JP2011165797A - 導体層の形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上の一部にレジスト20を用いて導体層19をパターニングした後、レジスト20を剥離するレジスト剥離工程と、基板10の導体層19が形成された面に対して、第一ノズル103から第一噴射圧で溶剤を噴射することによりレジスト20の残滓20bをふやかし、第二ノズル104から第一噴射圧よりも高圧の第二噴射圧で溶剤を噴射することによりレジスト20の残滓20bを物理力で除去するレジスト残滓除去工程と、を備える導体層の形成方法である。
【選択図】図11
Description
しかし、再配線等が設けられた基板には微細な凹凸があるため、レジストが完全に剥離されず残滓が残る場合がある。残滓が残った場合には、残滓の下部の電解めっき用シード層が除去されず、隣接する再配線や柱状電極間のショート不良の原因となる。また、残滓が残ったまま封止膜により封止した場合には、耐湿信頼性低下のおそれがある。これを防ぐために最終外観検査において残滓が残っている半導体装置を除去するので、歩留まりが低下するという問題がある。
前記柱状電極が形成された面に対して、第一ノズルから第一噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓をふやかし、第二ノズルから前記第一噴射圧よりも高圧の第二噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓を物理力で除去するレジスト残滓除去工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、前記レジスト残滓除去工程において、前記基板の前記導体層が形成された面を下側に向けた状態で保持し、前記第一ノズル及び前記第二ノズルはそれぞれ前記溶剤を上方に向かって噴射する。
好ましくは、前記レジスト残滓除去工程において、前記第一ノズルは固定であり、前記第二ノズルは可動である。
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置1Aを示す断面図である。図1に示すように、半導体装置1Aは、半導体デバイスウェハ10の表面に再配線19、柱状電極21、半田端子23等を形成してなる。
半導体デバイスウェハ10は、図1に示すように、シリコン等からなる半導体基板11と、金属等の導電性材料からなる複数の接続パッド12と、酸化シリコン等の絶縁性材料からなるパッシベーション膜13と、等を備える。
電解めっき用シード層16の表面には銅等の導電性材料からなる再配線19が形成されている。再配線19は1μm〜10μmの厚さが好ましい。再配線19の接続パッド12とは反対側の端部の上面には、銅等の導電性材料からなる柱状電極21が形成されている。
各柱状電極21の表面には略球形状の半田端子23がそれぞれ設けられている。半田端子23は、柱状電極21の円形の上面に接することによって相互に電気的に接続している。
まず、図2に示すように、半導体デバイスウェハ10の表面に絶縁膜14を形成する。
次に、図3に示すように、スパッタ等の気相堆積法により絶縁膜14の全面及び接続パッド12の全面を覆う電解めっき用シード層16を形成する。
次に、図4に示すように、電解めっき用シード層16上の再配線19を形成しない位置に再配線レジスト17を形成する。
次に、図5に示すように、電解めっき用シード層16を陰極とする電解めっき法により再配線レジスト17が形成されていない部分に再配線19を形成する。
次に、図7に示すように、電解めっき用シード層16及び再配線の上部に柱状電極用レジスト20となるドライフィルムを貼り付け、パターニングすることで柱状電極21の位置に開口20aを形成する。ドライフィルムレジスト20の主材料はアクリル樹脂、染料、感光剤等である。ドライフィルムレジスト20の厚さは80〜120μm程度である。開口20aの直径は柱状電極21の直径に等しい。
次に、図8に示すように、電解めっき用シード層16を陰極とする電解めっき法により開口22a内に柱状電極21を形成する。
容体101の底部には、多数の固定ノズル(第一ノズル)103が設けられている。多数の固定ノズル103は縦横に配置され、固定ノズル103から上方に向かって洗浄液が噴射される。固定ノズル103から噴射する洗浄液の圧力は比較的低圧に設定する。例えばポンプ設定圧(第一噴射圧)を0.106MPaとすることができる。
また、容体101の内部には、可動ノズル(第二ノズル)104がアーム105により水平に回動可能に設けられている。可動ノズル104からは上方に向かって洗浄液が噴射される。可動ノズル104から噴射する洗浄液の圧力は比較的高圧に設定する。例えばポンプ設定圧(第二噴射圧)を2.7〜10.6MPaとすることができる。
なお、ウェハ表面に洗浄液が当たる実効圧は、ポンプ設定圧の約1/10程度である。
洗浄時間、可動ノズル104の往復回数、可動ノズル104より噴射する洗浄液(高圧スプレー)の圧力を変えて洗浄を行った。固定ノズル103、106、107より噴射する洗浄液(低圧スプレー)の設定圧は0.10MPaで一定とした。
