JP6121080B1 - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
パワー半導体素子の過熱を抑制するため、主回路端子間に並列にスナバコンデンサを接続し、このスナバコンデンサにサージ電圧を吸収させる方法がある。また、従来の電力変換装置では、主回路端子からスナバコンデンサまでの配線長が製品間でばらつくことにより製品間のサージ吸収特性が安定しないことがある。製品間におけるサージ吸収特性を安定させるため、スナバコンデンサと主回路端子とを接続する配線をプリント配線基板の導体パターンで形成する場合がある。この場合、スナバコンデンサから主回路端子までの配線長さが、配線にリード線を使う場合に比べ一定となるため、製品間においてばらつきの少なく安定したサージ吸収特性が確保される(例えば、特許文献1。)。
また、複数のパワー半導体素子が同一基板に実装されたパワーモジュールを用いる電力変換装置では、主回路端子に接続される基板上の導体パターン間に小型のチップ状のスナバコンデンサを実装する場合がある。この場合、スナバコンデンサをパワー半導体モジュールの近傍に配するので、パワー半導体モジュールとスナバコンデンサとの間の配線が比較的短くなる。そのため、この配線の寄生インダクタンスの値が低くなるので、効果的にサージ電圧が抑制される(例えば、特許文献2。)。
また、特許文献2に示す小型のチップ状のスナバコンデンサをパワー半導体素子と同一基板に実装する電力変換装置の場合、小型のチップ状のスナバコンデンサを精密に基板に装着し、小型のチップ状のスナバコンデンサと基板との間の微細な箇所を半田接合するため、組立工程が複雑になってしまう場合がある。
さらに、スナバコンデンサの高電位側電極は、パワーモジュールの高電位側直流端子の主面上に載置され、スナバコンデンサの低電位側電極は、パワーモジュールの低電位側直流端子の主面上に載置される。
また、パワーモジュールの高電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して、パワーモジュールの高電位側直流端子とスナバコンデンサの高電位側電極とが電気的に接続され、パワーモジュールの低電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して、パワーモジュールの低電位側直流端子とスナバコンデンサの低電位側電極とが電気的に接続される。
したがって、スナバコンデンサの高電位側電極とパワーモジュールの高電位側直流端子とを電気的に接続する導体の長さとスナバコンデンサの低電位側電極とパワーモジュールの低電位側直流端子とを電気的に接続する導体の長さを、それぞれ短くすることができる。そのため、これらの導体の寄生インダクタンスの値は低くなる。また、組立工程が複雑になることなく、容易にパワーモジュールとスナバコンデンサを接続することができる。
そのため、電力変換装置の動作速度の向上を図った場合でも、上述したスナバコンデンサにより、サージ電圧の発生を抑止し、また組立工程を複雑にすることなく、信頼性の高い電力変換装置を提供することができる。
図1から図5は、この発明を実施するための実施の形態1を示すものである。図1はこの発明の電力変換装置の電気接続を示す電気回路図である。図2はこの発明の構成要素であるスナバコンデンサの正面図である。図3は図2に示すスナバコンデンサの破線A−A間の断面図である。図4は図2に示すスナバコンデンサの破線B−B間の断面図である。なお、図5は、この発明の構成要素であるスナバコンデンサとパワーモジュールとの接続を示す斜視図である。
この発明の電力変換装置100は、パワーモジュール8とスナバコンデンサ2とを含み、パワーモジュール8は、この発明の構成要素のパワーモジュールであり、スナバコンデンサ2は、この発明の構成要素の電気容量素子である。また、電解コンデンサ3は、特許請求の範囲に記す電気容量器である。
さらに、インバータ回路1は、パワーモジュール8の回路構成を示し、後述するパワーモジュール8の筐体81に内蔵される。
また、インバータ回路1のu相交流線端子1uは、モータ5のu相端子(図示せず。)に接続され、インバータ回路1のv相交流線端子1vは、モータ5のv相端子(図示せず。)に接続され、インバータ回路1のw相交流線端子1wは、モータ5のw相端子(図示せず。)に接続される。
