CN113632365A - 电力转换装置 - Google Patents

Abstract

在作为电力转换装置的半导体组件(1)中，第1基板(10)在绝缘基板(10p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第1电路图案(11)。第2基板(20)隔着功率半导体元件(43)与第1基板(10)相对且在绝缘基板(20p)上形成有与功率半导体元件(43)电连接的第2电路图案(21)。第3基板(30)两面安装有使输入电力平滑化的多个电容器(39)，且在绝缘基板(30p)上形成有与多个电容器(39)电连接的第3电路图案(35)。第3基板(30)配置于与第1电路图案(11)重叠的第1假想平面(VS1)和与第2电路图案(21)重叠的第2假想平面(VS2)之间的空间，具有在与第1基板(10)和第2基板(20)不重叠的区域的两面配置有多个电容器(39)的电容器区域(CA2)。

Description

电力转换装置

技术领域

本发明涉及电力转换装置。

背景技术

近年来，混合动力汽车、电动汽车正在普及。混合动力汽车、电动汽车装载有电动机作为驱动源。电动机使用以逆变器为代表的电力转换装置来进行驱动控制。装载于混合动力汽车、电动汽车的电力转换装置装载有大容量的电容器，但由于乘车空间的确保、收纳驱动电动汽车的电动机的电动机室(发动机室)中的空间的制约，要求小型且薄型化。

例如，在专利文献1中公开了将扁平的薄膜电容器元件配置在功率组件的侧方的电力转换装置。另外，例如，在专利文献2中公开了在逆变电路部的侧方配置有平滑电容器的电力转换装置。这样，专利文献1和2所公开的电力转换装置使电容器大容量化并且实现电力转换装置的小型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-161159号公报

专利文献2：日本特开2018-121457号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在上述的现有技术中，由于电容器自身的大小，存在电力转换装置的厚度增加的问题。

本发明是考虑以上方面而完成的，其目的之一在于实现电力转换装置的薄型化。

用于解决课题的技术方案

为了解决该课题，在本发明中，作为实现1个目的的一个手段，电力转换装置包括：半导体元件；第1基板，其在绝缘基板上形成有与所述半导体元件电连接的第1电路图案；第2基板，其隔着所述半导体元件与所述第1基板相对，且在绝缘基板上形成有与所述半导体元件电连接的第2电路图案；使输入到所述半导体元件的电功率平滑化的多个电容器；和第3基板，所述多个电容器安装于其两面，且在绝缘基板上形成有与该多个电容器电连接的第3电路图案，所述第3基板，在将与所述第1电路图案重叠的平面作为第1假想平面、将与所述第2电路图案重叠的平面作为第2假想平面的情况下，配置在所述第1假想平面与所述第2假想平面之间的空间，所述第3基板具有在所述第1基板与所述第2基板不重叠的区域的两面配置有所述多个电容器的电容器区域。

发明效果

根据本发明，例如能够实现电力转换装置的薄型化。

附图说明

图1是实施例1的半导体组件的立体图。

图2是实施例1的半导体组件的分解立体图。

图3是实施例1的半导体组件的第1基板的俯视图。

图4是实施例1的半导体组件的第1基板的背面图。

图5是沿图3的A-A线剖切实施例1的半导体组件的第1基板的截面图。

图6是实施例1的半导体组件的第2基板的俯视图。

图7是实施例1的半导体组件的第2基板的背面图。

图8是沿图6的B-B线剖切实施例1的半导体组件的第2基板的截面图。

图9是实施例1的半导体组件的俯视图。

图10是实施例1的半导体组件的侧视图。

图11是沿图9的C-C线剖切实施例1的半导体组件的截面图。

图12是沿图9的D-D线剖切实施例1的半导体组件的截面图。

图13是实施例1的子组件的立体图。

图14是从图13的a方向观察实施例1的子组件中的功率半导体元件的安装状态的俯视图和从b方向观察的主视图。

图15是从图13的a方向观察实施例1的功率半导体元件的俯视图。

图16是从图13的c方向和d方向观察实施例1的子组件的侧视图。

图17是从图13的b方向观察实施例1的子组件的主视图。

图18是实施例1的半导体组件的第3基板的俯视图。

图19是沿图18的E-E线剖切实施例1的半导体组件的截面图。

图20是实施例1的半导体组件的除去电容器后的第3基板的俯视图。

图21是实施例1的半导体组件的除了绝缘基板以外的第3基板的分解立体图。

图22是实施例1的半导体组件的除了绝缘基板、第3基板第2层图案和第3基板第3层图案以外的第3基板的立体图。

图23是沿图9的C-C线剖切实施例2的半导体组件的第3基板的截面图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施例进行详细说明。以下，在用于说明实施例的各附图中，用相同的附图标记表示具有相同或类似的功能的结构，省略后面的说明。另外，各实施例和各变形例能够在本发明的技术思想的范围内和匹配的范围内组合其一部分或者全部。

