JP2001258267A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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-
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- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平滑コンデンサを半導体装置内に内蔵させ、
配線インダクタンスを低減してコンデンサを小型化し、
ひいては電力変換装置（インバータ）全体を小型化する
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体装置２のＰ電極３０ａとＮ電極３
１ａと、スイッチング素子２０およびダイオード２１を
有するＵ相４０、Ｖ相４１およびＷ相４２の各相に接続
された平板状またはブロック状のコンデンサ１０を内蔵
し、上記各相それぞれのＰ電極３０ａおよびＮ電極３１
ａに１個または複数個のコンデンサ１０が接続されてい
る構成とする。
配線インダクタンスを低減してコンデンサを小型化し、
ひいては電力変換装置（インバータ）全体を小型化する
ことを目的とする。 【解決手段】 半導体装置２のＰ電極３０ａとＮ電極３
１ａと、スイッチング素子２０およびダイオード２１を
有するＵ相４０、Ｖ相４１およびＷ相４２の各相に接続
された平板状またはブロック状のコンデンサ１０を内蔵
し、上記各相それぞれのＰ電極３０ａおよびＮ電極３１
ａに１個または複数個のコンデンサ１０が接続されてい
る構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ装置を
構成する際に用いられる半導体装置に関するものであ
る。
構成する際に用いられる半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】インバータは、各種民生用あるいは産業
用の電気機器に広く用いられている。例えば、交流モー
タによって推進される電気自動車や、エンジンと交流モ
ータによって推進されるハイブリッドカーにおいては、
図１５（ｃ）に示すように、モータと直流電源の間にイ
ンバータ１が介在している。インバータ１は、図１５
（ａ）の平面図および図１５（ｂ）の断面図に示すよう
に、半導体装置２と半導体装置２の外部に配置されたコ
ンデンサ１０によって構成される。コンデンサ１０は直
流電源のリプル電圧変動を抑制するために必要とするも
のである。半導体装置２は、絶縁基板２５に搭載された
スイッチング素子２０とダイオード２１によって直流を
交流に変換する、またはその逆に交流を直流に変換する
ものであり、３相交流モータを使用する場合には、Ｕ相
４０、Ｖ相４１およびＷ相４２の３つの相で構成されて
いる。絶縁基板２５は放熱板６０に搭載され放熱板６０
は合成樹脂性のケース５０に固定されている。ケース５
０には、内部配線のための複数の導体がインサート形成
されており、この導体は、その一部がケース５０の表面
に露出し、直流側のＰ端子３０とＮ端子３１および交流
側のＵ端子３２とＶ端子３３とＷ端子３４を形成すると
ともに、絶縁基板２５の表面に形成された図示していな
い配線パターンやアルミワイヤによってスイッチング素
子２０とダイオード２１に接続され、図１５（ｃ）に示
した回路を構成している。Ｐ端子３０とＮ端子３１には
直流電源が接続され、交流側のＵ端子３２とＶ端子３３
とＷ端子３４には三相交流モータが接続される。
用の電気機器に広く用いられている。例えば、交流モー
タによって推進される電気自動車や、エンジンと交流モ
ータによって推進されるハイブリッドカーにおいては、
図１５（ｃ）に示すように、モータと直流電源の間にイ
ンバータ１が介在している。インバータ１は、図１５
（ａ）の平面図および図１５（ｂ）の断面図に示すよう
に、半導体装置２と半導体装置２の外部に配置されたコ
ンデンサ１０によって構成される。コンデンサ１０は直
流電源のリプル電圧変動を抑制するために必要とするも
のである。半導体装置２は、絶縁基板２５に搭載された
スイッチング素子２０とダイオード２１によって直流を
交流に変換する、またはその逆に交流を直流に変換する
ものであり、３相交流モータを使用する場合には、Ｕ相
４０、Ｖ相４１およびＷ相４２の３つの相で構成されて
いる。絶縁基板２５は放熱板６０に搭載され放熱板６０
は合成樹脂性のケース５０に固定されている。ケース５
０には、内部配線のための複数の導体がインサート形成
されており、この導体は、その一部がケース５０の表面
に露出し、直流側のＰ端子３０とＮ端子３１および交流
側のＵ端子３２とＶ端子３３とＷ端子３４を形成すると
ともに、絶縁基板２５の表面に形成された図示していな
い配線パターンやアルミワイヤによってスイッチング素
子２０とダイオード２１に接続され、図１５（ｃ）に示
した回路を構成している。Ｐ端子３０とＮ端子３１には
直流電源が接続され、交流側のＵ端子３２とＶ端子３３
とＷ端子３４には三相交流モータが接続される。
【０００３】上記のように、従来の半導体装置はインバ
ータを構成する際に、半導体装置２の外部にコンデンサ
１０を配置し、図１５（ａ）および（ｂ）に示したよう
に、コンデンサ１０の電極端子１１ａおよび１１ｂと半
導体装置のＰ端子３０およびＮ端子３１とを接続するた
めに、絶縁板１５によって絶縁されたバスバー１６およ
び１７を必要とし、インバータ構成部品点数の増加、組
立の煩雑化、コストアップの原因になっていた。
ータを構成する際に、半導体装置２の外部にコンデンサ
１０を配置し、図１５（ａ）および（ｂ）に示したよう
に、コンデンサ１０の電極端子１１ａおよび１１ｂと半
導体装置のＰ端子３０およびＮ端子３１とを接続するた
めに、絶縁板１５によって絶縁されたバスバー１６およ
び１７を必要とし、インバータ構成部品点数の増加、組
立の煩雑化、コストアップの原因になっていた。
【０００４】また、コンデンサ１０は半導体装置２の外
部に配置されているため、コンデンサ１０と半導体装置
２内部のスイッチング素子２０との間の配線経路が長
く、インダクタンスが大きくなり、サージ電圧が大きく
なるため素子電圧を高くしなければならず高コストであ
った。また、インダクタンスが大きくなることで直流電
源のリプル電圧を抑制するためにコンデンサ１０の静電
容量を大きくする必要があり、コンデンサ１０の大型
化、ひいてはインバータ１の大型化の原因になってい
た。
部に配置されているため、コンデンサ１０と半導体装置
２内部のスイッチング素子２０との間の配線経路が長
く、インダクタンスが大きくなり、サージ電圧が大きく
なるため素子電圧を高くしなければならず高コストであ
った。また、インダクタンスが大きくなることで直流電
源のリプル電圧を抑制するためにコンデンサ１０の静電
容量を大きくする必要があり、コンデンサ１０の大型
化、ひいてはインバータ１の大型化の原因になってい
た。
【０００５】さらに、静電容量が大きなコンデンサとし
て、円筒形等の電解コンデンサを使用するのが一般的で
スペースの有効利用が困難であり、インバータ１の小型
化を阻害していた。
て、円筒形等の電解コンデンサを使用するのが一般的で
スペースの有効利用が困難であり、インバータ１の小型
化を阻害していた。
【０００６】特開平１０−２８５９０７号公報には、平
滑コンデンサからモジュールに至る配線経路を短くする
ため、ＩＧＢＴ、還流ダイオード、スナバダイオードを
共通の平面電極に実装し、さらに絶縁板を介して金属板
に搭載し、スナバコンデンサ、ゲート回路、保護回路と
ともに共通の外囲器に収納したＩＧＢＴモジュールが記
載されている。
滑コンデンサからモジュールに至る配線経路を短くする
ため、ＩＧＢＴ、還流ダイオード、スナバダイオードを
共通の平面電極に実装し、さらに絶縁板を介して金属板
に搭載し、スナバコンデンサ、ゲート回路、保護回路と
ともに共通の外囲器に収納したＩＧＢＴモジュールが記
載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
インバータは外部にコンデンサを配置するために、イン
バータ構成部品点数の増加、組立の煩雑化、コストアッ
プの原因になっていた。
インバータは外部にコンデンサを配置するために、イン
バータ構成部品点数の増加、組立の煩雑化、コストアッ
プの原因になっていた。
【０００８】また、特開平１０−２８５９０７号公報に
記載されたＩＧＢＴモジュールも、インバータを構成す
るためにはＩＧＢＴモジュールの外部に平滑コンデンサ
を必要とし、平滑コンデンサからＩＧＢＴモジュールに
至る配線インダクタンスの低減には限界があり、そのた
めサージ電圧を抑えるためのスナバコンデンサが必要に
なり、従って部品点数の増加、組立の煩雑化、ＩＧＢＴ
モジュールの大型化、平滑コンデンサの大型化、ひいて
はインバータ全体の大型化の原因になっていた。
記載されたＩＧＢＴモジュールも、インバータを構成す
るためにはＩＧＢＴモジュールの外部に平滑コンデンサ
を必要とし、平滑コンデンサからＩＧＢＴモジュールに
至る配線インダクタンスの低減には限界があり、そのた
めサージ電圧を抑えるためのスナバコンデンサが必要に
なり、従って部品点数の増加、組立の煩雑化、ＩＧＢＴ
モジュールの大型化、平滑コンデンサの大型化、ひいて
はインバータ全体の大型化の原因になっていた。
