JP2022032170A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電力変換装置の放射ノイズをより適切に抑制することが可能な技術を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態に係る電力変換装置１は、商用交流電源ＰＳから入力される交流電力を直流電力に変換する整流回路１０と、整流回路１０から出力される直流電力の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間を接続する経路に設けられる平滑コンデンサＣｄｃと、平滑コンデンサＣｄｃと並列に正ラインＰＬ及び負ラインＮＬと接続され、平滑コンデンサＣｄｃにより平滑化された直流電力を半導体素子Ｓ１～Ｓ６のスイッチング動作により所定の交流電力に変換して出力するインバータ回路３０と、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に設けられるノイズ抑制コンデンサＣ１と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、電力変換装置に関する。
従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の半導体素子のスイッチング動作に基づく電力変換装置の放射ノイズを抑制する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
特許第６０４１８６２号広報
ところで、ＩＧＢＴ等の半導体素子を発生源とする高周波（例えば、１０ＭＨｚ以上）のノイズ成分は、ノーマルモード（ディファレンシャルモード）からコモンモードに変換されて、電力変換装置の回路上を入力側に伝搬される。そして、電力変換装置から入力側に流出し、最終的に、放射ノイズ源としての高周波コモンモード電流になる。
しかしながら、この伝搬の過程で、従来の抑制方法により高周波のノイズ成分を抑制する（減衰させる）ことができても、電力変換装置の回路構成や構造等によっては、放射ノイズが相対的に高くなってしまう可能性がある。例えば、伝搬の過程で高周波のノイズ成分が減衰され、高周波のノイズ成分が相対的に少なくなっている入力側の経路に対して、高周波のノイズ成分が相対的に多い経路が隣接している場合がありうる。この場合、入力側の高周波のノイズ成分が相対的に少ない経路に、高周波ノイズが相対的に多い経路のノイズ成分が誘導され、結果として、放射ノイズが相対的に大きくなる可能性がある。そのため、従来の抑制方法では適切に放射ノイズを抑制することができない可能性がある。
そこで、上記課題に鑑み、電力変換装置の放射ノイズをより適切に抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本開示の一実施形態では、
外部から入力される交流電力を直流電力に変換する整流回路と、
前記整流回路から出力される直流電力の正ライン及び負ラインの間を接続する経路に設けられる平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサと並列に前記正ライン及び前記負ラインと接続され、前記平滑コンデンサにより平滑化された直流電力を半導体素子のスイッチング動作により所定の交流電力に変換して出力する電力変換回路と、
前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間の前記正ライン及び前記負ラインを繋ぐ経路に設けられる第１の線間コンデンサと、を備える、
電力変換装置が提供される。
上述の実施形態によれば、電力変換装置の放射ノイズをより適切に抑制することできる。
電力変換装置の第１例を示す回路図である。 電力変換装置の第２例を示す回路図である。 電力変換装置の第３例を示す回路図である。 電力変換装置の第４例を示す回路図である。 電力変換装置の第５例を示す回路図である。 電力変換装置の第６例を示す回路図である。 電力変換装置の第７例を示す回路図である。 電力変換装置の第８例を示す回路図である。 電力変換装置の第９例を示す回路図である。 比較例に係る電力変換装置及び実施形態に係る電力変換装置の放射ノイズのスペクトルを示す図である。
以下、図面を参照して実施形態について説明する。
［電力変換装置の第１例］
まず、図１を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第１例について説明する。
図１は、本実施形態に係る電力変換装置１の第１例を示す回路図である。
電力変換装置１は、商用交流電源ＰＳから入力されるＲ相、Ｓ相、及びＴ相の三相交流電力を用いて、所定の三相交流電力を生成し電動機Ｍに供給する。
尚、電力変換装置１は、内部で導通する端子Ｅｉｎ，Ｅｏｕｔを含み、端子Ｅｉｎが商用交流電源ＰＳの接地線に接続され、端子Ｅｏｕｔが電動機Ｍの基準電位に接続されることにより、電動機Ｍが商用交流電源ＰＳと共に接地される。
図１に示すように、電力変換装置１は、整流回路１０と、平滑回路２０と、インバータ回路３０と、ノイズ抑制コンデンサＣ１とを含む。
整流回路１０は、商用交流電源ＰＳから入力されるＲ相、Ｓ相、及びＴ相の三相交流電力を整流し、正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを通じて、所定の直流電力を平滑回路２０に出力する。
整流回路１０は、例えば、６つのダイオードＤ１～Ｄ６がブリッジ接続される。具体的には、ダイオードＤ１，Ｄ４、ダイオードＤ２，Ｄ５、及びダイオードＤ３，Ｄ６の上下アームの組み合わせが並列接続され、それぞれの上下アームの中間点からＲ相、Ｓ相、及びＴ相の三相交流電力が入力されるブリッジ型全波整流回路である。
平滑回路２０は、整流回路１０から出力される直流電力やインバータ回路３０から回生される直流電力の脈動を抑制し、平滑化する。
平滑回路２０は、平滑コンデンサＣｄｃを含む。
平滑コンデンサＣｄｃは、整流回路１０やインバータ回路３０と並列に、正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。平滑コンデンサＣｄｃは、適宜、充放電を繰り返しながら、整流回路１０やインバータ回路３０から出力される直流電力を平滑化する。
平滑コンデンサＣｄｃは、一つであってよい。また、平滑コンデンサＣｄｃは、複数配置されてもよく、複数の平滑コンデンサＣｄｃが正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間に並列接続されてもよいし、直列接続されてもよい。以下、後述の第２例～第９例の場合についても同様であってよい。
