JP2001267524A - 書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents

書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ

Info

Publication number
JP2001267524A
JP2001267524A JP2001021041A JP2001021041A JP2001267524A JP 2001267524 A JP2001267524 A JP 2001267524A JP 2001021041 A JP2001021041 A JP 2001021041A JP 2001021041 A JP2001021041 A JP 2001021041A JP 2001267524 A JP2001267524 A JP 2001267524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
tunnel junction
read
magnetic tunnel
bit line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001021041A
Other languages
English (en)
Inventor
Shochin Boku
詳 珍 朴
Jugen Seki
重 鉉 石
Il-Sub Chung
一 燮 鄭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2001267524A publication Critical patent/JP2001267524A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 書込み及び読出し回路を有するマグネチック
トンネル接合素子を利用した磁気メモリを提供する。 【解決手段】 読出し及び書込み回路を有する磁気トン
ネル接合素子を利用した磁気メモリは、ワードライン１
００と読出し用ビットライン１１０とが交差する点にそ
れぞれＭＴＪ素子を配置してメモリセルを形成し、書込
み用ビットライン１２０を読出し用ビットライン１１０
と並んで配置した後、ワードラインから電流が書込み用
ビットライン１２０に磁気トンネル接合素子２００の側
面及び底面を迂回して流れることができるようにする電
流迂回通路１３０を具備して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書込み及び読出し回
路を有するマグネチックトンネル接合素子を利用した磁
気ランダムアクセスメモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の非揮発性の磁気ランダムアクセス
メモリ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓ
ｓ Ｍｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）はそれぞれの磁気メモリ
セルがアレイ形状を有し、それぞれのメモリセルは磁気
トンネル接合素子を含んで構成されている。図１は、従
来の一般的な磁気メモリセルに含まれる磁気トンネル接
合の基本構造を模式的に示す図面である。
【０００３】図１に示される磁気トンネル接合素子は、
磁化方向が固定されている固定された強磁性層１２と、
この強磁性層１２を固定するために反強磁性結合を利用
できるように反強磁性層１１が存在し、磁化の方向が固
定された層１２に対して平行、または反平行に変わりう
る自由強磁性層１４、及び固定された強磁性層１２と自
由強磁性層１４との間の絶縁性トンネル障壁１３から構
成されている。
【０００４】図２は、前記した従来の磁気トンネル接合
素子を用いた磁気ランダムアクセスメモリアレイの構造
を模式的に示す斜視図である。なお、この図はＵＳ特許
５，６４０，３４３号に記載されているものである。図
２に示される磁気メモリアレイにおいて、磁気トンネル
接合（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉ
ｏｎ：以下「ＭＴＪ」という）の自由層の磁気状態は、
ワードラインとビットラインの各々に流れる電流に依存
する磁場の影響によって変化する。
【０００５】その際、従来の磁気トンネル接合素子で
は、このようなワードラインとビットラインに流れる電
流により、図３（Ａ）に示されるような磁気トンネル接
合で形成される磁場の方向が、図３（Ｂ）及び図３
（Ｃ）に示されるように、固定された強磁性層の磁化と
平行または反平行な方向となるように、意図的に形成す
ることができないという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記したよ
うな問題点を改善するために創作されたものであり、ワ
ードラインとビットラインとが交差する点に形成された
磁気トンネル接合素子の自由強磁性層の磁化方向を効果
的に変えて自由強磁性層の磁気状態を読出し及び書込み
動作ができるようにする読出し及び書込み回路を有する
磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセス
メモリを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明に係る読出し及び書込み回路を有する磁気
トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモ
リは、読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合
素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリにおいて、
一定の間隔にストライプ状に配置されたワードライン
と、前記ワードラインと交差する方向にストライプ状に
配置され、互いに平行に配列された読出し用ビットライ
ン及び書込み用ビットラインと、前記ワードライン及び
前記読出し用ビットラインが互いに交差する点で前記ワ
ードライン及び読出し用ビットラインと接触するように
形成された磁気トンネル接合素子と、前記ワードライン
と前記書込み用ビットラインとそれぞれ接続されて前記
各磁気トンネル接合素子の側面及び底面を迂回して通る
ように形成された電流迂回通路とを具備して構成される
ことを特徴とする。（請求項１）
【０００８】また、本発明は、請求項１において、前記
電流迂回通路は、それぞれ前記ワードラインに接続され
て前記磁気トンネル接合素子を垂直下方に通る貫通ホー
ル部と、前記書込み用ビットライン及び前記貫通ホール
部に接続されて前記磁気トンネル接合素子と接触した前
記読出し用ビットラインの底面を通るように形成された
底面通路部とを具備して構成されることを特徴とする。
（請求項２）
【０００９】また、前記磁気トンネル接合素子はそれぞ
れ、磁化方向が固定されている固定された強磁性層と、
前記固定された強磁性層の磁化方向を固定させるために
反強磁性結合を利用できるようにする反強磁性層と、前
記磁化の方向が固定された強磁性層に対して磁化の方向
を平行または反平行方向に変わりうる自由強磁性層と、
前記磁化方向が固定された強磁性層と自由強磁性層との
間に形成された絶縁性トンネル障壁層とを具備して構成
される。（請求項３）
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係る読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合
素子を利用した磁気メモリについて詳細に説明する。な
お、本発明はこの実施の形態のみに限定されるものでは
なく、本発明の技術的思想に基づく限りにおいて適宜に
変更することが可能である。本発明に係る磁気メモリ
は、自由強磁性層の磁気状態の読出し及び書込みを実行
できるようにする回路を具備した磁気トンネル接合素子
を利用した磁気メモリである。本発明は、ワードライン
とビットラインとが交差する点に形成された磁気トンネ
ル接合素子の書込み回路の構造を変更することにより、
自由強磁性層の磁化方向を効果的に変えることができ、
ワードラインとビットラインとが交差する点にランダム
アクセスすることができる構造を備えた磁気メモリを具
現化する。
【００１１】図４は、本発明に係る読出し及び書込み回
路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気メモリ
の概略的構造を示す斜視図である。図４に示されるよう
に、本発明に係る読出し及び書込み回路を有する磁気ト
ンネル接合素子を利用した磁気メモリは、選択された磁
気トンネル接合素子に情報を記録するための書込み動作
を実行する場合、電流が磁気トンネル接合素子を迂回で
きるようにする電流迂回通路１３０を形成したことを特
徴とする。
【００１２】さらに、本発明に係る読出し及び書込み回
路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気メモリ
は、このような電流迂回通路１３０を実際に活用できる
ようにするために、二本のビットライン１１０、１２０
をそれぞれ具備する。これらの二本のビットライン１１
０、１２０はストライプ状に配列されたワードライン１
００と交差する方向にストライプ状に並んで配列されて
いるが、これら二本のビットラインのうち、一本は読出
し用ビットライン１１０であり、他方は書込み用ビット
ライン１２０である。
【００１３】ここで、磁気トンネル素子２００は、ワー
ドライン１００と読出し用ビットライン１１０とが交差
する点において、二つの電極と接触するように形成され
る。そして、電流迂回通路１３０は、ワードライン１０
０に接続され、磁気トンネル接合素子２００の一側面に
非接触で近接して通るように垂直下方に形成された貫通
ホール部１３０ａと、この貫通ホール部１３０ａの端部
と接続され、磁気トンネル接合素子２００の底面を非接
触でワードライン１００と平行に通るようにして書込み
用ビットライン１２０と垂直に接続される底面通路部１
３０ｂとから構成される。
【００１４】この場合、電流迂回通路１３０の底面通路
部１３０ｂは、磁気トンネル接合素子２００と直接接続
された読出し用ワードライン１１０の底面を絶縁層（図
示せず）を介して非接触で通るように構成されている。
従って、書込み用ビットライン１２０は、磁気トンネル
接合素子２００とは同一平面内で離れた領域で読出し用
ビットライン１１０と平行に配置されるようになる。
【００１５】本発明にあっては、このような構成によっ
て、ワードラインとビットラインとが交差する点の各々
に、ＭＴＪ素子を配置してメモリセルを形成し、それぞ
れ選択されたセルのみに限ってＭＴＪの磁化方向を変え
ることができるような強度の電場を印加するようにす
る。
【００１６】その際、書込み用ビットラインを読出し用
