JP2007095894A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハレベルCSPにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層11と、該絶縁樹脂層11を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部15とを備えている。前記配線部15は、シード部13とその上に配された導電部14とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されている。
【選択図】図6
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層11と、該絶縁樹脂層11を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部15とを備えている。前記配線部15は、シード部13とその上に配された導電部14とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されている。
【選択図】図6
Description
本発明は、ウェハレベルCSP(Chip Size/Scale Package) 等の半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、半導体パッケージ構造として、例えば半導体チップを樹脂により封止したパッケージ(いわゆるDual Inline PackageやQuad Flat Package)では、樹脂パッケージ周辺の側面に金属リード電極を配置する周辺端子配置型が主流であった。
これに対し、近年急速に普及している半導体パッケージとして、CSPと呼ばれるパッケージの平坦な表面に電極を平面状に配置した、いわゆるBGA(ボールグリッドアレイ)技術の採用により、同一電極端子数を持つ同一投影面積の半導体チップを、従来よりも小さい面積で電子回路基板に高密度実装することを可能とするパッケージ構造がある。
BGAタイプの半導体パッケージにおいては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しい、いわゆるCSP構造と呼ばれる構造が、前述のBGA電極配置構造ととともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。CSPは回路を形成したシリコンウエハを切断し、個々の半導チップに個別にパッケージ工程を施し、パッケージを完成するものである。
BGAタイプの半導体パッケージにおいては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しい、いわゆるCSP構造と呼ばれる構造が、前述のBGA電極配置構造ととともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。CSPは回路を形成したシリコンウエハを切断し、個々の半導チップに個別にパッケージ工程を施し、パッケージを完成するものである。
これに対し、一般的に「ウエハレベルCSP」と呼ばれる製法においては、このシリコンウエハ上に絶縁層、再配線部、封止層等を形成し、半田バンプを形成する。そして最終工程において、ウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得ることが可能となる。ウエハレベルCSPの製造方法における特徴は、パッケージを構成する材料をすべてウエハの形状において加工することにある。すなわち、絶縁層、再配線部、封止樹脂層、半田バンプ等はすべてウエハをハンドリングすることで形成される。これは、例えば再配線部の形成においても同じことである。
従来のウエハレベルCSPの製造における再配線部形成工程は、以下のとおりである。半導体基板上に形成された半導体素子と導通するための開口部を有する絶縁層上に、スパッタなどによりシード層を成膜する。次いで、シード層表面のうち再配線部を形成する部位に開口部を有するレジストを形成する。続いて、露出しているシード層上に電解めっき法などにより導電層を形成する。その後剥離液を用いてレジストを除去し、レジストが除去された部位のシード層をエッチングし除去することで、再配線部が形成される。
従来の再配線部形成時の問題点として、長手方向の側面下部に図8(d)に示すようなアンダーカット106が発生することで、配線の剥離が生じてしまうことがある。これは以下の2段階を経て発生することがわかっている。
まず図8(a)に示すように、めっき用レジスト103の裾部104の形状が完全な矩形でないために、図8(b)に示すようにめっき層105を形成した際に、レジスト103の裾部形状が転写され図8(c)に示すようにアンダーカット106の起点が発生してしまう。さらにシード層102をエッチングにより除去する際、図8(d)に示すようにサイドエッチングが発生し、アンダーカットが進行してしまう。
まず図8(a)に示すように、めっき用レジスト103の裾部104の形状が完全な矩形でないために、図8(b)に示すようにめっき層105を形成した際に、レジスト103の裾部形状が転写され図8(c)に示すようにアンダーカット106の起点が発生してしまう。さらにシード層102をエッチングにより除去する際、図8(d)に示すようにサイドエッチングが発生し、アンダーカットが進行してしまう。
この再配線部のアンダーカットにより、めっき再配線部とウエハとの接着面積が狭くなり、配線の剥離を生じてしまう。特にめっき再配線が微細な場合はその接着面積が小さいために、この現象が顕著に見られ、微細配線形成時の大きな障害となっている。
