JP2001257227A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性の高いバンプ電極構造を形成可能な半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ウェハ１００の絶縁膜１０２上に，電極
パッド１０４，表面保護膜１０６，層間絶縁膜１１０，
下地金属層１１２，再配線層１１６を形成する。ウェハ
１００の全面に，感光特性が各々ネガ型の液状感光性樹
脂膜１１８と固形感光性樹脂膜１２０とを順次積層形成
する。液状感光性樹脂膜１１８は，固形感光性樹脂膜１
２０よりも下地金属層１１２との密着性が弱い樹脂から
成る。露光・現像により，液状および固形感光性樹脂膜
１１８，１２０にバンプ電極形成用開孔１２２を形成
し，該開孔１１２内にバンプ電極１２４を形成する。液
状感光性樹脂膜１１８を除去溶剤で溶解除去し，同時に
固形感光性樹脂膜１２０を剥離除去する。液状および固
形感光性樹脂膜１１８，１２０が残存せず，不要な下地
金属層１１２を確実に除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置の製造
方法に関し，特にウェハ・レベル・チップ・サイズ・パ
ッケージ（Ｗ−ＣＳＰ），テープ・キャリア・パッケー
ジ（ＴＣＰ），チップ・オン・ボード（ＣＯＢ）等に搭
載するバンプ電極（突起電極）を有する半導体装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，半導体集積回路チップ（以下，
「チップ」と称する。）を接続基板に実装する実装構造
としては，ウェハ・レベル・チップサイズ・パッケー
ジ，テープ・キャリア・パッケージ，チップ・オン・ボ
ード等が提案されている。該実装構造では，チップに形
成された各種半導体素子と接続基板とをバンプ電極を介
して電気的に接続している。かかるバンプ電極構造は，
以下の各工程によりチップに形成される。
【０００３】まず，図６（ａ）に示すように，半導体
（Ｓｉ）ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）１０に
形成された酸化膜１２上に金属パッド１４を形成する。
さらに，ウェハ１０の表面全面に表面保護膜１６と層間
絶縁膜１８を順次形成する。その後，金属パッド１４上
にスルーホールを開孔する。次いで，ウェハ１０の表面
全面に下地金属層２０を形成する。さらに，金属バッド
１４上のスルーホールから後述するバンプ電極２８の形
成予定位置まで再配線層２２を形成する。
【０００４】次いで，図６（ｂ）に示すように，ウェハ
１０の表面に固形感光性樹脂膜２４を貼り付ける。固形
感光性樹脂膜２４が貼り付けられる下地金属層２０の表
面は，成膜プロセス上の理由により平坦ではなく，微細
な凹凸面が形成されている。このため，固形感光性樹脂
膜２４には，下地金属層２０との密着性が高い樹脂が採
用されている。さらに，貼り付け後には，固形感光性樹
脂膜２４に熱および圧力を加え，固形感光性樹脂膜２４
を下地金属層２０と再配線層２２の表面に密着させる。
その後，固形感光性樹脂膜２４を露光および現像し，バ
ンプ電極形成用開孔２６を形成する。次いで，バンプ電
極形成用開孔２６内に半田（Ｐｂ−Ｓｎ合金）などの金
属から成るバンプ電極２８を形成する。そして，図６
（ｃ）に示すように，固形感光性樹脂膜２４を除去し，
さらに下地金属層２０の再配線層２２で覆われていない
部分を除去して，バンプ電極２８構造を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従
来の技術では，図６（ｂ）に示すように，固形感光性樹
脂膜２４を下地金属層２０の表面に密着させる。この
際，上記下地金属層２０の表面に形成された凹凸面にも
固形感光性樹脂膜２４が貼り付く。特に凹面に貼り付い
た固形感光性樹脂膜２４は，除去され難い。さらに，固
形感光性樹脂膜２４には，上述したように下地金属層２
０との密着性が高い材料が採用されている。このため，
固形感光性樹脂膜２４を除去しても，下地金属層２０の
凹面に貼り付いている固形感光性樹脂膜２４が残存す
る。その結果，不要な下地金属層２０を全て除去するこ
とが困難になり，残存した下地金属層２０により絶縁不
良が起こるなどの半導体装置の信頼性が低下するという
問題点がある。
【０００６】本発明は，従来の技術が有する上記問題点
に鑑みて成されたものであり，本発明の目的は，上記問
題点およびその他の問題点を解決することが可能な，新
規かつ改良された半導体装置の製造方法を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，半導体基板に形成された絶縁膜上に電極パ
ッドを形成する第１工程と，絶縁膜上と電極パッド上に
電極パッドと電気的に接続される下地導電層を形成する
第２工程と，下地導電層上に電極パッド上からバンプ電
極形成予定位置に渡り，下地導電層を介して電極パッド
とバンプ電極とを電気的に接続する配線層を形成する第
３工程と，下地導電層上と配線層上に第１感光性樹脂膜
を形成する第４工程と，第１感光性樹脂膜上に第２感光
性樹脂膜を形成する第５工程と，第１感光性樹脂膜と第
２感光性樹脂膜とを露光および現像し，配線層上のバン
プ電極形成予定位置に，配線層が露出するバンプ電極形
成用開孔を形成する第６工程と，バンプ電極形成用開孔
内に配線層と電気的に接続されるバンプ電極を形成する
第７工程と，バンプ電極の形成後に第１感光性樹脂膜と
第２感光性樹脂膜とを除去する第８工程と，第１感光性
樹脂膜と第２感光性樹脂膜の除去後に配線層に覆われて
いない下地導電層を除去する第９工程とを含み，第１感
光性樹脂膜と第２感光性樹脂膜は感光特性がネガ型の樹
脂から成り，さらに第１感光性樹脂膜は第２感光性樹脂
膜よりも下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ること
を特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】本発明によれば，下地導電層上に第１感光
性樹脂膜を介して第２感光性樹脂膜を形成する。第１感
光性樹脂膜は，第２感光性樹脂膜よりも下地導電層との
密着性が弱い樹脂から成る。かかる構成によれば，第１
感光性樹脂膜を下地導電層に密着させても，容易かつ確
実に除去できる。さらに，密着性が高い第２感光性樹脂
膜が下地導電層に直接密着することがない。このため，
除去時に第１および第２感光性樹脂膜が下地導電層に残
存することがない。その結果，不要な下地導電層を確実
に除去でき，絶縁不良等の問題が発生しないので，半導
体装置の信頼性を高めることができる。また，本発明に
よれば，第１および第２感光性樹脂膜は，ともにネガ型
の感光特性を有している。このため，第１感光性樹脂膜
と第２感光性樹脂膜とを順次積層した感光性樹脂膜を採
用しても，同一の感光特性を得ることができる。その結
果，同一の露光および現像工程により，第１および第２
感光性樹脂膜に所定パターンを形成できる。
【０００９】さらに，第６工程として，例えば請求項２
に記載の発明のように，第２感光性樹脂膜に上部バンプ
電極形成用開孔を形成した後に，第１感光性樹脂膜に上
部バンプ電極形成用開孔と実質的に同一の内径を有する
とともに，上部バンプ電極形成用開孔と接続される下部