高電位側直流端子1pは、高電位側主配線11pに接続され、低電位側直流端子1nは、低電位側主配線11nに接続される。
なお、図2、図3および図4の縦横比は、スナバコンデンサ2の構造を明瞭に説明するため、実際のこの発明品のスナバコンデンサ2の縦横比とは異なり図示されており、後述するスナバコンデンサ2の主面間の距離(すなわち、スナバコンデンサ2の厚さ)は、スナバコンデンサ2の幅よりも短く、スナバコンデンサ2は薄板状である。
図3と図4とを参照して、高電位側第1層21p、低電位側第1層21n、高電位側第2層22pおよび低電位側第2層22nは、導電性板材であり、これらは誘電体層23を介して積層される。
さらに、高電位側第1層21pと高電位側第2層22pとは、低電位側第1層21nの穴部を通る導電性の高電位側接続柱24pを介して接続される。同様に、低電位側第1層21nと低電位側第2層22nとは、低電位側第2層22pの穴部を通る導電性の低電位側接続柱24nを介して接続される。
よって、高電位側第2層22pとは、高電位側電極26pと同電位となり、低電位側第2層22nとは、低電位側電極26nとなる。
すなわち、スナバコンデンサ2は、高電位側電極26pと同電位の層と、低電位側電極26nとの同電位の層とを、交互に配する電気容量素子の構造を有する。
パワーモジュール8は、筐体81内にインバータ回路1を内蔵する。さらに、本実施の形態1では、筐体81上の高電位側直流端子8pは、図1の高電位側直流端子1pを示す。同様に、低電位側直流端子8nは低電位側直流端子1nを示す。また、u相交流端子8uはu相交流端子1uを、v相交流端子8vはv相交流端子1vを、w相交流端子8wはw相交流端子1wを、それぞれ示す。なお、高電位側直流端子8pと低電位側直流端子8nとに、ネジ穴82がそれぞれ形成される。
はじめに、矢印C方向から、パワーモジュール8の高電位側直流端子8pの主面上に、スナバコンデンサ2の高電位側電極26pを、低電位側直流端子8nの主面上に、低電位側電極26nを、それぞれ載せ置く。つぎに、矢印C方向から高電位側取付穴2pと低電位側取付穴2nとに、それぞれ金属製ネジ(図示せず。)を挿入し、ネジ穴82に入れて締め付ける。よって、高電位側直流端子8pの主面上に高電位側電極26pが、低電位側直流端子8nの主面上に低電位側電極26nが、それぞれ固定され、スナバコンデンサ2は、パワーモジュール8に取り付けられる。
外部電源4から、直流線6である高電位側直流線6pと低電位側直流線6nとを介して、インバータ回路1に直流電圧が供給される。外部の制御装置からパワーモジュール8の制御回路にモータ5のモータ動作指令値(回転速度、トルクなど)に相当する信号が与えられると、制御回路はそのモータ動作指令値に基づき、IGBT12a〜IGBT12fのオンオフ動作を実行し、そのモータ動作に相当する振幅および周波数の3相交流電圧は、u相交流線11u、v相交流線11v、およびw相交流線11wを介してモータ5へ出力される。モータ5は、送電された電力を電磁力に変換して回転する。なお、電解コンデンサ3は、直流線6に発生するリップル電圧を平滑化する。
すなわち、サージ電圧は、高電位側主配線11pと低電位側主配線11nとの間の電圧の変化を招き、サージ電圧に応じて、サージ電流がIGBT12a〜IGBT12fに流れ、IGBT12a〜IGBT12fが発熱する。
本実施の形態1における電力変換装置では、上述したように、スナバコンデンサ2は、薄板状であり、スナバコンデンサ2の高電位側電極26pは、パワーモジュール8の高電位側直流端子8pの主面の直上に載置される。さらに、高電位側直流端子8pの主面に垂直に固定される導体(金属製ネジ)を介して、高電位側直流端子8pと高電位側電極26pとが電気的に接合する。よって、高電位側接続配線7pの配線長に相当する部分を短くすることができる。
同様に、スナバコンデンサ2の低電位側電極26nは、パワーモジュール8の低電位側直流端子8nの主面の直上に載置される。さらに、低電位側直流端子8nの主面に垂直に固定される導体(金属製ネジ)を介して、低電位側直流端子8nと低電位側電極26nとが電気的に接合する。よって、高電位側接続配線7pの配線長に相当する部分を短くすることができる。
また、高電位側直流端子8pと金属製ネジとの接続においては、高電位側直流端子8pのネジ穴82に金属製ネジのネジ部が締め込まれるので、従来品のスナバコンデンサを半田接合する場合に比べ接触面積が広い。よって、高電位側直流端子8pと金属製ネジとの接続抵抗の値を小さくすることができる。同様に、低電位側直流端子8nと金属製ネジとの接続抵抗の値も小さくすることができる。