在本说明书中，例如在对如“xxx100-1”、“xxx100-2”、“xxx100a”、“xxx100b”那样被赋予了对同一编号附加了分支编号的符号的多个要素进行总称的情况下，仅使用同一编号表示为“xxx100”。

实施例1

＜实施例1的半导体组件的整体结构＞

首先，参照图1和图2，对实施例1的半导体组件1的整体结构进行说明。图1是实施例1的半导体组件1的立体图。图2是实施例1的半导体组件1的分解立体图。

首先，如下定义实施例1的说明中使用的XYZ坐标系。如图1所示，将平放了实施例1的半导体组件1的情况下的平面设为XY平面。将平放于该XY平面的半导体组件1的长边方向设为X轴，将与X轴正交的半导体组件1的短边方向设为Y轴。另外，将与X轴和Y轴正交而形成正系的XYZ坐标系的半导体组件1的高度方向设为Z轴。另外，如图1所示的坐标轴的箭头那样确定X轴、Y轴和Z轴的正方向。

以下，在本说明书中，使用该XYZ坐标系进行说明。但是，XYZ坐标系只不过是为了方便，并不限定半导体组件1的形状、大小、各部的位置关系。同样地，使用XYZ坐标系进行说明的“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”也只不过是为了方便而表示位置、方向等。

作为电力转换装置的实施例1的半导体组件1包括第1基板10、第2基板20和第3基板30。第1子组件40-1和第2子组件40-2以夹在第1基板10与第2基板20之间的方式经由焊锡材料固定于第1基板10和第2基板20。

半导体组件1构成第1子组件40-1为上臂、第2子组件40-2为下臂的逆变器等电力转换装置的1相的上下臂。

如图2所示，第1子组件40-1和第2子组件40-2是相同结构的组件，但在固定于第1基板10与第2基板20之间时，以一者相对于另一者上下翻转的状态配置。第1子组件40-1和第2子组件40-2统称为子组件40。

另外，如图2所示，第3基板30经由焊锡材料，将高电位侧第3电路图案35-1和低电位侧第3电路图案35-2作为连接区域，与第2基板20连接。在第3基板30上两面安装有多个电容器39。将高电位侧第3电路图案35-1和低电位侧第3电路图案35-2统称为连接图案35。另外，第3基板30不限于两面安装有多个电容器39的情况，也可以是单面安装。

＜实施例1的第1基板的结构＞

接下来，参照图3至图5，对实施例1的半导体组件1的第1基板10进行说明。图3是实施例1的半导体组件1的第1基板10的俯视图。图4是实施例1的半导体组件1的第1基板10的背面图。图5是沿图3的A-A线剖切实施例1的半导体组件1的第1基板10的截面图。

第1基板10由第1电路图案11、第1绝缘基板10p、第1基板外部导体12和第1控制信号用图案13构成。第1电路图案11、第1基板外部导体12和第1控制信号用图案13被第1绝缘基板10p绝缘。

第1电路图案11安装于第1绝缘基板10p的一个面。第1电路图案11与子组件40的一个导体部连接。第1基板外部导体12在第1绝缘基板10p中安装于第1电路图案11的安装面的相反侧。第1基板外部导体12与外部的导体连接。

第1控制信号用图案13包含用于向第1子组件40-1输入控制信号的正极用和负极用的2个图案。交流输出端子11t是从第1绝缘基板10p向X轴的负方向突出的第1电路图案11的导体部。

＜实施例1的第2基板的结构＞

接下来，参照图6至图8，对实施例1的半导体组件1的第2基板20进行说明。图6是实施例1的半导体组件1的第2基板20的俯视图。图7是实施例1的半导体组件1的第2基板20的背面图。图8是沿图6的B-B线剖切实施例1的半导体组件1的第2基板20的截面图。

