JPH0774251A - 半導体装置へのバンプ形成方法 - Google Patents
半導体装置へのバンプ形成方法Info
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- JPH0774251A JPH0774251A JP5240304A JP24030493A JPH0774251A JP H0774251 A JPH0774251 A JP H0774251A JP 5240304 A JP5240304 A JP 5240304A JP 24030493 A JP24030493 A JP 24030493A JP H0774251 A JPH0774251 A JP H0774251A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Wire Bonding (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハー内の全半導体装置にわたって
バンプが形成できるようにする。 【構成】 半導体装置にバンプを形成する方法におい
て、下地材料としてのバリヤメタル４の上に感光性液状
レジスト５を塗布する工程と、前記感光性液状レジスト
５の上に感光性ドライフィルムレジスト７をラミネート
する工程とによってバンプ１３を形成する。
バンプが形成できるようにする。 【構成】 半導体装置にバンプを形成する方法におい
て、下地材料としてのバリヤメタル４の上に感光性液状
レジスト５を塗布する工程と、前記感光性液状レジスト
５の上に感光性ドライフィルムレジスト７をラミネート
する工程とによってバンプ１３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置にバンプを
形成するための方法に関するものである。
形成するための方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の実装方法の中には、（１）
半導体チップを、この半導体チップ上に形成されたバン
プを介して回路基板上に実装する、いわゆるフリップチ
ップ実装と呼ばれるものや、（２）半導体チップ上に形
成したバンプとキャリヤテープ上に形成したリードの一
端を接合し、もう一端のリードを回路基板に実装する、
いわゆるテープボンディング（略称「ＴＡＢ」）実装と
呼ばれるもの等があり、何れの実装にしてもバンプが必
要となる。
半導体チップを、この半導体チップ上に形成されたバン
プを介して回路基板上に実装する、いわゆるフリップチ
ップ実装と呼ばれるものや、（２）半導体チップ上に形
成したバンプとキャリヤテープ上に形成したリードの一
端を接合し、もう一端のリードを回路基板に実装する、
いわゆるテープボンディング（略称「ＴＡＢ」）実装と
呼ばれるもの等があり、何れの実装にしてもバンプが必
要となる。
【０００３】図３は従来の半導体装置におけるバンプ形
成方法の一例を示す側断面図で、図中符号４１は半導体
ウェハー、４２はAl（アルミニューム）電極パッド、４
３は表面保護用のパッシベーション膜である。そこで、
次に図３を用いて従来の半導体装置におけるバンプ形成
方法を説明する。
成方法の一例を示す側断面図で、図中符号４１は半導体
ウェハー、４２はAl（アルミニューム）電極パッド、４
３は表面保護用のパッシベーション膜である。そこで、
次に図３を用いて従来の半導体装置におけるバンプ形成
方法を説明する。
【０００４】先ず、図３の（ａ）に示すように、半導体
ウェハー４１上にAl電極パッド４２とパッシベーション
膜４３を設けたものが用意される。
ウェハー４１上にAl電極パッド４２とパッシベーション
膜４３を設けたものが用意される。
【０００５】次に、図３の（ｂ）に示すように、半導体
ウェハー４１に、Al電極パッド４２側から、Cr（クロ
ム）を0.3μｍ、Cu（銅）を0.8μｍの厚みでそれぞれ蒸
着し、バリヤメタル４４を形成する。
ウェハー４１に、Al電極パッド４２側から、Cr（クロ
ム）を0.3μｍ、Cu（銅）を0.8μｍの厚みでそれぞれ蒸
着し、バリヤメタル４４を形成する。
【０００６】次いで、図３の（ｃ）に示すように、バリ
ヤメタル４４を覆って感光性液状レジスト４５をバンプ
の高さに応じた厚み、すなわちバンプの高さよりも若干
大きくなる厚み（通常は約２５〜３０μｍ）でスピンコ
ートする。