特許文献1では、アンダーカットの無い導体回路を形成する方法を開示している。この方法によれば、前記レジストの裾部分をドライ処理によって除去した後に、回路形成のためのめっきを行うことにより、アンダーカットの発生を抑制している。
特開2001−196740号公報
特許文献1では、アンダーカットの無い導体回路を形成する方法を開示している。この方法によれば、前記レジストの裾部分をドライ処理によって除去した後に、回路形成のためのめっきを行うことにより、アンダーカットの発生を抑制している。
しかしながら、前記ドライ処理は、大規模な真空チャンバー等を備えたドライ処理装置を必要とし、水分の除去や真空引きといった工程を要するため、プリント配線板の製造コストが上昇する問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ウエハレベルCSPにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ウエハレベルCSPにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部とを備えた半導体装置であって、前記配線部は、シード部とその上に配された導電部とからなる積層体を構成し、該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部を備え、該アンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材が埋設されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部とを備え、前記配線部は、シード部とその上に配された導電部とからなる積層体を構成し、該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部を備え、該アンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材が埋設されている半導体装置の製造方法であって、前記絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程Aと、前記シード層上に導電層を形成する工程Bと、前記シード層と前記導電層に加工(エッチング)を施し、シード部と導電部の積層体からなる配線部を形成する工程Cと、前記工程Cにより前記積層体の長手方向の側面下部に発生したアンダーカット部に、絶縁性の補強部材を埋設する工程Dとを順に備えることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る半導体装置の製造方法は、請求項2において、前記工程Dは、少なくともアンダーカット部を埋めるとともに、前記絶縁樹脂層および前記導電部を覆うように、絶縁性の部材を形成する前工程と、前記アンダーカット部にのみ前記絶縁性の部材を残存させ、他の領域にある該絶縁性の部材を除去する後工程からなることを特徴とする。
本発明では、配線部において、アンダーカット部に少なくとも絶縁性の補強部材を埋設することで、サイドエッチングの進行が防止され、配線部の剥離を防止することができる。これによりウエハレベルCSP製品の歩留まりが向上する。また、CSPにおける微細配線の形成が可能となり、設計の自由度が向上する。
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。また、図2は、図1に示す配線部を、長手方向から見た断面図である。ただし、図2では封止樹脂層は省略してある。
この半導体装置10においては、集積回路(図示略)が形成された半導体基板1の表面に集積回路(IC、図示略)の電極2およびパッシベーション膜3が形成されている。
さらにこの半導体装置10は、半導体基板1のパッシベーション膜3上に設けられた絶縁樹脂層11と、この絶縁樹脂層11の前記電極2に整合する領域に形成された開口部11aと、この開口部11aを介して前記電極2に接続された配線部15と、前記半導体基板1、前記絶縁樹脂層11および前記配線部15を封止する封止樹脂層16と、この封止樹脂層16を貫通し上面に半田バンプ17が形成されたポスト18とを有する。
この半導体装置10においては、集積回路(図示略)が形成された半導体基板1の表面に集積回路(IC、図示略)の電極2およびパッシベーション膜3が形成されている。
さらにこの半導体装置10は、半導体基板1のパッシベーション膜3上に設けられた絶縁樹脂層11と、この絶縁樹脂層11の前記電極2に整合する領域に形成された開口部11aと、この開口部11aを介して前記電極2に接続された配線部15と、前記半導体基板1、前記絶縁樹脂層11および前記配線部15を封止する封止樹脂層16と、この封止樹脂層16を貫通し上面に半田バンプ17が形成されたポスト18とを有する。
半導体基板1は、少なくとも表層が絶縁部(図示略)をなす基材1aの一面上に、例えば電極2としてAlパッドを設け、さらにその上にSiNまたはSiO2等のパッシベーション膜3(不動態化による絶縁膜)を形成してなるものである。このパッシベーション膜3には、電極2と整合する位置に開口部3aが設けられており、この開口部3aを通して電極2が露出されている。パッシベーション膜3は、例えばLP−CVD法等により形成することができ、その膜厚は例えば0.1〜0.5μmである。
ポスト18は、前記絶縁樹脂層11上に形成された樹脂製凸部12と、この樹脂製凸部12の少なくとも上面を被覆し前記再配線部15および前記半田バンプ17に接続された配線部15とを有する。
ポスト18は、前記絶縁樹脂層11上に形成された樹脂製凸部12と、この樹脂製凸部12の少なくとも上面を被覆し前記再配線部15および前記半田バンプ17に接続された配線部15とを有する。