第2基板20由第2电路图案21、第2绝缘基板20p、第2基板外部导体22和第2控制信号用图案23构成。第2电路图案21、第2基板外部导体22和第2控制信号用图案23被第2绝缘基板20p绝缘。

第2电路图案21安装于第2绝缘基板20p的一个面，包含高电位侧第2电路图案21-1和低电位侧第2电路图案21-2。将高电位侧第2电路图案21-1和低电位侧第2电路图案21-2统称为第2电路图案21。

高电位侧第2电路图案21-1和低电位侧第2电路图案21-2被第2绝缘基板20p绝缘。第2电路图案21与连接于第1电路图案11的子组件40的导体部的相反侧的导体部连接。

第2基板外部导体22在第2绝缘基板20p中安装于第2电路图案21的安装面的相反侧。如图6所示，第2基板外部导体22包括第1外部导体22-1和第2外部导体22-2。将第1外部导体22-1和第2外部导体22-2统称为第2基板外部导体22。

第1外部导体22-1和第2外部导体22-2被第2绝缘基板20p绝缘。此外，第2基板外部导体22也可以不分离为第1外部导体22-1和第2外部导体22-2，而是单一的导体。另外，也可以省略第2外部导体22-2。

第2控制信号用图案23包含用于向第2子组件40-2输入控制信号的正极用和负极用的2个图案。

＜实施例1的半导体组件的侧面和截面的结构＞

接下来，参照图9至图12，对实施例1的半导体组件1的侧面和截面的结构进行说明。图9是实施例1的半导体组件1的俯视图。图10是实施例1的半导体组件1的侧视图。图11是沿图9的C-C线剖切实施例1的半导体组件1的截面图。图12是沿图9的D-D线剖切实施例1的半导体组件1的截面图。

图10是从Y轴的负方向观察半导体组件1的侧视图。将在图10中用单点划线表示的、第1电路图案11和子组件40(在图10中表示了第2子组件40-2)重叠的假想的平面定义为第1假想平面VS1。另外，将在图10中用虚线表示的、第2电路图案21(在图10中表示了低电位侧第2电路图案21-2)与子组件40重叠的假想的平面定义为第2假想平面VS2。

在如上述那样定义了第1假想平面VS1和第2假想平面VS2的情况下，如图10所示，第3基板30配置于第1假想平面VS1与第2假想平面VS2之间的空间。另外，在从第1基板10和第2基板20的排列方向观察的情况下，第2基板20和第3基板30在它们重叠的区域具有第2电路图案21和第3电路图案35(在图11中表示了低电位侧第3电路图案35-2)连接的连接区域CA1。这样，第2基板20与第3基板30不经由连接端子而将子组件40与电容器39电连接。

另外，第2基板20在与配置有第2电路图案21的一侧的面相反的一侧具有第2基板外部导体22，但在从第1基板10和第2基板20的排列方向观察的情况下，第2基板外部导体22(在图11中为第2外部导体22-2)形成为与连接区域CA1重叠。

另外，第3基板30具有在不与第1基板10和第2基板20重叠的区域的第3基板30的两面分别配置多个电容器39的电容器区域CA2。

如图12所示，第1子组件40-1的第1子组件内高电位侧导体部41-1经由焊锡材料与第2基板20的高电位侧第2电路图案21-1电连接。另外，第1子组件40-1的第1子组件内低电位侧导体部42-1经由焊锡材料与第1基板10的第1电路图案11电连接。

同样地，第2子组件40-2的第2子组件内低电位侧导体部42-2经由焊锡材料与第2基板20的低电位侧第2电路图案21-2电连接。另外，第2子组件40-2的第2子组件内高电位侧导体部41-2经由焊锡材料与第1基板10的第1电路图案11电连接。

进而，第2基板20的高电位侧第2电路图案21-1经由焊锡材料与第3基板30的高电位侧第3电路图案35-1电连接。另外，低电位侧第2电路图案21-2经由焊锡材料与第3基板30的低电位侧第3电路图案35-2电连接。