ヤメタル４４を覆って感光性液状レジスト４５をバンプ
の高さに応じた厚み、すなわちバンプの高さよりも若干
大きくなる厚み（通常は約２５〜３０μｍ）でスピンコ
ートする。
【０００７】また、ここでの感光性液状レジスト４５の
スピンコートは、この感光性液状レジスト４５が溶剤を
含んでいるため、このスピンコートが行われた後から加
熱をし、図３の（ｄ）に示すように溶剤をガス化させて
レジスト表面の全ての面からガス４６を放出させる。
スピンコートは、この感光性液状レジスト４５が溶剤を
含んでいるため、このスピンコートが行われた後から加
熱をし、図３の（ｄ）に示すように溶剤をガス化させて
レジスト表面の全ての面からガス４６を放出させる。
【０００８】次いで、図３の（ｅ）のように、感光性液
状レジスト４５を所定のマスク４７を用いて光４８で露
光される。
状レジスト４５を所定のマスク４７を用いて光４８で露
光される。
【０００９】その後、現像される。すると、バンプ形成
用パターン４９が図３の（ｆ）のように形成される。
用パターン４９が図３の（ｆ）のように形成される。
【００１０】次いで、はんだメッキ処理が施され、バン
プ形成用パターン４９上にバンプ５０が図３の（ｇ）の
ように形成される。
プ形成用パターン４９上にバンプ５０が図３の（ｇ）の
ように形成される。
【００１１】次に、図３の（ｈ）のように感光性液状レ
ジスト４５が除去されるとともに、図３の（ｉ）のよう
にバリヤメタル４４の不要な部分もエッチングされてバ
ンプ５０の形成が終了する。
ジスト４５が除去されるとともに、図３の（ｉ）のよう
にバリヤメタル４４の不要な部分もエッチングされてバ
ンプ５０の形成が終了する。
【００１２】ところで、従来の半導体装置におけるバン
プ形成方法では、厚みの大きな感光性液状レジスト４５
をスピンコートすると、図４に示すように半導体ウェハ
ー４１の周辺部にクラウン４５ａと呼ばれるレジストだ
まりが発生することがある。そして、クラウン４５ａが
発生すると、半導体ウェハー４１の中央部と周辺部では
周辺部の方が中央部よも膜厚が大きくなると言うよう
に、同じ半導体ウェハー４１上で膜厚が異なることにな
る。したがって、理想的にはその膜厚が異なる部分毎に
露光量を変えてあげる必要がある。しかし、上記露光を
行う露光機では、同一の半導体ウェハー４１内のレジス
ト厚に応じて部分的に露光量を変化させることは困難で
ある。そこで、一般的には半導体ウェハー４１の中央部
分が最適な露光となるようにして、その全体の露光量を
調整していた。
プ形成方法では、厚みの大きな感光性液状レジスト４５
をスピンコートすると、図４に示すように半導体ウェハ
ー４１の周辺部にクラウン４５ａと呼ばれるレジストだ
まりが発生することがある。そして、クラウン４５ａが
発生すると、半導体ウェハー４１の中央部と周辺部では
周辺部の方が中央部よも膜厚が大きくなると言うよう
に、同じ半導体ウェハー４１上で膜厚が異なることにな
る。したがって、理想的にはその膜厚が異なる部分毎に
露光量を変えてあげる必要がある。しかし、上記露光を
行う露光機では、同一の半導体ウェハー４１内のレジス
ト厚に応じて部分的に露光量を変化させることは困難で
ある。そこで、一般的には半導体ウェハー４１の中央部
分が最適な露光となるようにして、その全体の露光量を
調整していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体製造装置におけるバンプ形成方法では、厚みの
大きな感光性液状レジスト４５をスピンコートする場合
に、半導体ウェハー４１の周辺部にクラウン４５ａと呼
ばれるレジストだまりが発生することがあった。そこ
で、半導体ウェハー４１内のレジスト厚に応じて露光量
を部分的に変化させることが必要であるが、部分的に露
光量を変化させることは現在の技術では難しいことから
露光むらの発生は避けられなかった。
の半導体製造装置におけるバンプ形成方法では、厚みの
大きな感光性液状レジスト４５をスピンコートする場合
に、半導体ウェハー４１の周辺部にクラウン４５ａと呼
ばれるレジストだまりが発生することがあった。そこ
で、半導体ウェハー４１内のレジスト厚に応じて露光量
を部分的に変化させることが必要であるが、部分的に露
光量を変化させることは現在の技術では難しいことから
露光むらの発生は避けられなかった。
【００１４】このため、半導体ウェハー４１では完全な
パターン形成がなされず、Al電極パッド４２上で感光性
