JPH07111245A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】反応ガスを水平に流すＭＯＣＶＤ用気相成長装
置において、成膜面への粉塵汚染防止のために下面側に
基板を装着するサセプタを、簡易に、かつ反応ガスの流
れを乱さないように保持することのできる装置構成を提
供する。 【構成】サセプタ２を下方から支える装置とする。この
場合、装置構成の簡易化のため、支持手段に上下動手段
を兼ねさせ、装置の生産性向上のため、サセプタ２を中
心部で支持させ基板１の装着可能領域を広くして複数基
板の同時処理を可能にし、膜質向上のため、サセプタ２
を周辺部で支持させて流れに対するサセプタの平行保
持，傾斜保持を容易にし、支持手段は支柱１３または支
持板としてサセプタ保持機構を低コスト化し、支持手段
を支柱とするときには上端面に支持面を設けてサセプタ
の流れに対する平行保持を容易にし、あるいは回転駆動
を可能として膜質，膜厚均一性向上を容易にし、さらに
は径を細くして装置の低コスト化，生産性向上を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、主に化合物半導体膜
を被成膜基板に成長させる有機金属気相成長装置を対象
としたものであり、上下移動ならびに回転が可能なサセ
プタ上に円板状または角型板状の被成膜基板をほぼ水平
に取り付け、サセプタの上方に設置した加熱手段により
サセプタを加熱し、水平方向から反応ガスを導入して被
成膜基板上に所定の膜を成長させる気相成長装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図６にこの種の有機金属気相成長装置の
従来の構成例を示す。同図（ａ）はこの装置の縦断面を
示すもので、被成膜基板１はサセプタ２に装着されてい
る。サセプタ２の近傍には基板１およびサセプタ２加熱
用のヒータ３が配置されている。反応ガスは反応容器４
の端部に設けられた反応ガス入口５から入り、反応容器
４の内部に設置されている内管６の中を被成膜基板１の
下へと導かれる。反応ガスはヒータ３で加熱されたサセ
プタ２および被成膜基板１で加熱・分解され、拡散して
被成膜基板１へ到達し膜を形成する。被成膜基板１の下
を通過したガスはガス排出口７から排出される。

【０００３】反応炉容器４と内管６との間の空間にはス
イープガス入口８から導かれた水素ガス（または窒素ガ
スあるいは不活性ガス）が流され、この空間への反応ガ
スの漏れ出しを防止している。同図（ｂ）は、同装置の
平面断面を示したものである。反応ガス入口５から導入
された反応ガスは、内管６の上流部に形成された上面よ
り見て三角形状の広がり部で幅広の層流になり、サセプ
タ２に装着された被成膜基板１の下へと流れる。被成膜
基板１の下を通過したガスは下流側に設置されたガス排
出口７から反応炉４の外へ排出される。

【０００４】サセプタ台１２は、図示されていない機構
と結合されたサセプタ駆動軸１３により上下動できる。
サセプタ台１２を上方へ引き上げた状態で図に示してい
ないロードロック室内の搬送機構により、ゲートバルブ
１４を通してサセプタ２を出し入れすることにより被成
膜基板１の交換を行うことができる。また、複数枚の基
板に同時に成膜するための基板装着のため、あるいは膜
の均一性を向上させる目的でサセプタを回転することも
できる。

【０００５】図６に示したように、サセプタ２および被
成膜基板１を内管６の上部に配置した装置では、内管６
の下部に配置した場合のような成膜面への粉塵の落下等
の欠点が無い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のような装置にお
いては被成膜基板の成膜面を下方に向けて内管内に露出
させ成膜面に反応ガスの層流が当たるようにすることが
重要であり、そのため被成膜基板のサセプタへの装着
法、サセプタの保持方法を考えなければならない。サセ
プタ保持の最も簡単な方法はサセプタの上面側にフラン
ジを形成し、内管上部に設けた穴の上にフランジの下面
が乗るように基板を装着したサセプタを置く方法である
が、その場合は基板あるいは基板を装着したサセプタの
交換が難しい。従って一般には、基板の交換のために基
板を装着したサセプタを上方から保持して自動的に交換
できる機構とするのが普通である。また、サセプタはヒ
ータで加熱するために熱容量が小さいこと、温度分布を
均一にするためにできるだけ平板に近く、肉圧の差や突
起等が無いことが望ましい。しかも前記のように被成膜
基板表面の層流をできるだけ乱さないための工夫が必要
である。このような平板に近いサセプタを上方から保持
し、しかもサセプタの下を通る反応ガスの層流を乱さな
いようにするには、サセプタの側面または上面を掴むよ
うな精巧なサセプタ保持機構が必要であった。しかもサ
セプタは成膜温度に加熱されるのでサセプタ保持機構も
それに近い温度に加熱され、その材料は極めて限定され
る。さらに被成膜基板の交換のため、被成膜基板を装着
したサセプタのロードロック室との受け渡しを考えると
サセプタの位置決め機構も必要になる。