バンプ電極形成用開孔を形成する工程を採用することが
好ましい。かかる構成によれば，先に第２感光性樹脂膜
に上部バンプ電極形成用開孔を形成して第１感光性樹脂
膜を露出させた後に，第１感光性樹脂膜に下部バンプ電
極形成用開孔が形成される。第２感光性樹脂膜に所定内
径の上部バンプ電極形成用開孔を形成すれば，同内径の
範囲で第１感光性樹脂膜が露出する。このため，第１感
光性樹脂膜にも上部バンプ電極形成用開孔と同一内径の
下部バンプ電極形成用開孔を容易に形成できる。その結
果，上部および下部から成るバンプ電極形成用開孔内に
バンプ電極に形成すれば，バンプ電極の外径を下部の配
線層側から上部の接続側に至るまで一定に保つことがで
き，半導体装置の品質をより向上させることができる。
【００１０】さらに，第８工程として，例えば請求項３
に記載の発明のように，第１感光性樹脂膜を除去溶剤で
溶解除去するとともに，第２感光性樹脂膜を下地導電層
と配線層から剥離除去する工程を採用することが好まし
い。上述した発明によれば，第１感光性樹脂膜上に第２
感光性樹脂膜が形成されている。このため，本発明のよ
うに，第１感光性樹脂膜を溶解除去すれば，同時に第２
感光性樹脂膜を剥離除去することができる。その結果，
第２感光性樹脂膜単独の除去工程が不要になり，半導体
装置の製造コストを削減することができる。
【００１１】さらに，例えば請求項４に記載の発明のよ
うに，第１感光性樹脂膜として第２感光性樹脂膜よりも
弾性が大きい樹脂を採用し，第１感光性樹脂膜の厚みを
配線層の厚み以上に設定することが好ましい。第１感光
性樹脂膜は，下地導電層と配線層とを覆うように形成さ
れる。また，配線層は，下地導電層上に形成され，所定
の厚みを有している。このため，配線層の周囲には，段
差が形成されている。そこで，本発明によれば，第１感
光性樹脂膜が上記弾性および厚みを有している。かかる
構成により，第１感光性樹脂膜が下地導電層の接触部よ
りも突出した配線層の接触部で収縮するので，配線層周
囲の段差を埋めることができる。このため，第１感光性
樹脂膜の上面，すなわち第２感光性樹脂膜の形成面に段
差が形成され難くなり，第２感光性樹脂膜を均一に形成
することができる。その結果，第１および第２感光性樹
脂膜に均一な形状のバンプ電極形成用開孔を形成でき，
均一な形状のバンプ電極を形成できる。
【００１２】さらに，下地導電層として，例えば請求項
５に記載の発明のように，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材料が採用され
ている場合には，第２感光性樹脂膜を下地導電層上に直
接形成すると，除去時に残存し易くなる。そこで，本発
明を採用すれば，第２感光性樹脂膜が下地金属層に密着
したまま残存することを防止できる。
【００１３】さらに，第１感光性樹脂膜として，例えば
請求項６に記載の発明によれば，エチルセロソルブアセ
テート系樹脂を採用することが好ましい。かかる樹脂か
ら成る第１感光性樹脂膜を採用すれば，下地導電層に密
着せず，かつ除去を容易かつ確実に行うことができる。
【００１４】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項７に記載の発明のように，半導体基板に形成された絶
縁膜上に電極パッドを形成する第１工程と，絶縁膜上と
電極パッド上に電極パッドと電気的に接続される下地導
電層を形成する第２工程と，下地導電層上に電極パッド
上からバンプ電極形成予定位置に渡り，下地導電層を介
して電極パッドとバンプ電極とを電気的に接続する配線
層を形成する第３工程と，下地導電層上と配線層上に第
１感光性樹脂膜を形成する第４工程と，第１感光性樹脂
膜を露光および現像し，配線層上のバンプ電極形成予定
位置に記配線層が露出する下部バンプ電極形成用開孔を
形成する第５工程と，下部バンプ電極形成用開孔が形成
された第１感光性樹脂膜上に第２感光性樹脂膜を形成す
る第６工程と，第２感光性樹脂膜を露光および現像し，
下部バンプ電極形成用開孔と実質的に同一の内径を有す
るとともに，下部バンプ電極形成用開孔と接続される上
部バンプ電極形成用開孔を形成する第７工程と，下部バ
ンプ電極形成用開孔内と上部バンプ電極形成用開孔内に
配線層と電気的に接続されるバンプ電極を形成する第８
工程と，バンプ電極の形成後に第１感光性樹脂膜と第２
感光性樹脂膜とを除去する第９工程と，第１感光性樹脂
膜と第２感光性樹脂膜の除去後に配線層に覆われていな
い下地導電層を除去する第１０工程とを含み，第１感光
性樹脂膜と第２感光性樹脂膜は感光特性がネガ型の樹脂
から成り，さらに第１感光性樹脂膜は第２感光性樹脂膜
よりも下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ることを
特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】本発明によれば，第１感光性樹脂膜に下部
バンプ電極形成用開孔を形成した後に，第２感光性樹脂
膜を成膜し，該第２感光性樹脂膜に上部バンプ電極形成
用開孔を形成する。このため，下部バンプ電極形成用開
孔の形成時には，第１感光性樹脂膜上に第２感光性樹脂
膜が存在しない。さらに，第１感光性樹脂膜は，第２感
光性樹脂膜の露光および現像の影響を受けない。かかる
構成により，第１感光性樹脂膜に所定形状の下部バンプ
電極形成用開孔を形成できる。その結果，所定形状のバ
ンプ電極形成用開孔を要求されるバンプ電極形成予定位
置に形成でき，該バンプ電極形成用開孔内に所定形状の
バンプ電極を形成できる。
【００１６】さらに，第９工程として，例えば請求項８
に記載の発明のように，上記請求項３に記載の発明と同
様に，第１感光性樹脂膜を除去溶剤で溶解除去するとと
もに，第２感光性樹脂膜を下地導電層と配線層から剥離
除去する工程を採用することが好ましい。
【００１７】さらに，例えば請求項９に記載の発明のよ
うに，上記請求項４に記載の発明と同様に，第１感光性
樹脂膜として第２感光性樹脂膜よりも弾性が大きい樹脂
を採用し，第１感光性樹脂膜の厚みを配線層の厚み以上
に設定することが好ましい。
【００１８】さらに，下地導電層として，例えば請求項
１０に記載の発明のように，上記請求項５に記載の発明
と同様に，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの
群から選択される任意の材料が採用されていても，本発
明の効果を奏することができる。
【００１９】さらに，第１感光性樹脂膜として，例えば
請求項１１に記載の発明のように，上記請求項６に記載
の発明と同様に，エチルセロソルブアセテート系樹脂を
採用することが好ましい。
【００２０】また，本発明の第３の観点によれば，請求
項１２に記載の発明のように，半導体基板に形成された
絶縁膜上に電極パッドを形成する第１工程と，絶縁膜上
と電極パッド上に電極パッドと電気的に接続される下地
導電層を形成する第２工程と，下地導電性層上に第１感
光性樹脂膜を形成する第３工程と，第１感光性樹脂膜を
露光および現像し，電極パッド上からバンプ電極形成予
定位置に渡り，配線層形成用開孔を形成する第４工程
と，配線層形成用開孔内に下地導電層を介して電極パッ
ドとバンプ電極とを電気的に接続する配線層を形成する
第５工程と，第１感光性樹脂膜を除去せずに，第１感光
性樹脂膜上と配線層上に第２感光性樹脂膜を形成する第