液状レジスト４５が未現像となった場合では、図５に示
すように感光性液状レジスト４５の一部がレジスト残査
５１として残る場合がある。そして、このレジスト残査
５１が残ると、この部分は後のバンプメッキ工程におい
てもメッキ処理がされないので、この部分だけはバンプ
５０の形成ができなくなると言う問題点があった。な
お、図６はAl電極パッド４２上の感光性液状レジスト４
５が完全現像された場合を示しており、この場合ではAl
電極パッド４２上のバリヤメタル４４が露出された状態
になり、この露出されたバリヤメタル４４上にバンプ５
０が形成される。
パターン形成がなされず、Al電極パッド４２上で感光性
液状レジスト４５が未現像となった場合では、図５に示
すように感光性液状レジスト４５の一部がレジスト残査
５１として残る場合がある。そして、このレジスト残査
５１が残ると、この部分は後のバンプメッキ工程におい
てもメッキ処理がされないので、この部分だけはバンプ
５０の形成ができなくなると言う問題点があった。な
お、図６はAl電極パッド４２上の感光性液状レジスト４
５が完全現像された場合を示しており、この場合ではAl
電極パッド４２上のバリヤメタル４４が露出された状態
になり、この露出されたバリヤメタル４４上にバンプ５
０が形成される。
【００１５】一方、バンプ形成方法において、クラウン
の問題を回避するため、感光性液状レジストを使用しな
いで、予め厚みが均一に規定されている感光性ドライフ
ィルムレジスト（以下、「ＤＦＲ」と言う）を下地材料
となるバリヤメタルに直接ラミネートして使用すること
も行われているが、半導体ウェハー４１の表面に存在し
ている凹凸（粗面）のために、感光性ドライフィルムレ
ジストが半導体ウェハー４１の表面全体にわたって十分
に密着できない。
の問題を回避するため、感光性液状レジストを使用しな
いで、予め厚みが均一に規定されている感光性ドライフ
ィルムレジスト（以下、「ＤＦＲ」と言う）を下地材料
となるバリヤメタルに直接ラミネートして使用すること
も行われているが、半導体ウェハー４１の表面に存在し
ている凹凸（粗面）のために、感光性ドライフィルムレ
ジストが半導体ウェハー４１の表面全体にわたって十分
に密着できない。
【００１６】このため、微細な電極パッドピッチでなる
半導体装置に感光性ドライフィルムレジストを用いてバ
ンプ５０を形成しようとした場合では、バンプメッキ時
にメッキ液が感光性ドライフィルムレジストとバリヤメ
タル４４との間にしみ込み、隣接するバンプ同志がバン
プの下方でショートしてしまう等の問題点があった。
半導体装置に感光性ドライフィルムレジストを用いてバ
ンプ５０を形成しようとした場合では、バンプメッキ時
にメッキ液が感光性ドライフィルムレジストとバリヤメ
タル４４との間にしみ込み、隣接するバンプ同志がバン
プの下方でショートしてしまう等の問題点があった。
【００１７】また、上述したフリップチップ実装におい
て、半導体装置の信頼性をさらに向上させるにはバンプ
５０の高さを大きくすれば良いとされているが、このた
めにはさらに厚いレジスト（１５μｍ以上）を半導体ウ
ェハー４１の全面にわたって均一の厚さで塗布しなけれ
ばならない。しかし、これには従来技術のような感光性
液状レジストだけを塗布している技術では不可能であっ
た。
て、半導体装置の信頼性をさらに向上させるにはバンプ
５０の高さを大きくすれば良いとされているが、このた
めにはさらに厚いレジスト（１５μｍ以上）を半導体ウ
ェハー４１の全面にわたって均一の厚さで塗布しなけれ
ばならない。しかし、これには従来技術のような感光性
液状レジストだけを塗布している技術では不可能であっ
た。
【００１８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は全半導体装置にわたって良好なバ
ンプの形成ができるようにした半導体装置へのバンプ形
成方法を提供することにある。
のであり、その目的は全半導体装置にわたって良好なバ
ンプの形成ができるようにした半導体装置へのバンプ形
成方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明にあ
っては、半導体装置にバンプを形成する方法において、
下地材料の上に感光性液状レジストを塗布する工程と、
前記感光性液状レジストの上に感光性ドライフィルムレ
ジストをラミネートする工程とを設けることによって達