配線部15は、電極2と半田バンプ17とを電気的に接続する再配線部(アンダーパス)である。配線部15の一端部は、開口部11aを介して第一の絶縁樹脂層11を貫通し、電極2と電気的に接続されている。また、配線部15の他端部は、ポスト18(半田バンプ17)と整合する位置まで延びている。
図2に示すように、本発明において、前記配線部15は、シード部13とその上に配された導電部14とからなる積層体を構成し、該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部15aを備える。該アンダーカット部15aには少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されている。
図2に示すように、本発明において、前記配線部15は、シード部13とその上に配された導電部14とからなる積層体を構成し、該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部15aを備える。該アンダーカット部15aには少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されている。
配線部15において、アンダーカット部15aに少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されているので、後述するようにシード部13をエッチングにより除去する際に、配線部15のサイドエッチングの進行が防止される。これにより配線部15とウエハとの接着面積を確保して配線部15の剥離を防止することができる。これによりウエハレベルCSP製品の歩留まりが向上する。また、CSPにおける微細配線(具体的にはL/S=10/10μm以下)の形成が可能となり、設計の自由度が格段に向上する。その結果、信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。
半導体基板1は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断(ダイシング)した半導体チップであってもよい。半導体基板1が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やIC、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
絶縁樹脂層11は、各電極2と整合する位置に形成された開口部11aを有する。第一の絶縁樹脂層11は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば5〜50μmである。
絶縁樹脂層11は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部11aは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
絶縁樹脂層11は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部11aは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
配線部15は、シード部13とその上に配された導電部14とからなる積層体から構成される。
シード部13は下地の樹脂層との密着性を確保するための密着層(図示略)、およびめっき配線部形成時の給電に使用する給電層(図示略)との積層体からなる。密着層にはクロムが用いられる。その他にニッケル、チタン、チタンタングステン等を用いてもよい。その厚みは例えば10〜100nmである。給電層には銅が用いられる。その他に、クロム、アルミ、チタン、チタンタングステン、金などを用いてもよい。その厚みは例えば100〜500nmである。
導電部14の材料としては、例えば銅等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。導電部14は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
シード部13は下地の樹脂層との密着性を確保するための密着層(図示略)、およびめっき配線部形成時の給電に使用する給電層(図示略)との積層体からなる。密着層にはクロムが用いられる。その他にニッケル、チタン、チタンタングステン等を用いてもよい。その厚みは例えば10〜100nmである。給電層には銅が用いられる。その他に、クロム、アルミ、チタン、チタンタングステン、金などを用いてもよい。その厚みは例えば100〜500nmである。
導電部14の材料としては、例えば銅等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。導電部14は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
図2に示すように、配線部15において、前記積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部15aが形成され、該アンダーカット部15aには少なくとも絶縁性の補強部材19が埋設されている。
配線部15のアンダーカット部15aに絶縁性の補強部材19を埋設することで、シード部13をエッチングにより除去する際、配線部15のサイドエッチングの進行を防止することができる。これにより配線部15とウエハとの接着面積を確保して、配線部15の剥離を抑制することができる。
このような補強部材19は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁樹脂からなり、その厚さは例えば1〜2μmである。
配線部15のアンダーカット部15aに絶縁性の補強部材19を埋設することで、シード部13をエッチングにより除去する際、配線部15のサイドエッチングの進行を防止することができる。これにより配線部15とウエハとの接着面積を確保して、配線部15の剥離を抑制することができる。