尚、平滑回路２０は、直流リアクトルを含んでもよい。この場合、直流リアクトルは、例えば、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬに直列に配置されてよい。以下、後述の第２例～第９例の場合についても同様であってよい。直流リアクトルは、入力力率改善、高調波低減、平滑回路電圧の安定等のために接続される。
インバータ回路３０（電力変換回路の一例）は、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）と並列に正ラインＰＬ及び負ラインＮＬに接続される。インバータ回路３０は、正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを通じて平滑回路２０から供給される直流電力を半導体素子Ｓ１～Ｓ６のスイッチング動作により、所定の周波数や所定の電圧を有する、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の三相交流電力に変換して電動機Ｍに出力する。半導体素子Ｓ１～Ｓ６は、例えば、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴである。
インバータ回路３０は、半導体素子Ｓ１，Ｓ４、半導体素子Ｓ２，Ｓ５、及び半導体素子Ｓ３，Ｓ６のそれぞれの上下アームの組み合わせ（スイッチレグ）が正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間に並列接続されるブリッジ回路を含む形で構成される。そして、インバータ回路３０において、半導体素子Ｓ１，Ｓ４、半導体素子Ｓ２，Ｓ５、及び半導体素子Ｓ３，Ｓ６のそれぞれの上下アームの接続点（中間点）からＵ相、Ｖ相、及びＷ相の出力線が引き出される。また、半導体素子Ｓ１～Ｓ６には、それぞれ、環流ダイオードが並列接続される。
ノイズ抑制コンデンサＣ１（第１の線間コンデンサの一例）は、整流回路１０と平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。ノイズ抑制コンデンサＣ１は、例えば、相対的に容量が小さい積層セラミックコンデンサであってよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、一つであってよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、複数配置されてもよく、複数のノイズ抑制コンデンサＣ１が正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間に並列接続されてもよいし、直列接続されてもよい。以下、後述の第２例～第９例の場合についても同様であってよい。
また、電力変換装置１は、ダイオードＤ１～Ｄ６を保護するスナバコンデンサ（以下、「ダイオードスナバコンデンサ」）や半導体素子Ｓ１～Ｓ６を保護するスナバコンデンサ（以下、「スイッチスナバコンデンサ」）を含んでもよい。以下、後述の第２例～第９例の場合についても同様であってよい。
ダイオードスナバコンデンサは、整流回路１０と平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。例えば、ダイオードスナバコンデンサは、ノイズ抑制コンデンサＣ１と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置されてよい。即ち、ダイオードスナバコンデンサは、整流回路１０に隣接する正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間に整流回路１０と並列接続される。ダイオードスナバコンデンサは、例えば、相対的に容量の大きいフィルムコンデンサであってよい。
スイッチスナバコンデンサは、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。即ち、スイッチスナバコンデンサは、インバータ回路３０に隣接する正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間にインバータ回路３０と並列接続される。スイッチスナバコンデンサは、例えば、相対的に容量の大きいフィルムコンデンサであってよい。
整流回路１０及びインバータ回路３０は、必要な他の部品と共に、ＰＩＭ（Power Integrated Module）４００を構成する。
ＰＩＭ４００は、交流入力端子Ｒ，Ｓ，Ｔと、交流出力端子Ｕ，Ｖ，Ｗと、正極出力端子Ｐ０と、正極入力端子Ｐ１と、負極端子Ｎとを含む。
交流入力端子Ｒ、交流入力端子Ｓ、及び交流入力端子Ｔは、それぞれ、商用交流電源ＰＳのＲ相、Ｓ相、及びＴ相の入力線と外部で接続される。これにより、商用交流電源ＰＳから入力される三相交流電力が整流回路１０に供給される。
交流出力端子Ｕ、交流出力端子Ｖ、及び交流出力端子Ｗは、それぞれ、内部でインバータ回路のＵ相、Ｖ相、及びＷ相の出力線と接続され、外部で電動機ＭのＵ相、Ｖ相、及びＷ相の入力端子とケーブル等で接続される。これにより、電力変換装置１（ＰＩＭ４００）から電動機Ｍに三相交流電力が供給され、電動機Ｍが駆動される。
正極出力端子Ｐ０は、整流回路１０の正極側の出力端から正ラインＰＬをＰＩＭ４００の外部に引き出す。
正極入力端子Ｐ１は、インバータ回路３０の正極側の入力端から正ラインＰＬをＰＩＭ４００の外部に引き出す。
負極端子Ｎは、整流回路１０の負極側の出力端、及びインバータ回路３０の負極側の入力端から負ラインＮＬをＰＩＭ４００の外部に引き出す。つまり、正ラインＰＬの場合と異なり、負ラインＮＬでは、整流回路１０の負極出力端子と、インバータ回路３０の負極入力端子とが負極端子Ｎに共通化されている。これにより、整流回路１０及びインバータ回路３０のそれぞれに対して負極出力端子及び負極入力端子を設ける場合に比して、ＰＩＭ４００を小型化したり、ＰＩＭ４００に接続される基板配線の共通化による実装スペースの削減を図ったりすることができる。
平滑コンデンサＣｄｃは、コンデンサ基板２００に含まれる（実装される）。
コンデンサ基板２００は、正極入力端子Ｐｃ０と、正極出力端子Ｐｃ１と、負極端子Ｎｃとを含む。
正極入力端子Ｐｃ０は、配線パターンによりコンデンサ基板２００上で平滑コンデンサＣｄｃの正極端子と接続されると共に、コンデンサ基板２００の外部（例えば、主基板上）に配置される、整流回路１０の出力側の正ラインＰＬと接続される。これにより、平滑コンデンサＣｄｃの正極端子と、整流回路１０の出力側の正ラインＰＬとが接続される。
正極出力端子Ｐｃ１は、配線パターンによりコンデンサ基板２００上で平滑コンデンサＣｄｃの正極端子と接続されると共に、コンデンサ基板２００の外部（例えば、主基板上）に配置される、インバータ回路３０の入力側の正ラインＰＬと接続される。これにより、平滑コンデンサＣｄｃの正極端子と、インバータ回路３０の入力側の正ラインＰＬとが接続される。