６工程と，第２感光性樹脂膜を露光および現像し，配線
層上のバンプ電極形成予定位置に配線層が露出するバン
プ電極形成用開孔を形成する第７工程と，バンプ電極形
成用開孔内に配線層と電気的に接続されるバンプ電極を
形成する第８工程と，バンプ電極の形成後に第１感光性
樹脂膜と第２感光性樹脂膜とを除去する第９工程と，第
１感光性樹脂膜と第２感光性樹脂膜の除去後に，配線層
に覆われていない下地導電層を除去する第１０工程とを
含み，第１感光性樹脂膜と第２感光性樹脂膜は感光特性
がネガ型の樹脂から成り，さらに第１感光性樹脂膜は第
２感光性樹脂膜よりも下地導電層との密着性が弱い樹脂
から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供
される。
【００２１】本発明によれば，第１感光性樹脂膜により
配線層をパターニングし，該第１感光性樹脂膜を残した
まま，第１感光性樹脂膜上に第２感光性樹脂膜を形成す
る。かかる構成によれば，バンプ電極形成時に新たに第
１感光性樹脂膜を形成する必要がなく，製造工程を簡素
化することができる。その結果，第１および第２感光性
樹脂膜から成る製造工程を採用しても，半導体装置の製
造コストを抑えることができる。また，かかる構成を採
用しても，第２感光性樹脂膜は，第１感光性樹脂膜上に
形成されるので，下地導電層と直接密着することも防止
できる。
【００２２】さらに，第９工程として，例えば請求項１
３に記載の発明のように，上記請求項３および８に記載
の発明と同様に，第１感光性樹脂膜を除去溶剤で溶解除
去するとともに，第２感光性樹脂膜を下地導電層と配線
層から剥離除去する工程を採用することが好ましい。
【００２３】さらに，例えば請求項１４に記載の発明の
ように，上記請求項４および９に記載の発明と同様に，
第１感光性樹脂膜として第２感光性樹脂膜よりも弾性が
大きい樹脂を採用し，第１感光性樹脂膜の厚みを配線層
の厚み以上に設定することが好ましい。
【００２４】さらに，下地導電層として，例えば請求項
１５に記載の発明のように，上記請求項５および１０に
記載の発明と同様に，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，
Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材料が採用されてい
る場合に，本発明の効果をより発揮させることができ
る。
【００２５】さらに，第１感光性樹脂膜として，例えば
請求項１６に記載の発明のように，上記請求項６および
１１に記載の発明と同様に，エチルセロソルブアセテー
ト系樹脂を採用することが好ましい。
【００２６】また，本発明の第４の観点によれば，請求
項１７に記載の発明のように，半導体基板に形成された
絶縁膜上に電極パッドを形成する第１工程と，絶縁膜上
と電極バッド上に電極パッドと電気的に接続される下地
導電層を形成する第２工程と，下地導電性層上に第１感
光性樹脂膜を形成する第３工程と，第１感光性樹脂膜を
露光および現像し，電極パッド上からバンプ電極形成予
定位置に渡り，配線層形成用開孔を形成する第４工程
と，配線層形成用開孔が形成された第１感光性樹脂膜上
に第２感光性樹脂膜を形成する第５工程と，第２感光性
樹脂膜を露光および現像し，下地配線層上のバンプ電極
形成予定位置に下地配線層が露出するバンプ電極形成用
開孔を形成する第６工程と，下地導電層を共通電極とし
て電気メッキ法により，配線層形成用開孔内に下地導電
層を介して電極パッドとバンプ電極とを電気的に接続さ
れる配線層と，バンプ電極形成用開孔内に配線層と電気
的に接続されるバンプ電極とを同時に一体形成する第７
工程と，バンプ電極の形成後に第１感光性樹脂膜と第２
感光性樹脂膜とを除去する第８工程と，第１感光性樹脂
膜と第２感光性樹脂膜の除去後に配線層に覆われていな
い下地導電層を除去する第９工程とを含み，第１感光性
樹脂膜と第２感光性樹脂膜は感光特性がネガ型の樹脂か
ら成り，さらに第１感光性樹脂膜は第２感光性樹脂膜よ
りも下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ることを特
徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２７】本発明によれば，第１感光性樹脂膜に配線
層形成用開孔を形成し，さらに第２感光性樹脂膜にバン
プ電極形成用開孔を形成した後に，電気メッキ法により
両開孔内に配線層とバンプ電極とを同時に一体形成でき
る。このため，配線層とバンプ電極とを個別独立に形成
する場合よりも，製造工程を簡素化できる。その結果，
半導体装置の製造コストを削減することができる。ま
た，本発明によれば，配線層とバンプ電極との間に接続
部が形成されることがない。その結果，配線層とバンプ
電極との接続不良が発生せず，半導体装置の信頼性を高
めることができる。また，かかる構成を採用しても，第
２感光性樹脂膜が第１感光性樹脂膜上に形成されるの
で，第１および第２感光性樹脂膜が下地導電層に残存す
ることがない。
【００２８】さらに，第８工程として，例えば請求項１
８に記載の発明のように，上記請求項３，８および１３
と同様に，第１感光性樹脂膜を除去溶剤で溶解除去する
とともに，第２感光性樹脂膜を下地導電層と前記配線層
から剥離除去する工程を採用することが好ましい。
【００２９】さらに，例えば請求項１９に記載の発明の
ように，上記請求項４，９および１４と同様に，第１感
光性樹脂膜として第２感光性樹脂膜よりも弾性が大きい
樹脂を採用し，第１感光性樹脂膜の厚みを配線層の厚み
以上に設定することが好ましい。
【００３０】さらに，下地導電層として，例えば請求項
２０に記載の発明のように，上記請求項５，１０および
１５に記載の発明と同様に，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材料が採用さ
れている場合に，本発明の効果をより奏することができ
る。
【００３１】さらに，第１感光性樹脂膜として，例えば
請求項２１に記載の発明のように，上記請求項６，１１
および１６に記載の発明と同様に，エチルセロソルブア
セテート系樹脂を採用することが好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しながら
本発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形
態について，詳細に説明する。なお，以下の各実施の形
態において，略同一の機能および構成を有する構成要素
については，同一の符号を付することにより，重複説明
を省略する。
【００３３】（第１の実施の形態）本実施の形態は，液
状感光性樹脂膜１１８の介装により，下地金属層１１２
と第２固形感光性樹脂膜１２０とを直接密着させない点
に特徴がある。以下に，図１〜図２を参照しながら本実
施の形態について説明する。
【００３４】まず，図１（ａ）に示すように，ウェハ１
００に形成された酸化膜１０２上に金属電極パッド１０
４を形成する。酸化膜１０２は，絶縁性材料，例えばＳ
ｉＯ ２から成る。また，金属電極バッド１０４は，例え
ばスパッタ法により酸化膜１０２上に成膜された金属層
をエッチングしてパターニングする。なお，本明細書中
においてエッチングとは，ウエットエッチングまたはド
ライエッチングのいずれをも含むものとする。また，金