成される。
っては、半導体装置にバンプを形成する方法において、
下地材料の上に感光性液状レジストを塗布する工程と、
前記感光性液状レジストの上に感光性ドライフィルムレ
ジストをラミネートする工程とを設けることによって達
成される。
【００２０】また、好ましくは前記感光性液状レジスト
が流動性を有している仮乾燥状態で前記感光性ドライフ
ィルムレジストを加熱・加圧しながらラミネートすると
良い。
が流動性を有している仮乾燥状態で前記感光性ドライフ
ィルムレジストを加熱・加圧しながらラミネートすると
良い。
【００２１】さらに、好ましくは前記感光性ドライレジ
ストには、ラミネートする以前に穴を形成しておくと良
い。
ストには、ラミネートする以前に穴を形成しておくと良
い。
【００２２】
【作用】この方法によれば、感光性液状レジストの塗布
により半導体ウェハーの表面に存在する凹凸を吸収し、
さらに感光性液状レジストの上から感光性ドライフィル
ムレジストがラミネートされると、この感光性ドライフ
ィルムレジストにより感光性液状レジストが押圧されて
平坦化されるので、例え感光性液状レジストにクラウン
が発生してもそのクラウンも同時に平坦化されることに
なり、結局半導体ウェハー全面にわたってレジストの総
厚が均一に保持される。
により半導体ウェハーの表面に存在する凹凸を吸収し、
さらに感光性液状レジストの上から感光性ドライフィル
ムレジストがラミネートされると、この感光性ドライフ
ィルムレジストにより感光性液状レジストが押圧されて
平坦化されるので、例え感光性液状レジストにクラウン
が発生してもそのクラウンも同時に平坦化されることに
なり、結局半導体ウェハー全面にわたってレジストの総
厚が均一に保持される。
【００２３】また、感光性液状レジストと感光性ドライ
フィルムレジストを２重に重ねて使用しているのでレジ
ストの総厚を大きくすることができ、特にクリップチッ
プ実装に適したものが得られる。
フィルムレジストを２重に重ねて使用しているのでレジ
ストの総厚を大きくすることができ、特にクリップチッ
プ実装に適したものが得られる。
【００２４】さらに、感光性ドライフィルムレジストに
ラミネートする以前に上下に貫通している穴を設けてお
くと、この穴をラミネート後に感光性液状レジストの溶
剤を乾燥させるためのガス抜き用の穴として使用するこ
とができ、感光性液状レジストの乾燥は感光性ドライフ
ィルムレジストの下にあっても完全に行うことができ
る。また、感光性液状レジストに大きなクラウンが存在
していた場合には、この穴へ余分な感光性液状レジスト
が流れ込んで逃げ、半導体ウェハー全体にわたって総厚
がより均一になる。
ラミネートする以前に上下に貫通している穴を設けてお
くと、この穴をラミネート後に感光性液状レジストの溶
剤を乾燥させるためのガス抜き用の穴として使用するこ
とができ、感光性液状レジストの乾燥は感光性ドライフ
ィルムレジストの下にあっても完全に行うことができ
る。また、感光性液状レジストに大きなクラウンが存在
していた場合には、この穴へ余分な感光性液状レジスト
が流れ込んで逃げ、半導体ウェハー全体にわたって総厚
がより均一になる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装置へのバ
ンプ形成方法の一実施例を示す工程図である。
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装置へのバ
ンプ形成方法の一実施例を示す工程図である。
【００２６】図１において、バンプが形成される半導体
ウェハー１は、Si（珪素）ウェハーに回路を形成してな
る半導体ウェハーであり、半導体装置としての電気検査
が既になされている。また、図中ね符号２はAl電極パッ
ド、３は表面保護用のパッシベーション膜である。そこ
で、図１を用いて半導体装置へのバンプ形成方法を次に
説明する。
ウェハー１は、Si（珪素）ウェハーに回路を形成してな
る半導体ウェハーであり、半導体装置としての電気検査
が既になされている。また、図中ね符号２はAl電極パッ
ド、３は表面保護用のパッシベーション膜である。そこ
で、図１を用いて半導体装置へのバンプ形成方法を次に
説明する。
【００２７】先ず、図１の（ａ）に示すように、半導体
ウェハー１上にAl電極パッド２とパッシベーション膜３
を設けたものが用意される。