另外，上述的基于焊锡材料的接合并不限定于此，能够通过基于激光焊接的接合、使用了以螺钉为代表的部件的机械紧固等能够导电的接合方法来代替。

＜实施例1的子组件的结构＞

接下来，参照图13至图17，对实施例1的半导体组件1的子组件40的结构进行说明。图13是实施例1的子组件40的立体图。图14的(A)是从图13的a方向观察实施例1的子组件40中的功率半导体元件43的安装状态的俯视图，图14的(B)是从b方向观察的主视图。图15是从图13的a方向观察实施例1的功率半导体元件43的俯视图。图16的(A)是从图13的c方向观察实施例1的子组件40的侧视图，图16的(B)是从d方向观察的侧视图。图17是从图13的b方向观察实施例1的子组件40的主视图。

此外，在图2所示的半导体组件1的分解立体图中，第1子组件40-1是将图13所示的子组件40以使图13的a方向与Z轴的正方向一致的方式配置在第1基板10与第2基板20之间而成的。另外，第2子组件40-2是将图13所示的子组件40以使图13的a方向与Z轴的负方向一致的方式配置在第1基板10与第2基板20之间而成的。

如图13所示，子组件40包括子组件内高电位侧导体部41和子组件内低电位侧导体部42。子组件内高电位侧导体部41在子组件40为第1子组件40-1的情况下成为第1子组件内高电位侧导体部41-1，在为第2子组件40-2的情况下成为第2子组件内高电位侧导体部41-2。另外，子组件内低电位侧导体部42在子组件40为第1子组件40-1的情况下成为第1子组件内低电位侧导体部42-1，在为第2子组件40-2的情况下成为第2子组件内低电位侧导体部42-2。

图14的(A)是拆下了子组件内低电位侧导体部42的子组件40的子组件内高电位侧导体部41中的功率半导体元件等的安装面的俯视图，图14的(B)是安装面的主视图。在子组件内高电位侧导体部41的安装面安装有图15所例示的4个功率半导体元件43(功率半导体元件43-1、43-2、43-3、43-4)。

如图15所示，功率半导体元件43由正极感应电极G、负极感应电极KS、高电位侧电极D和低电位侧电极S构成。在本实施例中，如图15所示，功率半导体元件43包括正极感应电极431、兼作负极感应电极KS的低电位侧电极432和高电位侧电极433。高电位侧电极433设置在图15中与表示低电位侧电极432的一侧相反的一侧的面上。另外，低电位侧电极S和负极感应电极KS也可以独立。功率半导体元件43经由焊锡材料安装在子组件内高电位侧导体部41的绝缘层47上。

子组件内正极感应配线46-1形成在子组件内高电位侧导体部41的绝缘层47上。子组件内正极感应配线46-1经由片式电阻44和引线接合45(45-1、45-2、45-3、45-4)与功率半导体元件43(43-1、43-2、43-3、43-4)各自的正极感应电极431电连接。

子组件内负极感应配线46-2形成在子组件内高电位侧导体部41的绝缘层47上。子组件内负极感应配线46-2经由焊锡材料48-1、48-2、48-3、48-4和子组件内低电位侧导体部42，与功率半导体元件43(43-1、43-2、43-3、43-4)各自的低电位侧电极432电连接。

此外，在功率半导体元件43中，在低电位侧电极S与负极感应电极KS分离的情况下，子组件内负极感应配线46-2经由引线接合与负极感应电极KS电连接。

绝缘层47形成在子组件内高电位侧导体部41上。子组件内低电位侧导体部42经由焊锡材料48-5、48-6与子组件内负极感应配线46-2电连接。具体而言，子组件内低电位侧导体部42的第5脚部42f-5(参照图16的(A))经由焊锡材料48-5与子组件内负极感应配线46-2连接。另外，子组件内低电位侧导体部42的第6脚部42f-6(参照图16的(B))经由焊锡材料48-6与子组件内负极感应配线46-2连接。

另外，子组件内低电位侧导体部42经由焊锡材料48-1、48-2、48-3、48-4与功率半导体元件43-1、43-2、43-3、43-4各自的低电位侧电极432电连接。

子组件内高电位侧导体部41经由焊锡材料(未图示)与功率半导体元件43(43-1、43-2、43-3、43-4)各自的高电位侧电极433电连接。

＜实施例1的第3基板的结构＞

接下来，参照图18至图22，对实施例1的半导体组件1的第3基板30的结构进行说明。图18是实施例1的半导体组件的第3基板的俯视图。图19是沿图18的E-E线剖切实施例1的半导体组件的截面图。图20是实施例1的半导体组件的除去电容器后的第3基板的俯视图。图21是实施例1的半导体组件的除了绝缘基板以外的第3基板的分解立体图。图22是实施例1的半导体组件的除了绝缘基板、第3基板第2层图案和第3基板第3层图案以外的第3基板的立体图。