属電極バッド１０４は，導電性材料，例えばＡｌ，Ａｌ
とＳｉとの合金，Ｃｕ等から成り，ウェハ１００に形成
された不図示の半導体素子と電気的に接続される。
【００３５】次いで，ウェハ１００の全面に表面保護膜
１０６を形成する。表面保護膜１０６は，例えばＣＶＤ
法により成膜され，絶縁性材料，例えばＳｉＯ２やＳｉ
３Ｎ ４等から成る。次いで，金属パッド１０４上に形成
された酸化膜１０２および表面保護膜１０６をエッチン
グ除去し，金属パッド１０４上にスルーホール１０８を
開孔する。次いで，ウェハ１００の全面に層間絶縁膜１
１０を形成する。層間絶縁膜１１０は，例えばポリイミ
ドから成る。次いで，金属パッド１０４上の層間絶縁膜
１１０をエッチング除去し，再び金属パッド１０４上に
スルーホール１０８を開孔する。
【００３６】次いで，図１（ｂ）に示すように，ウェハ
１００の全面に下地金属層（下地導電層）１１２を形成
する。下地金属層１１２は，例えばスパッタ法により複
数の金属層を順次積層成膜される。また，下地金属層１
１２は，例えばＴｉ層とＣｕ層，Ｃｒ層とＣｕ層，Ｃｒ
層とＣｕ層とＡｕ層，Ｔｉ層とＡｕ層，Ｔｉ層とＰｔ
層，Ｔｉ層とＰｄ層，ＴｉとＷとの合金層とＡｕ層，Ｔ
ｉとＷとの合金層とＰｄ層とが層間絶縁膜１１０側から
順次積層されて成る。
【００３７】次いで，図１（ｃ）に示すように，ウェハ
１００の全面に，第１固形感光性樹脂膜１１４を貼り付
ける。第１固形感光性樹脂膜１１４は，例えば略シート
状の形状を有し，アクリル樹脂系の樹脂から成る。さら
に，上記貼り付け後，第１固形感光性樹脂膜１１４を加
熱し，かつ加圧して，下地金属層１１２の表面に十分に
密着させる。その後，第１固形感光性樹脂膜１１４を所
定パターンに露光し，さらに現像する。かかる露光およ
び現像により，第１固形感光性樹脂膜１１４に，スルー
ホール１０８を含む金属パッド１０４上の所定部分から
後述のバンプ電極１２２を形成する部分まで再配線層形
成用開孔１１５が形成される。
【００３８】次いで，再配線層形成用開孔１１５内，す
なわち下地金属層１１２の露出部分に再配線層（配線
層）１１６を形成する。該再配線層１１６は，電極の位
置を金属パッド１０４から後述のバンプ電極１２４を形
成する部分まで引き回すために形成される。また，再配
線層１１６は，下地金属層１１２を一方の共通電極とし
て電気メッキ法により成膜され，例えばＣｕやＡｕや半
田，好ましくはＣｕから構成される。次いで，図１
（ｄ）に示すように，第１固形感光性樹脂膜１１４を除
去溶剤，例えばジエチレンゲリコールモノブチルエーテ
ル系溶剤や水酸化カリウム系薬剤等で除去する。以上の
各工程は，従来の技術と同様である。
【００３９】次いで，本実施の形態の特徴である工程に
入る。すなわち，図１（ｅ）に示すように，ウェハ１０
０の全面に液状感光性樹脂を塗布，例えばスピンコート
し，さらに加熱して本実施の形態にかかる液状感光性樹
脂膜（第１感光性樹脂膜）１１８を形成する。液状感光
性樹脂膜１１８は，例えばエチルセロソルブアセテート
系樹脂から成る。このため，液状感光性樹脂膜１１８
は，後述する第２固形感光性樹脂（第２感光性樹脂膜）
１２０と同一のネガ型の感光特性を有する。さらに，液
状感光性樹脂膜１１８は，下地金属層１１２および再配
線層１１６との密着性が固形感光性樹脂１２０よりも弱
い。さらにまた，液状感光性樹脂膜１１８は，第２固形
感光性樹脂膜よりも弾性を有している。
【００４０】また，液状感光性樹脂膜１１８は，例えば
再配線層１１６以上の厚みに設定する。従って，液状感
光性樹脂膜１１８は，例えば再配線層１１６の厚みが５
μｍである場合，５μｍ以上に設定される。液状感光性
樹脂膜１１８は，上記弾性を有しており，伸縮性に優れ
ている。従って，第２固形感光性樹脂膜１２０を貼り付
けた際に，液状感光性樹脂膜１１８が下地金属層１１２
の表面から突出した再配線層１１６の接触部で収縮し，
再配線層１１６周囲の下地金属層１１２との段差を埋め
ることができる。このため，液状感光性樹脂膜１１８上
に貼り付けられた第２固形感光性樹脂膜１２０が上記再
配線層１１６周囲で変形し難くなり，第２固形感光性樹
脂膜１２０を所定の形状に維持できる。その結果，後述
するバンプ電極１２４の位置合わせを正確に行うことが
できる。
【００４１】上記本実施の形態にかかる液状感光性樹脂
膜１１８を塗布した後，好ましくは塗布直後，ウェハ１
００の全面，すなわち液状感光性樹脂膜１１８上に第２
固形感光性樹脂膜１２０を貼り付ける。第２固形感光性
樹脂膜１２０は，例えば上記第１固形感光性樹脂膜１１
４と同一のアクリル樹脂系樹脂から成る。さらに，貼り
付け後，上記第１固形感光性樹脂膜１１４と同様に，第
２固形感光性樹脂膜１２０を加熱し，かつ加圧して，液
状感光性樹脂膜１１８の表面に十分に密着させる。かか
る構成によれば，第２固形感光性樹脂膜１２０が下地金
属層１１２と直接密着することがない。また，液状感光
性樹脂膜１１８は，上述したように，第２固形感光性樹
脂膜１２０よりも下地金属層１１２および再配線層１１
６との密着性が弱く，容易に除去できる。このため，液
状感光性樹脂膜１１８を確実に除去でき，かつ第２固形
感光性樹脂膜１２０が下地金属層１１２に付着し，残存
することを防止できる。その結果，後述するエッチング
時に，不要な下地金属層１１２を確実に除去でき，半導
体装置の電気的特性や信頼性を向上させることができ
る。
【００４２】第２固形感光性樹脂膜１２０の貼り付け
後，第２固形感光性樹脂膜１２０を所定パターンに露光
し，さらに現像する。かかる露光および現像により，再
配線層１１６のバンプ電極１２４の形成予定位置上の第
２固形感光性樹脂膜１２０に，上部バンプ電極形成用開
孔１２２ａが形成される。この際，露光する光の波長や
露光時間および現像時間を調整することにより，上部バ
ンプ電極形成用開孔１２２ａを第２固形感光性樹脂膜１
２０に選択的に形成し，液状感光性樹脂膜１１８の上面
を露出させる。従って，第２固形感光性樹脂膜１２０の
開孔時には，液状感光性樹脂膜１１８には開孔が形成さ
れない。
【００４３】次いで，図２（ｆ）に示すように，液状感
光性樹脂膜１１８を露光および現像し，液状感光性樹脂
膜１１８に下部バンプ電極形成用開孔１２２ｂを選択的
に形成して，再配線層１１６の上面を露出させる。下部
バンプ電極形成用開孔１２２ｂは，上部バンプ電極形成
用開孔１２２ａと実質的に同一の位置に形成する。ま
た，下部バンプ電極形成用開孔１２２ｂの内径（断面
幅）は，上部バンプ電極形成用開孔１２２ａの内径（断
面幅）と実質的に同一に設定する。かかる構成によれ
ば，第２固形感光性樹脂膜１２０に上部バンプ電極形成
用開孔１２２ａを形成した後に，第１固形感光性樹脂膜
１１８に下部バンプ電極形成用開孔１２２ｂを順次す
る。さらに，上部および下部バンプ電極形成用開孔１２
２ａ，１２２ｂは，それぞれ実質的に同一位置に形成さ
れ，同一内径を有している。このため，上部および下部
バンプ電極形成用開孔１２２ａ，１２２ｂ（１２２）内
に形成されるバンプ電極１２４の外径を実質的に同一に
できる。その結果，バンプ電極１２４の下地金属層１１
２との接続部分の外径が他の部分に比べて狭まり難くな
り，該接続部での電気抵抗の上昇を抑制できる。
【００４４】次いで，上部および下部から成るバンプ電
極形成用開孔１２２内にバンプ電極１２４を形成する。