負極端子Ｎｃは、配線パターンによりコンデンサ基板２００上で平滑コンデンサＣｄｃの負極端子と接続されると共に、コンデンサ基板２００の外部（例えば、主基板上）に配置される、ＰＩＭ４００の負極端子Ｎと繋がる負ラインＮＬと接続される。これにより、平滑コンデンサＣｄｃの負極端子と、整流回路１０の出力側及びインバータ回路３０の入力側の負ラインＮＬとが接続される。つまり、正ラインＰＬの場合と異なり、負ラインＮＬでは、整流回路１０の出力側の負ラインＮＬと接続される負極入力端子とインバータ回路３０の入力側の負ラインＮＬと接続される負極出力端子とが負極端子Ｎｃに共通化されている。これにより、負極入力端子及び負極出力端子を別々に設ける場合に比して、コンデンサ基板２００上での端子の実装面積を小さくすることができる。
正ラインＰＬは、正ラインＰＬ１１～ＰＬ１４を含む。
正ラインＰＬ１１は、ＰＩＭ４００の内部において、整流回路１０の正極側の出力端と正極出力端子Ｐ０との間を接続する。
正ラインＰＬ１２は、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）において、ＰＩＭ４００の正極出力端子Ｐ０とコンデンサ基板２００の正極入力端子Ｐｃ０との間を接続する。また、正ラインＰＬ１２には、突入電流防止用のリレーが配置されてよい。
正ラインＰＬ１３は、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）において、コンデンサ基板２００の正極出力端子Ｐｃ１とＰＩＭ４００の正極入力端子Ｐ１との間を接続する。
正ラインＰＬ１４は、ＰＩＭ４００の内部において、インバータ回路３０の正極側の入力端と正極入力端子Ｐ１との間を接続する。
負ラインＮＬは、負ラインＮＬ１１～ＮＬ１３を含む。
負ラインＮＬ１１は、ＰＩＭ４００の内部において、整流回路１０の出力端とインバータ回路３０の入力端との間を接続する。つまり、正ラインＰＬの場合と異なり、負ラインＮＬでは、ＰＩＭ４００の内部で整流回路１０の出力端とインバータ回路３０の入力端とが接続され、整流回路１０の出力側とインバータ回路３０の入力側との間で負ラインＮＬが共通化されている。
負ラインＮＬ１２は、ＰＩＭ４００の内部において、負極端子Ｎと負ラインＮＬ１１との間を、整流回路１０及びインバータ回路３０と並列に接続する。これにより、負極端子Ｎは、負ラインＮＬ１２及び負ラインＮＬ１１を介して、整流回路１０の負極側の出力端及びインバータ回路３０の負極側の入力端と接続される。
負ラインＮＬ１３は、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）において、ＰＩＭ４００の負極端子Ｎとコンデンサ基板２００の負極端子Ｎｃとの間を接続する。
上述の如く、整流回路１０の負極出力端子とインバータ回路３０の負極入力端子とが負極端子Ｎに共通化されている。そのため、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬと、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとは、負極端子Ｎ及び負極端子Ｎｃを含む、負ラインＮＬ１２，ＮＬ１３で共通化されている。
ノイズ抑制コンデンサＣ１は、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）において、正ラインＰＬ１２及び負ラインＮＬ１３を繋ぐ経路に配置される。
ノイズ抑制コンデンサＣ１の静電容量は、例えば、ダイオードＤ１～Ｄ６の接合容量よりも大きい値であってよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ１の静電容量は、例えば、サージ電圧を抑制するために相対的に大きな静電容量を要するダイオードスナバコンデンサの静電容量以下の値であってよい。以下、後述の第２例～第９例の場合についても同様であってよい。
ダイオードスナバコンデンサは、例えば、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）において、ノイズ抑制コンデンサＣ１と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ１２及び負ラインＮＬ１３を繋ぐ経路に配置されてよい。
スイッチスナバコンデンサは、例えば、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ１３を繋ぐ経路に設けられてよい。
このように、本例では、ノイズ抑制コンデンサＣ１が設けられる。
例えば、インバータ回路３０の半導体素子Ｓ１～Ｓ６のスイッチング動作に伴い高周波のノイズ成分が発生する。半導体素子Ｓ１～Ｓ６を発生源とする高周波のノイズ成分は、ノーマルモードからコモンモードに変換されて、インバータ回路３０、平滑コンデンサＣｄｃ、及び整流回路１０の順に回路上を伝搬し、最終的に、放射ノイズ源としての高周波コモンモード電流になる。この伝搬の過程において、通常、高周波のノイズ成分は、減衰する。そのため、高周波のノイズ成分は、インバータ回路３０から平滑コンデンサＣｄｃを介して整流回路１０に至る経路のうちのインバータ回路３０に相対的に近い経路部分よりも整流回路１０に相対的に近い経路部分の方が小さくなることが想定される。
一方、本例では、上述の如く、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとインバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとが、負極端子Ｎ及び負極端子Ｎｃを含む、負ラインＮＬ１２，ＮＬ１３で共通化されている。そのため、相対的に高周波のノイズ成分が大きいインバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路と、相対的に高周波のノイズ成分が小さいと想定される整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路とが物理的に近接して配置される場合がある。この場合、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路から高周波のノイズ成分が静電誘導や電磁誘導により誘起される可能性がある。その結果、本来は、高周波のノイズ成分が減衰されて相対的に小さくなっていることが想定される、整流回路１０の出力端の高周波のノイズ成分が相対的に大きくなり、整流回路１０から商用交流電源ＰＳ（系統側）に流出する高周波のノイズ成分が増加しうる。そして、系統側に流出する高周波のノイズ成分のうちの３０ＭＨｚ以上の成分により発生する放射ノイズが相対的に大きくなる可能性がある。特に、整流回路１０の出力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧が、インバータ回路３０の入力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧と同等のレベル、或いは、その電圧以上の場合、放射ノイズが非常に大きくなる。