第3基板30由第3绝缘基板30p、多个电容器39、第3基板第1层图案31、第3基板第2层图案32、第3基板第3层图案33、第3基板第4层图案34、多个通孔37a和通孔37b构成。

如图19所示，第3绝缘基板30p将第3基板第1层图案31、第3基板第2层图案32、第3基板第3层图案33、第3基板第4层图案34分别绝缘。

通孔37a分别设置于第3基板第1层图案31、第3基板第2层图案32、第3基板第3层图案33和第3基板第4层图案34。如图19和图23所示，通孔37a将隔着第3绝缘基板30p而两面安装于第3基板30的电容器39之间分别电连接。

另外，通孔37b也分别设置于第3基板第1层图案31、第3基板第2层图案32、第3基板第3层图案33和第3基板第4层图案34。如图21和图22所示，通孔37b将高电位侧第3电路图案35-1与第3基板第2层图案32电连接，另外，将低电位侧第3电路图案35-2与第3基板第3层图案33电连接。

高电位侧输入端子32t是第3基板第2层图案32的端子，是从第3绝缘基板30p向X轴的正方向突出的导体部。高电位侧输入端子32t是从电池(未图示)输入直流电功率的端子，与电池的高电位侧连接。

低电位侧输入端子33t是第3基板第3层图案33的端子，是从第3绝缘基板30p向X轴的正方向突出的导体部。低电位侧输入端子33t是从电池(未图示)输入直流电功率的端子，与电池的低电位侧连接。

第3基板第1层图案31和第3基板第4层图案34中，在Z轴方向上对称的图案彼此隔着第3基板第2层图案32和第3基板第3层图案33的在Z轴方向上对应的图案，通过通孔37a电连接。

具体而言，如图20和图21所示，第3基板第4层图案34具有：经由通孔37a与第3基板第2层图案32电连接的图案pt1；经由通孔37a与第3基板第3层图案33电连接的图案pt2；不具有通孔的图案pt3；高电位侧第3电路图案35-1；和低电位侧第3电路图案35-2。

图案pt1、图案pt2和图案pt3经由焊锡材料与电容器39电连接。如图20所示，图案pt1和图案pt2在X轴和Y轴各自的方向上交替地配置。

例如，图21所示的电容器39a和39b通过图案pt3串联连接。另外，电容器39a通过图案pt2和通孔37a与第3基板第3层图案33电连接。另外，电容器39b通过图案pt1和通孔37a与第3基板第2层图案32电连接。

同样地，图21所示的电容器39c和39d通过图案pt3串联连接。另外，电容器39c通过图案pt1和通孔37a与第3基板第2层图案32电连接。另外，电容器39d通过图案pt2和通孔37a与第3基板第3层图案33电连接。

这样，电容器39以在Y轴方向上排列并串联连接的2个电容器39为单位，以多个单位将第3基板第2层图案32与第3基板第3层图案33之间并联连接。

高电位侧第3电路图案35-1经由第3基板第2层图案32和通孔37a与高电位侧输入端子32t电连接。低电位侧第3电路图案35-2经由第3基板第3层图案33和通孔37a与低电位侧输入端子33t电连接。

此外，电容器39也可以使用陶瓷电容器、薄膜电容器等任意种类的电容器。

根据以上的实施例1，第3基板30具有配置于与第1电路图案11重叠的第1假想平面VS1和与第2电路图案21重叠的第2假想平面VS2之间的空间且在不与第1基板10和第2基板20重叠的区域的两面配置有多个电容器39的电容器区域CA2，由此与安装电容器大的电容器相比能够限制高度，能够使电容器大容量化，并且实现半导体组件1的薄型化。另外，通过不经由连接端子而将第2基板20与第3基板直接连接，能够省略成为电感增加的原因的连接端子，实现半导体组件1的低电感化。

另外，在从第1基板10和第2基板20的排列方向观察的情况下，第2基板外部导体22以与连接区域CA1(参照图10和图11)重叠的方式形成，从而能够得到磁对消效果。

(实施例2)

图23是沿图9的C-C线将实施例2的半导体组件1B的第3基板30B切断的截面图。如图23所示，在半导体组件1B所包括的第3基板30B上，在Z轴的正方向侧的面上表面安装有与实施例1相同的高度的电容器39，另一方面，在Z轴的负方向侧的面上表面安装有与实施例1相比Z轴方向的高度较高的电容器39B。这样，两面安装于第3基板30的多个电容器39、39B的表面安装于靠近第1基板10的一侧的面的电容器39B的电容器比表面安装于靠近第2基板20的一侧的面的电容器39的电容器容量大。这样，能够有效利用第3基板30B的Z轴的负方向侧的空间，实现电容器的大容量化。

另外，本发明并不限定于上述的实施例，包括各种变形例。例如，上述的实施例是为了容易理解地说明本发明而详细说明的，并不限定于必须包括所说明的全部结构。另外，能够将某个实施例的结构的一部分置换为其他实施例的结构，也能够在某个实施例的结构上添加其他实施例的结构。另外，对于各实施例的结构的一部分，能够进行其他结构的追加、删除、置换、合并、分散。另外，实施例所示的各处理也可以基于处理效率或安装效率适当地分散或合并。

附图标记说明

1、1B：半导体组件；10：第1基板；10p：第1绝缘基板；11：第1电路图案；11t：交流输出端子；12：第1基板外部导体；20：第2基板；20p：第2绝缘基板；21：第2电路图案；21-1：高电位侧第2电路图案；21-2：低电位侧第2电路图案；22：第2基板外部导体；22-1：第1外部导体；22-2：第2外部导体；30：第3基板；31：第3基板第1层图案；32：第3基板第2层图案；33：第3基板第3层图案；34：第3基板第4层图案；32t：高电位侧输入端子；33t：低电位侧输入端子；35：连接图案；35-1：高电位侧第3电路图案；35-2：低电位侧第3电路图案；37a、37b：通孔；39、39a、39b、39c、39d、39B：电容器；40：子组件；40-1：第1子组件；40-2：第2子组件；41：子组件内高电位侧导体部；41-1：第1子组件内高电位侧导体部；41-2：第2子组件内高电位侧导体部；42：子组件内低电位侧导体部；42-1：第1子组件内低电位侧导体部；42-2：第2子组件内低电位侧导体部；43、43-1、43-2、43-3、43-4：功率半导体元件；44：片式电阻；45、45-1、45-2、45-3、45-4：引线接合；46-1：子组件内正极感应配线；46-2：子组件内负极感应配线；47：绝缘层；48-1、48-2、48-3、48-4、48-5、48-6：焊锡材料；431：正极感应电极；432：低电位侧电极；433：高电位侧电极；CA1：连接区域；CA2：电容器区域。

Claims (4)

1.一种电力转换装置，其特征在于，包括：

半导体元件；

第1基板，其在绝缘基板上形成有与所述半导体元件电连接的第1电路图案；

第2基板，其隔着所述半导体元件与所述第1基板相对，且在绝缘基板上形成有与所述半导体元件电连接的第2电路图案；

使输入到所述半导体元件的电功率平滑化的多个电容器；和

第3基板，所述多个电容器安装于其两面，且在绝缘基板上形成有与该多个电容器电连接的第3电路图案，

所述第3基板，在将与所述第1电路图案重叠的平面作为第1假想平面、将与所述第2电路图案重叠的平面作为第2假想平面的情况下，配置在所述第1假想平面与所述第2假想平面之间的空间，

所述第3基板具有在所述第1基板与所述第2基板不重叠的区域的两面配置有所述多个电容器的电容器区域。

2.如权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于：

在从所述第1基板和所述第2基板的排列方向观察的情况下，在与所述第2基板重叠的区域中具有与所述第2电路图案和所述第3电路图案连接的连接区域。

3.如权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于：

所述第2基板在配置有所述第2电路图案的一侧的面的相反侧具有与外部连接的外部导体，

在从所述第1基板和所述第2基板的排列方向观察的情况下，所述外部导体形成于与所述连接区域重叠的区域。

4.如权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于：

在所述多个电容器中，设置于所述第3基板的所述第1假想平面一侧的电容器相对于所述第3基板的高度，高于设置于所述第3基板的所述第2假想平面一侧的电容器相对于所述第3基板的高度。

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