面活性剤等を適量添加
することもできる。なお、アルカリ性現像液で現像した
のちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
【００４９】現像後、基板上に形成されたパターンを鋳
型として、所定厚さに電解メッキすることにより、メッ
キ造形物を形成する。電解メッキに際しては、パターン
表面とメッキ液との親和性を高めるため、樹脂膜から形
成されたパターンを、例えば酸素プラズマによるアッシ
ング処理等の親水化処理しておくことが好ましい。電解
メッキに使用されるメッキ液としては、例えば、前記導
電層について例示した金属や合金と同様の成分を含むも
のを挙げることができる。電解メッキの条件は、メッキ
液の組成等により異なるが、例えば金メッキの場合、温
度が、通常、４０〜７０℃、好ましくは５５〜７０℃程
度であり、電流密度が、通常、０．１〜１Ａ／ｄｍ2 、
好ましくは０．２〜０．８Ａ／ｄｍ2 程度である。メッ
キ後は、水洗して乾燥したのち、パターンの状態、メッ
キ造形物の厚さや状態等を観察し、必要に応じて再び電
解メッキを行う。
型として、所定厚さに電解メッキすることにより、メッ
キ造形物を形成する。電解メッキに際しては、パターン
表面とメッキ液との親和性を高めるため、樹脂膜から形
成されたパターンを、例えば酸素プラズマによるアッシ
ング処理等の親水化処理しておくことが好ましい。電解
メッキに使用されるメッキ液としては、例えば、前記導
電層について例示した金属や合金と同様の成分を含むも
のを挙げることができる。電解メッキの条件は、メッキ
液の組成等により異なるが、例えば金メッキの場合、温
度が、通常、４０〜７０℃、好ましくは５５〜７０℃程
度であり、電流密度が、通常、０．１〜１Ａ／ｄｍ2 、
好ましくは０．２〜０．８Ａ／ｄｍ2 程度である。メッ
キ後は、水洗して乾燥したのち、パターンの状態、メッ
キ造形物の厚さや状態等を観察し、必要に応じて再び電
解メッキを行う。
【００５０】メッキ造形物の厚さは、その用途により変
わり、例えば、バンプの場合、通常、５〜５０μｍ、好
ましくは１０〜３０μｍ、さらに好ましくは１５〜２５
μｍであり、また配線の場合、通常、１〜３０μｍ、好
ましくは３〜２０μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍ
である。
わり、例えば、バンプの場合、通常、５〜５０μｍ、好
ましくは１０〜３０μｍ、さらに好ましくは１５〜２５
μｍであり、また配線の場合、通常、１〜３０μｍ、好
ましくは３〜２０μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍ
である。
【００５１】その後、基板から樹脂膜部分を剥離する。
樹脂膜部分の剥離方法としては、例えば２０〜８０℃に
て攪拌している剥離液に、基板を例えば１〜１０分間程
度浸漬する方法等を挙げることができる。前記剥離液と
しては、例えば、ジメチルスルホキシドとＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドの混合溶液等を使用することができ
る。樹脂膜部分の剥離後、基板上のメッキ造形物を形成
した領域以外の導電層を、例えばウエットエッチング法
等により除去することにより、所定のメッキ造形物を得
る。
樹脂膜部分の剥離方法としては、例えば２０〜８０℃に
て攪拌している剥離液に、基板を例えば１〜１０分間程
度浸漬する方法等を挙げることができる。前記剥離液と
しては、例えば、ジメチルスルホキシドとＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドの混合溶液等を使用することができ
る。樹脂膜部分の剥離後、基板上のメッキ造形物を形成
した領域以外の導電層を、例えばウエットエッチング法
等により除去することにより、所定のメッキ造形物を得
る。
【００５２】以下、実施例を挙げて本発明の実施の形態
をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に
制約されるものではない。以下において、部および％
は、特記しない限り重量基準である。 〈重合体（Ａ）の合成〉 合成例１ p−アセトキシスチレン６１ｇ、２−ベンジル−２−プ
ロピルアクリレート２６ｇおよびスチレン１３ｇをジオ
キサン１５０ｇと混合して均一溶液とした。この溶液を
３０分間窒素ガスによりバブリングしたのち、ＡＩＢＮ
４．５ｇを添加し、窒素ガスによるバブリングを継続し
つつ、反応温度を７０℃に維持して、７時間重合した。
重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合して、生
成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をジオキサ
ンに再溶解したのち、再度ヘキサンにより凝固させる操
作を数回繰り返して、未反応モノマーを除去し、減圧下
５０℃で乾燥して、白色の重合体を得た。得られた重合
体を、プロピレングリコールモノメチルエーテル５００
ｇに溶解したのち、２５％アンモニア水溶液５０ｇを添
加し、８０℃で５時間攪拌して、加水分解を行った。次
いで、反応溶液を０．２％蓚酸水溶液中に投入して、重
合体を凝固させたのち、水洗し、減圧下５０℃で乾燥し
て、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが１０，
０００であり、元素分析の結果、 p−ヒドロキシスチレ
ン、２−ベンジル−２−プロピルアクリレートおよびス
チレンの共重合重量比が、５４：３０：１６であった。
この重合体を、重合体Ａ−１とする。
をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に
制約されるものではない。以下において、部および％
は、特記しない限り重量基準である。 〈重合体（Ａ）の合成〉 合成例１ p−アセトキシスチレン６１ｇ、２−ベンジル−２−プ
ロピルアクリレート２６ｇおよびスチレン１３ｇをジオ
キサン１５０ｇと混合して均一溶液とした。この溶液を
３０分間窒素ガスによりバブリングしたのち、ＡＩＢＮ
４．５ｇを添加し、窒素ガスによるバブリングを継続し
つつ、反応温度を７０℃に維持して、７時間重合した。
重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合して、生
成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をジオキサ
ンに再溶解したのち、再度ヘキサンにより凝固させる操
作を数回繰り返して、未反応モノマーを除去し、減圧下
５０℃で乾燥して、白色の重合体を得た。得られた重合
体を、プロピレングリコールモノメチルエーテル５００
ｇに溶解したのち、２５％アンモニア水溶液５０ｇを添
加し、８０℃で５時間攪拌して、加水分解を行った。次
いで、反応溶液を０．２％蓚酸水溶液中に投入して、重
合体を凝固させたのち、水洗し、減圧下５０℃で乾燥し
て、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが１０，
０００であり、元素分析の結果、 p−ヒドロキシスチレ
ン、２−ベンジル−２−プロピルアクリレートおよびス
チレンの共重合重量比が、５４：３０：１６であった。
この重合体を、重合体Ａ−１とする。
【００５３】合成例２ ｐ−イソプロペニルフェノール４５ｇ、２−ベンジル−
２−プロピルアクリレート３０ｇおよびメチルアクリレ
ート２５ｇをジオキサン１５０ｇと混合して均一溶液と
した。この溶液を３０分間窒素ガスによりバブリングし
たのち、ＡＩＢＮ４．５ｇを添加し、窒素ガスによるバ
ブリングを継続しつつ、反応温度を７０℃に維持して、
７時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサ
ンと混合して、生成した重合体を凝固させた。次いで、
重合体をジオキサンに再溶解したのち、再度ヘキサンに
より凝固させる操作を数回繰り返して、未反応モノマー
を除去し、減圧下５０℃で乾燥して、白色の重合体を得
た。この重合体は、Ｍｗが１５，０００であり、元素分
析の結果、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−ベンジ
ル−２−プロピルアクリレートおよびメチルアクリレー
トの共重合重量比が、４５：３０：２５であった。この
重合体を、重合体Ａ−２とする。
２−プロピルアクリレート３０ｇおよびメチルアクリレ
ート２５ｇをジオキサン１５０ｇと混合して均一溶液と
した。この溶液を３０分間窒素ガスによりバブリングし
たのち、ＡＩＢＮ４．５ｇを添加し、窒素ガスによるバ
ブリングを継続しつつ、反応温度を７０℃に維持して、
７時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサ
ンと混合して、生成した重合体を凝固させた。次いで、
重合体をジオキサンに再溶解したのち、再度ヘキサンに
より凝固させる操作を数回繰り返して、未反応モノマー
を除去し、減圧下５０℃で乾燥して、白色の重合体を得
た。この重合体は、Ｍｗが１５，０００であり、元素分
析の結果、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−ベンジ
ル−２−プロピルアクリレートおよびメチルアクリレー
トの共重合重量比が、４５：３０：２５であった。この
重合体を、重合体Ａ−２とする。
【００５４】合成例３ 単量体として、ｐ−イソプロペニルフェノール３０ｇ、
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート２０ｇおよび
エチルアクリレート５０ｇを使用した以外は、合成例２
と同様にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍ
ｗが１８，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプ
ロペニルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアク
リレートおよびエチルアクリレートの共重合重量比が、
３０：２０：５０であった。この重合体を重合体Ａ−３
とする。
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート２０ｇおよび
エチルアクリレート５０ｇを使用した以外は、合成例２
と同様にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍ
ｗが１８，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプ
ロペニルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアク
リレートおよびエチルアクリレートの共重合重量比が、
３０：２０：５０であった。この重合体を重合体Ａ−３
とする。
【００５５】合成例４ 単量体として、ｐ−イソプロペニルフェノール４０ｇ、
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１０ｇおよびエチルア
クリレート２０ｇを使用した以外は、合成例２と同様に
して、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが１
７，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびエチル
アクリレートの共重合重量比が、４０：３０：１０：２
０であった。この重合体を、重合体Ａ−４とする。
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１０ｇおよびエチルア
クリレート２０ｇを使用した以外は、合成例２と同様に
して、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが１
７，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびエチル
アクリレートの共重合重量比が、４０：３０：１０：２
０であった。この重合体を、重合体Ａ−４とする。
【００５６】合成例５ 単量体として、ｐ−イソプロペニルフェノール４０ｇ、
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート２０ｇおよびベンジル
アクリレート１０ｇを使用した以外は、合成例２と同様
にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが２
０，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびベンジ
ルアクリレートの共重合重量比が、４０：３０：２０：
１０であった。この重合体を、重合体Ａ−５とする。
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート２０ｇおよびベンジル
アクリレート１０ｇを使用した以外は、合成例２と同様
にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが２
０，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびベンジ
ルアクリレートの共重合重量比が、４０：３０：２０：
１０であった。この重合体を、重合体Ａ−５とする。
【００５７】合成例６ 単量体として、ｐ−イソプロペニルフェノール３５ｇ、
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート２５ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１５ｇおよびイソボル
ニルアクリレート２５ｇを使用した以外は、合成例２と
同様にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗ
が１４，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロ
ペニルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびイ
ソボルニルアクリレートの共重合重量比が、３５：２
５：１５：２５であった。この重合体を、重合体Ａ−６
とする。
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート２５ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１５ｇおよびイソボル
ニルアクリレート２５ｇを使用した以外は、合成例２と
同様にして、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗ
が１４，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロ
ペニルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびイ
ソボルニルアクリレートの共重合重量比が、３５：２
５：１５：２５であった。この重合体を、重合体Ａ−６
とする。
【００５８】合成例７ 単量体として、ｐ−イソプロペニルフェノール４０ｇ、
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１５ｇおよびメチルア
クリレート１５ｇを使用した以外は、合成例２と同様に
して、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが２
０，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびメチル
アクリレートの共重合重量比が、４０：３０：１５：１
５であった。この重合体を、重合体Ａ−７とする。
２−ベンジル−２−プロピルアクリレート３０ｇ、２−
ヒドロキシプロピルアクリレート１５ｇおよびメチルア
クリレート１５ｇを使用した以外は、合成例２と同様に
して、白色の重合体を得た。この重合体は、Ｍｗが２
０，０００であり、元素分析の結果、ｐ−イソプロペニ
ルフェノール、２−ベンジル−２−プロピルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレートおよびメチル
アクリレートの共重合重量比が、４０：３０：１５：１
５であった。この重合体を、重合体Ａ−７とする。
【００５９】〈比較用重合体の合成〉 合成例８ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールを重量比４０：６０の
割合で混合したのち、ホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により重縮合して、樹脂を得た。次いで、
この樹脂を分別処理し、低分子成分を分離除去して、Ｍ
ｗが１５，０００のクレゾールノボラック樹脂を得た。
この樹脂を、重合体Ｒ−１とする。
割合で混合したのち、ホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により重縮合して、樹脂を得た。次いで、
この樹脂を分別処理し、低分子成分を分離除去して、Ｍ
ｗが１５，０００のクレゾールノボラック樹脂を得た。
この樹脂を、重合体Ｒ−１とする。
【００６０】
【実施例】実施例１〜１０ 表１に示す各成分を混合して、均一溶液としたのち、孔
径３μｍのテフロン（登録商標）製メンブレンフィルタ
ーでろ過して、各樹脂組成物を調製した。その後下記の
要領で、パターニング基板およびメッキ基板を作製し
て、各種評価を行った。評価結果を、表２に示す。
径３μｍのテフロン（登録商標）製メンブレンフィルタ
ーでろ過して、各樹脂組成物を調製した。その後下記の
要領で、パターニング基板およびメッキ基板を作製し
て、各種評価を行った。評価結果を、表２に示す。
【００６１】比較例１ 比較用の樹脂組成物として、従来からバンプ形成に使用
されているポジ型感光性樹脂組成物を調製した。すなわ
ち、重合体Ｒ−１を６０部、下記に示すポリ（ビニルメ
チルエーテル）溶液３０部（固形分）、下記式（２）で
表される多核フェノール化合物１０部、下記式（３）で
表される感光剤２０部、界面活性剤としてＢＭ−１００
０（商品名、ベーリンガーマンハイムケミー社製）０．
１部とノニオンＳ−６（商品名、花王（株）製）０．１
部、および溶剤として等重量比の２−ヒドロキシプロピ
オン酸エチルと３−エトキシプロピオン酸エチルを混合
して、固形分量４５％の組成物としたのち、孔径１０μ
ｍのテフロン製メンブレンフィルターでろ過して、比較
用の樹脂組成物を調製した。その後下記の要領で、パタ
ーニング基板およびメッキ基板を作製して、各種評価を
行った。評価結果を、表２に示す。〈ポリ（ビニルメチ
ルエーテル）溶液〉ポリ（ビニルメチルエーテル）（Ｍ
ｗ＝５０，０００）のメタノール溶液（東京化成工業
（株）製、濃度５０％）を、ロータリーエバポレーター
を用いて、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶剤置
換して、濃度５０％の溶液とした。 〈多核フェノール化合物〉下記式（２）で表される化合
物。
されているポジ型感光性樹脂組成物を調製した。すなわ
ち、重合体Ｒ−１を６０部、下記に示すポリ（ビニルメ
チルエーテル）溶液３０部（固形分）、下記式（２）で
表される多核フェノール化合物１０部、下記式（３）で
表される感光剤２０部、界面活性剤としてＢＭ−１００
０（商品名、ベーリンガーマンハイムケミー社製）０．
１部とノニオンＳ−６（商品名、花王（株）製）０．１
部、および溶剤として等重量比の２−ヒドロキシプロピ
オン酸エチルと３−エトキシプロピオン酸エチルを混合
して、固形分量４５％の組成物としたのち、孔径１０μ
ｍのテフロン製メンブレンフィルターでろ過して、比較
用の樹脂組成物を調製した。その後下記の要領で、パタ
ーニング基板およびメッキ基板を作製して、各種評価を
行った。評価結果を、表２に示す。〈ポリ（ビニルメチ
ルエーテル）溶液〉ポリ（ビニルメチルエーテル）（Ｍ
ｗ＝５０，０００）のメタノール溶液（東京化成工業
（株）製、濃度５０％）を、ロータリーエバポレーター
を用いて、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルに溶剤置
換して、濃度５０％の溶液とした。 〈多核フェノール化合物〉下記式（２）で表される化合
物。
【００６２】
【化３】
【００６３】〈感光剤〉４，４’−［１−［４−［１−
（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェ
ニル］エチリデン］ジフェノール１モルとナフトキノン
−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド２モルと
のエステル化反応により得られる、下記式（３）で表さ
れる化合物〔但し、式（３）で表される化合物は、３個
のＲが水素原子である成分、２個のＲが水素原子で１個
のＲがナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニ
ル基である成分、１個のＲが水素原子で２個のＲがナフ
トキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニル基である