尚、整流回路１０の出力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧は、正極出力端子Ｐ０及び負極端子Ｎの間の高周波成分の電圧に相当する。また、インバータ回路３０の入力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧は、正極入力端子Ｐ１及び負極端子Ｎの間の高周波成分の電圧に相当する。
これに対して、本例では、上述の如く、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路にノイズ抑制コンデンサＣ１が配置される。特に、ダイオードＤ１～Ｄ６を中心に構成される整流回路１０は、駆動回路を必要としないことから、ノイズ抑制コンデンサＣ１の実装スペースに余裕がある。これにより、その大きさ（容量）に依らず、整流回路１０の出力端に対応する正極出力端子Ｐ０及び負極端子Ｎのより近い位置にノイズ抑制コンデンサＣ１を配置することができる。そのため、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分を、高周波に対して低インピーダンスの特性を有するノイズ抑制コンデンサＣ１を含む経路をバイパスさせる形で、インバータ回路３０に返送することができる。よって、他の経路からの誘導等によって、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分が相対的に増加してしまうような回路の構成や構造が存在する場合でも、系統側に流出する高周波のノイズ成分を抑制し、放射ノイズを抑制できる。
［電力変換装置の第２例］
次に、図２を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第２例について説明する。以下、上述の第１例と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図２は、本実施形態に係る電力変換装置１の第２例を示す回路図である。
図２に示すように、電力変換装置１は、上述の第１例の場合と同様、整流回路１０と、平滑回路２０と、インバータ回路３０と、ノイズ抑制コンデンサＣ１とを含む。
上述の第１例の場合と異なり、整流回路１０、及びインバータ回路３０は、必要な他の部品と共に、別々のモジュール（ダイオードモジュール１００、及びインバータモジュール３００）を構成する。
ダイオードモジュール１００は、交流入力端子Ｒ，Ｓ，Ｔと、正極出力端子Ｐ０と、負極出力端子Ｎ０とを含む。
交流入力端子Ｒ，Ｓ，Ｔ、及び正極出力端子Ｐ０は、ＰＩＭ４００に代えて、ダイオードモジュール１００に設けられること以外、上述の第１例の場合と同様の機能を有する。
負極出力端子Ｎ０は、整流回路１０の負極側の出力端から負ラインＮＬをダイオードモジュール１００の外部に引き出す。
インバータモジュール３００は、交流出力端子Ｕ，Ｖ，Ｗと、正極入力端子Ｐ１と、負極入力端子Ｎ１とを含む。
交流出力端子Ｕ，Ｖ，Ｗ、及び正極入力端子Ｐ１は、ＰＩＭ４００に代えて、インバータモジュール３００に設けられること以外、上述の第１例の場合と同様の機能を有する。
負極入力端子Ｎ１は、インバータ回路３０の負極側の入力端から負ラインＮＬをインバータモジュール３００の外部に引き出す。
平滑コンデンサＣｄｃは、上述の第１例の場合と同様、コンデンサ基板２００に含まれる（実装される）。
正ラインＰＬは、上述の第１例の場合と同様、正ラインＰＬ１１～ＰＬ１４を含む。
負ラインＮＬは、負ラインＮＬ２１～ＮＬ２４を含む。
負ラインＮＬ２１は、ダイオードモジュール１００の内部において、整流回路１０の負極側の出力端とダイオードモジュール１００の負極出力端子Ｎ０との間を接続する。
負ラインＮＬ２２は、ダイオードモジュール１００の外部（例えば、主基板上）において、ダイオードモジュール１００の負極出力端子Ｎ０とコンデンサ基板２００の負極端子Ｎｃとの間を接続する。
負ラインＮＬ２３は、インバータモジュール３００の外部（例えば、主基板上）において、コンデンサ基板２００の負極端子Ｎｃとインバータモジュール３００の負極入力端子Ｎ１との間を接続する。
負ラインＮＬ２４は、インバータモジュール３００の内部において、インバータ回路３０の負極側の入力端とインバータモジュール３００の負極入力端子Ｎ１との間を接続する。
ノイズ抑制コンデンサＣ１は、ダイオードモジュール１００及びインバータモジュール３００の外部（例えば、主基板上）において、正ラインＰＬ１２及び負ラインＮＬ２２を繋ぐ経路に配置される。
ダイオードスナバコンデンサは、例えば、ノイズ抑制コンデンサＣ１と平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）との間の正ラインＰＬ１２及び負ラインＮＬ２２を繋ぐ経路に配置されてよい。
スイッチスナバコンデンサは、例えば、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ２３を繋ぐ経路に設けられてよい。
このように、本例では、上述の第１例の場合と同様、ノイズ抑制コンデンサＣ１が設けられる。
本例では、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとインバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとが、負極端子Ｎｃで共通化されている。そのため、上述の第１例の場合と同様、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路と、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路とが物理的に近接して配置される場合がある。その結果、整流回路１０の出力端の高周波のノイズ成分が相対的に大きくなり、系統側に流出する高周波のノイズ成分のうちの３０ＭＨｚ以上の成分により発生する放射ノイズが相対的に増加する可能性がある。特に、整流回路１０の出力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧が、インバータ回路３０の入力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧と同等のレベル、或いは、その電圧以上の場合、放射ノイズが非常に大きくなる。
尚、整流回路１０の出力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧は、正極出力端子Ｐ０及び負極出力端子Ｎ０の間の高周波成分の電圧に相当する。また、インバータ回路３０の入力端の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間の高周波成分の電圧は、正極入力端子Ｐ１及び負極入力端子Ｎ１の間の高周波成分の電圧に相当する。