ウェハー１上にAl電極パッド２とパッシベーション膜３
を設けたものが用意される。
【００２８】次に、図１の（ｂ）に示すように、半導体
ウェハー１に、Al電極パッド２側から、Cr（クロム）を
0.3μｍ、Cu（銅）を0.8μｍの厚みでそれぞれ蒸着し、
下地材料としてのバリヤメタル４を形成する。
ウェハー１に、Al電極パッド２側から、Cr（クロム）を
0.3μｍ、Cu（銅）を0.8μｍの厚みでそれぞれ蒸着し、
下地材料としてのバリヤメタル４を形成する。
【００２９】次いで、図１の（ｃ）に示すように、バリ
ヤメタル４を覆って感光性液状レジスト５をバンプ高さ
に応じた厚み（通常は約２５〜３０μｍ）でスピンコー
トする。これにより、半導体ウェハー１と感光性液状レ
ジスト５は半導体ウェハー１の全面にわたって高い密着
性を持つようになる。
ヤメタル４を覆って感光性液状レジスト５をバンプ高さ
に応じた厚み（通常は約２５〜３０μｍ）でスピンコー
トする。これにより、半導体ウェハー１と感光性液状レ
ジスト５は半導体ウェハー１の全面にわたって高い密着
性を持つようになる。
【００３０】また、ここでの感光性液状レジスト５のス
ピンコートは、この感光性液状レジスト５が溶剤を含ん
でいるため、このスピンコートが行われた後で続いて加
熱させ、溶剤の４０〜９０％がガス化するまで仮乾燥さ
せて、図１の（ｄ）に示すようにレジスト表面の全ての
面からガス６を放出させる。このとき、感光性液状レジ
スト５は、未だ加圧によってクラウンが平坦になる程度
まで流動性を保持している。
ピンコートは、この感光性液状レジスト５が溶剤を含ん
でいるため、このスピンコートが行われた後で続いて加
熱させ、溶剤の４０〜９０％がガス化するまで仮乾燥さ
せて、図１の（ｄ）に示すようにレジスト表面の全ての
面からガス６を放出させる。このとき、感光性液状レジ
スト５は、未だ加圧によってクラウンが平坦になる程度
まで流動性を保持している。
【００３１】次いで、図１の（ｅ）のように、仮乾燥さ
れて未だ流動性を有している感光性液状レジスト５の上
に、約５０μｍ程度の均一な厚みを有する感光性ドライ
フィルムレジスト７を重ね、感光性液状レジスト５の表
面が均一に平坦となるように加熱・加圧しながらラミネ
ートする。なお、ここでの感光性ドライフィルムレジス
ト７は、図示せぬパンチ等の工程によって予め上下に貫
通した穴８が開けられているものを使用する。
れて未だ流動性を有している感光性液状レジスト５の上
に、約５０μｍ程度の均一な厚みを有する感光性ドライ
フィルムレジスト７を重ね、感光性液状レジスト５の表
面が均一に平坦となるように加熱・加圧しながらラミネ
ートする。なお、ここでの感光性ドライフィルムレジス
ト７は、図示せぬパンチ等の工程によって予め上下に貫
通した穴８が開けられているものを使用する。
【００３２】ここで、図２は、本工程で感光性ドライフ
ィルムレジスト７を感光性液状レジスト５上にラミネー
トした後の状態を示している側断面図である。そこで、
この感光性ドライフィルムレジスト７を感光性液状レジ
スト５上にラミネートした時の作用をさらに図２と共に
説明すると、感光性ドライフィルムレジスト７が感光性
液状レジスト５上にラミネートされる前の工程までに半
導体ウェハー１の周辺部に発生しているクラウンは、こ
の工程で加熱・加圧されると、余分な感光性液状レジス
ト５と共に穴８へ押し込まれ、結局感光性液状レジスト
５の総厚は半導体ウェハー１の中央部と周辺部で均一と
なる。
ィルムレジスト７を感光性液状レジスト５上にラミネー
トした後の状態を示している側断面図である。そこで、
この感光性ドライフィルムレジスト７を感光性液状レジ
スト５上にラミネートした時の作用をさらに図２と共に
説明すると、感光性ドライフィルムレジスト７が感光性
液状レジスト５上にラミネートされる前の工程までに半
導体ウェハー１の周辺部に発生しているクラウンは、こ
の工程で加熱・加圧されると、余分な感光性液状レジス
ト５と共に穴８へ押し込まれ、結局感光性液状レジスト
５の総厚は半導体ウェハー１の中央部と周辺部で均一と
なる。
【００３３】その後、図１の（ｆ）のように感光性液状
レジスト５を加熱によって本乾燥させる。すると、この
とき感光性ドライフィルムレジスト７の下の感光性液状
レジスト５からのガスは穴８を通じて外部へ放出され、
完全に乾燥することができる。
レジスト５を加熱によって本乾燥させる。すると、この
とき感光性ドライフィルムレジスト７の下の感光性液状