このような補強部材19は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁樹脂からなり、その厚さは例えば1〜2μmである。
封止樹脂層16は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば5〜150μmである。封止樹脂層16には、半田バンプ17を搭載するための開口部16aが設けられる。
半田バンプ17は、平面視で前記半田バンプ17の中心の位置と前記樹脂製凸部12の中心の位置とを一致させると、半田バンプ17から樹脂製凸部12に作用する応力を均一に分散させることが可能となる。
図1では、半導体基板上の素子1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の素子を備えた半導体装置に適用することもできる。
図1では、半導体基板上の素子1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の素子を備えた半導体装置に適用することもできる。
次に、図1に示す半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図3(a)に示すように、集積回路(図示略)、電極2およびパッシベーション膜3を有する半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、上述したように、基材1aの一面上に電極2とパッシベーション膜3が形成されており、パッシベーション膜3には、電極2と整合する位置に開口部3aが設けられた半導体ウエハである。
まず、図3(a)に示すように、集積回路(図示略)、電極2およびパッシベーション膜3を有する半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、上述したように、基材1aの一面上に電極2とパッシベーション膜3が形成されており、パッシベーション膜3には、電極2と整合する位置に開口部3aが設けられた半導体ウエハである。
次いで、図3(b)に示すように、半導体基板1のパッシベーション膜3の上に、開口部11aを有する絶縁樹脂層11を形成する。
このような絶縁樹脂層11は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜3の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極2と整合する位置に開口部11aを形成することによって形成することができる。
このような絶縁樹脂層11は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜3の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極2と整合する位置に開口部11aを形成することによって形成することができる。
次いで、図3(c)に示すように、ウェハ上において電極2とは離れた位置に、絶縁樹脂層11上に樹脂からなる断面が略台形状の凸部12(円錐の上部分を除いた形状の樹脂製凸部12)を形成する。
このような台形状の凸部12は、例えばポリイミド、エポキシ又はシリコーン樹脂等からなり、例えば上記樹脂を印刷する方法、ラミネートする方法又は回転塗布(スピンコート)する方法等により形成することができる。その厚さは、例えば25〜100μmである。
このような台形状の凸部12は、例えばポリイミド、エポキシ又はシリコーン樹脂等からなり、例えば上記樹脂を印刷する方法、ラミネートする方法又は回転塗布(スピンコート)する方法等により形成することができる。その厚さは、例えば25〜100μmである。
次いで、図4(a)〜図4(c)に示すように、絶縁樹脂層11および凸部12上に、シード部13とその上に配された導電部14とからなる配線部15を形成する。
ここで、本発明の配線部15の形成方法について、図5を参照しながら詳細に説明する。なお、図5は、配線部15を長手方向からみた断面図である。
まず、図5(a)に示すように、電解めっき用の薄いシード層13aを絶縁樹脂層11上の全面又は必要な領域に形成する。このシード層13aは、例えばスパッタ法により形成されたCu層及びCr層の積層体又はCu層及びTi層の積層体である。また、無電解銅めっき層でもよく、蒸着法、塗布法又は化学気相成長(CVD)法等により形成された金属薄膜層であってもよく、これらを組み合わせてもよい。
ここで、本発明の配線部15の形成方法について、図5を参照しながら詳細に説明する。なお、図5は、配線部15を長手方向からみた断面図である。
まず、図5(a)に示すように、電解めっき用の薄いシード層13aを絶縁樹脂層11上の全面又は必要な領域に形成する。このシード層13aは、例えばスパッタ法により形成されたCu層及びCr層の積層体又はCu層及びTi層の積層体である。また、無電解銅めっき層でもよく、蒸着法、塗布法又は化学気相成長(CVD)法等により形成された金属薄膜層であってもよく、これらを組み合わせてもよい。
次いで、シード層13a上に電解めっき用のレジスト20を形成する。このレジスト20には配線部15の形成すべき領域、すなわち開口部3a、凸部12及びこれらに挟まれた領域に整合する領域に形成された開口部20aを有し、該開口部20aにおいて、前記シード層13aを露出させておく。
具体的には、まず、図5(b)に示すように、例えばフィルムレジストをラミネートする方法又は液体レジストを回転塗布することにより、シード層13a上の全面にレジスト膜21を形成する。このとき、レジスト厚さは次工程で形成するめっき再配線よりも厚くする。