バンプ電極１２４は，下地金属層１１２を一方の共通電
極として電気メッキ法により成膜し，例えばＣｕ，Ａ
ｕ，半田，好ましくはＣｕから成る。
【００４５】次いで，図２（ｇ）に示すように，液状感
光性樹脂膜１１８を除去溶剤，例えばモノエタノールア
ミン系溶剤で選択的に除去する。その結果，図２（ｈ）
に示すように，下地金属層１１２および再配線層１１６
と，第２固形感光性樹脂膜１２０とが分離し，第２固形
感光性樹脂膜１２０が剥離除去される。かかる構成によ
れば，液状感光性樹脂膜１１８と第２固形感光性樹脂膜
１２０を同時かつ確実に除去できる。その結果，第２固
形感光性樹脂膜１２０を除去する工程を簡略化できるの
で，液状感光性樹脂膜１１８を使用してバンプ電極１２
２構造を形成しても，半導体装置の製造コストの上昇を
抑制できる。
【００４６】次いで，図２（ｉ）に示すように，下地金
属層１１２の再配線層１１６およびバンプ電極１２４に
より覆われていない部分をエッチング除去する。以上の
各工程により，ウェハ１００にバンプ電極１２４構造が
形成される。
【００４７】（第２の実施の形態）本実施の形態は，液
状感光性樹脂膜１１８に下部バンプ電極形成用開孔１２
２ｂを形成した後に，第２固形感光性樹脂膜１２０に上
部バンプ電極形成用開孔１２２ａを形成する点に特徴が
ある。以下に，図１〜図３を参照しながら，本実施の形
態について説明する。
【００４８】まず，第１の実施の形態で説明した図１
（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１（ｄ）に示す各
工程を順次行い，再配線層１１６を形成する。その後，
本実施の形態の特徴である工程を行う。
【００４９】すなわち，図３（ａ）に示すように，ウェ
ハ１００の全面に液状感光性樹脂を塗布および加熱して
液状感光性樹脂膜１１８を形成する。その後，第２固形
感光性樹脂膜１２０を貼り付ける前に液状感光性樹脂膜
１１８を露光および現像し，再配線層１１６のバンプ電
極１２４の形成予定位置上に下部バンプ電極形成用開孔
１２２ｂを形成して再配線層１１６を露出させる。
【００５０】次いで，図３（ｂ）に示すように，ウェハ
１００の全面に第２固形感光性樹脂膜１２０を貼り付
け，さらに加熱および加圧して，液状感光性樹脂膜１１
８の表面に十分に密着させる。その後，第２固形感光性
樹脂膜１２０を露光および現像し，第２固形感光性樹脂
膜１２０に上部バンプ電極形成用開孔１２２を選択的に
形成して，再配線層１１６を再び露出させる。この際，
第２固形感光性樹脂膜１２０には，露光する光の波長や
露光時間を調整することにより，下部バンプ電極形成用
開孔１２２ｂと実質的に同一の位置，かつ同一内径の上
部バンプ電極形成用開孔１２２ａを形成する。次いで，
上部および下部から成るバンプ電極形成用開孔１２２内
にバンプ電極１２４を形成する。その後，第１の実施の
形態で説明した図２（ｇ），図２（ｈ），図２（ｉ）に
示す各工程を順次行い，バンプ電極１２４構造を形成す
る。
【００５１】以上のように，本実施の形態によれば，液
状感光性樹脂膜１１８に下部バンプ電極形成用開孔１２
２ｂを形成した後に，第２固形感光性樹脂膜１２０に上
部バンプ電極形成用開孔１２２ａを形成する。かかる構
成により，第２固形感光性樹脂膜１２０の露光および現
像時に，先に液状感光性樹脂膜１１８に形成されていた
下部バンプ電極形成用開孔１２２ｂに形状変化の発生を
防止できる。このため，液状感光性樹脂膜１１８および
第２固形感光性樹脂膜１２０に形成された各バンプ電極
形成用開孔１２２の内径が実質的に同一となる。その結
果，バンプ電極形成用開孔１２２内に形成されるバンプ
電極１２４の外径（断面幅）均一に維持でき，バンプ電
極１２４構造の品質を向上させることができる。
【００５２】（第３の実施の形態）本実施の形態は，再
配線層１１６のパターニングを液状感光性樹脂膜１１４
ａで行い，かつ該液状感光性樹脂膜１１４ａを除去せず
に，液状感光性樹脂膜１１４ａ上に固形感光性樹脂膜１
２０ａを直接貼り付けてバンプ電極１２４を形成する点
に特徴がある。以下に，図１，図２，図４を参照しなが
ら，本実施の形態について説明する。
【００５３】まず，上述した第１の実施の形態と同様
に，図１（ａ），図１（ｂ）に示す各工程を順次行い，
下地金属層１１２を形成する。その後，本実施の形態の
特徴である工程を行う。
【００５４】すなわち，図４（ａ）に示すように，ウェ
ハ１００の全面に液状感光性樹脂を塗布し，さらに加熱
して本実施の形態にかかる液状感光性樹脂膜（第１感光
性樹脂膜）１１４ａを形成する。液状感光性樹脂膜１１
４ａは，上述した液状感光性樹脂膜１１８と同一の材料
から成る。その後，液状感光性樹脂膜１１４ａを露光お
よび現像し，スルーホール１０８を含む金属パッド１０
４上からバンプ電極１２２の形成予定位置に至る再配線
層形成用開孔１１５を形成する。次いで，再配線層形成
用開孔１１５内に再配線層１１６を形成する。従って，
本実施の形態では，上述した第１固形感光性樹脂膜１１
４を再配線層１１６のパターニングに用いることはな
い。
【００５５】次いで，再配線層１１６の形成後，液状感
光性樹脂膜１１４ａを除去せずに，ウェハ１００の全面
に固形感光性樹脂膜１２０ａを貼り付ける。固形感光性
樹脂膜１２０ａは，上述した第２固形感光性樹脂膜１２
０と同一の材料から成る。貼り付けられた固形感光性樹
脂膜１２０ａを加熱および加圧して，液状感光性樹脂膜
１１４ａの表面に十分に密着させる。その後，固形感光
性樹脂膜１２０ａを露光および現像し，固形感光性樹脂
膜１２０ａのバンプ電極１２４の形成予定位置にバンプ
電極形成用開孔１２２を形成する。
【００５６】次いで，図４（ｂ）に示すように，上述し
た図２（ｆ）に示す工程と同様に，バンプ電極形成用開
孔１２２内にバンプ電極１２４を形成する。
【００５７】次いで，図４（ｃ）に示すように，液状感
光性樹脂膜１１４ａを除去溶剤，例えばモノエタノール
アミン系溶剤で選択的に除去する。その結果，下地金属
層１１２および再配線層１１６と，固形感光性樹脂膜１
２０ａとが分離し，固形感光性樹脂膜１２０ａが剥離す
る。その後，第１の実施の形態で説明した図２（ｈ）に
示す工程と同様に，剥離した固形感光性樹脂膜１２０ａ
を除去する。さらに，第１の実施の形態で説明した図２
（ｉ）に示す工程と同様に，下地金属層１１２の再配線
層１１６およびバンプ電極１２４により覆われていない
部分を除去し，ウェハ１００にバンプ電極１２４構造を
形成する。
【００５８】以上，本実施の形態によれば，液状感光性
樹脂膜１１４ａ上に固形感光性樹脂膜１２０ａを直接貼
り付けた後，バンプ電極１２４を形成する。このため，
固形感光性樹脂膜１２０ａの貼り付け前に，液状感光性
樹脂膜１１４ａの除去工程を行う必要がない。さらに，
本実施の形態によれば，固形感光性樹脂膜１２０ａの貼
り付け直前に，液状感光性樹脂膜１１８を新たに形成す
る必要がない。その結果，バンプ電極１２４構造を形成
する一連の工程を簡素化することができ，製造コストの
削減を図ることをができる。
【００５９】また，本実施の形態によれば，下地金属層
１１２を覆う液状感光性樹脂膜１１４ａ上に固形感光性
樹脂膜１２０ａが形成される。このため，液状感光性樹
脂膜１１４ａの除去時に，固形感光性樹脂膜１２０ａが
下地金属層１１２に残存することがない。その結果，不
要な下地金属層１１２の除去時に，該下地金属層１１２