ビットラインとは別に用意して、書込み動作時に電流が
選択された各ＭＴＪ素子を迂回して書込み用ビットライ
ンを通じて流れるように構成することにより、ＭＴＪで
の自由層の磁化方向がワードラインと電流迂回通路に沿
って流れる電流によって固定された強磁性層の磁化の方
向と平行または反平行な方向となるように形成する。
【００１７】従って、このような迂回電流はＭＴＪに影
響を及ぼす磁場を増加させることができる。さらに、こ
のような構造とすることにより、書込み時と読出し時の
いずれにおいてもワードラインとビットラインとが交差
する点でランダムアクセスを行なうことができるように
なる。
【００１８】このような構造を有する磁気トンネル接合
素子を利用した磁気メモリは以下のように動作する。図
４で書込みが「１」の場合、電流が矢印５０の方向に流
れれば、ＭＴＪセルの磁場は矢印５１の方向に形成され
る。このとき、ＭＴＪセルの自由強磁性層のスピン（磁
気モーメント）方向が、図５（Ａ）に示すような固定さ
れた強磁性層の磁化方向と反対である、すなわち、印加
された磁場と同じ方向になり、メモリアレイにおいて
「１」状態として記憶される。
【００１９】一方、図４で書込みが「０」の場合、電流
が流れる方向が反対であるから、図５（Ｂ）に示すよう
に磁化方向が固定された強磁性層の磁化方向と平行であ
る、すなわち、磁場が「１」の書込みの場合と反対方向
に形成されるようになるので、ＭＴＪ素子から成るメモ
リセルの自由強磁性層のスピン方向はメモリアレイにお
いて「０」状態として記憶されるようになる。
【００２０】また、読出し回路の動作は、前記した記録
された状態において、ＭＴＪセルを通過する電流の大き
さが自由強磁性層と固定された強磁性層のスピン方向が
平行または反平行であるかによって変わることを利用し
て「１」、「０」状態を感知する。
【００２１】このように動作する読出し及び書込み回路
を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気メモリの
製作方法は次の通りである。まず、図６（Ａ）に示すよ
うに、基板１０００上にマスク等を介して従来公知の方
法で金属を蒸着することにより回路をパターニングし、
書込み用ビットライン１２０及び電流迂回通路の底面通
路部１３０ｂを形成する。
【００２２】次に、図６（Ｂ）に示すように、基板１０
００及び書込み用ビットライン１２０と底面通路部１３
０ｂの上面に絶縁層３００を塗布する。続いて、図７
（Ａ）に示すように、絶縁層３００上にマスク等を介し
て従来公知の方法で金属を蒸着することにより回路をパ
ターニングし、書込み用ビットライン１２０と平行に読
出し用ビットライン１１０を形成する。
【００２３】次に、図７（Ｂ）に示すように、読出し用
ビットライン１１０上に磁気トンネル接合素子２００を
形成する。さらに、図８（Ａ）に示すように、磁気トン
ネル素子２００の上面のみが露出されるよう全面的に絶
縁層３０１を塗布する。
【００２４】引き続き、図８（Ｂ）に示すように、電流
迂回通路の貫通ホール部を形成するための貫通ホール３
０２を形成し、その内部に金属を蒸着させ電流迂回通路
の貫通ホール部１３０ａを形成する。そして、図９に示
すように、マスク等を介して従来公知の方法を用いて金
属を蒸着することによりパターニングして貫通ホール部
１３０ａの上面と磁気トンネル接合素子２００の上面と
が接触するように前記したような書込みと読出しの二つ
のビットラインと交差する方向にワードライン１００を
形成する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
係る読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素
子を利用した磁気メモリは、ワードラインと読出し用ビ
ットラインとが交差する点にそれぞれＭＴＪ素子を配置
してメモリセルを形成し、書込み用ビットラインを読出
し用ビットラインと並んで配置した後、ワードラインか
ら電流が書込み用ビットラインに磁気トンネル接合素子
の側面及び底面を迂回して流れることができるようにす
る電流迂回通路を具備して構成される。
【００２６】このように構成することにより、それぞれ
選択されたセルのみに限ってＭＴＪの磁化方向を変える
ことができる強度の電場を印加できるようにするもので
ある。これによって書込み動作時にはＭＴＪでの自由層
の磁化方向が、ワードラインと電流迂回通路に沿って流
れる電流により固定された強磁性層の磁化の方向と平
行、または反平行な方向になるように形成される。従っ
て、このような迂回電流がＭＴＪに影響を及ぼす磁場を
増加させるように作用する。
【００２７】さらに、本発明に係る読出し及び書込み回
路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気メモリ
は、このような構造を有することにより、書込み時と読
出し時に共にワードラインとビットラインとが交差する
点でランダムアクセスすることができるようになる。こ
のような構造は、既存の金属と誘電体のリソグラフィ工
程と磁気物質の多重層の蒸着技術、隔壁形成及び貫通ホ
ールの製造技術を利用して具現化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な磁気メモリセルに必須のＭＴＪの基本
構造を示す図面である。
【図２】磁気トンネル接合素子を用いた従来の磁気ラン
