JP4998278B2 - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感放射線性樹脂組成物 Download PDF

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Description

本発明はエッチング用マスク材に好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
集積回路素子製造などの技術分野においては、技術の進展に伴い、リソグラフィーによる微細加工技術の高精度化が求められている。
このリソグラフィーに用いる材料として、ポジ型感放射線性樹脂組成物が知られている。ポジ型感放射線性樹脂組成物は、紫外線などの放射線の照射およびその後の化学作用により樹脂の極性を変化させて、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させることにより、パターニングを可能としている。したがって、ポジ型感放射線性樹脂組成物により形成された膜のパターニングされた部分の樹脂は、架橋をされておらず、パターニング部分を、一般的な有機溶剤により容易に剥離できる点で優れている。
例えば、実装工程において、半導体デバイスの微細パターン(サブミクロンサイズ)を形成するために使用されるレジストとして上記ポジ型感放射線性樹脂組成物が検討されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、これら従来のポジ型感放射線性組成物を、基板上に形成された金属層をエッチングするためのマスク材として使用する場合、特に金層をエッチングするためのマスク材として使用しても、必ずしも満足のいく微細加工ができるわけではなかった。
特開平2000−122283号公報
本発明は、パターン形成時の解像度に優れ、しかもエッチング性に優れる、エッチング用マスク材、特に金エッチング用マスク材として好適なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物は、
(A)共重合体を構成する全構造単位を100質量%としたときに、下記一般式(1)、および(2)で表される構造単位より選ばれる少なくとも1種の構造単位(a)を1〜35質量%、下記一般式(3)で表される構造単位(b)を15〜25質量%、ならびに下記一般式(4)で表される酸解離性官能基(c)を15〜40質量%の割合で含有する共重合体と、
(B)感放射線性酸発生剤と、
(C)有機溶媒とを含有することを特徴とする。
Figure 0004998278
(式(1)および(2)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R2は−(CH2q−であり、qは0〜3の整数である。またR3は炭素数1〜4のアルキル基であり、mは0
〜4の整数である。)
Figure 0004998278
(式(3)中、R1は水素原子またはメチル基であり、nは1〜4の整数である。)
Figure 0004998278
(式(4)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R4〜R6は、それぞれ独立に、炭
素数1〜4のアルキル基、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基、および、これら基において少なくとも一つの水素原子が炭化水素基以外の極性基に置換されている基から選ばれる基である。R4〜R6のいずれか2つがアルキル基もしくは置換アルキル基である場合は、そのアルキル鎖が相互に結合して、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基もしくは置換脂環式炭化水素基を形成していてもよい。)
上記共重合体(A)は、さらに下記式(5)で表される構造単位を有することが好ましい。
Figure 0004998278
(式(5)中、R7は水素原子またはメチル基であり、R8はそれぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基であり、kは1〜4の整数、hは0〜4の整数である。ただし、k+hは1〜5である。)
上記共重合体(A)は、さらに下記式(6)で表される構造単位を有することが好ましい。
Figure 0004998278
(式(6)中、R9は水素原子またはメチル基であり、R10はそれぞれ独立に炭素数7〜
20の炭素原子および水素原子のみからなる多環型脂環式炭化水素基であって、1級炭化水素基または2級炭化水素基である。)
本発明の上記ポジ型感放射線性樹脂組成物は、金のウェットエッチング用マスク材に好適に使用できる。
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物によれば、解像度の優れたパターンを形成できる。また、このポジ型感放射線性樹脂組成物から得られるエッチング用マスク材は、エッチング性に優れる。
以下、本発明を具体的に説明する。
<共重合体(A)>
本発明に用いられる共重合体(A)は、下記一般式(1)、および(2)で表される構造単位より選ばれる少なくとも1種の構造単位(a)、下記一般式(3)で表される構造単位(b)、および酸解離性官能基(c)を有する点に特徴がある。
〔構造単位(a)〕
上記構造単位(a)は、下記一般式(1)、および(2)で表される少なくとも1種である。
Figure 0004998278
(式(1)および(2)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R2は−(CH2q−であり、qは0〜3の整数である。またR3は炭素数1〜4のアルキル基であり、mは0
〜4の整数である。)
上記一般式(1)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(1’)を用いて重合体Aを重合することにより得ることができる。また、上記一般式(2)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(2’)から形成することができる。
Figure 0004998278
一般式(1’)および(2’)中、R1は水素原子またはメチル基を示し、R2は−(CH2)q−で、qは0〜3の整数である。またR3は炭素数1〜4のアルキル基であり、mは0〜4の整数である。
単量体(1’)としては、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミド、o−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミド、m−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミド、p−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリルアミド、3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリルアミド、3,5−tertブチル−4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリルアミド、o−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリルアミドなどのアミド基含有ビニル化合物が挙げられる。
単量体(2’)としては、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、o−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、m−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、p−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、3,5−tertブチル−4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、o−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類が挙げられる。
これらの単量体(1’)および(2’)の中では、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリルアミド、3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリルアミド、p−ヒドロキシフェニルメタクリレート、p−ヒドロキシベンジルメタクリレートが好ましい。
単量体(1’)または(2’)は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。また、単量体(1’)と単量体(2’)は組み合わせて用いてもよい。
〔構造単位(b)〕
上記構造単位(b)は、下記一般式(3)で表される。
Figure 0004998278
(式(3)中、R1は水素原子またはメチル基であり、nは1〜4の整数である。)
このような上記一般式(3)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(3’)から形成することができる。
Figure 0004998278
一般式(3’)中、R1は水素原子またはメチル基であり、nは1〜4の整数である。
このような単量体(3’)としては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
これらの単量体(3’)の中では、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シプロピルメタクリレートが好ましい。
〔酸解離性官能基(c)〕
上記酸解離性官能基(c)は、下記一般式(4)で表される。
Figure 0004998278
(式(4)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R4〜R6は、それぞれ独立に、炭
素数1〜4のアルキル基、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基、および、これら基において少なくとも一つの水素原子が炭化水素基以外の極性基に置換されている基から選ばれる基である。R4〜R6のいずれか2つがアルキル基もしくは置換アルキル基である場合は、そのアルキル鎖が相互に結合して、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基もしくは置換脂環式炭化水素基を形成していてもよい。)
このような上記一般式(4)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(4’)から形成することができる。
Figure 0004998278
一般式(4’)において、R1は水素原子またはメチル基である。
一般式(4’)において、R4〜R6は、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基、および、これら基において少なくとも一つの水素原子が炭化水素基以外の極性基に置換されていてもよい基から選ばれる基である。また、R4〜R6のいずれか2つがアルキル基もしくは置換アルキル基である場合は、そのアルキル鎖が相互に結合して、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基もしくは置換脂環式炭化水素基を形成していてもよい。
上記炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などが挙げられる。
上記炭素数4〜20の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、 シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアル
キル基;
アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、テトラシクロ[ 6.2.1. 13,6
.02,7 ]ドデカン、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカンなどの有橋式炭化水素類に由来する基などが挙げられる。
また、R4〜R6のいずれか2つがアルキル基もしくは置換アルキル基である場合は、そのアルキル鎖が相互に結合して、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基もしくは置換脂環式炭化水素基を形成していてもよいが、この形成される脂環式炭化水素基としては、上記脂環式炭化水素基と同様のものを挙げることができる。
また、水素原子と置換される炭化水素基以外の極性基としては、例えば、クロロ基;ヒドロキシル基;カルボキシル基;
ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基などのヒドロキシアルキル基;
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基などの炭素数1〜6のアルコキシル基;
シアノ基;
シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等の炭素数2〜6のシアノアルキル基などが挙げられる。
このような単量体(4’)としては、例えば、t−ブチル(メタ)アクリレート、1,1−ジメチル−プロピル(メタ)アクリレート、1,1−ジメチル−ブチル(メタ)アクリレート、2−シクロヘキシルプロピル(メタ)アクリレート、1,1−ジメチル−フェニル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、2−t−ブトキシカルボニルメチル(メタ)アクリレート、2−ベンジルオキシカルボニルエチル(メタ)アクリレート、2−メチルアダマンチル(メタ)アクリレート、1,1−ジメチル−3−オキソブチル(メタ)アクリレート、2−ベンジルプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
これら単量体(4’)の中でも、t−ブチルアクリレート、1,1−ジメチル−プロピルアクリレートが好ましい。
本発明の共重合体(A)では、共重合体(A)を構成する全構造単位を100質量%としたときに、下記一般式(1)、および(2)で表される構造単位より選ばれる少なくとも1種の構造単位(a)を通常1〜35質量%、好ましくは2〜30質量%、より好ましくは3〜25質量%、下記一般式(3)で表される構造単位(b)を通常15〜25質量%、好ましくは16〜23質量%、より好ましくは17〜21質量%、ならびに下記一般式(4)で表される酸解離性官能基(c)を通常15〜40質量%、好ましくは16〜35質量%、より好ましくは17〜30質量%の割合で含有する点に特徴がある。
このような共重合体(A)が含まれるポジ型感放射線性樹脂組成物から得られる樹脂膜を用いると、解像度の優れたパターンを形成できる。また、上記ポジ型感放射線性樹脂組成物から得られるエッチング用マスク材は、エッチング性、特に金に対するエッチング性に優れる。
上記構造単位(a)の下限値を下回った場合には、金エッチング時、レジストパターンの基板密着性が低下し、特に微細パターンではレジスト膜が基板から剥がれやすくなる。
上記構造単位(b)の下限値を下回った場合には、エッチング液との濡れ性が悪くなる傾向にあるため、エッチング性に優れず、またその上限値を上回った場合には、エッチン
グ時に形成される膜が膨潤しすぎる傾向にあり、形成されるパターンの解像度に優れない。
上記構造単位(c)の上限値を上回った場合には形成されるパターンの解像度不足となり、特に、微細パターンの形成がうまくいかない傾向にある。
〔構造単位(d)〕
上記共重合体(A)は、現像液に対する溶解性を向上させるという観点からは、さらに下記式(4)で表される構造単位(以下、「構造単位(d)」ともいう。)を有することが好ましい。
Figure 0004998278
(式(5)中、R7は水素原子またはメチル基であり、R8はそれぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基であり、kは1〜4の整数、hは0〜4の整数である。ただし、k+hは1〜5である。)
このような上記一般式(5)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(5’)から形成することができる。
Figure 0004998278
一般式(5’)中、R7は水素原子またはメチル基である。
また、R8はそれぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基であり、kは1〜4の整数、h
は0〜4の整数である。ただし、k+hは1〜5である。
上記炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基などが挙げられる。
このような単量体(5’)としては、例えば、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、などが挙げられ
る。
これら単量体(5’)の中でも、p−イソプロペニルフェノール、p−ヒドロキシスチレンが好ましい。
本発明の共重合体(A)では、共重合体(A)を構成する全構造単位を100質量%としたときに、上記構造単位(d)を好ましくは1〜40質量%、より好ましくは10〜35質量%、さらに好ましくは15〜30質量%含んでいる。
構造単位(d)を上記質量%の範囲含むことで、アルカリ現像液に対して適度な溶解性を保持し、パターン形成時の感度、解像性を向上することができる。
〔構造単位(e)〕
上記共重合体(A)は、樹脂組成物のガラス転移温度を一定以上に保ち、エッチング液による樹脂膜の膨潤を抑制するという観点からは、さらに下記式(6)で表される構造単位(以下、「構造単位(e)」ともいう。)を有することが好ましい。
Figure 0004998278
(式(6)中、R9は水素原子またはメチル基であり、R10はそれぞれ独立に炭素数7〜
20の炭素原子および水素原子のみからなる多環型脂環式炭化水素基であって、1級炭化水素基または2級炭化水素基である。)
このような上記一般式(6)の構造は、例えば、下記一般式で表される単量体(6’)から形成することができる。
Figure 0004998278
一般式(6’)中、R9は水素原子またはメチル基である。また、R10はそれぞれ独立
に炭素数7〜20の炭素原子および水素原子のみからなる多環型脂環式炭化水素基であって、1級炭化水素基または2級炭化水素基である。
上記炭素数7〜20の炭素原子および水素原子のみからなる多環型脂環式炭化水素基としては、イソボロニル基、トリシクロデカニル基などが挙げられる。
このような単量体(6’)としては、例えば、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、シクロヘキサンアクリレートなどが挙げられる。
これら単量体(6’)の中でも、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ]デカンメタクリレートが好ましい。
本発明の共重合体(A)では、共重合体(A)を構成する全構造単位を100質量%としたときに、上記構造単位(e)を好ましくは1〜40質量%、より好ましくは5〜35質量%、さらに好ましくは10〜30質量%含んでいる。
構造単位(e)を上記質量%の範囲含むことで、樹脂のガラス転移温度を一定温度以上に保ち、エッチング時の樹脂膜の膨潤を防ぐことができる。
〔その他の構造単位〕
共重合体(A)には、単量体(1’)〜(4’)さらに必要に応じて使用する単量体(5’)および(6’)に加えて、それ以外の共重合可能な単量体(以下、「単量体(7’)」という。)から得られる構造単位が含まれていてもよい。
上記単量体(7’)としては、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレンなどの芳香族ビニル化合物;
N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタムなどのヘテロ原子含有脂環式ビニル化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノ基含有ビニル化合物;
1.3−ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類;
アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド基含有ビニル化合物;
アクリル酸、メタクリル酸などのカルボキシル基含有ビニル化合物;
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類などが挙げられる。
これら単量体(7’)のうち、メチルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレートなどのアクリル酸エステルが好ましい。
単量体(7’)は単独でまたは2種以上混合して使用できる。
共重合体(A)は、例えば、上述の単量体を共重合することにより製造できる。
重合はラジカル重合によって行うことができる。重合開始剤としては、通常のラジカル重合開始剤を用いることができる。
上記ラジカル重合開始剤としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ化合物や、ベンゾイルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、t−ブチルペルオキシドなどの有機過酸化物などが挙げられる。
また、重合方法としては、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、塊状重合法などが挙げられるが、特に溶液重合法が好ましい。
上記溶液重合法に用いられる溶媒は、使用される単量体成分と反応せず、生成する重合体を溶解するものであれば特に限定されない。例えば、メタノール、エタノール、n−ヘキサン、トルエン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
これら溶媒は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。
なお、共重合体(A)が溶液重合法により製造された場合、得られる重合体溶液をそのままポジ型感放射線性樹脂組成物の調製に供してもよく、あるいは重合体溶液から共重合体(A)を分離してポジ型感放射線性樹脂組成物の調製に供してもよい。
また、重合に際しては、必要に応じて、例えばメルカプタン化合物、ハロゲン炭化水素などの分子量調節剤を使用することができる。
共重合体(A)の分子量は、単量体組成、ラジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度などの重合条件を適切に選択することにより調節することができる。共重合体(A)の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)で、通常、3,000〜50,000、好ましくは5,000〜20,000である。
この場合、重合体(A)のMwが上記範囲にあることにより、解像性能とエッチング性の両立が容易となる。
本発明において、重合体(A)は単独でまたは2種以上混合して使用できる。
<感放射線性酸発生剤(B)>
本発明に用いられる感放射線性酸発生剤(B)は、露光により酸を発生する化合物である。この発生する酸の作用により、共重合体(A)中に存在する酸解離性官能基が解離して、例えばカルボキシル基、フェノール性水酸基などの酸性官能基が生成する。その結果、ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成された樹脂膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のパターンを形成することができる。
感放射線性酸発生剤(B)としては、例えば、オニウム塩化合物(ただし、チオフェニウム塩化合物を含む。)、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物などが挙げられる。
オニウム塩化合物としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩などが挙げられる。
上記オニウム塩化合物としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム−n−ドデ
シルベンゼンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロブタンスルホネートなどが好ましい。
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物などが挙げられる。
上記ハロゲン含有化合物としては、1,10−ジブロモ−n−デカン、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタンや、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、4−メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、スチリル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどの(トリクロロメチル)−s−トリアジン誘導体が好ましい。
ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などが挙げられる。
上記ジアゾケトン化合物としては、フェノール類の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル化物、フェノール類の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル化物などが好ましい。
スルホン化物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物などが挙げられる。
上記スルホン化合物としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタンなどが好ましい。
スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどが挙げられる。
上記スルホン酸化合物としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジル−p−トルエンスルホネートなどが好ましい。
スルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリ
フルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.1.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.1.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−(10−カンファ−スルホニルオキシ)ナフチルイミドなどが挙げられる。
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−1,1−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタンなどが挙げられる。
これら感放射線性酸発生剤(B)のうち、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートなどがさらに好ましく、特に、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロブタンスルホネートが好ましい。
本発明において、感放射線性酸発生剤(B)は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。
酸発生剤(B)の使用量は、感度と解像性能の観点から、共重合体(A)100質量部に対して、通常0.5〜5質量部、好ましくは1〜3質量部である。
<有機溶媒(C)>
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物は、前述した共重合体(A)、および感放射線性酸発生剤(B)、さらに必要に応じて配合される、後述の他のアルカリ可溶性樹脂(D)、および添加剤などを均一に混合する目的で、有機溶媒(C)を添加できる。
上記有機溶媒(C)としては、上述の共重合体(A)の溶液重合法で使用する溶媒が挙げられる。それ以外にも、上記有機溶媒(C)として、ジメチルスルホキシド、アセトニルアセトン、イソホロン、炭酸プロピレンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。
有機溶媒(C)の使用量は、ポジ型感放射線性樹脂組成物の塗布方法、用途などを考慮して調整できる。組成物を均一に混合させることができれば、使用量は特に限定されないが、ポジ型感放射線性樹脂組成物の全質量100質量部に対して、有機溶媒(C)が50〜300質量部含まれていることが好ましく、100〜200質量部含まれることがより好ましい。有機溶媒(C)が上記範囲内にあることにより、適度な粘度となり、基板上へスピンコートする際の膜厚のコントロールを容易にできる。
<他のアルカリ可溶性樹脂>
また、本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物には、場合により、共重合体(A)以外のアルカリ可溶性樹脂(以下、「他のアルカリ可溶性樹脂(D)」という。)を添加することができる。
他のアルカリ可溶性樹脂(D)は、アルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基などの酸性官能基を1種以上有する、アルカリ現像液に可溶な樹脂である。
このようなアルカリ可溶性樹脂を添加することにより、ポジ型感放射線性樹脂組成物から形成した樹脂膜のアルカリ現像液への溶解速度の制御がより容易となるので、現像性をさらに向上することができる。
他のアルカリ可溶性樹脂(D)は、アルカリ現像液に可溶である限り特に限定されない。この樹脂(D)としては、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、p−ビニル安息香酸、p−カルボキシメチルスチレン、p−カルボキシメトキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などの酸性官能基を有する少なくとも1種の単量体を重合して得られる付加重合系樹脂およびノボラック樹脂に代表される酸性官能基を有する重縮合系樹脂などが挙げられる。
アルカリ可溶性の付加重合系樹脂は、前記酸性官能基を有する単量体の重合性不飽和結合が開裂した繰返し単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、1種以上の他の繰返し単位をさらに含有することもできる。
前記他の繰返し単位としては、スチレン、α−メチルスチレン、o−ビニルトルエン、m−ビニルトルエン、p−ビニルトルエン、無水マレイン酸、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド、2−ビニルピリジン、3−ビニルピリジン、4−ビニルピリジン、N−ビニルアニリン、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、N−ビニルイミダゾールなどが挙げられる。
アルカリ可溶性の付加重合系樹脂としては、樹脂膜としたときの放射線の透過性が高く、またウェットエッチング耐性にも優れるという観点から、特に、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、p−イソプロペニルフェノールの共重合体が好ましい。
アルカリ可溶性の付加重合系樹脂の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)で、通常、1,000〜200,000、好ましくは5,000〜50,000である。
また、アルカリ可溶性の重縮合系樹脂は、酸性官能基を有する縮合系繰返し単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の縮合系繰返し単位をさらに含有することもできる。
このような重縮合系樹脂は、例えば、1種以上のフェノール類と1種以上のアルデヒド類とを、場合により他の縮合系繰返し単位を形成しうる重縮合成分と共に、酸性触媒または塩基性触媒の存在下、水媒質中または水と親水性溶媒との混合媒質中で(共)重縮合す
ることによって製造することができる。
上記フェノール類としては、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノールなどが挙げられる。また上記アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒドなどが挙げられる。
アルカリ可溶性の重縮合系樹脂の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)で、通常、1,000〜100,000、好ましくは2,000〜50,000である。
これらの他のアルカリ可溶性樹脂は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。他のアルカリ可溶性樹脂(D)の使用量は、共重合体(A)100質量部に対して、通常、200質量部以下である。
<酸拡散制御剤>
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物には、酸発生剤(B)から発生する酸の樹脂膜中における拡散を制御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制するために、酸拡散制御剤を配合してもよい。このような酸拡散制御剤を使用することにより、組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光からPEBまでの引き置き時間の変動によるパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れる。
酸拡散制御剤としては、エッチング用マスク材の製造工程における露光や加熱により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
上記含窒素有機化合物としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどが挙げられる。これらの含窒素有機化合物のうち、特に2,4,6−トリ(2−ピリジル)−s−トリアジンが好ましい。
上記酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。
酸拡散制御剤の使用量は、共重合体(A)100質量部当り、通常、1質量部以下、好ましくは0.001〜0.5質量部、さらに好ましくは0.01〜0.3質量部である。酸拡散制御剤の使用量が上記範囲内にあることにより、未露光部への酸の拡散を制御しつつ、露光部分の酸の中和を最低限に抑えることができる。
<界面活性剤>
また、本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物には、塗布性、現像性などを改良する
ために界面活性剤を配合してもよい。
上記界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレンオキサイドペルフルオロノネニルエーテル、ポリエチレングリコールジステアレートなどが挙げられる。上記界面活性剤としてはポリエチレンオキサイドペルフルオロノネニルエーテルが好ましく、そのような界面活性剤としては、FTX−218〔ネオス社製〕を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは2種以上混合して使用できる。界面活性剤の使用量は、共重合体(A)100質量部に対して、通常、2質量部以下である。
<他の添加剤>
さらに、本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物に配合可能な他の添加剤としては、紫外線吸収剤、増感剤、分散剤、可塑剤、保存安定性を高めるための熱重合禁止剤、酸化防止剤などが挙げられる。中でも紫外線吸収剤は、露光時の散乱光の未露光部への回り込みによる光反応を阻止する作用があるために有用である。このような紫外線吸収剤としては、露光に使用される紫外線の波長域で高い吸光係数を有する化合物が好ましい。また、有機顔料も同様の目的に使用することができる。
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物によれば、金スパッタ基板上に解像度の優れたパターンを形成でき、しかも金スパッタのエッチング性に優れる。したがって、本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物は、金のウエットエッチング用のマスク材に好適に用いられる。
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物により、エッチングされた金スパッタ基板を製造する方法としては、例えば、
(1)金スパッタされたシリコンウエハ基板上に、上記ポジ型感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜を形成する工程、
(2)上記樹脂膜を露光した後に現像してパターンを形成する工程、
(3)上記パターンを鋳型として、金エッチング液により、金スパッタ層をエッチングする工程、および
(4)残存する樹脂膜を剥離する工程
を含む方法が挙げられる。
工程(1)で形成する樹脂膜は、本発明に係る樹脂組成物を基板上に塗布し、さらに乾燥することにより得ることができる。
また、本発明に係る樹脂組成物を支持フィルム上に塗布し、さらに乾燥させて転写フィルムを作製し、この転写フィルムから支持フィルムを剥離して、基板上に樹脂膜を形成してもよい。
上記の組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、アプリケーター法などが挙げられる。
また、転写フィルムの支持フィルムの材料は、転写フィルムの作製および使用に耐えうる強度を有する限り、特に限定されるものではない。
上記転写フィルムは、樹脂膜の厚みを1〜200μmとして用いることができる。
上記転写フィルムの、支持フィルム上に形成された、ポジ型感放射線性樹脂膜は、本発明に係る組成物と同様にエッチング用マスク材に好適である。
上記工程(3)で使用する金エッチング液としては、NaCNおよび過酸化水素を含む水溶液、NaCNおよび酸化剤を含む水溶液、NaCNおよびNaOHを含む水溶液、K3Fe(CN)6、KCN、Na2CO3およびKH2PO4を含む水溶液、などのシアン系金エッチング液;王水、塩酸、塩酸および酸化クロムを含む水溶液などの王水・酸系金エッチング液;ヨウ素およびヨウ化アルカリ(またはヨウ化アンモニウム)を含む水溶液、ヨウ素、ヨウ化アルカリおよび有機溶媒からなる溶液、ハロゲン単体、ハロゲン化塩および有機溶媒からなる溶液などのヨウ素系金エッチング液などが挙げられる。これら金エッチング液の中でも、半導体微細加工には取扱いが容易である等の観点から、ヨウ素系金エッチング液が好ましく用いられる。
また、これら金エッチング液には、金スパッタ基板との濡れ性を向上させる目的で、脂肪酸や低級アルコールを添加させることができる。
特に、本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物から得られる樹脂膜は、ヨウ素系金エッチング液によるエッチングに好適に使用される。
金属被膜のウェットエッチングを行う際、ポジ型感放射線性樹脂組成物により形成されるウェットエッチング用マスク材として必要な性能である「エッチング性」をより具体的に説明すると、(I)金エッチング液への薬品耐性(以下、「耐薬品性」という)、(II)金スパッタ膜との密着性(以下、「密着性」という)、(III)金エッチング液との濡れやすさ(以下、「濡れ性」という)の3つの性能を備える必要がある。
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物には、構造単位(a)や構造単位(d)に由来するフェノール部位、構造単位(e)に由来する脂環式炭化水素基を有するため、耐薬品性が向上しており、構造単位(a)に由来するアミド部位や構造単位(b)に由来するアルコール部位を有するため、密着性が向上しており、構造単位(b)に由来するアルコール構造を有するため、濡れ性が向上したと考えられる。
〔実施例〕
以下、実施例を挙げて本発明の実施の形態をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制約されるものではない。以下において、部および%は、特記しない限り質量基準である。
〈共重合体(A1)の合成〉
合成例1
p−ヒドロキシフェニルメタクリルアミド5g、2−ヒドロキシエチルアクリレート20g、t−ブチルアクリレート30g、p−イソプロペニルフェノール30g、およびイソボルニルメタクリレート15gを乳酸エチル150gと混合し、50℃で攪拌し均一溶液とした。この溶液を30分間窒素ガスによりバブリングした後、AIBN4gを添加し、窒素ガスによるバブリングを継続しつつ、反応温度を70℃に維持して3時間重合した。その後、AIBN1gをさらに添加し、窒素ガスによるバブリングを継続しつつ、反応温度を70℃に維持して3時間重合した。最後に反応溶液の温度を100℃に上げ1時間攪拌した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合し、生成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をテトラヒドロフランに再溶解した後、再度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り返して未反応モノマーを除去し、減圧下50℃で乾燥して白色の共重合体A1を得た。
〈共重合体(A2)〜(A4)の合成〉
〔合成例2〜4〕
下記表1の組成に従い、化合物の量を変更した他は合成例1の共重合体A1の合成と同様にして、共重合体A2〜A4を得た。
〈共重合体(R1)〜(R5)の合成〉
〔合成例5〜9〕
下記表1の組成に従い、化合物の量を変更した他は合成例1の共重合体A1の合成と同様にして、比較用共重合体R1〜R5を得た。
Figure 0004998278
〔実施例1〕
<ポジ型感放射線性樹脂組成物の調製>
重合体A1(100g)、感放射線性酸発生剤(光酸発生剤)として4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロブタンスルホネート(DBNS−T〔旭電化製〕)(3g)、溶媒として乳酸エチル(150g)、界面活性剤としてFTX−218〔ネオス社製〕(0.3g)を混合し、攪拌により均一な溶液とした。この組成物溶液を、孔径3μmのテフロン(登録商標)製メンブレンフィルターでろ過して、ポジ型感放射線性樹脂組成物を得た。その後、下記方法にて性能評価を実施した。
<金スパッタ基板の作製>
直径4インチのシリコンウエハ基板上に、クロムを厚さが約500Åとなるようにスパッタリングしたのち、その上に金を厚さが1,000Åとなるようにスパッタリングして、導電層を形成した。以下、この伝導層を形成した基板を「金スパッタ基板」という。
<パターンの形成>
金スパッタ基板にスピンコーターを用いて、各ポジ型感放射線性樹脂組成物を塗布したのち、ホートプレート上にて、120℃で5分間加熱して、厚さ20umの樹脂膜を形成した。次いで、ライン/スペースが2/2um〜50/50umまで配列しているパターンマスクを介し、超高圧水銀灯(OSRAM社製HBO、出力1,000W)を用いて、100〜1000mJ/cm2の紫外光を照射した。露光量は、照度計((株)オーク製作所製UV−M10(照度計)にプローブUV−35(受光器)をつないだもの)により確認した。露光後、ホットプレート上にて、100℃で5分間PEBを行った。次いで、
2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、室温で2分間浸漬して現像したのち、流水洗浄し、窒素ブローしてパターンを形成した。以下、このパターンを形成した基板を、「パターニング基板A」という。
<エッチング処理>
上記パターニング基板Aの観察で、10/10umのライン/スペースパターンの実寸法が10+/−1umとなる露光量を算出し、再度金スパッタ基板全面にパターンを作成した。このパターンを形成した基板を、「パターニング基板B」という。
パターニング基板Bをヨウ素/ヨウ化カリウム/H2O(5/15/80wt%)から
成る金エッチング液に室温で1分間浸漬しパターン形成以外のスパッタ層をエッチングした。以下、この基板を「エッチング基板」という。
<評価>
(1)感度
上記パターニング基板Aの、10/10umのライン/スペースパターンの実寸法が10+/−1umとなる露光量を最適露光量とし、この最適露光量より評価した。
(2)解像度
上記最適露光量で処理したパターン群を光学顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。
○ : ライン/スペース(3/3um)のパターンが解像する。
× : ライン/スペース(3/3um)のパターンが解像しない。
(3)エッチング性
上記エッチング基板を光学顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。
○ : パターン開口部の90%以上で金エッチングが問題なくされ、かつパターンと金スパッタ基板の密着性が良好で、パターンハガレ等が起こらない。
× : パターン開口部の50%以下しか金エッチングされない、あるいはパターンと金スパッタ基板との密着が不十分でエッチング処理によりパターンが剥がれる等の不良が発生する。
〔実施例2〜4〕
表2に記載される各組成で、実施例1と同様に、ポジ型感放射線性樹脂組成物を調製した。また実施例1と同様に、金スパッタ基板の作製、パターンの形成、エッチング処理をし、評価を行った。評価結果を表3に示す。
〔比較例1〜5〕
表2に記載される各組成で、実施例1と同様に、樹脂組成物を調製した。また実施例1と同様に、金スパッタ基板の作製、パターンの形成、エッチング処理をし、評価を行った。評価結果を表3に示す。
Figure 0004998278
Figure 0004998278

Claims (4)

  1. (A)共重合体を構成する全構造単位を100質量%としたときに、下記一般式(1)、および(2)で表される構造単位より選ばれる少なくとも1種の構造単位(a)を1〜35質量%、下記一般式(3)で表される構造単位(b)を15〜25質量%、ならびに下記一般式(4)で表される酸解離性官能基(c)を15〜40質量%の割合で含有する共重合体と、
    (B)感放射線性酸発生剤と、
    (C)有機溶媒とを含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物。
    Figure 0004998278
    (式(1)および(2)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R2は−(CH2q−であり、qは0〜3の整数である。またR3は炭素数1〜4のアルキル基であり、mは0
    〜4の整数である。)
    Figure 0004998278
    (式(3)中、R1は水素原子またはメチル基であり、nは1〜4の整数である。)
    Figure 0004998278
    (式(4)中、R1は水素原子またはメチル基であり、R4〜R6は、それぞれ独立に、炭
    素数1〜4のアルキル基、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基、および、これら基において少なくとも一つの水素原子が炭化水素基以外の極性基に置換されている基から選ばれる基である。R4〜R6のいずれか2つがアルキル基もしくは置換アルキル基である場合は、そのアルキル鎖が相互に結合して、炭素数4〜20の脂環式炭化水素基もしくは置換脂環式炭化水素基を形成していてもよい。)
  2. 上記共重合体(A)が、さらに下記式(5)で表される構造単位を有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
    Figure 0004998278
    (式(5)中、R7は水素原子またはメチル基であり、R8はそれぞれ独立に炭素数1〜4のアルキル基であり、kは1〜4の整数、hは0〜4の整数である。ただし、k+hは1〜5である。)
  3. 上記共重合体(A)が、さらに下記式(6)で表される構造単位を有することを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
    Figure 0004998278
    (式(6)中、R9は水素原子またはメチル基であり、R10はそれぞれ独立に炭素数7〜
    20の炭素原子および水素原子のみからなる多環型脂環式炭化水素基であって、1級炭化水素基または2級炭化水素基である。)
  4. 上記ポジ型感放射線性樹脂組成物が金のウェットエッチング用マスク材に使用されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感放射線性樹脂組成物。
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