を完全に除去でき，半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
【００６０】さらに，本実施の形態によれば，液状感光
性樹脂膜１１４ａの除去工程時に，固形感光性樹脂膜１
２０ａを同時に剥離除去することができる。その結果，
固形感光性樹脂膜１２０ａを除去溶剤により除去する必
要がないので，該除去工程を簡素化でき，さらに半導体
装置の製造コストを削減することができる。
【００６１】（第４の実施の形態）本実施の形態は，再
配線層部２０２ａとバンプ電極部２０２ｂとが一体形成
された再配線バンプ電極層２０２を形成する点に特徴が
ある。以下に，図１，図４および図５を参照しながら，
本実施の形態について説明する。
【００６２】まず，上述した第１の実施の形態と同様
に，図１（ａ），図１（ｂ）に示す各工程を順次行い，
下地金属層１１２を形成する。その後，本実施の形態の
特徴である工程を行う。
【００６３】すなわち，第３の実施の形態で説明した図
４（ａ）に示す工程と同様に，ウェハ１００の全面に液
状感光性樹脂膜１１４ａを形成後，露光および現像す
る。かかる工程により，図５（ａ）に示すように，スル
ーホール１０８を含む金属パッド１０４上の所定部分か
ら後述のバンプ電極１２２を形成する部分に至る再配線
層形成用開孔１１５を形成する。次いで，上述した再配
線層１１６を形成せずに，ウェハ１００の全面に固形感
光性樹脂膜１２０ａを貼り付け，さらに加熱および加圧
して，液状感光性樹脂膜１１４ａの表面に密着させる。
その後，固形感光性樹脂膜１２０ａを露光および現像
し，固形感光性樹脂膜１２０ａのバンプ電極１２４の形
成予定位置にバンプ電極形成用開孔１２２を形成する。
かかる構成により，再配線層形成用開孔１１５とバンプ
電極形成用開孔１２２とが接続され，再配線層バンプ電
極一体形成用開孔２００が形成される。
【００６４】次いで，図５（ｂ）に示すように，上記再
配線層バンプ電極一体形成用開孔２００内に再配線バン
プ電極層２０２を形成する。再配線バンプ電極層２０２
は，下地金属層１１２を一方の共通電極として電気メッ
キ方により成膜され，例えばＣｕやＡｕや半田，好まし
くはＣｕから構成される。また，再配線バンプ電極層２
０２は，再配線層部２０２ａとバンプ電極部２０２ｂと
を有し，一体的に形成されている。再配線層部２０２ａ
は，上記再配線層１１６と同一の機能を有している。ま
た，バンプ電極部２０２ｂは，上記バンプ電極１２４と
同一の機能を有している。かかる構成により，電極の位
置は，金属バッド１０４から下地金属層１１２と再配線
層部２０２ｂとを介してバンプ電極部２０２ｂに引き回
される。
【００６５】次いで，図５（ｃ）に示すように，上述し
た第３の実施の形態で説明した図４（ｃ）に示す工程と
同様に，液状感光性樹脂膜１１４ａを除去溶剤，例えば
モノエタノールアミン系溶剤で選択的に除去するととも
に，第２固形感光性樹脂膜１２０を剥離させる。
【００６６】次いで，図５（ｄ）に示すように，下地金
属層１１２の再配線バンプ電極層２０２により覆われて
いない部分をエッチング除去し，ウェハ１００にバンプ
電極構造を形成する。
【００６７】以上のように，本実施の形態によれば，再
配線層部２０２ａとバンプ電極部２０２ｂとから成る再
配線バンプ電極層２０２が同時かつ一体的に形成でき
る。このため，再配線層１１６とバンプ電極１２４とを
個別独立に形成する場合よりも電気メッキ工程を削減で
きる。その結果，半導体装置の製造工程が簡素化し，半
導体装置の製造コストの削減を図ることができる。ま
た，本実施の形態によれば，再配線層部２０２ａとバン
プ電極部２０２ｂとの間に接続部が存在せず，一体形成
されている。このため，再配線層部２０２ａとバンプ電
極部２０２ｂとの間で接続不良等が発生することがな
い。その結果，半導体装置の信頼性を向上させることが
できる。さらに，電気的抵抗を抑えることができるの
で，消費電力の増大および発熱を抑えることができる。
【００６８】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。
【００６９】例えば，上記実施の形態において，液状感
光性樹脂膜と第２固形感光性樹脂膜とに個別独立にバン
プ電極形成用開孔を形成する構成を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，同
一の露光および現像工程により，第１および第２感光性
樹脂膜にバンプ電極形成用開孔を形成する場合にも適用
することができる。
【００７０】また，上記実施の形態において，液状感光
性樹脂膜の除去により固形感光性樹脂膜を剥離・除去す
る構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に
限定されない。本発明は，固形感光性樹脂膜を除去溶
剤，例えばジエチレンゲリコールモノブチルエーテル系
溶剤や水酸化カリウム系薬剤等により溶解・除去した後
に，液状感光性樹脂膜を除去しても実施することができ
る。
【００７１】
【発明の効果】本発明によれば，除去が必要な下地導電
層上に感光性樹脂膜が残存することがない。このため，
不要な下地導電層を確実に除去することができる。その
結果，配線層やバンプ電極の絶縁不良が発生せず，信頼
性の高いバンプ電極構造を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のバンプ電極形成工
程を説明するためのウェハの概略的な断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のバンプ電極形成工
程を説明するためのウェハの概略的な断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のバンプ電極形成工
程を説明するためのウェハの概略的な断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態のバンプ電極形成工
程を説明するためのウェハの概略的な断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態のバンプ電極形成工
程を説明するためのウェハの概略的な断面図である。
【図６】従来のバンプ電極形成工程を説明するためのウ
ェハの概略的な断面図である。
【符号の説明】
１００ ウェハ １０２ 酸化膜 １０４ 金属電極バッド １０６ 表面保護膜 １０８ スルーホール １１０ 層間絶縁膜 １１２ 下地金属層 １１４ 第１固形感光性樹脂膜 １１５ 再配線層形成用開孔 １１６ 再配線層 １１８ 液状感光性樹脂膜 １２０ 第２固形感光性樹脂膜 １２２ バンプ電極形成用開孔 １２４ バンプ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F033 HH07 HH11 HH13 HH17 HH18 HH19 HH23 JJ07 JJ11 JJ13 JJ17 JJ18 JJ19 JJ23 KK08 KK09 KK11 MM05 NN06 PP15 PP27 PP28 QQ11 QQ19 QQ24 QQ25 RR04 RR06 RR22 SS11 VV07 XX09 XX33 XX34

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に形成された絶縁膜上に，電