ダムアクセスメモリの構造及び動作を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、図２に示され
る動作により各磁気トンネル接合素子及びその磁性層に
形成される磁気モーメントの方向を示す図面である。
【図４】本発明に係る読出し及び書込み回路を有する磁
気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメ
モリの構造及び動作を示す図面である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、図４に示される動作に
より各磁気トンネル接合素子の磁性層に形成される磁気
モーメントの方向を示す図面である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図４の読出し
及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用し
た磁気ランダムアクセスメモリの製作方法を工程段階別
に示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図４の読出し
及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用し
た磁気ランダムアクセスメモリの製作方法を工程段階別
に示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図４の読出し
及び書込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用し
た磁気ランダムアクセスメモリの製作方法を工程段階別
に示す断面図である。
【図９】図４の読出し及び書込み回路を有する磁気トン
ネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリの
製作方法を工程段階別に示す断面図である。
【符号の説明】
５０ 電流の方向 ５１ 磁場の方向 １００ ワードライン １１０ 読出し用ビットライン １２０ 書込み用ビットライン １３０ 電流迂回通路 １３０ａ 貫通ホール部 １３０ｂ 底面通路部 ２００ 磁気トンネル接合素子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 読出し及び書込み回路を有する磁気トン
    ネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリに
    おいて、 一定の間隔にストライプ状に配置されたワードライン
    と、 前記ワードラインと交差する方向にストライプ状に配置
    され、互いに平行に配列された読出し用ビットライン及
    び書込み用ビットラインと、 前記ワードライン及び前記読出し用ビットラインが互い
    に交差する点で前記ワードライン及び読出し用ビットラ
    インと接触するように形成された磁気トンネル接合素子
    と、 前記ワードラインと前記書込み用ビットラインとそれぞ
    れ接続されて前記各磁気トンネル接合素子の側面及び底
    面を迂回して通るように形成された電流迂回通路とを具
    備して構成されることを特徴とする読出し及び書込み回
    路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダ
    ムアクセスメモリ。
  2. 【請求項２】 前記電流迂回通路は、 それぞれ前記ワードラインに接続されて前記磁気トンネ
    ル接合素子を垂直下方に通る貫通ホール部と、 前記書込み用ビットライン及び前記貫通ホール部に接続
    されて前記磁気トンネル接合素子と接触した前記読出し
    用ビットラインの底面を通るように形成された底面通路
    部とを具備して構成されることを特徴とする請求項１に
    記載の読出し及び書込み回路を有する磁気トンネル接合
    素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ。
  3. 【請求項３】 前記磁気トンネル接合素子はそれぞれ、 磁化方向が固定されている固定された強磁性層と、 前記固定された強磁性層の磁化方向を固定させるために
    反強磁性結合を利用できるようにする反強磁性層と、 前記磁化の方向が固定された強磁性層に対して磁化の方
    向を平行または反平行方向に変わりうる自由強磁性層
    と、 前記磁化方向が固定された強磁性層と自由強磁性層との
    間に形成された絶縁性トンネル障壁層とを具備して構成
    されることを特徴とする請求項１に記載の読出し及び書
    込み回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気
    ランダムアクセスメモリ。
JP2001021041A 2000-02-03 2001-01-30 書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ Withdrawn JP2001267524A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR00-5489 2000-02-03
KR10-2000-0005489A KR100366702B1 (ko) 2000-02-03 2000-02-03 쓰기 및 읽기 회로를 갖는 자기 터널 접합 소자를 이용한자기 랜덤 액세스 메모리

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001267524A true JP2001267524A (ja) 2001-09-28

Family

ID=19644266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001021041A Withdrawn JP2001267524A (ja) 2000-02-03 2001-01-30 書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6479848B2 (ja)
JP (1) JP2001267524A (ja)
KR (1) KR100366702B1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004003921A2 (en) * 2002-06-28 2004-01-08 Freescale Semiconductor, Inc. Mram architecture with electrically isolated read write circuitry
JP2004119904A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Nec Corp 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
JP2004179489A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Renesas Technology Corp 磁気半導体記憶装置
US6897532B1 (en) * 2002-04-15 2005-05-24 Cypress Semiconductor Corp. Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same
US6914806B2 (en) 2002-04-03 2005-07-05 Renesas Technology Corp. Magnetic memory device
JP2006518937A (ja) * 2003-01-31 2006-08-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 低消費電力且つ高選択度のためのｍｒａｍアーキテクチャ
JP4811627B2 (ja) * 2002-01-16 2011-11-09 マイクロン テクノロジー， インク． 磁気抵抗メモリデバイス及びアセンブリ、及び情報の記憶及び再生方法
JP2012151307A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Tdk Corp スピン伝導素子

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390978B1 (ko) * 2000-12-28 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램
US6693821B2 (en) * 2001-06-28 2004-02-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Low cross-talk electrically programmable resistance cross point memory
US6925001B2 (en) * 2001-06-28 2005-08-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Electrically programmable resistance cross point memory sensing method
KR100802262B1 (ko) * 2001-06-30 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 자기저항램과 그의 셀 및 셀 어레이
JP3884312B2 (ja) * 2002-03-28 2007-02-21 株式会社東芝 磁気記憶装置
JP4208500B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-14 株式会社ルネサステクノロジ 薄膜磁性体記憶装置
CN1184643C (zh) * 2002-07-29 2005-01-12 财团法人工业技术研究院 具有低写入电流的磁性随机存取内存
US6711053B1 (en) * 2003-01-29 2004-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Scaleable high performance magnetic random access memory cell and array
JP2004273656A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Taiyo Yuden Co Ltd Ｅｐｉｒ素子及びそれを利用した半導体装置
US20050230724A1 (en) * 2004-04-16 2005-10-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. 3D cross-point memory array with shared connections
KR100817061B1 (ko) 2006-09-26 2008-03-27 삼성전자주식회사 기입 전류와 같은 방향의 금지 전류를 흐르게 하는마그네틱 램
US7859069B2 (en) * 2007-03-16 2010-12-28 Seagate Technology Llc Magnetic storage element with storage layer magnetization directed for increased responsiveness to spin polarized current
US8004881B2 (en) * 2007-12-19 2011-08-23 Qualcomm Incorporated Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths
US9172030B2 (en) * 2011-07-15 2015-10-27 The Johns Hopkins University Magneto-electronic devices and methods of production
US11164638B2 (en) * 2018-07-03 2021-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device
CN111833931B (zh) * 2019-04-22 2022-07-08 上海新微技术研发中心有限公司 磁随机存取存储器及其制备方法
CN111833930B (zh) * 2019-04-22 2022-07-08 上海新微技术研发中心有限公司 磁随机存取存储器及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5640343A (en) * 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
US5946228A (en) * 1998-02-10 1999-08-31 International Business Machines Corporation Limiting magnetic writing fields to a preferred portion of a changeable magnetic region in magnetic devices

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4811627B2 (ja) * 2002-01-16 2011-11-09 マイクロン テクノロジー， インク． 磁気抵抗メモリデバイス及びアセンブリ、及び情報の記憶及び再生方法
US6914806B2 (en) 2002-04-03 2005-07-05 Renesas Technology Corp. Magnetic memory device
US6897532B1 (en) * 2002-04-15 2005-05-24 Cypress Semiconductor Corp. Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same
WO2004003921A3 (en) * 2002-06-28 2005-11-24 Freescale Semiconductor Inc Mram architecture with electrically isolated read write circuitry
WO2004003921A2 (en) * 2002-06-28 2004-01-08 Freescale Semiconductor, Inc. Mram architecture with electrically isolated read write circuitry
CN100437818C (zh) * 2002-06-28 2008-11-26 飞思卡尔半导体公司 具有电隔离的读写电路的mram结构
JP4596229B2 (ja) * 2002-09-27 2010-12-08 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
JP2004119904A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Nec Corp 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
JP4664573B2 (ja) * 2002-11-28 2011-04-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気半導体記憶装置
JP2004179489A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Renesas Technology Corp 磁気半導体記憶装置
JP2006518937A (ja) * 2003-01-31 2006-08-17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 低消費電力且つ高選択度のためのｍｒａｍアーキテクチャ
JP4932471B2 (ja) * 2003-01-31 2012-05-16 エヌエックスピー ビー ヴィ 低消費電力且つ高選択度のためのｍｒａｍアーキテクチャ
JP2012151307A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Tdk Corp スピン伝導素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010077599A (ko) 2001-08-20
KR100366702B1 (ko) 2003-01-08
US20020122338A1 (en) 2002-09-05
US6479848B2 (en) 2002-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001267524A (ja) 書込み及び読出し回路を有する磁気トンネル接合素子を利用した磁気ランダムアクセスメモリ
US6538920B2 (en) Cladded read conductor for a pinned-on-the-fly soft reference layer
US6404674B1 (en) Cladded read-write conductor for a pinned-on-the-fly soft reference layer
KR100902696B1 (ko) 스핀 주입 ram 및 그 기록방식
KR100948009B1 (ko) Ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀, ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀들의 어레이, 및 ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀을 형성하는 방법
JP3677455B2 (ja) 不揮発性磁気記憶装置およびその製造方法
US8791534B2 (en) Magnetic memory device and magnetic memory
US6542398B2 (en) Magnetic random access memory
JP2002520873A (ja) 低切替磁界磁性トンネル接合
JP2005229099A (ja) 積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ｍｒａｍ）のための方法および装置
US7095648B2 (en) Magnetoresistive memory cell array and MRAM memory comprising such array
US7132707B2 (en) Magnetic random access memory array with proximate read and write lines cladded with magnetic material
KR100434958B1 (ko) 마그네틱 램
WO2010053039A1 (ja) 磁性記憶素子の初期化方法
JP2003188359A (ja) 磁気的に軟らかい合成フェリ磁性体基準層を含む磁気抵抗素子
KR100975803B1 (ko) Ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀, ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀들의 어레이, 및 ｍｔｊ ｍｒａｍ 셀을 형성하는 방법
US7414882B2 (en) Magnetic memory devices having rotationally offset magnetic storage elements therein
KR100443120B1 (ko) 기억 셀 장치 및 제조 방법
US20090040663A1 (en) Magnetic memory
KR20040003479A (ko) 자기 랜덤 액세스 메모리 디바이스의 셀 구조 및 그제조방법
KR100624593B1 (ko) Ｓａｌ층을 갖는 ｍｒａｍ
JP2004031640A (ja) 磁気メモリ装置
RU2704732C1 (ru) Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом
TW503393B (en) Magneto-resistance random access memory array having pseudo spin valve
JP4370747B2 (ja) 情報記憶装置およびその書き込み方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051003

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20061102

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20061106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090514

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090525