これに対して、本例では、上述の第１例の場合と同様、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路にノイズ抑制コンデンサＣ１が配置される。特に、ダイオードＤ１～Ｄ６を中心に構成される整流回路１０は、駆動回路を必要としないことから、ノイズ抑制コンデンサＣ１の実装スペースに余裕がある。これにより、その大きさ（容量）に依らず、整流回路１０の出力端に対応する正極出力端子Ｐ０及び負極出力端子Ｎ０のより近い位置にノイズ抑制コンデンサＣ１を配置することができる。そのため、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分を、高周波で低インピーダンスの特性を有するノイズ抑制コンデンサＣ１を含む経路をバイパスさせる形で、インバータ回路３０に返送することができる。よって、他の経路からの誘導等によって、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分が相対的に増加してしまうような回路の構成や構造が存在する場合でも、系統側に流出する高周波のノイズ成分を抑制し、放射ノイズを抑制できる。
［電力変換装置の第３例］
次に、図３を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第３例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図３は、本実施形態に係る電力変換装置１の第３例を示す回路図である。
図３に示すように、電力変換装置１は、ノイズ抑制コンデンサＣ２が追加される点で、上述の第１例の場合と異なる。
ノイズ抑制コンデンサＣ２（第２の線間コンデンサの一例）は、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、平滑コンデンサＣｄｃとインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ１３を繋ぐ経路に配置される。
ノイズ抑制コンデンサＣ２は、例えば、ノイズ抑制コンデンサＣ１と同様、相対的に容量が小さい積層セラミックコンデンサであってよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、複数配置されてもよく、複数のノイズ抑制コンデンサＣ２が正ラインＰＬ及び負ラインＮＬの間に並列接続されてもよいし、直列接続されてもよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ２の静電容量は、例えば、半導体素子Ｓ１～Ｓ６の出力容量、即ち、直流電圧印加時における主電極間（例えば、ＩＧＢＴのコレクタ－エミッタ間）の静電容量よりも大きい値であってよい。また、ノイズ抑制コンデンサＣ２の静電容量は、例えば、サージ電圧を抑制するために相対的に大きな静電容量を要するスイッチスナバコンデンサの静電容量より小さい値であってよい。以下、後述の第４例、第６例、第８例の場合についても同様であってよい。
スイッチスナバコンデンサは、例えば、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とノイズ抑制コンデンサＣ２との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ１３を繋ぐ経路に配置されてよい。
このように、本例では、ノイズ抑制コンデンサＣ１に加えて、ノイズ抑制コンデンサＣ２が設けられる。
これにより、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分を、高周波に対して低インピーダンスの特性を有するノイズ抑制コンデンサＣ２を含む経路をバイパスさせる形で、インバータ回路３０に返送することができる。そのため、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路の高周波のノイズ成分を抑制し、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に誘導される高周波のノイズ成分を抑制することができる。よって、上述の第１例の場合に対して、ノイズ抑制コンデンサＣ１の作用と併せて、更に、放射ノイズを抑制することができる。
［電力変換装置の第４例］
次に、図４を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第４例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図４は、本実施形態に係る電力変換装置１の第４例を示す回路図である。
図４に示すように、電力変換装置１は、ノイズ抑制コンデンサＣ２が追加される点で、上述の第２例の場合と異なる。
ノイズ抑制コンデンサＣ２は、上述の第３例の場合と同様、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、平滑コンデンサＣｄｃとインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ２３を繋ぐ経路に配置される。
スイッチスナバコンデンサは、例えば、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とノイズ抑制コンデンサＣ２との間の正ラインＰＬ１３及び負ラインＮＬ２３を繋ぐ経路に配置されてよい。
このように、本例では、上述の第３例の場合と同様、ノイズ抑制コンデンサＣ１に加えて、ノイズ抑制コンデンサＣ２が設けられる。
これにより、上述の第２例の場合に対して、ノイズ抑制コンデンサＣ１の作用と併せて、更に、放射ノイズを抑制することができる。
［電力変換装置の第５例］
次に、図５を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第５例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図５は、本実施形態に係る電力変換装置１の第５例を示す回路図である。
本例では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１以外の回路構成は、上述の第１例や第３例の場合と同様である。そのため、図５では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１以外の構成が省略されている。
図５に示すように、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、上述の第１例や第３例の場合と異なり、ＰＩＭ４００の内部において、整流回路１０と平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。
具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、正ラインＰＬ１１、及び整流回路１０と負ラインＮＬ１２との分岐点との間の負ラインＮＬ１１を繋ぐ経路に配置される。これにより、上述の第１例、第３例の場合と同様、電力変換装置１の放射ノイズを抑制することができる。
このように、本例では、ノイズ抑制コンデンサＣ１がＰＩＭ４００の内部に配置される。
これにより、ノイズ抑制コンデンサＣ１をＰＩＭ４００の外部で主基板上の配線パターンやブスバー等で接続する必要がなくなる。そのため、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
［電力変換装置の第６例］
次に、図６を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第６例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図６は、本実施形態に係る電力変換装置１の第６例を示す回路図である。
本例では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２以外の回路構成は、上述の第３例の場合と同様である。そのため、図６では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２以外の構成が省略されている。
図６に示すように、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、上述の第３例の場合と異なり、ＰＩＭ４００の内部において、整流回路１０と平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。同様に、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、上述の第３例の場合と異なり、ＰＩＭ４００の内部において、平滑回路２０（平滑コンデンサＣｄｃ）とインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に配置される。
具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、上述の第５例の場合と同様、正ラインＰＬ１１、及び整流回路１０と負ラインＮＬ１２との分岐点との間の負ラインＮＬ１１を繋ぐ経路に配置される。これにより、上述の第１例、第３例の場合と同様、電力変換装置１の放射ノイズを抑制することができる。
また、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、正ラインＰＬ１４、及びインバータ回路３０と負ラインＮＬ１２との分岐点との間の負ラインＮＬ１１を繋ぐ経路に配置される。これにより、上述の第３例の場合と同様、ノイズ抑制コンデンサＣ１の作用と併せて、電力変換装置１の放射ノイズを更に抑制することができる。
このように、本例では、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２がＰＩＭ４００の内部に配置される。
これにより、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２をＰＩＭ４００の外部で主基板上の配線パターンやブスバー等で接続する必要がなくなる。そのため、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
［電力変換装置の第７例］
次に、図７を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第７例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図７は、本実施形態に係る電力変換装置１の第７例を示す回路図である。
本例では、上述の第５例や第６例の場合と同様、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１がＰＩＭ４００に内蔵され、ＰＩＭ４００の外部の回路構成は、ノイズ抑制コンデンサＣ１を除き、上述の第２例や第４例の場合と同様であってよい。そのため、図７では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１以外の構成が省略されている。
図７に示すように、ＰＩＭ４００は、上述の第１例や第３例の場合と異なり、負極端子Ｎに代えて、負極出力端子Ｎ０及び負極入力端子Ｎ１を含む。
負極出力端子Ｎ０は、ダイオードモジュール１００に代えて、ＰＩＭ４００に設けられること以外、上述の第２例、第４例の場合と同様の機能を有する。負極出力端子Ｎ０は、上述の第２例、第４例の場合と同様、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）で、負ラインＮＬ２２を通じて、コンデンサ基板２００の負極端子Ｎｃと接続される。
負極入力端子Ｎ１は、インバータモジュール３００に代えて、ＰＩＭ４００に設けられること以外、上述の第２例、第４例の場合と同様の機能を有する。負極入力端子Ｎ１は、ＰＩＭ４００の外部（例えば、主基板上）で、負ラインＮＬ２３を通じて、コンデンサ基板２００の負極端子Ｎｃと接続される。
ノイズ抑制コンデンサＣ１は、上述の第５例、第６例の場合と同様、ＰＩＭ４００の内部に配置される。具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、正ラインＰＬ１１及び負ラインＮＬ２１を繋ぐ経路に設けられる。
上述の第１例や第３例の負極端子Ｎが負極出力端子Ｎ０及び負極入力端子Ｎ１に分離される一方、上述の第２例、第４例の場合と同様、コンデンサ基板２００の負極入力端子及び負極出力端子が負極端子Ｎｃで共通化されている。つまり、本例では、上述の第２例や第４例の場合と同様、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとインバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとが、負極端子Ｎｃで共通化されている。そのため、整流回路１０の出力端の高周波のノイズ成分が相対的に大きくなり、系統側に流出する高周波のノイズ成分のうちの３０ＭＨｚ以上の成分により発生する放射ノイズが相対的に増加する可能性がある。
これに対して、本例では、ＰＩＭ４００の内部にノイズ抑制コンデンサＣ１が配置される。そのため、上述の第２例や第４例の場合と同様、放射ノイズを抑制することができる。また、上述の第５例や第６例の場合と同様、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