成分、および３個のＲがナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−４−スルホニル基である成分の混合物である。〕
（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェ
ニル］エチリデン］ジフェノール１モルとナフトキノン
−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド２モルと
のエステル化反応により得られる、下記式（３）で表さ
れる化合物〔但し、式（３）で表される化合物は、３個
のＲが水素原子である成分、２個のＲが水素原子で１個
のＲがナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニ
ル基である成分、１個のＲが水素原子で２個のＲがナフ
トキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニル基である
成分、および３個のＲがナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−４−スルホニル基である成分の混合物である。〕
【００６４】
【化４】
【００６５】金スパッタ基板の作製 直径４インチのシリコンウエハー基板上に、クロムを厚
さが約５００Åとなるようにスパッタリングしたのち、
その上に、金を厚さが１，０００Åとなるようにスパッ
タリングして、導電層を形成した。以下、この導電層を
形成した基板を、「金スパッタ基板」という。
さが約５００Åとなるようにスパッタリングしたのち、
その上に、金を厚さが１，０００Åとなるようにスパッ
タリングして、導電層を形成した。以下、この導電層を
形成した基板を、「金スパッタ基板」という。
【００６６】パターンの形成 金スパッタ基板にスピンコーターを用いて、各樹脂組成
物を塗布したのち、ホットプレート上にて、９０℃で５
分間加熱して、厚さ２５μｍの樹脂膜を形成した。次い
で、パターンマスクを介し、超高圧水銀灯（ＯＳＲＡＭ
社製ＨＢＯ、出力１，０００Ｗ）を用いて、１，０００
〜３，０００Ｊ／ｍ2 の紫外線を露光した。露光量は、
照度計（（株）オーク製作所製、ＵＶ−Ｍ１０（照度
計）にプローブＵＶ−３５（受光器）をつないだもの）
により確認した。露光後、ホットプレート上にて、１０
０℃で５分間ＰＥＢを行った。次いで、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、室温
で１分間浸漬して現像したのち、流水洗浄し、窒素ブロ
ーして、パターンを形成した。以下、このパターンを形
成した基板を、「パターニング基板」という。
物を塗布したのち、ホットプレート上にて、９０℃で５
分間加熱して、厚さ２５μｍの樹脂膜を形成した。次い
で、パターンマスクを介し、超高圧水銀灯（ＯＳＲＡＭ
社製ＨＢＯ、出力１，０００Ｗ）を用いて、１，０００
〜３，０００Ｊ／ｍ2 の紫外線を露光した。露光量は、
照度計（（株）オーク製作所製、ＵＶ−Ｍ１０（照度
計）にプローブＵＶ−３５（受光器）をつないだもの）
により確認した。露光後、ホットプレート上にて、１０
０℃で５分間ＰＥＢを行った。次いで、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、室温
で１分間浸漬して現像したのち、流水洗浄し、窒素ブロ
ーして、パターンを形成した。以下、このパターンを形
成した基板を、「パターニング基板」という。
【００６７】メッキ造形物の形成 パターニング基板に対して、電解メッキの前処理とし
て、酸素プラズマによるアッシング処理（出力２００
Ｗ、酸素流量２００ミリリットル、処理時間２分）を行
って、親水化処理を行った。次いで、この基板をノンシ
アン金メッキ液（エヌ・イー・ケムキャット（株）製、
商品名ＥＣＦ８８Ｋ）２リットル中に浸漬し、メッキ浴
温度６０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 に設定して、約
６０分間電解メッキを行い、厚さ１９〜２０μｍのバン
プ用メッキ造形物を形成した。次いで、流水洗浄し、窒
素ガスにてブローして乾燥したのち、室温にて、ジメチ
ルスルホキシドとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの混合
溶液（重量比＝５０：５０）中に５分間浸漬して、樹脂
膜部分を剥離し、さらに基板上のメッキ造形物を形成し
た領域以外の導電層をウエットエッチングにより除去す
ることにより、メッキ造形物を有する基板を得た。以
下、このメッキ造形物を有する基板を、「メッキ基板」
という。
て、酸素プラズマによるアッシング処理（出力２００
Ｗ、酸素流量２００ミリリットル、処理時間２分）を行
って、親水化処理を行った。次いで、この基板をノンシ
アン金メッキ液（エヌ・イー・ケムキャット（株）製、
商品名ＥＣＦ８８Ｋ）２リットル中に浸漬し、メッキ浴
温度６０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2 に設定して、約
６０分間電解メッキを行い、厚さ１９〜２０μｍのバン
プ用メッキ造形物を形成した。次いで、流水洗浄し、窒
素ガスにてブローして乾燥したのち、室温にて、ジメチ
ルスルホキシドとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの混合
溶液（重量比＝５０：５０）中に５分間浸漬して、樹脂
膜部分を剥離し、さらに基板上のメッキ造形物を形成し
た領域以外の導電層をウエットエッチングにより除去す
ることにより、メッキ造形物を有する基板を得た。以
下、このメッキ造形物を有する基板を、「メッキ基板」
という。
【００６８】評価 （１）感度 金スパッタ基板に、マスク設計寸法で４０μｍピッチの
パターン（３０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパ
ターン）を形成したとき、抜きパターンの底部の寸法が
３０μｍになる露光量を最適露光量とし、この最適露光
量より評価した。 （２）解像度 マスク設計寸法で４０μｍピッチの２種のパターン（３
０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパターン、３２
μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅残しパターン）を別々に
形成した２枚のパターニング基板を、光学顕微鏡と走査
型電子顕微鏡にて観察し、下記の基準で評価した。 ○： ３２μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅残しパターン
が解像できる。 △： ３０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパター
ンは解像できるが、３２μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅
残しパターンが解像できない。 ×： ４０μｍピッチのパターンが解像できないかある
いは再現性よく解像できない。
パターン（３０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパ
ターン）を形成したとき、抜きパターンの底部の寸法が
３０μｍになる露光量を最適露光量とし、この最適露光
量より評価した。 （２）解像度 マスク設計寸法で４０μｍピッチの２種のパターン（３
０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパターン、３２
μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅残しパターン）を別々に
形成した２枚のパターニング基板を、光学顕微鏡と走査
型電子顕微鏡にて観察し、下記の基準で評価した。 ○： ３２μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅残しパターン
が解像できる。 △： ３０μｍ幅抜きパターン／１０μｍ幅残しパター
ンは解像できるが、３２μｍ幅抜きパターン／８μｍ幅
残しパターンが解像できない。 ×： ４０μｍピッチのパターンが解像できないかある
いは再現性よく解像できない。
【００６９】（３）パターンの寸法忠実性 マスク寸法で４０μｍピッチのパターン（３０μｍ幅抜
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板を、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観
察し、抜きパターンの頂部寸法（Ｗｔ）と底部寸法（Ｗ
ｂ）を測定して、マスク寸法（３０μｍ）に対するパタ
ーンの寸法忠実性を評価した。 （４）メッキの形状 マスク寸法で４０μｍピッチのパターン（３０μｍ幅抜
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板にメッキ造形物を形成したメッキ基板を、
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観察し、下記の基準
で評価した。 ○： メッキの形状が、樹脂膜から形成されたパターン
形状を忠実に転写しており、こぶ状の異常突出は認めら
れない。 ×： メッキの形状が、樹脂膜から形成されたパターン
形状を忠実に転写せず、こぶ状の異常突出が認められ
る。 （５）メッキの寸法忠実性 マスク寸法で４０μｍピッチのパターン（３０μｍ幅抜
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板にメッキ造形物を形成したメッキ基板を、
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観察し、メッキ部分
の頂部寸法（Ｗｔ）と底部寸法（Ｗｂ）を測定して、マ
スク寸法（３０μｍ）に対するメッキの寸法忠実性を評
価した。
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板を、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観
察し、抜きパターンの頂部寸法（Ｗｔ）と底部寸法（Ｗ
ｂ）を測定して、マスク寸法（３０μｍ）に対するパタ
ーンの寸法忠実性を評価した。 （４）メッキの形状 マスク寸法で４０μｍピッチのパターン（３０μｍ幅抜
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板にメッキ造形物を形成したメッキ基板を、
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観察し、下記の基準
で評価した。 ○： メッキの形状が、樹脂膜から形成されたパターン
形状を忠実に転写しており、こぶ状の異常突出は認めら
れない。 ×： メッキの形状が、樹脂膜から形成されたパターン
形状を忠実に転写せず、こぶ状の異常突出が認められ
る。 （５）メッキの寸法忠実性 マスク寸法で４０μｍピッチのパターン（３０μｍ幅抜
きパターン／１０μｍ幅残しパターン）を形成したパタ
ーニング基板にメッキ造形物を形成したメッキ基板を、
光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて観察し、メッキ部分
の頂部寸法（Ｗｔ）と底部寸法（Ｗｂ）を測定して、マ
スク寸法（３０μｍ）に対するメッキの寸法忠実性を評
価した。
【００７０】表１において、重合体（Ａ）以外の成分
は、次のとおりである。酸発生剤（Ｂ） Ｂ−１： ４，７−ジ−ｎ−ブトキシナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート Ｂ−２： ４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート 酸拡散制御剤 Ｄ−１：２，４，６−トリ（２−ピリジル）−ｓ−トリ
アジン有機溶剤 Ｃ−１：乳酸エチル Ｃ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート
は、次のとおりである。酸発生剤（Ｂ） Ｂ−１： ４，７−ジ−ｎ−ブトキシナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート Ｂ−２： ４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート 酸拡散制御剤 Ｄ−１：２，４，６−トリ（２−ピリジル）−ｓ−トリ
アジン有機溶剤 Ｃ−１：乳酸エチル Ｃ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート
【００７１】
【表１】
【００７２】
【表２】
【００７３】
【発明の効果】本発明のメッキ造形物製造用組成物は、
電解メッキの鋳型となるパターンをマスク寸法に忠実に
形成できるとともに、電解メッキ段階でも、鋳型となる
パターンの形状を正確に転写し、かつマスク寸法に忠実
なメッキ造形物を形成でき、しかも感度、解像度等にも
優れている。したがって、本発明のメッキ造形物製造用
組成物は、集積回路素子におけるバンプあるいは配線等
の厚膜のメッキ造形物の製造に極めて好適に使用するこ
とができる。
電解メッキの鋳型となるパターンをマスク寸法に忠実に
形成できるとともに、電解メッキ段階でも、鋳型となる
パターンの形状を正確に転写し、かつマスク寸法に忠実
なメッキ造形物を形成でき、しかも感度、解像度等にも
優れている。したがって、本発明のメッキ造形物製造用
組成物は、集積回路素子におけるバンプあるいは配線等
の厚膜のメッキ造形物の製造に極めて好適に使用するこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 5/02 Ｃ２５Ｄ 5/02 Ｅ 7/12 7/12 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５１２ ５１２ 7/11 ５０３ 7/11 ５０３ 7/38 ５１１ 7/38 ５１１ 7/40 ５２１ 7/40 ５２１ 7/42 7/42 (72)発明者 岩永 伸一郎 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AB11 AB16 AC01 AD03 BE00 BG00 CC03 DA30 EA08 FA03 FA12 FA17 FA39 FA43 FA48 2H096 AA25 BA11 BA20 CA05 CA16 EA02 FA01 GA08 HA27 JA04 LA02 LA16 4F071 AA22X AA33 AA33X AA76X AC03 AC12 AC13 AC14 AE03 AH19 BA02 BB02 BB12 BC02 4J002 BC081 BC091 BC121 BG011 BG041 BG051 BG071 BG101 BJ001 BL011 BL021 BQ001 EB096 EB126 EQ016 EU186 EV236 EV246 EV266 EV296 EW056 EY016 FD156 GP03 4K024 AA11 AB01 AB02 AB08 AB15 BB12 FA06 GA16
Claims (8)
- 【請求項１】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体および（Ｂ）放射線
の照射により酸を発生する成分を含有するメッキ造形物
製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体、（Ｂ）放射線の照
射により酸を発生する成分および（Ｃ）有機溶剤を含有
し、（Ｂ）成分の含有量が（Ａ）成分１００重量部に対
して０．１〜２０重量部、および（Ｃ）成分の含有量が
組成物中の固形分含量が３０〜９０重量％となる量であ
る請求項１記載のメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性