レジスト５からのガスは穴８を通じて外部へ放出され、
完全に乾燥することができる。
【００３４】以上のように２重レジストが形成される
と、図１（ｇ）のように所定のマスク１０を用いて光１
１により露光する。このとき、感光性液状レジスト５と
感光性ドライフィルムレジスト７の２種類のレジスト
は、一括して露光することができる。
と、図１（ｇ）のように所定のマスク１０を用いて光１
１により露光する。このとき、感光性液状レジスト５と
感光性ドライフィルムレジスト７の２種類のレジスト
は、一括して露光することができる。
【００３５】さらに、現像して、図１の（ｈ）のように
バンプ形成用のパターン１２をAl電極パッド２上に形成
する。
バンプ形成用のパターン１２をAl電極パッド２上に形成
する。
【００３６】また、この後、図１の（ｉ）のようにバン
プ１３の高さが７０μｍに達するまではんだメッキ処理
を行い、バンプ１３を成長させる。
プ１３の高さが７０μｍに達するまではんだメッキ処理
を行い、バンプ１３を成長させる。
【００３７】次に、感光性液状レジスト５と感光性ドラ
イフィルムレジスト７の除去を、図１の（ｊ）のように
感光性液状レジスト５の剥離剤を用いてリフトオフのよ
うに行う。なお、このレジストの除去では、感光性ドラ
イフィルムレジスト７を剥離した後、次いで感光性液状
レジスト５を剥離する等、それぞれ別工程で行っても良
いものである。
イフィルムレジスト７の除去を、図１の（ｊ）のように
感光性液状レジスト５の剥離剤を用いてリフトオフのよ
うに行う。なお、このレジストの除去では、感光性ドラ
イフィルムレジスト７を剥離した後、次いで感光性液状
レジスト５を剥離する等、それぞれ別工程で行っても良
いものである。
【００３８】また、最後にバリヤメタル４をエッチング
液でエッチングすると、図１の（ｋ）に示すようにバン
プ１３の形成が終了する。
液でエッチングすると、図１の（ｋ）に示すようにバン
プ１３の形成が終了する。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
感光性液状レジストの塗布により半導体ウェハーの表面
に存在する凹凸を吸収し、さらに感光性液状レジストの
上から感光性ドライフィルムレジストがラミネートされ
ると、この感光性ドライフィルムレジストにより感光性
液状レジストが押圧されて平坦化されるので、例え感光
性液状レジストにクラウンが発生してもそのクラウンも
同時に平坦化されることになり、結局半導体ウェハー全
面にわたってレジストの総厚が均一に保持される。その
結果、半導体ウェハーの周辺部でも半導体装置の電極部
でのレジスト残査のない完全なパターンを形成でき、こ
れによりバンプメッキできないと言うことがなくなり、
全半導体装置にわたってバンプを形成することが可能と
なる。
感光性液状レジストの塗布により半導体ウェハーの表面
に存在する凹凸を吸収し、さらに感光性液状レジストの
上から感光性ドライフィルムレジストがラミネートされ
ると、この感光性ドライフィルムレジストにより感光性
液状レジストが押圧されて平坦化されるので、例え感光
性液状レジストにクラウンが発生してもそのクラウンも
同時に平坦化されることになり、結局半導体ウェハー全
面にわたってレジストの総厚が均一に保持される。その
結果、半導体ウェハーの周辺部でも半導体装置の電極部
でのレジスト残査のない完全なパターンを形成でき、こ
れによりバンプメッキできないと言うことがなくなり、
全半導体装置にわたってバンプを形成することが可能と
なる。
【００４０】また、感光性液状レジストと感光性ドライ
フィルムレジストを２重に重ねて使用しているのでレジ
ストの総厚を大きくすることができ、特にクリップチッ
プ実装に適したものが得られる。
フィルムレジストを２重に重ねて使用しているのでレジ
ストの総厚を大きくすることができ、特にクリップチッ
プ実装に適したものが得られる。
【００４１】さらに、感光性ドライフィルムレジストに
ラミネートする以前に上下に貫通している穴を設けてお
くと、この穴をラミネート後に感光性液状レジストの溶
剤を乾燥させるためのガス抜き用の穴として使用するこ
とができるため、感光性液状レジストの乾燥は感光性ド
ライフィルムレジストの下にあっても完全に行うことが
できる。また、感光性液状レジストに大きなクラウンが
存在していた場合には、この穴へ余分な感光性液状レジ