具体的には、まず、図5(b)に示すように、例えばフィルムレジストをラミネートする方法又は液体レジストを回転塗布することにより、シード層13a上の全面にレジスト膜21を形成する。このとき、レジスト厚さは次工程で形成するめっき再配線よりも厚くする。
次いで、フォトリソグラフィ工程を実施する。前記レジスト膜21の直上にレジストパターニング用マスク22を配置し、紫外線UVを照射する。前記紫外線UVは、波長365nm、405nmおよび436nmのうちから選択した少なくとも一つのものである。
次いで、現像を行う。レジストにはネガ型レジストを用いているので、レジスト膜21のうち、露光されていない部分が除去されて、露光された部分が残る。このようにしてパターニングされためっき用レジスト20は、図5(c)に示すように、シード層13aとの界面である底部に、底部に向かって末広がりの裾部20bを有する。
次いで、現像を行う。レジストにはネガ型レジストを用いているので、レジスト膜21のうち、露光されていない部分が除去されて、露光された部分が残る。このようにしてパターニングされためっき用レジスト20は、図5(c)に示すように、シード層13aとの界面である底部に、底部に向かって末広がりの裾部20bを有する。
次いで、図5(d)に示すように、銅めっき処理を行い、上記レジスト20をマスクとして露出したシード層13a上に、銅めっき層からなる導電層14aを形成する。その厚さは8μm程度である。
めっき処理は、電解めっき、無電解めっきの両方式を利用できるが、電解銅めっき(硫酸銅めっき)が好ましい。前記電解銅めっきは、ハイスローめっき浴によることにより、能率よく良好な回路用めっき浴が形成される。
その後、導電層14a上に、例えばNiめっき層及びAuめっき層(図示せず)を、その後に形成する半田バンプ17の濡れ性向上のために形成してもよい。
めっき処理は、電解めっき、無電解めっきの両方式を利用できるが、電解銅めっき(硫酸銅めっき)が好ましい。前記電解銅めっきは、ハイスローめっき浴によることにより、能率よく良好な回路用めっき浴が形成される。
その後、導電層14a上に、例えばNiめっき層及びAuめっき層(図示せず)を、その後に形成する半田バンプ17の濡れ性向上のために形成してもよい。
次いで、図6(a)に示すように、めっき用レジスト20を剥離する。適切な剥離液を吹き付けることにより、レジスト20を完全に剥離する。これにより導体回路の主要部を構成する導電部14が形成される。このとき、前記裾部20bの形状が転写されて、導電部14には、その長手方向の側面下部に、アンダーカット部15aが生ずる。
次いで、図6(b)に示すように、導電部14上の全面に補強部材19を塗布し、少なくともアンダーカット部15aに該補強部材19を埋設する。
このような補強部材19は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁樹脂からなり、その厚さは例えば1〜2μmである。
このような補強部材19は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁樹脂からなり、その厚さは例えば1〜2μmである。
次いで、図6(c)に示すように、前記アンダーカット部15aにのみ前記補強部材19を残存させ、他の領域の補強部材19をアッシングにより除去する。アッシングはプラズマアッシングおよびオゾンガスと紫外線を用いる光アッシングなどを用いることができる。
次いで、図6(d)に示すように、ウェハの面上に露出している不要なシード層13aをエッチングにより除去して配線部15以外の部分に絶縁樹脂層11を露出させる。
このとき、本発明では、アンダーカット部15aに絶縁性の補強部材19を埋設しているので、シード層13aのエッチングの際に、配線部15(導電部14)のサイドエッチングの進行を防止することができる。
以上のようにして、図4(c)に示すように、絶縁樹脂層11および凸部12上に、シード部13とその上に配された導電部14とからなる配線部15が形成される。このようにして、配線部15により被膜されたポスト18を半導体基板1上に形成する。
このとき、本発明では、アンダーカット部15aに絶縁性の補強部材19を埋設しているので、シード層13aのエッチングの際に、配線部15(導電部14)のサイドエッチングの進行を防止することができる。
以上のようにして、図4(c)に示すように、絶縁樹脂層11および凸部12上に、シード部13とその上に配された導電部14とからなる配線部15が形成される。このようにして、配線部15により被膜されたポスト18を半導体基板1上に形成する。
その後、図7(a)に示すように、めっき再配線部15を覆い、半田バンプ17を載せる部分に開口部16aを有するように封止樹脂層16を形成する。その厚さは5〜150μm程度である。
このような封止樹脂層16は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部16aを有する封止樹脂層16を形成することができる。なお、封止樹脂層16の形成方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば印刷法によるパターン塗布でもよい。
このような封止樹脂層16は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部16aを有する封止樹脂層16を形成することができる。なお、封止樹脂層16の形成方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば印刷法によるパターン塗布でもよい。
次いで、図7(b)に示すように、封止樹脂層16に形成された開口部16a上(ポスト18の表面上)に半田バンプ17を形成する。半田バンプ17には共晶タイプ、鉛フリータイプの半田を使用することができる。