【０００７】このように複雑精緻な機構をしかも限られ
た材料で構成することは非常に困難で、装置の信頼性を
低くする原因になり、また装置の価格を高めることにつ
ながる。本発明の目的は、複雑精緻な機構を用いること
なく、成膜面を下方に向けた被成膜基板の成膜面に膜厚
あるいは膜質の均一な膜が形成されるようにサセプタを
保持する気相成長装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、反応ガスを反応炉容器の一端に
設けられた反応ガス入口から導入し、反応炉容器内部に
設置したほぼ方形断面流路をもつ内管内をほぼ水平方向
に流し、前記内管の流路途中に設けた開口部に、下面を
被成膜面とする被成膜基板を組み込んだサセプタを上下
移動可能に取り付け、サセプタを加熱することにより前
記被成膜基板に成膜を行う気相成長装置を、サセプタを
下方から支持する装置に構成する。

【０００９】ここで、サセプタを下方から支持する支持
手段が、サセプタを上下移動させる上下動手段を兼ねる
ようにすれば好適である。また、サセプタを下方から支
持する支持手段は、発揮させたい装置機能より、サセプ
タの支持をサセプタの中心部で行うものとするか、周縁
部で行うものとする。

【００１０】また、サセプタを下方から支持する支持手
段を支柱または支持板とすれば極めて好適である。そし
て、支持手段を支柱とするときに、支持手段が１本の支
柱からなりかつ、支柱が、上端部に、軸に垂直な円板等
の平板もしくは軸に垂直な面内で支柱から延びる複数の
枝をサセプタの支持部として備えたものとすれば極めて
好適である。

【００１１】そして、この場合には、サセプタの下面側
に支柱の支持部を嵌め合わせる凹部を形成するととも
に、該凹部の深さを支持部の厚みと一致させるようにす
るのがよい。また、支持手段を支柱とする場合には、支
柱を軸まわり回転駆動可能に形成すれば極めて好適であ
る。

【００１２】なお、支持手段を支柱とする場合には、内
管が構成する方形断面流路の厚み内に位置する支柱部分
は、いずれの高さ位置でも、水平断面における差渡し寸
法の最大値を２５ｍｍ以下とするとよい。また、支持手
段を支持板とするときに、サセプタの支持を、支持板の
面を鉛直方向として支持板の側面で行うようにすれば極
めて好適である。

【００１３】また、サセプタをサセプタの中心部で支持
する支持手段は、サセプタ側先端部のサセプタ中心近傍
に温度制御用センサが組み込まれたものとすれば極めて
好適である。

【００１４】

【作用】このように、サセプタを下方から支持するよう
にすれば、重力に抗してサセプタを懸垂状態に保持する
複雑な機構が不必要となり、サセプタの保持機構を極め
て簡易に形成することができる。そして、サセプタの重
量を支えるための支持手段は、その形状，数および配置
を考慮することにより、反応ガスの層流を乱さないよう
にすることは容易に可能であるので、良好な成膜性能を
備えた気相成長装置を簡易な構造で実現することができ
る。

【００１５】そこで、サセプタを下方から支持する支持
手段が、サセプタを上下移動させる上下動手段を兼ねる
ようにすれば、サセプタの上下動機構を別に設ける必要
がなくなり、簡易な装置構成で被成膜基板の交換が可能
になる。また、サセプタを下方から支持する支持手段と
して、サセプタの支持をサセプタの中心部で行うものと
すれば、中心部まわりのサセプタ表面は面積が広くなる
ので、複数の基板を装着してこれら複数の基板を同時に
成膜することができ、装置の生産性が向上する。また、
サセプタを回転させることも容易に可能になり、成膜さ
れる膜の膜厚，膜質の均一化が容易となる。