【０００９】本発明は、平滑コンデンサを半導体装置内
に内蔵させ、配線インダクタンスを低減してコンデンサ
を小型化し、ひいては電力変換装置（インバータ）全体
を小型化することを目的とする。
に内蔵させ、配線インダクタンスを低減してコンデンサ
を小型化し、ひいては電力変換装置（インバータ）全体
を小型化することを目的とする。
【００１０】また、部品点数を削減し、組立を容易にす
ることを目的とする。
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体装置は、半導体装置のＰ電極およびＮ電極と、スイッ
チング素子およびダイオードとを有する複数相の各相に
接続された平板状またはブロック状のコンデンサを内蔵
し、上記各相それぞれのＰ電極およびＮ電極に１個また
は複数個の上記コンデンサが接続されているものであ
る。
体装置は、半導体装置のＰ電極およびＮ電極と、スイッ
チング素子およびダイオードとを有する複数相の各相に
接続された平板状またはブロック状のコンデンサを内蔵
し、上記各相それぞれのＰ電極およびＮ電極に１個また
は複数個の上記コンデンサが接続されているものであ
る。
【００１２】本発明に係る第２の半導体装置は、上記第
１の半導体装置において、複数相の各Ｐ電極同士および
各Ｎ電極同士が、相間接続導体によってスイッチング素
子とコンデンサとの間で電気的に接続されているもので
ある。
１の半導体装置において、複数相の各Ｐ電極同士および
各Ｎ電極同士が、相間接続導体によってスイッチング素
子とコンデンサとの間で電気的に接続されているもので
ある。
【００１３】本発明に係る第３の半導体装置は、上記第
２の半導体装置において、相間接続導体が少なくとも２
つの導体からなり、上記相間接続導体の一方が各Ｐ電極
に接続され、他方が各Ｎ電極に接続され、互いに重なり
合うように近接して配置されているものである。
２の半導体装置において、相間接続導体が少なくとも２
つの導体からなり、上記相間接続導体の一方が各Ｐ電極
に接続され、他方が各Ｎ電極に接続され、互いに重なり
合うように近接して配置されているものである。
【００１４】本発明に係る第４の半導体装置は、上記第
３の半導体装置において、相間接続導体が平板状である
ものである。
３の半導体装置において、相間接続導体が平板状である
ものである。
【００１５】本発明に係る第５の半導体装置は、上記第
４の半導体装置において、平板状の相間接続導体の間に
絶縁板を有するものである。
４の半導体装置において、平板状の相間接続導体の間に
絶縁板を有するものである。
【００１６】本発明に係る第６の半導体装置は、上記第
５の半導体装置において、平板状の相間接続導体と絶縁
板とが接着層によって接着されているものである。
５の半導体装置において、平板状の相間接続導体と絶縁
板とが接着層によって接着されているものである。
【００１７】本発明に係る第７の半導体装置は、上記第
５の半導体装置において、相間接続導体がプリント配線
板に形成された導体であるものである。
５の半導体装置において、相間接続導体がプリント配線
板に形成された導体であるものである。
【００１８】本発明に係る第８の半導体装置は、上記第
６または７の半導体装置において、コンデンサの一方の
外部電極が、一方の相間接続導体に接続され、上記コン
デンサの他方の外部電極が、他方の相間接続導体に接続
されているものである。
６または７の半導体装置において、コンデンサの一方の
外部電極が、一方の相間接続導体に接続され、上記コン
デンサの他方の外部電極が、他方の相間接続導体に接続
されているものである。
【００１９】本発明に係る第９の半導体装置は、上記第
２の半導体装置において、半導体装置の筐体にスリット
が設けられ、このスリットによって、相間接続導体が位
置決めおよび支持されているものである。
２の半導体装置において、半導体装置の筐体にスリット
が設けられ、このスリットによって、相間接続導体が位
置決めおよび支持されているものである。
【００２０】本発明に係る第１０の半導体装置は、上記
第１の半導体装置において、コンデンサが支持板に固定
されているものである。
第１の半導体装置において、コンデンサが支持板に固定
されているものである。
【００２１】本発明に係る第１１の半導体装置は、上記
第１の半導体装置において、複数のコンデンサが１つの
支持板の一方または両方の面に固定されているものであ
る。
第１の半導体装置において、複数のコンデンサが１つの
支持板の一方または両方の面に固定されているものであ
る。
【００２２】本発明に係る第１２の半導体装置は、上記
第１０または１１の半導体装置において、半導体装置の
筐体にスリットが設けられ、このスリットによって、支
持板が位置決めおよび支持されているものである。
第１０または１１の半導体装置において、半導体装置の
筐体にスリットが設けられ、このスリットによって、支
持板が位置決めおよび支持されているものである。
【００２３】本発明に係る第１３の半導体装置は、上記
第１０または１１の半導体装置において、支持板が絶縁
体からなり、この支持板に電気的に絶縁された２つ以上
の導体が一体的に設けられ、コンデンサが上記導体を介
してＰ電極とＮ電極に接続されるものである。
第１０または１１の半導体装置において、支持板が絶縁
体からなり、この支持板に電気的に絶縁された２つ以上
の導体が一体的に設けられ、コンデンサが上記導体を介
してＰ電極とＮ電極に接続されるものである。
【００２４】本発明に係る第１４の半導体装置は、上記
第１０または１１の半導体装置において、導体が、絶縁
体からなる支持板の両面に互いに重なり合うように形成
され、コンデンサの一方の外部電極が支持板の一方の面
に形成された導体を介してＰ電極に接続され、上記コン
デンサの他方の外部電極が上記支持板の他方の面に形成
された導体を介してＮ電極に接続されているものであ
る。
第１０または１１の半導体装置において、導体が、絶縁
体からなる支持板の両面に互いに重なり合うように形成
され、コンデンサの一方の外部電極が支持板の一方の面
に形成された導体を介してＰ電極に接続され、上記コン
デンサの他方の外部電極が上記支持板の他方の面に形成
された導体を介してＮ電極に接続されているものであ
る。
【００２５】本発明に係る第１５の半導体装置は、上記
第１０または１１の半導体装置において、コンデンサの
外部電極の各部とパワーモジュールのＰ電極またはＮ電
極間の電流経路のインピーダンスを略均一化したもので
ある。
第１０または１１の半導体装置において、コンデンサの
外部電極の各部とパワーモジュールのＰ電極またはＮ電
極間の電流経路のインピーダンスを略均一化したもので
ある。
【００２６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は実施の形態
１に係る半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）
および回路構成図（ｃ）である。本実施の形態における
半導体装置２は、ケース５０と放熱板６０によって形成
された空間の放熱板６０上に、絶縁基板２５に搭載され
たスイッチング素子２０とダイオード２１、ブロック状
または平板状のコンデンサ１０が、Ｕ相４０、Ｖ相４１
およびＷ相４２の３つの相それぞれに設けられ、各相の
コンデンサ１０の外部電極は各相に形成された導体３０
ａおよび３１ａに接続されている。導体３０ａ、３１ａ
は、一端側がそれぞれケース５０にインサート形成され
て直流側のＰ端子３０とＮ端子３１に接続され、他端側
が絶縁基板２５の表面に形成された図示していない配線
パターンやアルミワイヤによってスイッチング素子２０
とダイオード２１に接続され、交流側のＵ端子３２とＶ
端子３３とＷ端子３４には三相交流モータが接続され、
図１（ｃ）に示した回路を構成している。
１に係る半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）
および回路構成図（ｃ）である。本実施の形態における
半導体装置２は、ケース５０と放熱板６０によって形成
された空間の放熱板６０上に、絶縁基板２５に搭載され
たスイッチング素子２０とダイオード２１、ブロック状
または平板状のコンデンサ１０が、Ｕ相４０、Ｖ相４１
およびＷ相４２の３つの相それぞれに設けられ、各相の
コンデンサ１０の外部電極は各相に形成された導体３０
ａおよび３１ａに接続されている。導体３０ａ、３１ａ
は、一端側がそれぞれケース５０にインサート形成され
て直流側のＰ端子３０とＮ端子３１に接続され、他端側
が絶縁基板２５の表面に形成された図示していない配線
パターンやアルミワイヤによってスイッチング素子２０
とダイオード２１に接続され、交流側のＵ端子３２とＶ
端子３３とＷ端子３４には三相交流モータが接続され、
図１（ｃ）に示した回路を構成している。
【００２７】本実施の形態によれば、コンデンサ１０を
内蔵することでコンデンサ１０−スイッチング素子２０
間の配線経路が短くなり、インダクタンスを低減できる
ので、サージ電圧が抑制され、スイッチング素子２０の
破壊を防止できる。
内蔵することでコンデンサ１０−スイッチング素子２０
間の配線経路が短くなり、インダクタンスを低減できる
ので、サージ電圧が抑制され、スイッチング素子２０の
破壊を防止できる。
【００２８】また、インダクタンスの低減により、コン
デンサ１０の静電容量が少なくても直流電源のリプル電
圧変動を抑制することが可能となるので、コンデンサ１