    極パッドを形成する第１工程と；前記絶縁膜上と前記電
    極パッド上に，前記電極パッドと電気的に接続される下
    地導電層を形成する第２工程と；前記下地導電層上に，
    前記電極パッド上からバンプ電極形成予定位置に渡り，
    前記下地導電層を介して前記電極パッドとバンプ電極と
    を電気的に接続する配線層を形成する第３工程と；前記
    下地導電層上と前記配線層上に，第１感光性樹脂膜を形
    成する第４工程と；前記第１感光性樹脂膜上に，第２感
    光性樹脂膜を形成する第５工程と；前記第１感光性樹脂
    膜と前記第２感光性樹脂膜とを露光および現像し，前記
    配線層上の前記バンプ電極形成予定位置に，前記配線層
    が露出するバンプ電極形成用開孔を形成する第６工程
    と；前記バンプ電極形成用開孔内に，前記配線層と電気
    的に接続される前記バンプ電極を形成する第７工程と；
    前記バンプ電極の形成後に，前記第１感光性樹脂膜と前
    記第２感光性樹脂膜とを除去する第８工程と；前記第１
    感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜の除去後に，前記
    配線層に覆われていない前記下地導電層を除去する第９
    工程と；を含み，前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光
    性樹脂膜は，感光特性がネガ型の樹脂から成り；さらに
    前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感光性樹脂膜よりも
    前記下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ること；を
    特徴とする，半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第６工程は，前記第２感光性樹脂膜
    に上部バンプ電極形成用開孔を形成した後に，前記第１
    感光性樹脂膜に前記上部バンプ電極形成用開孔と実質的
    に同一の内径を有するとともに，前記上部バンプ電極形
    成用開孔と接続される下部バンプ電極形成用開孔を形成
    する工程であることを特徴とする，請求項１に記載の半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第８工程は，前記第１感光性樹脂膜
    を前記除去溶剤で溶解除去するとともに，前記第２感光
    性樹脂膜を前記下地導電層と前記配線層から剥離除去す
    る工程であることを特徴とする，請求項１または２のい
    ずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感光
    性樹脂膜よりも弾性が大きい樹脂から成り；前記第１感
    光性樹脂膜の厚みは，前記配線層の厚み以上に設定され
    ることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれか
    に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記下地導電層は，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，
    Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材料か
    ら成ることを特徴とする，請求項１，２，３または４の
    いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第１感光性樹脂膜は，エチルセロソ
    ルブアセテート系樹脂から成ることを特徴とする，請求
    項１，２，３，４または５のいずれかに記載の半導体装
    置の製造方法。
  7. 【請求項７】 半導体基板に形成された絶縁膜上に，電
    極パッドを形成する第１工程と；前記絶縁膜上と前記電
    極パッド上に，前記電極パッドと電気的に接続される下
    地導電層を形成する第２工程と；前記下地導電層上に，
    前記電極パッド上からバンプ電極形成予定位置に渡り，
    前記下地導電層を介して前記電極パッドとバンプ電極と
    を電気的に接続する配線層を形成する第３工程と；前記
    下地導電層上と前記配線層上に，第１感光性樹脂膜を形
    成する第４工程と；前記第１感光性樹脂膜を露光および
    現像し，前記配線層上の前記バンプ電極形成予定位置
    に，前記配線層が露出する下部バンプ電極形成用開孔を
    形成する第５工程と；前記下部バンプ電極形成用開孔が
    形成された前記第１感光性樹脂膜上に，第２感光性樹脂
    膜を形成する第６工程と；前記第２感光性樹脂膜を露光
    および現像し，前記下部バンプ電極形成用開孔と実質的
    に同一の内径を有するとともに，前記下部バンプ電極形
    成用開孔と接続される上部バンプ電極形成用開孔を形成
    する第７工程と；前記下部バンプ電極形成用開孔内と前
    記上部バンプ電極形成用開孔内に，前記配線層と電気的
    に接続される前記バンプ電極を形成する第８工程と；前
    記バンプ電極の形成後に，前記第１感光性樹脂膜と前記
    第２感光性樹脂膜とを除去する第９工程と；前記第１感
    光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜の除去後に，前記配
    線層に覆われていない前記下地導電層を除去する第１０
    工程と；を含み，前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光
    性樹脂膜は，感光特性がネガ型の樹脂から成り；さら
    に，前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感光性樹脂膜よ
    りも前記下地導電層との密着性が弱い樹脂から成るこ
    と；を特徴とする，半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第９工程は，前記第１感光性樹脂膜
    を前記除去溶剤で溶解除去するとともに，前記第２感光
    性樹脂膜を前記下地導電層と前記配線層から剥離除去す
    る工程であることを特徴とする，請求項７に記載の半導
    体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感光
    性樹脂膜よりも弾性が大きい樹脂から成り；前記第１感
    光性樹脂膜の厚みは，前記配線層の厚み以上に設定され
    ることを特徴とする，請求項７または８のいずれかに記
    載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記下地導電層は，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃ
    ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材
    料から成ることを特徴とする，請求項７，８または９の
    いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１感光性樹脂膜は，エチルセロ
    ソルブアセテート系樹脂から成ることを特徴とする，請
    求項７，８，９または１０のいずれかに記載の半導体装
    置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 半導体基板に形成された絶縁膜上に，
    電極パッドを形成する第１工程と；前記絶縁膜上と前記
    電極パッド上に，前記電極パッドと電気的に接続される
    下地導電層を形成する第２工程と；下地導電性層上に，
    第１感光性樹脂膜を形成する第３工程と；前記第１感光
    性樹脂膜を露光および現像し，前記電極パッド上からバ
    ンプ電極形成予定位置に渡り，配線層形成用開孔を形成
    する第４工程と；前記配線層形成用開孔内に，前記下地
    導電層を介して前記電極パッドとバンプ電極とを電気的
    に接続する配線層を形成する第５工程と；前記第１感光
    性樹脂膜を除去せずに，前記第１感光性樹脂膜上と前記
    配線層上に，第２感光性樹脂膜を形成する第６工程と；
    前記第２感光性樹脂膜を露光および現像し，前記配線層
    上の前記バンプ電極形成予定位置に，前記配線層が露出
    するバンプ電極形成用開孔を形成する第７工程と；前記
    バンプ電極形成用開孔内に，前記配線層と電気的に接続
    される前記バンプ電極を形成する第８工程と；前記バン
    プ電極の形成後に，前記第１感光性樹脂膜と前記第２感
    光性樹脂膜とを除去する第９工程と；前記第１感光性樹
    脂膜と前記第２感光性樹脂膜の除去後に，前記配線層に
    覆われていない前記下地導電層を除去する第１０工程
    と；を含み，前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹
    脂膜は，感光特性がネガ型の樹脂から成り；さらに，前
    記第１感光性樹脂膜は，前記第２感光性樹脂膜よりも前
    記下地導電層との密着性が弱い樹脂から成ること；を特
    徴とする，半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第９工程は，前記第１感光性樹脂
    膜を前記除去溶剤で溶解除去するとともに，前記第２感
    光性樹脂膜を前記下地導電層と前記配線層から剥離除去
    する工程であることを特徴とする，請求項１２に記載の
    半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感
    光性樹脂膜よりも弾性が大きい樹脂から成り；前記第１
    感光性樹脂膜の厚みは，前記配線層の厚み以上に設定さ
    れることを特徴とする，請求項１２または１３のいずれ
    かに記載の半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記下地導電層は，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃ
    ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材
    料から成ることを特徴とする，請求項１２，１３または
    １４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１感光性樹脂膜は，エチルセロ
    ソルブアセテート系樹脂から成ることを特徴とする，請
    求項１２，１３，１４または１５のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 半導体基板に形成された絶縁膜上に，
    電極パッドを形成する第１工程と；前記絶縁膜上と前記
    電極バッド上に，前記電極パッドと電気的に接続される
    下地導電層を形成する第２工程と；下地導電性層上に，
    第１感光性樹脂膜を形成する第３工程と；前記第１感光
    性樹脂膜を露光および現像し，前記電極パッド上からバ
    ンプ電極形成予定位置に渡り，配線層形成用開孔を形成
    する第４工程と；前記配線層形成用開孔が形成された前
    記第１感光性樹脂膜上に，第２感光性樹脂膜を形成する
    第５工程と；前記第２感光性樹脂膜を露光および現像
    し，前記下地配線層上の前記バンプ電極形成予定位置
    に，前記下地配線層が露出するバンプ電極形成用開孔を
    形成する第６工程と；前記下地導電層を共通電極として
    電気メッキ法により，前記配線層形成用開孔内に前記下
    地導電層を介して前記電極パッドとバンプ電極とを電気
    的に接続される配線層と，前記バンプ電極形成用開孔内
    に前記配線層と電気的に接続される前記バンプ電極とを
    同時に一体形成する第７工程と；前記バンプ電極の形成
    後に，前記第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜と
    を除去する第８工程と；前記第１感光性樹脂膜と前記第
    ２感光性樹脂膜の除去後に，前記配線層に覆われていな
    い前記下地導電層を除去する第９工程と；を含み，前記
    第１感光性樹脂膜と前記第２感光性樹脂膜は，感光特性
    がネガ型の樹脂から成り；さらに，前記第１感光性樹脂
    膜は，前記第２感光性樹脂膜よりも前記下地導電層との
    密着性が弱い樹脂から成ること；を特徴とする，半導体
    装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記第８工程は，前記第１感光性樹脂
    膜を前記除去溶剤で溶解除去するとともに，前記第２感
    光性樹脂膜を前記下地導電層と前記配線層から剥離除去
    する工程であることを特徴とする，請求項１７に記載の
    半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記第１感光性樹脂膜は，前記第２感
    光性樹脂膜よりも弾性が大きい樹脂から成り；前記第１
    感光性樹脂膜の厚みは，前記配線層の厚み以上に設定さ
    れることを特徴とする，請求項１７または１８のいずれ
    かに記載の半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記下地導電層は，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃ
    ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｗの群から選択される任意の材
    料から成ることを特徴とする，請求項１７，１８または
    １９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記第１感光性樹脂膜は，エチルセロ
    ソルブアセテート系樹脂から成ることを特徴とする，請
    求項１７，１８，１９または２０のいずれかに記載の半
    導体装置の製造方法。
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