【００１６】また、サセプタを下方から支持する支持手
段として、サセプタの支持をサセプタの周縁部で行うも
のとすれば、サセプタ表面を方形断面流路の底面に厳密
に平行に保持する平行保持が容易に可能となり、これに
より層流のわずかな乱れも防止され、良質な膜を得るこ
とができる。さらに、サセプタ表面を反応ガスの流れに
対して傾け、サセプタ上流側と下流側とで反応ガスの流
速を変える傾斜保持も容易に可能となり、サセプタ上流
側と下流側とでサセプタ表面での反応ガス成分が変化し
た場合に起こりうる膜厚の不均一も容易にこれを補償す
ることができる。

【００１７】なお、このように、サセプタの支持をサセ
プタの周縁部で行うようにする場合には、支持手段を、
サセプタの周縁部に周方向の力を伝達してサセプタを回
転させる構造とすることも可能になる。この場合には、
サセプタを支持する支持手段の滑動面に摩擦係数の小さ
い材料を用いるとともに、周方向の力を伝達するのに例
えば電力量計式のトルク発生手段を用い、これを支持手
段に担持させるようにして周方向の力を非接触に伝達す
るようにし、回転動作の安定性と、安定した回転動作の
長寿命化を図るようにする。このようにすることによ
り、中心支持の効果と周縁部支持の効果との両効果を同
時に得ることができる。

【００１８】そこで、サセプタを下方から支持する支持
手段を支柱または支持板とすれば、サセプタの支持に必
要な部材を低コストのものとすることができ、支持に必
要なコストが低減する。そこで、支持手段を支柱とする
ときに、支持手段が１本の支柱からなりかつ、支柱が、
上端部に、軸に垂直な円板等の平板もしくは軸に垂直な
面内で支柱から延びる複数の枝をサセプタの支持部とし
て備えたものとすれば、サセプタの支持が広がりのある
平面で行われるようになるので、ガスの流れに平行に支
持して層流を乱さないようにすることが容易に可能にな
り、良好な成膜特性の実現が容易になる。

【００１９】そして、このように、支柱の先端部に平板
や複数の枝を支持部として設ける場合には、サセプタの
下面側に支柱の支持部を嵌め合わせる凹部を形成すると
ともに、該凹部の深さを支持部の厚みと一致させるよう
にすることにより、サセプタの下面側に凹凸部が生ぜ
ず、サセプタの下面側が平坦になるので、層流の乱れが
生じなくなり、良好な膜質を得ることができる。

【００２０】また、支柱を軸まわり回転駆動可能に形成
すれば、成膜時にサセプタを回転駆動することができ、
サセプタに装着された各基板上の膜厚の均一化、基板相
互間の膜厚の均一化を容易に達成することができる。そ
して、支持手段を支柱とする場合、内管が構成する方形
断面流路の厚み内に位置する支柱部分は、いずれの高さ
位置でも、水平断面における差渡し寸法の最大値を２５
ｍｍ以下とするようにすれば、サセプタ表面に乱流の影
響を受けない基板装着領域を十分な広さに確保しつつサ
セプタの重量支持あるいは回転駆動に必要な強度を持た
せることができる。

【００２１】また、支持手段を支持板とし、板面を鉛直
方向としてサセプタの支持を支持板の側面で行うように
すれば、板面を流れと平行にし、かつ板面の上流側端部
と下流側端部の水平断面形状を適宜に付与することによ
り、支持板を流れの中に置いても層流の乱れが生じなく
なるので、サセプタを回転させる必要がないとき、支持
板をサセプタの大きさ、重量に応じた枚数使用してサセ
プタの支持を容易に行い、かつ良質の膜を得ることがで
きる。

【００２２】また、サセプタをサセプタの中心部で支持
する支持手段は、サセプタ側先端部のサセプタ中心近傍
に温度制御用センサが組み込まれたものとすれば、サセ
プタの裏面側に温度制御センサが組み込まれていた従来
の装置と比較して、温度制御センサが基板により近くな
り、基板温度の検出精度が上がり、膜質の制御が容易と
なる。

【００２３】

【実施例】図１に本発明による気相成長装置構成の第１
の実施例を示す。この実施例は、サセプタを下方から支
持する支持手段を支柱とした場合を示す。図中の符号は
図６における同じ作用を持つものと対応させてある。ま
た、図は、図６と同様、本発明に係わる要部のみを示し
たもので、反応炉より前段の原料ガス調整部分および段
後のガス排気手段等は省略されている。反応炉容器４の
一端に設けられた反応ガス入口５から供給される反応ガ
スは、流れ構成用の内管６により、被成膜基板１の下へ
と導かれる。被成膜基板１はサセプタ２に装着され、サ
セプタ２は、その中心部で下方から上下動可能な支柱１
３により支えられている。サセプタ２の上方には，ヒー
タ３が設置されており、被成膜基板１およびサセプタ３
を加熱することができる。

【００２４】反応炉容器４の上方側面には、被成膜基板
を交換するために，被成膜基板あるいは被成膜基板を装
着したサセプタを搬送するための搬送機構を内蔵した図
示されていないロードロック室に連結するゲートバルブ
１４が設けられている。支柱１３が上昇した状態で、ゲ
ートバルブ１４を通して被成膜基板の交換を行い、ある
いは未成膜の基板を装着したサセプタを支柱１３の上部
に受け取ったのち下降して所定の位置まで移動し、成膜
を行う。成膜位置では成膜面である基板の下面がほぼ上
流側の内管の内部上面の延長面上にあって、反応ガスの
層流が乱れを生じることなく基板の下を流れるようにし
ている。

【００２５】このように、支持手段を支柱とし、この支
柱でサセプタを中心で支える装置構成とすれば、支柱を
円柱または外周が円形の中空軸とすることにより、反応
炉容器４内の気密を保持して支柱を軸まわりに回転駆動
することが可能になり、これによりサセプタを回転させ
ることが外部から容易に可能になるので、基板に形成さ
れる膜の膜厚を均一化することが容易になる。また、支
柱を中空軸とすれば、先端部に温度制御センサを組み込
んだとき、温度制御センサに到るリード線を中空軸内部
を通すことができるので、温度制御センサのために装置
が複雑化するのを避けることができる。

【００２６】図２にサセプタ支持手段の第２の実施例を
示す。この実施例は、サセプタを回転させる必要がな
く、かつ図１の場合よりもさらに支持手段の層流状態へ
の影響を小さくしたい場合に好適な支持手段の一例を示
したものである。支持手段は支柱として角柱１３を用
い、角柱上端部に把持部１３ｄを設けてある。把持部１
３ｄはコ字状に形成され、コ字の対向２辺の間にサセプ
タ２の下流側周縁部を把持する。把持部１３ｄはサセプ
タの最下流側に位置しているので、上流側基板位置での
層流に対する把持部１３ｄの影響がなく、従って、サセ
プタの大きさや重量により、角柱１３を複数本とするこ
とも可能である。

【００２７】図３はサセプタ支持手段の第３の実施例を
示す。支持手段は支持板としてこれを２枚用い、板面を
鉛直方向として板の側面でサセプタ２の周縁部を両側２
個所で支持するようにしている。この支持方法では、支
持板１３のサセプタ２近傍はガス流の中に位置すること
になるが、支持板１３が基板から十分離れておれば、基
板面では層流状態が乱されず、膜質の低下は生じない。
また、このような支持方法をとると、反応ガスの流れに
平行にサセプタを支持する平行支持が容易に可能にな
り、少なくとも基板領域での層流状態のわずかな乱れ発
生も防止するたとができる。また、この支持方法では、
サセプタの傾斜支持も容易に可能となり、サセプタ２を
流れに対して傾けて支持することにより、サセプタ２の
上流側と下流側とで流速を変え、基板表面での上流側と
下流側とで反応ガス成分の変化があった場合に生じうる
膜厚不均一も容易に補償して均一化することができる。

【００２８】さらに、この支持方法では、特に図示しな
いが、サセプタ２を回転可能とすることもできる。サセ
プタ周縁部に周方向の力を伝達するための機構として、
例えば、電力量計式のトルク発生手段をサセプタ周縁部
に配し、これを支持板１３で支持することにより、周方
向の力を非接触にサセプタ周縁部に伝達することがで
き、機械式に周方向の力を伝達する場合のように発塵の
おそれがなく、また摩擦がないので、伝達される周方向
力の経時変化もなく、サセプタの安定した回転動作と、
安定した回転動作の長寿命化とが可能になる。そして、
この場合の層流状態の維持は、周方向力の発生原理か
ら、サセプタ表面と対向する磁極面をサセプタ表面から
必要な寸法離した間隔で設けることができるので、問題
なく可能である。なお、この支持方法では、支持板の支
持面が滑動面となるので、摩擦係数が小さく、発塵量の
少ない材質，例えば四弗化エチレンで覆った面とする。

【００２９】図４にサセプタ支持手段の第４の実施例を
示す。先に述べたように基板の成膜面に反応ガスを滑ら
かに流すことが極めて重要である。特にサセプタを回転
する場合にはサセプタの回転面を平面に保っために，サ
セプタを支柱に直角に取りつけることが必要である。従
ってサセプタと支柱との結合部を直角に保つための工夫
が必要であり，例えば本実施例のように支柱１３の頂部
に直径２０ｍｍ程度の円板１３ｂを設け、一方サセプタ
２にはこれと対応する形の凹部を設けてこれらの両者を
嵌め合わせる方法が有効である。もちろん板の形状は円
板に限らず平板であれば多角形でもなんでも良い。

【００３０】図５は図４に示した実施例の変形例を示す
ものであり、図のように、図４に示した支柱１３の頂部
の円板１３ｂから１３ｂと同じ平面内で複数本の枝１３
ｃを伸ばした構造とすれば、尚一層サセプタの安定化に
効果がある。

【００３１】

【発明の効果】本発明においては、気相成長装置を上述
の構成としたので、以下に記載する効果が得られる。請
求項１の装置では、被成膜基板が下面側に装着されるサ
セプタを下方から支持するようにしたので、サセプタを
保持するのに、従来のような複雑精緻な保持機構が不要
となり、サセプタの保持機構を極めて簡易に構成するこ
とができ、装置の信頼性が高まる。

【００３２】請求項２の装置では、サセプタの上下動機
構を別に設ける必要がなくなり、簡易な装置構成で被成
膜基板の交換が可能になり、装置を自動運転に適した装
置とすることが容易となり、かつ自動化した装置を安価
に得ることができる。請求項３の装置では、サセプタ表
面に広い基板装着領域を確保できるので、複数の基板を
装着して同時処理が可能になり、装置の生産性が向上す
る。

【００３３】請求項４の装置では、サセプタを反応ガス
の流れに平行に保持する平行保持、あるいは反応ガスの
流れに対して傾けて保持する傾斜保持が容易になり、良
好な膜質，膜厚分布を得ることが容易になる。また、支
持手段をサセプタの回転可能に構成することにより、上
述した中心支持の効果と周縁部支持の効果との両効果を
同時に得ることができる。

【００３４】請求項５の装置では、サセプタの支持に必
要な部材が低コストとなり、かつ保持機構も簡易化され
るので、支持に必要なコストが従来の保持装置と比べて
低減する。請求項６の装置では、サセプタを支持する支
柱が先端部に広がりをもった平面を支持部として備える
ので、層流状態を乱さないようにサセプタを支持するこ
とが容易に可能となり、装置として成膜性能の再現性が
良好でかつ優れた膜質の膜を得ることができる。

【００３５】請求項７の装置では、サセプタの下面側が
平坦になるのでサセプタの下面側の層流に乱れが生ぜ
ず、良好な膜質を得ることができる。請求項８の装置で
は、支柱が軸まわり回転駆動可能に形成されるので、支
柱を介してサセプタを回転させることができ、これによ
って各基板上の膜厚均一化，基板相互間の膜厚の均一化
の達成が容易になる。

【００３６】請求項９の装置では、反応ガスの流れの中
にある支柱部分を、そのいずれの高さ位置でも、水平断
面における最大差渡し寸法２５ｍｍ以下と、支柱の所要
強度が維持できる範囲で細く形成したので、乱流の影響
を受けない基板装着領域を広く確保することができ、基
板の同時装着可能枚数が増し、装置を生産性の高い装置
とすることができる。

【００３７】請求項１０の装置では、支持手段を支持板
とするときに、サセプタの支持を、支持板の面を鉛直方
向として支持板の側面で行うようにしたので、サセプタ
を回転させる必要がないときに支持板を流れに平行とし
てその上流側端部と下流側端部の水平断面形状を適宜に
付与することにより、支持板がガス流中にあっても層流
に乱れが生じなくなり、これにより、支持板をサセプタ
の大きさ，重量に応じた枚数使用してサセプタを容易に
支持しつつ良質の膜を得ることができる。

【００３８】請求項１１の装置では、温度制御センサが
支持手段先端部のサセプタ中心近傍に組み込まれるの
で、温度制御センサの位置が従来と比べて基板に近くな
り、基板温度の検出精度が上がり、膜質の制御が容易と
なり、良質の膜を得ることが容易に可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による気相成長装置構成の第１の実施例
を示す縦断面図

【図２】本発明によるサセプタ支持手段の図１と異なる
構造の一例をサセプタ支持手段の第２の実施例として示
す斜視図

【図３】本発明によるサセプタ支持手段の第３の実施例
を示す斜視図

【図４】本発明によるサセプタ支持手段の第４の実施例
を示す断面図

【図５】図４に示したサセプタ支持手段実施例の変形例
を示すサセプタ下面図

【図６】従来の気相成長装置の構成例を示す図であっ
て、同図（ａ）は縦断面図，同図（ｂ）は横断面図

【符号の説明】

１ 被成膜基板（基板） ２ サセプタ ４ 反応炉容器 ５ 反応ガス入口 ６ 内管 １３ 支持手段（支柱，支持板） １３ｂ 円板 １３ｄ 枝 １５ 反応ガス

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反応ガスを反応炉容器の一端に設けられた
   反応ガス入口から導入し、反応炉容器内部に設置したほ
   ぼ方形断面流路をもつ内管内をほぼ水平方向に流し、前
   記内管の流路途中に設けた開口部に、下面を被成膜面と
   する被成膜基板を組み込んだサセプタを上下移動可能に
   取り付け、サセプタを加熱することにより前記被成膜基
   板に成膜を行う気相成長装置において、サセプタを下方
   から支持することを特徴とする気相成長装置。
2. 【請求項２】請求項第１項に記載の装置において、サセ
   プタを下方から支持する支持手段が、サセプタを上下移
   動させる上下動手段を兼ねることを特徴とする気相成長
   装置。
3. 【請求項３】請求項第１項に記載の装置において、サセ
   プタを下方から支持する支持手段が、サセプタをサセプ
   タの中心部で支持することを特徴とする気相成長装置。
4. 【請求項４】請求項第１に記載の装置において、サセプ
   タを下方から支持する支持手段が、サセプタをサセプタ
   の周縁部で支持することを特徴とする気相成長装置。
5. 【請求項５】請求項第１項，第２項，第３項または第４
   項に記載の装置において、サセプタを下方から支持する
   支持手段を支柱または支持板とすることを特徴とする気
   相成長装置。
6. 【請求項６】請求項第５項に記載の装置において、支持
   手段を支柱とするときに、支持手段が１本の支柱からな
   りかつ、支柱が、上端部に、軸に垂直な円板等の平板も
   しくは軸に垂直な面内で支柱から延びる複数の枝をサセ
   プタの支持部として備えることを特徴とする気相成長装
   置。
7. 【請求項７】請求項第６項に記載の装置において、サセ
   プタの下面側に支柱の支持部を嵌め合わせる凹部を形成
   するとともに、該凹部の深さを支持部の厚みと一致させ
   ることを特徴とする気相成長装置。
8. 【請求項８】請求項第６項または第７項に記載の装置に
   おいて、支柱を軸まわり回転駆動可能に形成することを
   特徴とする気相成長装置。
9. 【請求項９】請求項第６項，第７項または第８項に記載
   の装置において、内管が構成する方形断面流路の厚み内
   に位置する支柱部分は、いずれの高さ位置でも、水平断
   面における差渡し寸法の最大値を２５ｍｍ以下とするこ
   とを特徴とする気相成長装置。
10. 【請求項１０】請求項第５項に記載の装置において、支
    持手段を支持板とするときに、サセプタの支持を、支持
    板の面を鉛直方向として支持板の側面で行うようにする
    ことを特徴とする気相成長装置。
11. 【請求項１１】請求項第３項に記載の装置において、サ
    セプタをサセプタの中心部で支持する支持手段は、サセ
    プタ側先端部のサセプタ中心近傍に温度制御用センサが
    組み込まれることを特徴とする気相成長装置。