ウェハ内の9チップを顕微観察し、長手で10μm以上の残滓を数えた。
実験例1〜7に示すように、高圧スプレーの設定圧を2.76MPa以上とし、処理時間を2分以上とすることで、充分に残滓の除去を行うことができることがわかる。
なお、このとき、再配線19及び柱状電極21の表面もエッチングされるが、再配線19及び柱状電極21は電解めっき用シード層16と比較して充分に厚いため、影響はない。
次に、図14に示すように、柱状電極21の上面に略球形状の半田端子23を形成する。その後、ダイシングすることで、図1に示す半導体装置1Aが形成される。
図15は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置1Bを示す断面図である。なお、第1実施形態と同様の構成については、同符号を付して説明を割愛する。
本実施形態に係る半導体装置1Bが第1実施形態に係る半導体装置1Aと異なる点は以下の通りである。
まず、図16に示すように、半導体基板11の表面に絶縁膜31、層間絶縁膜32及び配線34、絶縁膜33、接続パッド12、パッシベーション膜13を積層し半導体デバイスウェハ10を形成する。
次に、図17に示すように、1つ1つの半導体装置1Bを切り出すときの線(ダイシングストリート)に沿ってレーザ40を照射し、絶縁膜31、層間絶縁膜32、絶縁膜33を除去する。それとともに、図18に示すように、溝11aを形成する。なお、レーザ40を照射する部分には配線34は形成されていない。
次に、図19に示すように、絶縁膜14を形成する。
次に、図21に示すように、電解めっき用シード層16上の再配線19を形成しない位置に再配線レジスト17を形成する。
次に、図22に示すように、電解めっき用シード層16を陰極とする電解めっき法により再配線レジスト17が形成されていない部分に再配線19を形成する。
次に、図23に示すように、再配線レジスト17を除去する。
次に、図29に示すように、柱状電極21の上面に略球形状の半田端子23を形成する。その後、ダイシングすることで、図15に示す半導体装置1Bが形成される。
10 半導体デバイスウェハ
11 半導体基板
12 接続パッド
13 パッシベーション膜
13a、14a、15a、20a 開口
14、31、33 絶縁膜
16 電解めっき用シード層
19 再配線
20 柱状電極用レジスト
20b 残滓
21 柱状電極
22 封止膜
23 半田端子
32 層間絶縁膜
34 配線
Claims (6)
- 基板上の一部にレジストを用いて導体層をパターニングした後、前記レジストを剥離するレジスト剥離工程と、
前記基板の前記導体層が形成された面に対して、第一ノズルから第一噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓をふやかし、第二ノズルから前記第一噴射圧よりも高圧の第二噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓を物理力で除去するレジスト残滓除去工程と、
を備えることを特徴とする導体層の形成方法。 - 前記第二噴射圧は2.76MPa以上、処理時間を2分以上とすることを特徴とする請求項1に記載の導体層の形成方法。
- 前記レジスト残滓除去工程において、前記基板の前記導体層が形成された面を下側に向けた状態で保持し、前記第一ノズル及び前記第二ノズルはそれぞれ前記溶剤を上方に向かって噴射することを特徴とする請求項1又は2に記載の導体層の形成方法。
- 前記レジスト残滓除去工程において、前記第一ノズルは固定であり、前記第二ノズルは可動であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の導体層の形成方法。
- 半導体基板の表面に複数の接続端子が形成された半導体デバイスウェハの表面を覆うとともに前記接続端子を露出させる開口を有する絶縁膜と、露出した前記接続端子及び前記絶縁膜の表面に形成された電解めっき用シード層と、前記電解めっき用シード層の表面に形成された再配線と、の上部に柱状電極がパターニングされた半導体装置の製造方法において、
柱状電極用レジストを用いて前記柱状電極をパターニングした後、前記柱状電極用レジストを剥離する柱状電極用レジスト剥離工程と、
前記柱状電極が形成された面に対して、第一ノズルから第一噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓をふやかし、第二ノズルから前記第一噴射圧よりも高圧の第二噴射圧で溶剤を噴射することにより前記レジストの残滓を物理力で除去するレジスト残滓除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第二噴射圧を2.76MPa以上、処理時間を2分以上とすることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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