半田バンプ17の形成方法としては、半田ボール搭載法、半田ペースト印刷法、メタルジェット法、半田ペーストディスペンス法により半田ペーストを載せた後リフローを実施、または電解半田めっき法、半田蒸着法等が挙げられる。
半田バンプ17の形成後、前記配線部15などの各種構造物が形成された半導体ウエハを所定の寸法にダイシングすることにより、前記配線部15がパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
半田バンプ17の形成方法としては、半田ボール搭載法、半田ペースト印刷法、メタルジェット法、半田ペーストディスペンス法により半田ペーストを載せた後リフローを実施、または電解半田めっき法、半田蒸着法等が挙げられる。
半田バンプ17の形成後、前記配線部15などの各種構造物が形成された半導体ウエハを所定の寸法にダイシングすることにより、前記配線部15がパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
半導体装置では、配線部15の形成において、アンダーカット部15aに少なくとも絶縁性の補強部材19を埋設しているので、シード部13をエッチングにより除去する際に、配線部15のサイドエッチングの進行が防止される。これにより配線部15とウエハとの接着面積を確保することができ配線部15の剥離を防止することができる。その結果、ウエハレベルCSP製品の歩留まりが向上する。また、CSPにおける微細配線(具体的にはL/S=10/10μm以下)の形成が可能となり、設計の自由度が向上する。その結果、信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。
以上、本発明の半導体装置およびその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
以上、本発明の半導体装置およびその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
本発明は、各種半導体装置に適用できる。
1 半導体基板、3 電極、10 半導体装置、11 絶縁樹脂層、12 樹脂製凸部、13 シード部、14 導電部、15 配線部、16 封止樹脂層、17 半田バンプ、18 ポスト、19 補強部材。
Claims (3)
- 少なくとも一面に電極が設けられた基板と、
該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層と、
該絶縁樹脂層を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部とを備えた半導体装置であって、
前記配線部は、シード部とその上に配された導電部とからなる積層体を構成し、
該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部を備え、
該アンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材が埋設されていることを特徴とする半導体装置。 - 少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部とを備え、前記配線部は、シード部とその上に配された導電部とからなる積層体を構成し、該積層体の長手方向の側面下部にアンダーカット部を備え、該アンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材が埋設されている半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程Aと、
前記シード層上に導電層を形成する工程Bと、
前記シード層と前記導電層に加工(エッチング)を施し、シード部と導電部の積層体からなる配線部を形成する工程Cと、
前記工程Cにより前記積層体の長手方向の側面下部に発生したアンダーカット部に、絶縁性の補強部材を埋設する工程Dとを順に備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記工程Dは、少なくともアンダーカット部を埋めるとともに、前記絶縁樹脂層および前記導電部を覆うように、絶縁性の部材を形成する前工程と、
前記アンダーカット部にのみ前記絶縁性の部材を残存させ、他の領域にある該絶縁性の部材を除去する後工程からなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2005281613A JP2007095894A (ja) | 2005-09-28 | 2005-09-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009140979A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US9236349B2 (en) | 2012-08-20 | 2016-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including through via structures and redistribution structures |
JP2020047775A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2005
- 2005-09-28 JP JP2005281613A patent/JP2007095894A/ja not_active Withdrawn
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