ストが流れ込んで逃げ、半導体ウェハー全体にわたって
総厚がより均一になる等の効果が期待できる。
ラミネートする以前に上下に貫通している穴を設けてお
くと、この穴をラミネート後に感光性液状レジストの溶
剤を乾燥させるためのガス抜き用の穴として使用するこ
とができるため、感光性液状レジストの乾燥は感光性ド
ライフィルムレジストの下にあっても完全に行うことが
できる。また、感光性液状レジストに大きなクラウンが
存在していた場合には、この穴へ余分な感光性液状レジ
ストが流れ込んで逃げ、半導体ウェハー全体にわたって
総厚がより均一になる等の効果が期待できる。
【図１】本発明に係るバンプ形成方法を説明するための
概略側断面図である。
概略側断面図である。
【図２】本発明の要部工程部分を詳細に説明するための
概略側断面図である。
概略側断面図である。
【図３】従来のバンプ形成方法を説明するための概略側
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の要部工程部分を詳細に説明するための概
略側断面図である。
略側断面図である。
【図５】従来方法において未現像部となった部分を示す
概略側断面図である。
概略側断面図である。
【図６】従来方法において完全現像部となった部分を示
す概略側断面図である。
す概略側断面図である。
１ 半導体ウェハー ２ Al電極パッド ３ パッシベーション膜 ４ バリヤメタル（下地材料） ５ 感光性液状レジスト ６ ガス ７ 感光性ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ） ８ 穴 ９ ガス １０ マスク １１ 光 １２ バンプ形成要パターン １３ バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置にバンプを形成する方法にお
いて、 下地材料の上に感光性液状レジストを塗布する工程と、 前記感光性液状レジストの上に感光性ドライフィルムレ
ジストをラミネートする工程とを有することを特徴とす
る半導体装置へのバンプ形成方法。 - 【請求項２】 前記感光性液状レジストが流動性を有し
ている仮乾燥状態において前記感光性ドライフィルムレ
ジストを加熱・加圧しながらラミネートするようにした
請求項１に記載の半導体装置へのバンプ形成方法。 - 【請求項３】 前記感光性ドライレジストには、ラミネ
ートする以前に穴を形成しておくようにした請求項１に
記載の半導体装置へのバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24030493A JP3326779B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24030493A JP3326779B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774251A true JPH0774251A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3326779B2 JP3326779B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=17057472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24030493A Expired - Fee Related JP3326779B2 (ja) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326779B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257227A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP24030493A patent/JP3326779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257227A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3326779B2 (ja) | 2002-09-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |