JP2001274094A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 被処理基板が載置されるサセプタと、前記サセプタの下方に配置されて前記サセプタに載置された前記被処理基板を加熱する加熱ユニットとを処理室内に備えており、前記サセプタと前記加熱ユニットとが相対的に回転された状態で前記被処理基板に処理が施される基板処理装置であって、少なくとも前記サセプタが前記処理室内にて昇降するように構成されており、前記処理室には前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる被処理基板昇降装置が設置されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記加熱ユニットを前記処理室内にて昇降するように構成し、前記被処理基板昇降装置が前記サセプタおよび前記加熱ユニットの昇降に連係して前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる際には、前記サセプタと前記加熱ユニットとの距離を一定に保った状態で昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記サセプタは中央部材と周辺部材とを備えており、前記被処理基板昇降装置が前記サセプタの中央部材を昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
5. 前記加熱ユニットのヒータは前記サセプタの中央部材に対応する中央ヒータ部材と、前記サセプタの周辺部材に対応する周辺ヒータ部材とを備えており、この中央ヒータ部材と周辺ヒータ部材とは出力を独立して制御され、サセプタの中央部材が昇降されている間は中央ヒータ部材の出力を増大させて制御してなるように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 請求項４に記載の基板処理装置が使用される基板処理方法であって、前記サセプタの下降時に、前記被処理基板昇降装置が前記中央部材を上昇させてこの中央部材に前記被処理基板を載置し、次いで、前記中央部材の上昇を解除して前記被処理基板を前記周辺部材を含む前記サセプタに受渡し、前記サセプタの上昇時に、前記サセプタによって前記被処理基板が載置された状態で前記被処理基板に処理が施されることを特徴とする基板処理方法。