０を小型化でき、半導体装置２の小型化に効果がある。
デンサ１０の静電容量が少なくても直流電源のリプル電
圧変動を抑制することが可能となるので、コンデンサ１
０を小型化でき、半導体装置２の小型化に効果がある。
【００２９】また、コンデンサ１０が従来の電解コンデ
ンサのような円筒形ではなく平板状またはブロック状な
のでスペースを有効に活用でき、半導体装置２を小型化
することができる。
ンサのような円筒形ではなく平板状またはブロック状な
のでスペースを有効に活用でき、半導体装置２を小型化
することができる。
【００３０】また、コンデンサ１０を内蔵することによ
って、半導体装置２だけでインバータとしての機能を満
足するので、インバータとしての部品点数削減、組立容
易化、コストダウンを実現できる。
って、半導体装置２だけでインバータとしての機能を満
足するので、インバータとしての部品点数削減、組立容
易化、コストダウンを実現できる。
【００３１】また、コンデンサ１０と各相のスイッチン
グ素子２０の間の配線経路長さが均一でなく、相によっ
てインダクタンスが異なると、発生するサージ電圧が異
なるため、スイッチング素子２０の素子耐圧を最もイン
ダクタンスが大きい相に発生するサージ電圧に耐えられ
るように向上させるか、最もインダクタンスが大きい相
のスイッチング素子２０のスイッチング速度を低下させ
てサージ電圧を抑制するなどの対策が必要であるが、ど
ちらも電力損失が大きくなり、半導体装置としての性能
を低下させることになるが、本実施の形態によれば、Ｕ
相４０、Ｖ相４１、Ｗ相４２のそれぞれに対応したコン
デンサ１０と各相のスイッチング素子２０の間の配線経
路長さが均一になるため、インダクタンスが均一化され
ることにより、発生するサージ電圧が各相とも均一にな
るとともに、サージ電圧の絶対値も低減できるので、半
導体装置の性能が向上する。
グ素子２０の間の配線経路長さが均一でなく、相によっ
てインダクタンスが異なると、発生するサージ電圧が異
なるため、スイッチング素子２０の素子耐圧を最もイン
ダクタンスが大きい相に発生するサージ電圧に耐えられ
るように向上させるか、最もインダクタンスが大きい相
のスイッチング素子２０のスイッチング速度を低下させ
てサージ電圧を抑制するなどの対策が必要であるが、ど
ちらも電力損失が大きくなり、半導体装置としての性能
を低下させることになるが、本実施の形態によれば、Ｕ
相４０、Ｖ相４１、Ｗ相４２のそれぞれに対応したコン
デンサ１０と各相のスイッチング素子２０の間の配線経
路長さが均一になるため、インダクタンスが均一化され
ることにより、発生するサージ電圧が各相とも均一にな
るとともに、サージ電圧の絶対値も低減できるので、半
導体装置の性能が向上する。
【００３２】なお、本実施の形態においては半導体装置
２を３相構成としたが、これに限定されるものではな
い。
２を３相構成としたが、これに限定されるものではな
い。
【００３３】実施の形態２．図２は実施の形態２に係る
半導体装置の回路構成図である。本実施の形態は、Ｕ相
４０、Ｖ相４１、Ｗ相４２の導体３０ａおよび３１ａそ
れぞれ同士を、スイッチング素子２０とコンデンサ１０
との間で接続し、分流バランスを改善するものである。
半導体装置の回路構成図である。本実施の形態は、Ｕ相
４０、Ｖ相４１、Ｗ相４２の導体３０ａおよび３１ａそ
れぞれ同士を、スイッチング素子２０とコンデンサ１０
との間で接続し、分流バランスを改善するものである。
【００３４】図１（ｃ）においては、例えば、Ｕ相４０
がスイッチングした場合に発生するリプル電圧変動をお
さえるために、Ｕ相４０に対応したコンデンサ１０から
電流が供給されるほか、Ｖ相４１とＷ相４２に対応した
コンデンサ１０からも電流が供給されるが、これらの電
流は一旦Ｐ端子３０の方向へ流れ、各相の導体３０ａを
接続している部分を通り、Ｕ相４０の導体３０ａを通っ
てＵ相４０に流れる。これに対して、本実施の形態にお
いては、各相の導体３０ａおよび３１ａそれぞれ同士
が、スイッチング素子２０とコンデンサ１０の間で接続
されており、この相間接続部を通る電流経路の方が、Ｐ
端子３０とＮ端子３１に近い相間接続部を通る電流経路
よりも短く、インダクタンスも低くなるので、Ｕ相４０
がスイッチングした場合に、Ｖ相４１とＷ相４２に対応
したコンデンサ１０からＵ相４０に供給される電流が図
１（ｃ）の回路構成よりも増加するので分流バランスが
改善される。これはＵ相４０に限らず、どの相がスイッ
チングした場合でも同様であることはいうまでもない。
分流バランスが改善されると、個々のコンデンサ１０の
静電容量が小さくてもリプル電圧変動を抑えることがで
き、コンデンサ１０の小型化はもちろん、半導体装置２
の小型化にも効果がある。
がスイッチングした場合に発生するリプル電圧変動をお
さえるために、Ｕ相４０に対応したコンデンサ１０から
電流が供給されるほか、Ｖ相４１とＷ相４２に対応した
コンデンサ１０からも電流が供給されるが、これらの電
流は一旦Ｐ端子３０の方向へ流れ、各相の導体３０ａを
接続している部分を通り、Ｕ相４０の導体３０ａを通っ
てＵ相４０に流れる。これに対して、本実施の形態にお
いては、各相の導体３０ａおよび３１ａそれぞれ同士
が、スイッチング素子２０とコンデンサ１０の間で接続
されており、この相間接続部を通る電流経路の方が、Ｐ
端子３０とＮ端子３１に近い相間接続部を通る電流経路
よりも短く、インダクタンスも低くなるので、Ｕ相４０
がスイッチングした場合に、Ｖ相４１とＷ相４２に対応
したコンデンサ１０からＵ相４０に供給される電流が図
１（ｃ）の回路構成よりも増加するので分流バランスが
改善される。これはＵ相４０に限らず、どの相がスイッ
チングした場合でも同様であることはいうまでもない。
分流バランスが改善されると、個々のコンデンサ１０の
静電容量が小さくてもリプル電圧変動を抑えることがで
き、コンデンサ１０の小型化はもちろん、半導体装置２
の小型化にも効果がある。
【００３５】実施の形態３．図３は実施の形態３に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける回路構成は先に述べた図２の回路構成と同一であ
る。図に示すように、相間接続導体４５および４６が各
相の導体３０ａおよび３１ａそれぞれ同士を各相のスイ
ッチング素子２０とコンデンサ１０との間で接続し、図
３（ｃ）に示すように平板状で、互いに重なりあうよう
に近接して配置されている。
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける回路構成は先に述べた図２の回路構成と同一であ
る。図に示すように、相間接続導体４５および４６が各
相の導体３０ａおよび３１ａそれぞれ同士を各相のスイ
ッチング素子２０とコンデンサ１０との間で接続し、図
３（ｃ）に示すように平板状で、互いに重なりあうよう
に近接して配置されている。
【００３６】本実施の形態によれば、相間インダクタン
スを、より一層低減することができる。例えば、Ｕ相４
０がスイッチングした場合に、Ｖ相４１とＷ相４２に対
応したコンデンサ１０からＵ相４０に供給される電流は
相間接続導体４５と４６を通るが、この際、相間接続導
体４５にはＶ相４１とＷ相４２に対応したコンデンサ１
０からＵ相に向かう電流が、相間接続導体４６に流れる
電流とは逆向きに流れ、それぞれの電流が流れることに
よって生じる磁界がキャンセルされる。この磁界のキャ
ンセル効果によって相間インダクタンスを低減できる。
スを、より一層低減することができる。例えば、Ｕ相４
０がスイッチングした場合に、Ｖ相４１とＷ相４２に対
応したコンデンサ１０からＵ相４０に供給される電流は
相間接続導体４５と４６を通るが、この際、相間接続導
体４５にはＶ相４１とＷ相４２に対応したコンデンサ１
０からＵ相に向かう電流が、相間接続導体４６に流れる
電流とは逆向きに流れ、それぞれの電流が流れることに
よって生じる磁界がキャンセルされる。この磁界のキャ
ンセル効果によって相間インダクタンスを低減できる。
【００３７】磁界のキャンセル効果は、対向する電流が
流れる２つの導体の距離が小さいほど強く、また重なり
合う面積が多いほど強く働くので、相間接続導体４５と
４６を、電気的な絶縁を確保しつつ可能な限り近接して
配置すること、また、相間接続導体４５と４６の面積を
可能な限り大きくし、重なり合う面積が多くなるように
することが重要である。
流れる２つの導体の距離が小さいほど強く、また重なり
合う面積が多いほど強く働くので、相間接続導体４５と
４６を、電気的な絶縁を確保しつつ可能な限り近接して
配置すること、また、相間接続導体４５と４６の面積を
可能な限り大きくし、重なり合う面積が多くなるように
することが重要である。
【００３８】また、スイッチング素子２０の動作周波数
が高くなると、相間接続導体４５と４６に流れる電流も
高周波的になり、表皮効果によって導体表面にしか電流
が流れない状態になり、インピーダンスが高くなる。そ
こで本実施の形態のように相間接続導体４５、４６を平
板状とし、表面積を大きくすることによって表皮効果に
よるインピーダンスの増加を抑制することができる。
が高くなると、相間接続導体４５と４６に流れる電流も
高周波的になり、表皮効果によって導体表面にしか電流
が流れない状態になり、インピーダンスが高くなる。そ
こで本実施の形態のように相間接続導体４５、４６を平
板状とし、表面積を大きくすることによって表皮効果に
よるインピーダンスの増加を抑制することができる。
【００３９】なお、相間インダクタンス低減効果を得る
ためには、図３（ａ）および図３（ｂ）に示す位置に相
間接続導体４５、４６を配置するの最適であるが、他の
位置に配置しても同様の効果が得られることは明らかで
ある。
ためには、図３（ａ）および図３（ｂ）に示す位置に相
間接続導体４５、４６を配置するの最適であるが、他の
位置に配置しても同様の効果が得られることは明らかで
ある。
【００４０】実施の形態４．図４は実施の形態４に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図３（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、相間接続導体４５
と４６の間に絶縁板４７を設けたことが特徴である。絶
縁板４７は相間接続導体４５と４６またはケース５０に
よって支持・固定されている。絶縁板４７の材料として
は、絶縁耐圧が高く、軽量で、安価な材料、例えば、プ
リント配線板の基材に用いられるガラスエポキシ板など
が適している。なお、相間接続導体４５と４６の電位差
が小さい場合はポリイミドやポリエチレンなどの薄いフ
ィルム状の絶縁物でも機能上問題はない。
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図３（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、相間接続導体４５
と４６の間に絶縁板４７を設けたことが特徴である。絶
縁板４７は相間接続導体４５と４６またはケース５０に
よって支持・固定されている。絶縁板４７の材料として
は、絶縁耐圧が高く、軽量で、安価な材料、例えば、プ
リント配線板の基材に用いられるガラスエポキシ板など
が適している。なお、相間接続導体４５と４６の電位差
が小さい場合はポリイミドやポリエチレンなどの薄いフ
ィルム状の絶縁物でも機能上問題はない。
【００４１】絶縁板４７を設けることによって、相間接
続導体４５と４６の間隔を小さくしても十分な絶縁耐圧
を確保できることはいうまでもないが、例えば、相間接
続導体４５と４６の電位差が１ｋＶであった場合、絶縁
板がなくても約０．３ｍｍという小さな間隔で絶縁耐圧
を確保することが理論上可能であり、強いて絶縁板４７
を設ける必要はない。しかし、半導体装置２が電気自動
車などに搭載されることを考えた場合、半導体装置２の
振動が加わることは避け難く、絶縁板４７を設けずに相
間接続導体４５と４６の間隔を小さくすると、振動によ
って相間接続導体４５、４６が変形して間隔が変化し、
絶縁耐圧を確保するために必要な最小間隔以下になる、
あるいは最悪の場合、相間接続導体４５と４６が接触し
てショートする可能性があり、絶縁を確保することが困
難になるため、装置を大型化する必要がある。
続導体４５と４６の間隔を小さくしても十分な絶縁耐圧
を確保できることはいうまでもないが、例えば、相間接
続導体４５と４６の電位差が１ｋＶであった場合、絶縁
板がなくても約０．３ｍｍという小さな間隔で絶縁耐圧
を確保することが理論上可能であり、強いて絶縁板４７
を設ける必要はない。しかし、半導体装置２が電気自動
車などに搭載されることを考えた場合、半導体装置２の
振動が加わることは避け難く、絶縁板４７を設けずに相
間接続導体４５と４６の間隔を小さくすると、振動によ
って相間接続導体４５、４６が変形して間隔が変化し、
絶縁耐圧を確保するために必要な最小間隔以下になる、
あるいは最悪の場合、相間接続導体４５と４６が接触し
てショートする可能性があり、絶縁を確保することが困
難になるため、装置を大型化する必要がある。
【００４２】本実施の形態においては、絶縁板４７を設
けることによって、振動が加わっても小さい導体間隔で
確実に絶縁でき、磁界のキャンセル効果がより大きくな
り、相間インダクタンスをより低減できるとともに、装
置を小型化できる。
けることによって、振動が加わっても小さい導体間隔で
確実に絶縁でき、磁界のキャンセル効果がより大きくな
り、相間インダクタンスをより低減できるとともに、装
置を小型化できる。
【００４３】実施の形態５．図５は実施の形態５に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図４（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、平板状導体４５と
４６が接着層４８によって絶縁板４７に接着されている
ことが特徴である。
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図４（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、平板状導体４５と
４６が接着層４８によって絶縁板４７に接着されている
ことが特徴である。
【００４４】これによって平板状導体４５、４６および
絶縁板４７を一つの部品として扱うことができ、半導体
装置２の組立が容易になる。
絶縁板４７を一つの部品として扱うことができ、半導体
装置２の組立が容易になる。
【００４５】また、半導体装置２に振動が加わっても、
平板状導体４５と４６の間隔が変わることがなく、安定
した磁界のキャンセル効果を得ることができる。
平板状導体４５と４６の間隔が変わることがなく、安定
した磁界のキャンセル効果を得ることができる。
【００４６】実施の形態６．図６は実施の形態６に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図５（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、絶縁板に導体が接
合された相間接続導体４５、４６を１枚のプリント配線
板６５によって実現していることが特徴である。
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）および相
間接続導体を示す正面図（ｃ）である。本実施の形態に
おける半導体装置２の構成は先に述べた図５（ａ）およ
び（ｂ）の構成とほぼ同一であるが、絶縁板に導体が接
合された相間接続導体４５、４６を１枚のプリント配線
板６５によって実現していることが特徴である。
【００４７】プリント配線板６５は４層基板であり、第
１層と第３層には各相の導体３０ａ同士を接続する相間
接続導体４５ａと４５ｂが形成され、第２層と第４層に
は各相の導体３１ａ同士を接続する相間接続導体４６ａ
と４６ｂが形成されており、相間接続導体４５ａと４５
ｂ、相間接続導体４６ａと４６ｂはそれぞれスルーホー
ル７５によって電気的に接続されている。
１層と第３層には各相の導体３０ａ同士を接続する相間
接続導体４５ａと４５ｂが形成され、第２層と第４層に
は各相の導体３１ａ同士を接続する相間接続導体４６ａ
と４６ｂが形成されており、相間接続導体４５ａと４５
ｂ、相間接続導体４６ａと４６ｂはそれぞれスルーホー
ル７５によって電気的に接続されている。
【００４８】プリント配線板６５は各種電気機器に一般
的に使用されているプリント配線板と同様のものであ
る。従って、所望の形状・寸法の導体形成が容易であ
り、大量生産が容易であり、入手が容易なので、実施の
形態５と同様の効果を安価に実現できる。
的に使用されているプリント配線板と同様のものであ
る。従って、所望の形状・寸法の導体形成が容易であ
り、大量生産が容易であり、入手が容易なので、実施の
形態５と同様の効果を安価に実現できる。
【００４９】なお、本実施の形態ではプリント配線板６
５の層数は４層としているが、必要に応じて層数を変え
ることは容易であり、同様の効果が得られることはいう
までもない。
５の層数は４層としているが、必要に応じて層数を変え
ることは容易であり、同様の効果が得られることはいう
までもない。
【００５０】実施の形態７．図７は実施の形態７に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）およびコ
ンデンサモジュールを示す正面図（ｃ）およびその断面
図（ｄ）である。本実施の形態における半導体装置２の
構成はコンデンサモジュール１２を内蔵していることが
特徴である。コンデンサモジュール１２は、図８（ｃ）
および（ｄ）に示したように、Ｊ形状に成形された外部
端子１２ａおよび１２ｂを有する複数のコンデンサ１０
がプリント配線板６５の両面に表面実装されたものであ
る。コンデンサ１０とプリント配線板６５の間にはアン
ダーフィル６５ａが設けられており、コンデンサ１０と
プリント配線板６５を固着している。プリント配線板６
５は４層基板であり、第１層に相間接続導体４５ａ、４
６ｃおよび４６ｄが形成され、第２層に相間接続導体４
６ａが形成され、第３層に相間接続導体４６ｂが形成さ
れ、第４層に相間接続導体４５ｂ、４６ｃおよび４６ｄ
が形成されており、各相間接続導体４５ａ、４５ｂ、４
６ａ、４６ｂは平板状で互いに重なり合っている。相間
接続導体４５ａと４５ｂが貫通スルーホール７５で電気
的に接続されてＰ極導体を形成し、相間接続導体４６
ａ、４６ｂ、４６ｃおよび４６ｄが貫通スルーホール７
５で電気的に接続されてＮ極導体を形成している。Ｐ極
導体は各相の導体３０ａ同士を接続し、Ｎ極導体は各相
の導体３１ａ同士を接続している。また、各コンデンサ
１０の外部端子１２ａはＰ極導体に、外部端子１２ｂは
Ｎ極導体にそれぞれ接合材料６５ｂによって接合されて
いる。接合材料としては半田や導電性接着剤を用いる。
半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）およびコ
ンデンサモジュールを示す正面図（ｃ）およびその断面
図（ｄ）である。本実施の形態における半導体装置２の
構成はコンデンサモジュール１２を内蔵していることが
特徴である。コンデンサモジュール１２は、図８（ｃ）
および（ｄ）に示したように、Ｊ形状に成形された外部
端子１２ａおよび１２ｂを有する複数のコンデンサ１０
がプリント配線板６５の両面に表面実装されたものであ
る。コンデンサ１０とプリント配線板６５の間にはアン
ダーフィル６５ａが設けられており、コンデンサ１０と
プリント配線板６５を固着している。プリント配線板６
５は４層基板であり、第１層に相間接続導体４５ａ、４
６ｃおよび４６ｄが形成され、第２層に相間接続導体４
６ａが形成され、第３層に相間接続導体４６ｂが形成さ
れ、第４層に相間接続導体４５ｂ、４６ｃおよび４６ｄ
が形成されており、各相間接続導体４５ａ、４５ｂ、４
６ａ、４６ｂは平板状で互いに重なり合っている。相間
接続導体４５ａと４５ｂが貫通スルーホール７５で電気
的に接続されてＰ極導体を形成し、相間接続導体４６
ａ、４６ｂ、４６ｃおよび４６ｄが貫通スルーホール７
５で電気的に接続されてＮ極導体を形成している。Ｐ極
導体は各相の導体３０ａ同士を接続し、Ｎ極導体は各相
の導体３１ａ同士を接続している。また、各コンデンサ
１０の外部端子１２ａはＰ極導体に、外部端子１２ｂは
Ｎ極導体にそれぞれ接合材料６５ｂによって接合されて
いる。接合材料としては半田や導電性接着剤を用いる。
【００５１】本実施の形態においては、プリント配線板
の所定の位置に接合材料６５ｂを塗布し、コンデンサ１
０の外部端子１２ａおよび１２ｂが接合材料を塗布した
部分に合うように位置決めし、アンダーフィル６５ａで
コンデンサ１０とプリント配線板６５を固着した状態で
加熱することで、複数のコンデンサ１０を一括で表面実
装できるので、接合作業が容易になる。
の所定の位置に接合材料６５ｂを塗布し、コンデンサ１
０の外部端子１２ａおよび１２ｂが接合材料を塗布した
部分に合うように位置決めし、アンダーフィル６５ａで
コンデンサ１０とプリント配線板６５を固着した状態で
加熱することで、複数のコンデンサ１０を一括で表面実
装できるので、接合作業が容易になる。
【００５２】また、コンデンサ１０の実装が完了した時
点でコンデンサ１０とプリント配線板はコンデンサモジ
ュール１２という１つの部品として扱えるので、半導体
装置の組立が容易になる。
点でコンデンサ１０とプリント配線板はコンデンサモジ
ュール１２という１つの部品として扱えるので、半導体
装置の組立が容易になる。
【００５３】また、コンデンサ１０はアンダーフィル６
５ａによってプリント配線板６５に固着されているの
で、半導体装置に振動が加わった場合でも、外部端子１
２ａ、１２ｂおよび接合材料６５ｂには過大な応力が発
生することがなく、接合部の寿命や信頼性を向上させる
ことができる。
５ａによってプリント配線板６５に固着されているの
で、半導体装置に振動が加わった場合でも、外部端子１
２ａ、１２ｂおよび接合材料６５ｂには過大な応力が発
生することがなく、接合部の寿命や信頼性を向上させる
ことができる。
【００５４】また、コンデンサ１０の内部には外部端子
１２ａから１２ｂに向かう電流が流れ、導体４６ａと４
６ｂにはこれと対向する電流が流れるため磁界のキャン
セル効果が発生し、コンデンサ１０を含む電流経路のイ
ンダクタンスが低減される。
１２ａから１２ｂに向かう電流が流れ、導体４６ａと４
６ｂにはこれと対向する電流が流れるため磁界のキャン
セル効果が発生し、コンデンサ１０を含む電流経路のイ
ンダクタンスが低減される。
【００５５】また、例えば、半導体装置２のＵ相がスイ
ッチングした場合のリプル電圧変動を抑えるためにコン
デンサ１０から供給される電流は、相間接続導体４５
ａ、４５ｂ、４６ａ、４６ｂを通るが、これらの各導体
は平板状で互いに重なり合っており、相間接続導体４５
ａおよび４５ｂに流れる電流と、相間接続導体４６ａお
よび４６ｂに流れる電流は互いに逆方向に流れるので、
磁界のキャンセル効果が発生し、相間のインダクタンス
が低減される。この磁界のキャンセル効果はＵ相がスイ
ッチングした場合に限らず、どの相がスイッチングした
場合でも同様に発生することはいうまでもない。
ッチングした場合のリプル電圧変動を抑えるためにコン
デンサ１０から供給される電流は、相間接続導体４５
ａ、４５ｂ、４６ａ、４６ｂを通るが、これらの各導体
は平板状で互いに重なり合っており、相間接続導体４５
ａおよび４５ｂに流れる電流と、相間接続導体４６ａお
よび４６ｂに流れる電流は互いに逆方向に流れるので、
磁界のキャンセル効果が発生し、相間のインダクタンス
が低減される。この磁界のキャンセル効果はＵ相がスイ
ッチングした場合に限らず、どの相がスイッチングした
場合でも同様に発生することはいうまでもない。
【００５６】なお、本実施の形態においてはコンデンサ
１０の外部端子１２ａおよび１２ｂをＪ形状としたが、
これに限定するものではなく、ガルウィング形状などの
表面実装が可能な形状であれば機能上問題はない。ま
た、本実施の形態においてはプリント配線板の層数は４
相としたが、必要に応じて層数を変えることは容易であ
り、同様の効果が得られることはいうまでもない。
１０の外部端子１２ａおよび１２ｂをＪ形状としたが、
これに限定するものではなく、ガルウィング形状などの
表面実装が可能な形状であれば機能上問題はない。ま
た、本実施の形態においてはプリント配線板の層数は４
相としたが、必要に応じて層数を変えることは容易であ
り、同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００５７】実施の形態８．図８は実施の形態８に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図（ｂ）であ
る。本実施の形態における半導体装置２の構成は、ケー
ス５０にスリット５１を設け、スリット５１によってプ
リント配線板６５を位置決め、かつ支持するように構成
したことが特徴である。
半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図（ｂ）であ
る。本実施の形態における半導体装置２の構成は、ケー
ス５０にスリット５１を設け、スリット５１によってプ
リント配線板６５を位置決め、かつ支持するように構成
したことが特徴である。
【００５８】この構成により、プリント配線板６５はス
リット５１に差し込むだけでケース５０の内部に位置決
めされるので、半導体装置２の組立が容易になるだけで
なく、半導体装置２に振動が加わった場合でも、スリッ
ト５１によってプリント配線板６５の変形が抑制される
ので、プリント配線板６５に過大な変形および応力が生
じるのを防止でき、耐震性が向上する。
リット５１に差し込むだけでケース５０の内部に位置決
めされるので、半導体装置２の組立が容易になるだけで
なく、半導体装置２に振動が加わった場合でも、スリッ
ト５１によってプリント配線板６５の変形が抑制される
ので、プリント配線板６５に過大な変形および応力が生
じるのを防止でき、耐震性が向上する。
【００５９】実施の形態９．図９は実施の形態９に係る
半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図（ｂ）であ
る。本実施の形態における半導体装置２の構成は、コン
デンサ１０が支持板６１に固着されていることが特徴で
ある。
半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図（ｂ）であ
る。本実施の形態における半導体装置２の構成は、コン
デンサ１０が支持板６１に固着されていることが特徴で
ある。
【００６０】このように、コンデンサ１０が支持板６１
に固着された１つの部品とすることによって、支持板６
１を持ってハンドリングできるので、コンデンサ１０本
体に触れることなく半導体装置２に組み込むことがで
き、コンデンサ１０の機械的破損あるいは電気的破損を
防止することができる。
に固着された１つの部品とすることによって、支持板６
１を持ってハンドリングできるので、コンデンサ１０本
体に触れることなく半導体装置２に組み込むことがで
き、コンデンサ１０の機械的破損あるいは電気的破損を
防止することができる。
【００６１】なお、本実施の形態においては支持板６１
の片面に１個のコンデンサ１０を固着しているが、支持
板６１の両面にコンデンサ１０を１個ずつ固着すること
によって同様の効果が得られるとともに、複数のコンデ
ンサ１０を１つの部品として扱うことができ、半導体装
置の組立が容易になる。
の片面に１個のコンデンサ１０を固着しているが、支持
板６１の両面にコンデンサ１０を１個ずつ固着すること
によって同様の効果が得られるとともに、複数のコンデ
ンサ１０を１つの部品として扱うことができ、半導体装
置の組立が容易になる。
【００６２】実施の形態１０．図１０は実施の形態１０
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、複数のコンデンサ１０が１つの支持板６１に固着
されていることが特徴である。
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、複数のコンデンサ１０が１つの支持板６１に固着
されていることが特徴である。
【００６３】このように、複数のコンデンサ１０が１つ
の支持板６１に固着された１つの部品とすることによっ
て、上記実施の形態９と同様に、コンデンサ１０の機械
的破損あるいは電気的破損を防止することができるとと
もに、複数のコンデンサ１０を１つの部品として扱える
ので、半導体装置の組立が容易になる。
の支持板６１に固着された１つの部品とすることによっ
て、上記実施の形態９と同様に、コンデンサ１０の機械
的破損あるいは電気的破損を防止することができるとと
もに、複数のコンデンサ１０を１つの部品として扱える
ので、半導体装置の組立が容易になる。
【００６４】実施の形態１１．図１１は実施の形態１１
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、コンデンサ１０が固着された支持板６１を位置決
めし固定するためのスリット５１がケース５０に形成さ
れていることを特徴とする。
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、コンデンサ１０が固着された支持板６１を位置決
めし固定するためのスリット５１がケース５０に形成さ
れていることを特徴とする。
【００６５】本実施の形態によれば、ケース５０に形成
されたスリット５１に支持板６１を挿入することによっ
て、コンデンサ１０の位置が決まり固定されるので、半
導体装置２の組立が容易になる。
されたスリット５１に支持板６１を挿入することによっ
て、コンデンサ１０の位置が決まり固定されるので、半
導体装置２の組立が容易になる。
【００６６】実施の形態１２．図１２は実施の形態１２
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、支持板６１に導体４５、４６を一体に形成したも
ので、コンデンサ１０の外部電極が導体４５および４６
を介してそれぞれＰ電極およびＮ電極に接続されるよう
にしたものである。
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、支持板６１に導体４５、４６を一体に形成したも
ので、コンデンサ１０の外部電極が導体４５および４６
を介してそれぞれＰ電極およびＮ電極に接続されるよう
にしたものである。
【００６７】本実施の形態によれば、支持板６１に導体
６２、６３が一体に形成されているので、半導体装置の
組立が容易になる。
６２、６３が一体に形成されているので、半導体装置の
組立が容易になる。
【００６８】実施の形態１３．図１３は実施の形態１３
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、支持板６１の一方の面にコンデンサ１０の一方の
電極とＰ電極に接続される導体６２が一体に形成され、
支持板１４の他方の面にコンデンサ１０の他方の電極と
Ｎ電極が接続される導体６３が一体に形成され、導体６
２と導体６３は支持板６１を介して重なり合うように互
いに近接して配置されている。
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）および断面図
（ｂ）である。本実施の形態における半導体装置２の構
成は、支持板６１の一方の面にコンデンサ１０の一方の
電極とＰ電極に接続される導体６２が一体に形成され、
支持板１４の他方の面にコンデンサ１０の他方の電極と
Ｎ電極が接続される導体６３が一体に形成され、導体６
２と導体６３は支持板６１を介して重なり合うように互
いに近接して配置されている。
【００６９】本実施の形態によれば、支持板６１に導体
６２、６３が一体に形成されているので、半導体装置の
組立が容易になるとともに、導体６２および６３には互
いに逆向きの電流が流れるために、磁界のキャンセル効
果によりインダクタンスを低減することができる。
６２、６３が一体に形成されているので、半導体装置の
組立が容易になるとともに、導体６２および６３には互
いに逆向きの電流が流れるために、磁界のキャンセル効
果によりインダクタンスを低減することができる。
【００７０】実施の形態１４．図１４は実施の形態１４
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）お
よび支持板の両面に一体に形成した導体の構造を示す正
面図である。本実施の形態における半導体装置２の構成
は、支持板６１の一方の面と他方の面に一体に形成され
た導体６２と導体６３にスリット６４が形成されている
ことを特徴とする。
に係る半導体装置の内部透視図（ａ）、断面図（ｂ）お
よび支持板の両面に一体に形成した導体の構造を示す正
面図である。本実施の形態における半導体装置２の構成
は、支持板６１の一方の面と他方の面に一体に形成され
た導体６２と導体６３にスリット６４が形成されている
ことを特徴とする。
【００７１】図１４（ｃ）に示したように、コンデンサ
１０には複数の外部端子１２ａ、１２ｂが設けられてお
り、外部端子１２ａは導体６２に接続され、外部端子１
２ｂは導体６３に接続されている。
１０には複数の外部端子１２ａ、１２ｂが設けられてお
り、外部端子１２ａは導体６２に接続され、外部端子１
２ｂは導体６３に接続されている。
【００７２】スリット６４がない場合、電流は電流経路
長が短くインピーダンスが小さい部分に集中し、コンデ
ンサ１０内部においても電流分布に偏りが生じ、コンデ
ンサ１０の静電容量を有効に活用することができない
が、本実施の形態においては、スリット６４を設けてい
るので、図中矢印で示すように、コンデンサ１０の一方
の端に配置された外部端子と他方の端に配置された外部
端子への電流経路が略均一化され、インピーダンスの差
が小さくなり、電流が外部端子１２ａ、１２ｂの一部に
集中するのを防ぐことができる。従って、コンデンサ１
０の静電容量を有効に活用することができ、コンデンサ
１０の小型化、ひいては半導体装置の小型化を可能にす
る。
長が短くインピーダンスが小さい部分に集中し、コンデ
ンサ１０内部においても電流分布に偏りが生じ、コンデ
ンサ１０の静電容量を有効に活用することができない
が、本実施の形態においては、スリット６４を設けてい
るので、図中矢印で示すように、コンデンサ１０の一方
の端に配置された外部端子と他方の端に配置された外部
端子への電流経路が略均一化され、インピーダンスの差
が小さくなり、電流が外部端子１２ａ、１２ｂの一部に
集中するのを防ぐことができる。従って、コンデンサ１
０の静電容量を有効に活用することができ、コンデンサ
１０の小型化、ひいては半導体装置の小型化を可能にす
る。
【００７３】
【発明の効果】本発明に係る第１の半導体装置によれ
ば、半導体装置のＰ電極およびＮ電極と、スイッチング
素子およびダイオードとを有する複数相の各相に接続さ
れた平板状またはブロック状のコンデンサを内蔵し、上
記各相それぞれのＰ電極およびＮ電極に１個または複数
個のコンデンサが接続されているので、コンデンサとス
イッチング素子間の配線経路が短くなり、インダクタン
スを低減できるので、サージ電圧が抑制され、スイッチ
ング素子の破壊を防止できる。
ば、半導体装置のＰ電極およびＮ電極と、スイッチング
素子およびダイオードとを有する複数相の各相に接続さ
れた平板状またはブロック状のコンデンサを内蔵し、上
記各相それぞれのＰ電極およびＮ電極に１個または複数
個のコンデンサが接続されているので、コンデンサとス
イッチング素子間の配線経路が短くなり、インダクタン
スを低減できるので、サージ電圧が抑制され、スイッチ
ング素子の破壊を防止できる。
【００７４】また、インダクタンスの低減により、コン
デンサの静電容量が少なくても直流電源のリプル電圧変
動を抑制することが可能となるので、コンデンサを小型
化でき、半導体装置の小型化ができる。
デンサの静電容量が少なくても直流電源のリプル電圧変
動を抑制することが可能となるので、コンデンサを小型
化でき、半導体装置の小型化ができる。
【００７５】また、コンデンサが従来の電解コンデンサ
のような円筒形ではなく平板状またはブロック状なので
スペースを有効に活用でき、半導体装置を小型化するこ
とができる。
のような円筒形ではなく平板状またはブロック状なので
スペースを有効に活用でき、半導体装置を小型化するこ
とができる。
【００７６】また、コンデンサを内蔵することによっ
て、半導体装置だけでインバータとしての機能を満足す
るので、インバータとしての部品点数削減、組立容易
化、コストダウンを実現できる。
て、半導体装置だけでインバータとしての機能を満足す
るので、インバータとしての部品点数削減、組立容易
化、コストダウンを実現できる。
【００７７】また、コンデンサと各相のスイッチング素
子の間の配線経路長さが均一になるため、インダクタン
スが均一化され、半導体装置の性能が向上する。
子の間の配線経路長さが均一になるため、インダクタン
スが均一化され、半導体装置の性能が向上する。
【００７８】本発明に係る第２の半導体装置によれば、
複数相の各Ｐ電極同士および各Ｎ電極同士が、相間接続
導体によってスイッチング素子とコンデンサとの間で電
気的に接続されているので、電流経路が短くなり、イン
ダクタンスも低くなるので、スイッチングした場合に、
分流バランスが改善され、コンデンサの小型化、半導体
装置の小型化ができる。
複数相の各Ｐ電極同士および各Ｎ電極同士が、相間接続
導体によってスイッチング素子とコンデンサとの間で電
気的に接続されているので、電流経路が短くなり、イン
ダクタンスも低くなるので、スイッチングした場合に、
分流バランスが改善され、コンデンサの小型化、半導体
装置の小型化ができる。
【００７９】本発明に係る第３の半導体装置によれば、
相間接続導体が少なくとも２つの導体からなり、この相
間接続導体の一方が各Ｐ電極に接続され、他方が各Ｎ電
極に接続され、互いに重なり合うように近接して配置さ
れているので、相間接続導体に互いに逆向きの電流が流
れ、それぞれの電流が流れることによって生じる磁界が
キャンセルされ、この磁界のキャンセル効果によって相
間インダクタンスを低減できる。
相間接続導体が少なくとも２つの導体からなり、この相
間接続導体の一方が各Ｐ電極に接続され、他方が各Ｎ電
極に接続され、互いに重なり合うように近接して配置さ
れているので、相間接続導体に互いに逆向きの電流が流
れ、それぞれの電流が流れることによって生じる磁界が
キャンセルされ、この磁界のキャンセル効果によって相
間インダクタンスを低減できる。
【００８０】本発明に係る第４の半導体装置によれば、
相間接続導体が平板状であるので、表面積を大きくし、
スイッチング素子の動作周波数が高くなった場合も、表
皮効果によるインピーダンスの増加を抑制することがで
きる。
相間接続導体が平板状であるので、表面積を大きくし、
スイッチング素子の動作周波数が高くなった場合も、表
皮効果によるインピーダンスの増加を抑制することがで
きる。
【００８１】本発明に係る第５の半導体装置によれば、
平板状の相間接続導体の間に絶縁板を有するので、振動
が加わっても小さい導体間隔で確実に絶縁でき、磁界の
キャンセル効果がより大きくなり、相間インダクタンス
をより低減できる。
平板状の相間接続導体の間に絶縁板を有するので、振動
が加わっても小さい導体間隔で確実に絶縁でき、磁界の
キャンセル効果がより大きくなり、相間インダクタンス
をより低減できる。
【００８２】本発明に係る第６の半導体装置によれば、
相間接続導体と絶縁板とが接着層によって接着されてい
るので、相間接続導体および絶縁板を一つの部品として
扱うことができ、半導体装置の組立が容易になる。
相間接続導体と絶縁板とが接着層によって接着されてい
るので、相間接続導体および絶縁板を一つの部品として
扱うことができ、半導体装置の組立が容易になる。
【００８３】また、半導体装置に振動が加わっても、平
板状の導体の間隔が変わることがなく、安定した磁界の
キャンセル効果を得ることができる。
板状の導体の間隔が変わることがなく、安定した磁界の
キャンセル効果を得ることができる。
【００８４】本発明に係る第７の半導体装置によれば、
相間接続導体がプリント配線板に形成された導体である
ので、一般的に使用されているプリント配線板を使用す
ることができ、所望の形状・寸法の導体形成が容易であ
り、大量生産が容易であり、入手が容易なので、安価に
なる。
相間接続導体がプリント配線板に形成された導体である
ので、一般的に使用されているプリント配線板を使用す
ることができ、所望の形状・寸法の導体形成が容易であ
り、大量生産が容易であり、入手が容易なので、安価に
なる。
【００８５】本発明に係る第８の半導体装置によれば、
コンデンサの一方の外部電極が、一方の相間接続導体に
接続され、上記コンデンサの他方の外部電極が、他方の
相間接続導体に接続されているので、コンデンサが相間
接続導体に実装されたコンデンサモジュールという１つ
の部品として扱えるので、半導体装置の組立が容易にな
る。
コンデンサの一方の外部電極が、一方の相間接続導体に
接続され、上記コンデンサの他方の外部電極が、他方の
相間接続導体に接続されているので、コンデンサが相間
接続導体に実装されたコンデンサモジュールという１つ
の部品として扱えるので、半導体装置の組立が容易にな
る。
【００８６】また、コンデンサの内部には外部端子に
は、相間接続導体に流れる電流と逆向きの電流が流れる
ため磁界のキャンセル効果が発生し、コンデンサを含む
電流経路のインダクタンスが低減される。
は、相間接続導体に流れる電流と逆向きの電流が流れる
ため磁界のキャンセル効果が発生し、コンデンサを含む
電流経路のインダクタンスが低減される。
【００８７】また、各相間接続導体には互いに逆方向の
電流が流れるので、磁界のキャンセル効果が発生し、相
間のインダクタンスが低減される。
電流が流れるので、磁界のキャンセル効果が発生し、相
間のインダクタンスが低減される。
【００８８】本発明に係る第９の半導体装置によれば、
半導体装置の筐体にスリットが設けられ、このスリット
によって、相間接続導体が位置決めおよび支持されるの
で、半導体装置の組立が容易になるとともに、導体の変
形が抑制され、導体に過大な変形および応力が生じるの
を防止でき、耐震性が向上する。
半導体装置の筐体にスリットが設けられ、このスリット
によって、相間接続導体が位置決めおよび支持されるの
で、半導体装置の組立が容易になるとともに、導体の変
形が抑制され、導体に過大な変形および応力が生じるの
を防止でき、耐震性が向上する。
【００８９】本発明に係る第１０の半導体装置によれ
ば、コンデンサが支持板に固定されているので、支持板
を持ってハンドリングでき、コンデンサ本体に触れるこ
となく半導体装置に組み込むことができ、コンデンサの
機械的破損あるいは電気的破損を防止することができ
る。
ば、コンデンサが支持板に固定されているので、支持板
を持ってハンドリングでき、コンデンサ本体に触れるこ
となく半導体装置に組み込むことができ、コンデンサの
機械的破損あるいは電気的破損を防止することができ
る。
【００９０】本発明に係る第１１の半導体装置によれ
ば、複数のコンデンサが１つの支持板の一方または両方
の面に固定されているので、複数のコンデンサを１つの
部品として取り扱うことができ、半導体装置の組立が容
易になる。
ば、複数のコンデンサが１つの支持板の一方または両方
の面に固定されているので、複数のコンデンサを１つの
部品として取り扱うことができ、半導体装置の組立が容
易になる。
【００９１】本発明に係る第１２の半導体装置によれ
ば、半導体装置の筐体にスリットが設けられ、このスリ
ットによって、支持板が位置決めおよび支持されるの
で、半導体装置の組立が容易になる。
ば、半導体装置の筐体にスリットが設けられ、このスリ
ットによって、支持板が位置決めおよび支持されるの
で、半導体装置の組立が容易になる。
【００９２】本発明に係る第１３の半導体装置によれ
ば、支持板が絶縁体からなり、この支持板に電気的に絶
縁された２つ以上の導体が一体的に設けられ、コンデン
サが上記導体を介してＰ電極とＮ電極に接続されるの
で、半導体装置の組立が容易になる。
ば、支持板が絶縁体からなり、この支持板に電気的に絶
縁された２つ以上の導体が一体的に設けられ、コンデン
サが上記導体を介してＰ電極とＮ電極に接続されるの
で、半導体装置の組立が容易になる。
【００９３】本発明に係る第１４の半導体装置によれ
ば、導体が、絶縁体からなる支持板の両面に互いに重な
り合うように形成され、コンデンサの一方の外部電極が
支持板の一方の面に形成された導体を介してＰ電極に接
続され、上記コンデンサの他方の外部電極が上記支持板
の他方の面に形成された導体を介してＮ電極に接続され
ているので、各導体には互いに逆向きの電流が流れ、磁
界のキャンセル効果によりインダクタンスを低減するこ
とができる。
ば、導体が、絶縁体からなる支持板の両面に互いに重な
り合うように形成され、コンデンサの一方の外部電極が
支持板の一方の面に形成された導体を介してＰ電極に接
続され、上記コンデンサの他方の外部電極が上記支持板
の他方の面に形成された導体を介してＮ電極に接続され
ているので、各導体には互いに逆向きの電流が流れ、磁
界のキャンセル効果によりインダクタンスを低減するこ
とができる。
【００９４】本発明に係る第１５の半導体装置によれ
ば、コンデンサの外部電極の各部とパワーモジュールの
Ｐ電極またはＮ電極間の電流経路のインピーダンスを略
均一化したので、コンデンサの静電容量を有効に活用す
ることができ、コンデンサの小型化、ひいては半導体装
置の小型化を可能にする。また、コンデンサの発熱を均
一化でき、コンデンサを長寿命にできる。
ば、コンデンサの外部電極の各部とパワーモジュールの
Ｐ電極またはＮ電極間の電流経路のインピーダンスを略
均一化したので、コンデンサの静電容量を有効に活用す
ることができ、コンデンサの小型化、ひいては半導体装
置の小型化を可能にする。また、コンデンサの発熱を均
一化でき、コンデンサを長寿命にできる。
【図１】 実施の形態１に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）および回路構成図（ｃ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）および回路構成図（ｃ）である。
【図２】 実施の形態２に係る半導体装置の回路構成図
である。
である。
【図３】 実施の形態３に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体をを示す正面
図（ｃ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体をを示す正面
図（ｃ）である。
【図４】 実施の形態４に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
【図５】 実施の形態５に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
【図６】 実施の形態６に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）および相間接続導体を示す正面図
（ｃ）である。
【図７】 実施の形態７に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）、断面図（ｂ）およびコンデンサモジュールを示
す正面図（ｃ）およびその断面図（ｄ）である。
（ａ）、断面図（ｂ）およびコンデンサモジュールを示
す正面図（ｃ）およびその断面図（ｄ）である。
【図８】 実施の形態８に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）および断面図（ｂ）である。
（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図９】 実施の形態９に係る半導体装置の内部透視図
（ａ）および断面図（ｂ）である。
（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図１０】 実施の形態１０に係る半導体装置の内部透
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図１１】 実施の形態１１に係る半導体装置の内部透
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図１２】 実施の形態１２に係る半導体装置の内部透
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図１３】 実施の形態１３に係る半導体装置の内部透
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
視図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図１４】 実施の形態１４に係る半導体装置の内部透
視図（ａ）、断面図（ｂ）および支持板の両面に一体に
形成した導体の構造を示す正面図である。
視図（ａ）、断面図（ｂ）および支持板の両面に一体に
形成した導体の構造を示す正面図である。
【図１５】 従来のインバータの内部透視図（ａ）、断
面図（ｂ）および回路構成図（ｃ）である。
面図（ｂ）および回路構成図（ｃ）である。
１ インバータ、２ 半導体装置、１０ コンデンサ、
１１ａ，１１ｂ 電極端子、１２ コンデンサモジュー
ル、１２ａ，１２ｂ 外部端子、１５ 絶縁板、１６，
１７ バスバー、２０ スイッチング素子、２１ ダイ
オード、２５ 絶縁基板、３０ Ｐ端子、３０ａ，３１
ａ 導体、３１ Ｎ端子、３２ Ｕ端子、３３ Ｖ端
子、３４ Ｗ端子、４０ Ｕ相、４１ Ｖ相、４２ Ｗ
相、４５，４６，４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ，４
６ｃ，４６ｄ 相間接続導体、４７ 絶縁板、４８ 接
着層、５０ ケース、５１ スリット、６０ 放熱板、
６１ 支持板、６２，６３ 導体、６２ａ スリット、
６５ プリント配線板、６５ａ アンダーフィル、６５
ｂ 接合材料、７５ スルーホール。
１１ａ，１１ｂ 電極端子、１２ コンデンサモジュー
ル、１２ａ，１２ｂ 外部端子、１５ 絶縁板、１６，
１７ バスバー、２０ スイッチング素子、２１ ダイ
オード、２５ 絶縁基板、３０ Ｐ端子、３０ａ，３１
ａ 導体、３１ Ｎ端子、３２ Ｕ端子、３３ Ｖ端
子、３４ Ｗ端子、４０ Ｕ相、４１ Ｖ相、４２ Ｗ
相、４５，４６，４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂ，４
６ｃ，４６ｄ 相間接続導体、４７ 絶縁板、４８ 接
着層、５０ ケース、５１ スリット、６０ 放熱板、
６１ 支持板、６２，６３ 導体、６２ａ スリット、
６５ プリント配線板、６５ａ アンダーフィル、６５
ｂ 接合材料、７５ スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 達也 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大井 健史 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 吉田 貴信 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 吉松 直樹 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 福菱セミコンエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 蔵本 祐司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山根 敏則 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 深田 雅一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 マジュムダール ゴーラブ 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5H006 AA07 CA01 CB01 CC02 FA01 FA02 HA02 HA83 5H007 BB06 CA01 CB05 CC03 HA03 HA04
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体装置のＰ電極およびＮ電極と、ス
イッチング素子およびダイオードとを有する複数相の各
相に接続された平板状またはブロック状のコンデンサを
内蔵し、上記各相それぞれのＰ電極およびＮ電極に１個
または複数個の上記コンデンサが接続されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 複数相の各Ｐ電極同士および各Ｎ電極同
士が、相間接続導体によってスイッチング素子とコンデ
ンサとの間で電気的に接続されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 相間接続導体が少なくとも２つの導体か
らなり、上記相間接続導体の一方が各Ｐ電極に接続さ
れ、他方が各Ｎ電極に接続され、互いに重なり合うよう
に近接して配置されていることを特徴とする請求項２記
載の半導体装置。 - 【請求項４】 相間接続導体が平板状であることを特徴
とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 平板状の相間接続導体の間に絶縁板を有
することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 平板状の相間接続導体と絶縁板とが接着
層によって接着されていることを特徴とする請求項５記
載の半導体装置。 - 【請求項７】 相間接続導体がプリント配線板に形成さ
れた導体であることを特徴とする請求項４記載の半導体
装置。 - 【請求項８】 コンデンサの一方の外部電極が、一方の
相間接続導体に接続され、上記コンデンサの他方の外部
電極が、他方の相間接続導体に接続されていることを特
徴とする請求項６または７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 半導体装置の筐体にスリットが設けら
れ、このスリットによって、相間接続導体が位置決めお
よび支持されていることを特徴とする請求項２記載の半
導体装置。 - 【請求項１０】 コンデンサが支持板に固定されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 複数のコンデンサが１つの支持板の一
方または両方の面に固定されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 半導体装置の筐体にスリットが設けら
れ、このスリットによって、支持板が位置決めおよび支
持されていることを特徴とする請求項１０または１１記
載の半導体装置。 - 【請求項１３】 支持板が絶縁体からなり、この支持板
に電気的に絶縁された２つ以上の導体が一体的に設けら
れ、コンデンサが上記導体を介してＰ電極とＮ電極に接
続されることを特徴とする請求項１０または１１記載の
半導体装置。 - 【請求項１４】 導体が、絶縁体からなる支持板の両面
に互いに重なり合うように形成され、コンデンサの一方
の外部電極が支持板の一方の面に形成された導体を介し
てＰ電極に接続され、上記コンデンサの他方の外部電極
が上記支持板の他方の面に形成された導体を介してＮ電
極に接続されていることを特徴とする請求項１０または
１１記載の半導体装置。 - 【請求項１５】 コンデンサの外部電極の各部とパワー
モジュールのＰ電極またはＮ電極間の電流経路のインピ
ーダンスを略均一化したことを特徴とする請求項１３ま
たは１４記載の半導体装置。
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