パワーモジュール8の高電位側直流端子8pと低電位側直流端子8nとの間の距離が23mmである場合に、スナバコンデンサとしてセラミックコンデンサを高電位側直流端子1pと低電位側直流端子1nとの間に配置すると配線長(接続配線7の長さ)は13mmとなり、寄生インダクタンスは、9.2nHと見積もられる。一方、本実施の形態1に示すスナバコンデンサ2を適応した場合、接続配線7の寄生容量は、0.7nHと見積もられ、従来品に比べ、低い寄生インダクタンスの値となる。
実施の形態1では、スナバコンデンサ2とパワーモジュール8との配置を説明した。
本実施の形態2では、スナバコンデンサ2の主面に開口部28を設けることにより、この発明の電力変換装置と電解コンデンサ3とを合わせた設置面積を小さくし、この発明の電力変換装置を含む装置の小型化を図る形態を説明する。
図6は、本実施の形態2に係る電力変換装置の構造を示す斜視図である。図6において、図1から図5と同一番号あるいは同一符号は、実施の形態1に示す構成要素と同一品あるいは同等品であるので、その詳細な説明は省略する。
なお、本実施の形態2は、電解コンデンサ3を2台用いる形態を示す。図1において、2台の電解コンデンサ3を、1つの記号に簡略して図示するものである。
スナバコンデンサ2の主面を貫通する矩形の開口部28から、電解コンデンサ3の高電位側端子3pと低電位側端子3nとが露出する。
さらに、電解コンデンサ3の高電位側端子3pとパワーモジュール8の高電位側直流端子8p(高電位側直流端子1p)とが、高電位側直流線6p(図示せず。)を介して接続され、低電位側端子3nと低電位側直流端子8n(低電位側直流端子1n)とが、低電位側直流線6n(図示せず。)を介して接続される。
スナバコンデンサ2の主面上には、円形の開口部28が設けられており、電解コンデンサ3は、円形の開口部28の内径内に配置される。
さらに、高電位側端子3pと高電位側直流端子1pとが、高電位側直流線6p(図示せず。)を介して接続され、低電位側端子3nと低電位側直流端子1nとが、低電位側直流線6n(図示せず。)を介して接続される。
実施の形態2では、スナバコンデンサ2の主面上に開口部28を有し、スナバコンデンサ2を電解コンデンサ3上に配置する形態と、スナバコンデンサ2の開口部28の内周内に、電解コンデンサ3を配置する形態とを説明した。
本実施の形態3では、スナバコンデンサ2の開口部28に、パワーモジュール8の信号配線用コネクタ83が配置され、パワーモジュール8の信号配線84を、外部の制御機器と容易に接続することができる形態を説明する。
パワーモジュール8は、主面上に信号配線用コネクタ83を有しており、パワーモジュール8内の制御回路に接続される。さらに、信号配線用コネクタ83は、信号配線用コネクタ83を介して外部の制御機器に接続され、パワーモジュール8の動作指令、パワーモジュール8動作状態等の信号の送受信を行う。なお、スナバコンデンサ2は、矩形の開口部28を有する。
実施の形態1と同様に、矢印C方向から、それぞれ金属製ネジ(図示せず。)を挿入し、この金属製ネジをネジ穴82に入れて締め付けることで、パワーモジュール8にスナバコンデンサ2を固定する。
なお、信号配線用コネクタ83は、矢印D方向から開口部28を通り、開口部28内あるいは開口部28から突出して配置される。このため、容易にスナバコンデンサ2主面上から信号配線84を信号配線用コネクタ83に接続することができる。すなわち、開口部28の内周内を通して、パワーモジュール8と外部の制御機器とを容易に接続することができ、パワーモジュール8の筐体81上における信号配線用コネクタ83の設置位置を制約することがない。
実施の形態1から3では、1つのスナバコンデンサ2を用いる形態を説明した。パワーモジュール8および負荷の仕様等によっては、より電気容量の大きいスナバコンデンサ2が必要になることがある。そのため、本実施の形態4では、複数のスナバコンデンサ2をパワーモジュール8に接続し、設置面積を広げることなくスナバコンデンサ2の大容量化を図る形態を説明する。
図9を参照して、複数のスナバコンデンサ2が重ねて配置される。なお、図7と同様にスナバコンデンサ2の主面上には、円形の開口部28が設けられており、電解コンデンサ3は、開口部28の内径内に配される。さらに、図7と同様に、高電位側取付穴2pおよび低電位側取付穴2nに、それぞれ金属製ネジ(図示せず。)を挿入し、ネジ穴82に入れる。金属製ネジを締め付けることにより、複数のスナバコンデンサ2はパワーモジュール8に固定される。
実施の形態1から4では、スナバコンデンサ2をパワーモジュール8の筐体81の外側に配置する形態を説明した。
本実施の形態5では、スナバコンデンサ2を筐体81の内側に配置する実施の形態を説明する。スナバコンデンサ2を筐体81の内側に配置することにより、この発明の電力変換装置の小型化を図ることができる。
パワーモジュール8の筐体本体部81aの内部には、回路基板9が収納される。回路基板9の主面には、高電位側直流端子9pと低電位側直流端子9nとが形成される。本実施の形態5では、高電位側直流端子9pは、図1の高電位側直流端子1pを示し、筐体81上の高電位側直流端子8pに接続される。同様に、低電位側直流端子9nは、図1の低電位側直流端子1nを示し、筐体81上の低電位側直流端子8nに接続される。
なお、高電位側直流端子9pと低電位側直流端子9nとには、ネジ穴93が形成される。さらに、回路基板9上には、外部の制御機器と制御回路との信号の送受信を行うために、複数の基板端子91が設けられ、複数の基板端子91と制御回路とは、配線パターン92を介して接続される。
なお、u相交流端子8uはu相交流端子1uを、v相交流端子8vはv相交流端子1vを、w相交流端子8wはw相交流端子1wを、それぞれ示す。
筐体81は、筐体本体部81aと筐体フタ部81bとで構成される。高電位側電極26pは、高電位側直流端子9p上に載置され、低電位側電極26nは、低電位側直流端子9n上に載置される。矢印C方向から、高電位側取付穴2pと低電位側取付穴2nとに、それぞれ金属製ネジ(図示せず。)が挿入されネジ穴93に入れられる。それぞれ金属製ネジは締め付けられ、スナバコンデンサ2は、パワーモジュール8に固定される。なお、金属製ネジを介して、高電位側電極26pと高電位側直流端子9pとは、電気的に接続され、同様に、低電位側電極26nと低電位側直流端子9nとは、電気的に接続される。
さらに、筐体フタ部81bを筐体本体部81aに被せ、スナバコンデンサ2は、筐体81に収納される。この際、基板端子91は、矢印D方向に、スナバコンデンサ2の開口部28および筐体フタ部81bのフタ開口部85を通り、フタ開口部85から露出し、外部の制御機器と制御回路との信号の送受信を可能にする。
実施の形態4では、設置面積を広げることなくスナバコンデンサ2の大容量化を図るため、複数のスナバコンデンサ2を重ねて配置する形態を説明した。さらに、本実施の形態6では、複数のスナバコンデンサ2の放熱性を向上させた形態を説明する。
図13を参照して、隣り合うスナバコンデンサ2の間にスペーサ29を挿入することにより、複数のスナバコンデンサ2は、間隔を設けて配置される。このように、隣り合うスナバコンデンサ2の間に空隙を設けることにより、設置面積を広げることなくスナバコンデンサ2で発生した熱を効率よく放出することができる。
さらに、スナバコンデンサ2の外形を矩形状の形状としたが、外形に限定するものではない。例えば、円形または楕円形でも良い。また、パワーモジュール8内蔵する場合など、設置状況等に応じて、適宜形状を選択するべきである。
さらに、金属製に限定されるものではなく、導電性の材質であればよい。
り、各実施の形態を適宜変更、省略することが可能である。例えば、実施の形態1に、図10に示す断面構造のスナバコンデンサ2を適用した場合、高電位側直流端子8pと高電位側表面電極27pとが、低電位側直流端子8nと低電位側表面電極27nとが、それぞれ電気的に接続されるので、金属製ネジを介して、高電位側直流端子8pと高電位側電極26pとが、低電位側直流端子8nと低電位側電極26nとが、それぞれ電気的に接続される場合に比べ接続抵抗を低くすることができる。また、この場合のネジは、導電性でなくても良い。さらに、高電位側表面電極27pと低電位側表面電極27nとは、それぞれ高電位側直流端子8pと低電位側直流端子8nが接続されるスナバコンデンサの主面の一方に形成されていても良い。
Claims (9)
- 高電位側直流端子と低電位側直流端子とを有するパワーモジュールと、
導電性板材と誘電体層とを積層して形成され、主面上に高電位側電極と低電位側電極とを有し、前記高電位側電極は前記高電位側直流端子の主面上に載置され、前記低電位側電極は前記低電位側直流端子の主面上に載置され、前記高電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記高電位側直流端子と前記高電位側電極とを電気的に接続し、前記低電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記低電位側直流端子と前記低電位側電極とを電気的に接続する電気容量素子と、
を備え、
前記電気容量素子は、前記主面を貫通する開口部を有し、電気容量器の上に配置され、前記開口部を貫通する配線を介して前記パワーモジュールと前記電気容量器とが接続されることを特徴とする電力変換装置。 - 高電位側直流端子と低電位側直流端子とを有するパワーモジュールと、
導電性板材と誘電体層とを積層して形成され、主面上に高電位側電極と低電位側電極とを有し、前記高電位側電極は前記高電位側直流端子の主面上に載置され、前記低電位側電極は前記低電位側直流端子の主面上に載置され、前記高電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記高電位側直流端子と前記高電位側電極とを電気的に接続し、前記低電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記低電位側直流端子と前記低電位側電極とを電気的に接続する電気容量素子と、
を備え、
前記電気容量素子は、前記主面を貫通する開口部を有し、前記開口部の内周内に、電気容量器を配置する
ことを特徴とする電力変換装置。 - 高電位側直流端子と低電位側直流端子とを有するパワーモジュールと、
導電性板材と誘電体層とを積層して形成され、主面上に高電位側電極と低電位側電極とを有し、前記高電位側電極は前記高電位側直流端子の主面上に載置され、前記低電位側電極は前記低電位側直流端子の主面上に載置され、前記高電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記高電位側直流端子と前記高電位側電極とを電気的に接続し、前記低電位側直流端子の主面に垂直に固定される導体を介して前記低電位側直流端子と前記低電位側電極とを電気的に接続する電気容量素子と、
を備え、
前記電気容量素子は、前記主面を貫通する開口部を有し、前記開口部を貫通する配線を介して外部の制御機器と前記パワーモジュールとが接続する
ことを特徴とする電力変換装置。 - 前記電気容量素子は、前記主面上と反対側の主面上とに、前記高電位側電極に接続される電極と、前記低電位側電極に接続される電極とを有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記高電位側直流端子の主面に垂直に固定される前記導体は、前記電気容量素子の前記主面上に形成され、前記高電位側電極と電気的に接続された高電位側表面電極であり、
前記低電位側直流端子の主面に垂直に固定される前記導体は、前記電気容量素子の前記主面上に形成され、前記低電位側電極と電気的に接続された低電位側表面電極であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 前記高電位側直流端子の主面に垂直に接合する前記導体と前記低電位側直流端子の主面に垂直に固定される前記導体は、ネジ、リベット、あるいは半田であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記電気容量素子を2つ以上備え、前記2以上の前記電気容量素子は、重ねて配置されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記電気容量素子を2つ以上備え、1つの前記電気容量素子の上に他の前記電気容量素子が間隔を設け配置されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記電気容量素子は、基板上に形成された前記導電性板材である導体箔と前記誘電体層とを積層した構造を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の電力変換装置。
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