樹脂組成物。 - 【請求項３】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体中の該酸解離性官能
基が酸により解離して発生する酸解離物質の１気圧にお
ける沸点が２０℃以上であることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載のメッキ造形物製造用ポジ型感放
射線性樹脂組成物。 - 【請求項４】 （Ａ）酸により解離して酸性官能基を生
じる酸解離性官能基を有する重合体中の該酸解離性官能
基を有する繰返し単位が下記一般式（１）で表される単
位からなることを特徴とする請求項３に記載のメッキ造
形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ1 は水素原子またはメチル
基を示し、Ｒ2 は置換されてもよい炭素数６〜２０の１
価の脂環族基または置換されてもよい炭素数６〜２０の
１価の芳香族基を示す。〕 - 【請求項５】 （イ）請求項１〜４の何れかに記載のメ
ッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物を、表面
に導電層を有する基板上に塗布したのち乾燥して樹脂膜
を形成する工程、（ロ）該樹脂膜に所定の形状に放射線
を照射後加熱し、さらに現像してパターンを形成する工
程、（ハ）基板上に形成された該パターンを鋳型とし所
定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を形成する工程、
（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工程、および
（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域以外の導電
層を除去する工程を経てなることを特徴とするメッキ造
形物の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４の何れかに記載のメッキ造
形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物を支持体フィル
ム上に塗布して乾燥したのち、該支持体フィルムを剥離
することにより形成された樹脂膜からなるメッキ造形物
製造用ポジ型感放射線性樹脂膜。 - 【請求項７】 （イ）請求項６に記載のメッキ造形物製
造用ポジ型感放射線性樹脂膜を、表面に導電層を有する
基板上に積層する工程、（ロ）積層された樹脂膜に所定
の形状に放射線を照射後加熱し、さらに現像してパター
ンを形成する工程、（ハ）基板上に形成された該パター
ンを鋳型とし所定厚さに電解メッキしてメッキ造形物を
形成する工程、（ニ）基板から樹脂膜部分を剥離する工
程、および（ホ）基板上のメッキ造形物を形成した領域
以外の導電層を除去する工程を経てなることを特徴とす
るメッキ造形物の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に形成または積層された樹脂膜の
膜厚が２０〜１００μｍであることを特徴とする請求項
５または請求項７のメッキ造形物の製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000090783A JP4370668B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 |
| US10/224,608 US20040038148A1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-21 | Positive type radiation-sensitive resin composition for producing product formed by plating and process for producing product formed by plating |
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000090783A JP4370668B2 (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 |
| US10/224,608 US20040038148A1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-21 | Positive type radiation-sensitive resin composition for producing product formed by plating and process for producing product formed by plating |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2001281862A true JP2001281862A (ja) | 2001-10-10 |
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ID=32472388
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