このように、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、負極出力端子Ｎ０及び負極入力端子Ｎ１が別々に設置されるＰＩＭ４００の内部に搭載されてもよい。
［電力変換装置の第８例］
次に、図８を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第８例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図８は、本実施形態に係る電力変換装置１の第８例を示す回路図である。
本例では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２がＰＩＭ４００に内蔵され、ＰＩＭ４００の外部の回路構成は、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２を除き、上述の第４例の場合と同様であってよい。そのため、図８では、整流回路１０、インバータ回路３０、及びノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２以外の構成が省略されている。
図８に示すように、ＰＩＭ４００は、上述の第７例の場合と同様、負極出力端子Ｎ０及び負極入力端子Ｎ１を含む。
ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２は、上述の第６例の場合と同様、ＰＩＭ４００の内部に配置される。
具体的には、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、正ラインＰＬ１１及び負ラインＮＬ２１を繋ぐ経路に設けられる。
また、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、正ラインＰＬ１４及び負ラインＮＬ２４を繋ぐ経路に設けられる。
本例では、上述の第７例の場合と同様、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとインバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとが、負極端子Ｎｃで共通化されている。そのため、整流回路１０の出力端の高周波のノイズ成分が相対的に大きくなり、系統側に流出する高周波のノイズ成分のうちの３０ＭＨｚ以上の成分により発生する放射ノイズが相対的に増加する可能性がある。
これに対して、本例では、ＰＩＭ４００の内部にノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２が配置される。そのため、上述の第４例の場合と同様、放射ノイズを更に抑制することができる。また、上述の第６例の場合と同様、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
このように，ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２は、負極出力端子Ｎ０及び負極入力端子Ｎ１が別々に設置されるＰＩＭ４００の内部に搭載されてもよい。
［電力変換装置の第９例］
次に、図９を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の第９例について説明する。以下、上述の第１例等と異なる部分を中心に説明を行い、上述の第１例等と同じ或いは対応する内容に関する説明を簡略化或いは省略する場合がある。
図９は、本実施形態に係る電力変換装置１の第９例を示す回路図である。
本例では、整流回路１０及びノイズ抑制コンデンサＣ１がダイオードモジュール１００に内蔵され、ダイオードモジュール１００の外部の回路構成は、ノイズ抑制コンデンサＣ１を除き、上述の第２例や第４例の場合と同様であってよい。そのため、図９では、整流回路１０及びノイズ抑制コンデンサＣ１以外の構成が省略されている。
図９に示すように、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、ダイオードモジュール１００の内部において、正ラインＰＬ１１及び負ラインＮＬ２１を繋ぐ経路に配置される。これにより、上述の第２例、第４例の場合と同様、電力変換装置１の放射ノイズを抑制することができる。
このように、本例では、ノイズ抑制コンデンサＣ１がダイオードモジュール１００の内部に配置される。
これにより、ノイズ抑制コンデンサＣ１をダイオードモジュール１００の外部で主基板上の配線パターンやブスバー等で接続する必要がなくなる。そのため、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
［電力変換装置の他の例］
次に、本実施形態に係る電力変換装置１の他の例について説明する。
上述の第１例～第９例の電力変換装置１には、適宜変形や変更が加えられてもよい。
例えば、上述の第４例や第９例において、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、インバータモジュール３００の内部に配置されてもよい。この場合、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、正ラインＰＬ１４及び負ラインＮＬ２４を繋ぐ経路に設けられてよい。
これにより、ノイズ抑制コンデンサＣ２をインバータモジュール３００の外部で主基板上の配線パターンやブスバー等で接続する必要がなくなる。そのため、電力変換装置１の製造効率を向上させることができると共に、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
また、例えば、上述の第１例～第９例では、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に対して、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に代えて、或いは、加えて、高周波のノイズ成分が相対的に大きい他の経路が近接していてもよい。例えば、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に対して、インバータ回路３０の交流出力経路、即ち、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の出力線が近接していてもよい。
これにより、他の経路から整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路に高周波のノイズ成分が誘導されても、電力変換装置１は、ノイズ抑制コンデンサＣ１の作用により、放射ノイズを抑制することができる。
また、例えば、上述の第１例～第９例では、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬと、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の負ラインＮＬとが、その一部で共通化されるが、その全部が共通であってもよい。
また、例えば、上述の第１例～第９例では、負ラインＮＬに代えて、正ラインＰＬの少なくとも一部が、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路と、インバータ回路３０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の経路との間で共通化されてもよい。この場合、突入電流を防止するリレーや平滑回路２０の直流リアクトルは、負ラインＮＬに配置されてよい。
［作用］
次に、図１０を参照して、本実施形態に係る電力変換装置１の作用について説明する。
図１０は、比較例に係る電力変換装置及び本実施形態に係る電力変換装置１の放射ノイズのスペクトルを示す図である。具体的には、第１の比較例の電力変換装置、第２の比較例の電力変換装置、上述の第３例の電力変換装置１、及び上述の第４例の電力変換装置１の放射電界強度のスペクトルを示す図である。
第１の比較例の電力変換装置は、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２が設けられないこと以外、上述の第３例の電力変換装置１と同様の構成を有する。また、第２の比較例の電力変換装置は、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２が設けられないこと以外、上述の第４例の電力変換装置１と同様の構成を有する。
図１０に示すように、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２の作用により、第１の比較例の電力変換装置に対して、上述の第３例の電力変換装置１の３０ＭＨｚ以上の高周波領域の放射電界強度が相対的に小さく抑制されている。
同様に、ノイズ抑制コンデンサＣ１，Ｃ２の作用により、第２の比較例の電力変換装置に対して、上述の第４例の電力変換装置１の３０ＭＨｚ以上の高周波領域の放射電界強度が相対的に小さく抑制されている。
このように、本実施形態では、ノイズ抑制コンデンサＣ１は、整流回路１０と平滑コンデンサＣｄｃとの間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に設けられる。
これにより、電力変換装置１の放射ノイズを抑制することができる。
また、本実施形態では、ノイズ抑制コンデンサＣ２は、平滑コンデンサＣｄｃとインバータ回路３０との間の正ラインＰＬ及び負ラインＮＬを繋ぐ経路に設けられてよい。
これにより、ノイズ抑制コンデンサＣ１の作用と併せて、電力変換装置１の放射ノイズを更に抑制することができる。
以上、実施形態について詳述したが、本開示はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１ 電力変換装置
１０ 整流回路
２０ 平滑回路
３０ インバータ回路（電力変換回路）
１００ ダイオードモジュール
２００ コンデンサ基板
３００ インバータモジュール
４００ ＰＩＭ
Ｃ１ ノイズ抑制コンデンサ（第１の線間コンデンサ）
Ｃ２ ノイズ抑制コンデンサ（第２の線間コンデンサ）
Ｃｄｃ 平滑コンデンサ
Ｄ１～Ｄ６ ダイオード
Ｎ 負極端子
Ｎ０ 負極出力端子
Ｎ１ 負極入力端子
Ｎｃ 負極端子
ＮＬ，ＮＬ１１～ＮＬ１３，ＮＬ２１～ＮＬ２４ 負ライン
Ｐ０ 正極出力端子
Ｐ１ 正極入力端子
Ｐｃ０ 正極入力端子
Ｐｃ１ 正極出力端子
ＰＬ，ＰＬ１１～ＰＬ１４ 正ライン
Ｒ，Ｓ，Ｔ 交流入力端子
Ｓ１～Ｓ６ 半導体素子
Ｕ，Ｖ，Ｗ 交流出力端子

Claims (10)

  1. 外部から入力される交流電力を直流電力に変換する整流回路と、
    前記整流回路から出力される直流電力の正ライン及び負ラインの間を接続する経路に設けられる平滑コンデンサと、
    前記平滑コンデンサと並列に前記正ライン及び前記負ラインと接続され、前記平滑コンデンサにより平滑化された直流電力を半導体素子のスイッチング動作により所定の交流電力に変換して出力する電力変換回路と、
    前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間の前記正ライン及び前記負ラインを繋ぐ経路に設けられる第１の線間コンデンサと、を備える、
    電力変換装置。
  2. 前記整流回路の出力端における前記正ライン及び前記負ラインの間の電圧は、前記電力変換回路の入力端における前記正ライン及び前記負ラインの間の電圧と同等のレベルにある、又は、前記電力変換回路の入力端における前記正ライン及び前記負ラインの間の電圧以上である、
    請求項１に記載の電力変換装置。
  3. 前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間の前記負ライン、及び前記電力変換回路と前記平滑コンデンサとの間の前記負ラインの少なくとも一部、又は、前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間の前記正ライン、及び前記電力変換回路と前記平滑コンデンサとの間の前記正ラインの少なくとも一部が共通となっている、
    請求項１又は２に記載の電力変換装置。
  4. 前記第１の線間コンデンサは、前記整流回路に含まれるダイオードの接合容量よりも大きな静電容量を有する、
    請求項１乃至３の何れか一項に記載の電力変換装置。
  5. 前記第１の線間コンデンサは、積層セラミックコンデンサである、
    請求項１乃至４の何れか一項に記載の電力変換装置。
  6. 前記第１の線間コンデンサは、複数あり、
    複数の前記第１の線間コンデンサは、前記正ライン及び前記負ラインの間で、直列接続又は並列接続される、
    請求項１乃至５の何れか一項に記載の電力変換装置。
  7. 前記平滑コンデンサと前記電力変換回路との間の前記正ライン及び前記負ラインを繋ぐ経路に設けられる第２の線間コンデンサを備える、
    請求項１乃至６の何れか一項に記載の電力変換装置。
  8. 前記第２の線間コンデンサは、前記半導体素子の直流電圧印加時における主電極間の静電容量よりも大きな静電容量を有する、
    請求項７に記載の電力変換装置。
  9. 前記第２の線間コンデンサは、積層セラミックコンデンサである、
    請求項７又は８に記載の電力変換装置。
  10. 前記第２の線間コンデンサは、複数あり、
    複数の前記第２の線間コンデンサは、前記正ライン及び前記負ラインの間で、直列接続又は並列接続される、
    請求項７乃至９の何れか一項に記載の電力変換装置。
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