JP2001257220A - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents

ダイアタッチペースト及び半導体装置

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奉広 鍵本
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    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のダイアタッチペーストの特性を維持し
つつ、且つ非常に短時間でも硬化が可能なペーストを提
供する。 【解決手段】 (A)ヒドロキシアルキル(メタ)アク
リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
(C)トリグリシジルイソシアヌル酸、(D)リン酸基
含有(メタ)アクリレート、(E)エポキシ基を有する
アルコキシシラン、(F)有機過酸化物及び/又はアゾ
化合物、(G)無機フィラーからなり、該(F)成分の
添加割合が、成分(A)、成分(B)及び成分(C)の
総重量に対し0.1〜5重量%であることを特徴とする
ダイアタッチペーストである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着性、速硬化性
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】最近のコンピューターの普及に伴い半導
体パッケージの生産量は年々増加しており、これに伴い
製造コストの削減は重要な課題となっている。半導体パ
ッケージ組立の中にダイアタッチペーストで半導体とリ
ードフレームを接着する工程が有るが、この工程におい
て時間短縮及び低温硬化がキーポイントになっている。
ダイアタッチペーストの硬化方法としては、バッチ式オ
ーブン法、インラインで硬化させる方法に大別される
が、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用いた
通常のダイマウントは、200℃以上の熱盤上で60秒
以上の時間をかけて行われる。しかし、更に低温、短時
間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
【0003】一方、パッケージとしての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、半田接着時に高温下
にさらされた場合でもダイアタッチペースト層の剥離か
ら生じるパッケージのクラックを阻止するために、ダイ
アタッチペーストには特に低応力性、吸湿処理後の接着
性が要求されている。
【0004】ダイアタッチペーストのベースレジンはエ
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等
が知られているが、例えば60秒以内に硬化が可能であ
り、それぞれの用途に適した特性(接着性、低応力性
等)を満足する材料は全く見いだされていなかった。
又、特性を満足したとしても常温での粘度上昇が激しす
ぎ、使用に適さない材料しかなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のダイ
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)ヒドロ
キシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリ
コール及びジイソシアネートを反応させて得られるウレ
タンジ(メタ)アクリレート、(B)(メタ)アクリル
基を有する反応性希釈剤、(C)トリグリシジルイソシ
アヌル酸、(D)一般式(1)で示されるリン酸基含有
(メタ)アクリレート、(E)エポキシ基を有するアル
コキシシラン、(F)有機過酸化物及び/又はアゾ化合
物、(G)無機フィラーからなり、該(F)成分の添加
割合が、成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重
量に対し0.1〜5重量%であるダイアタッチペースト
である。
【化2】
【0007】更に好ましい形態としては、該(A)ヒド
ロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコール
及びジイソシアネートを反応させて得られるウレタンジ
(メタ)アクリレートと該(B)(メタ)アクリル基を
有する反応性希釈剤との重量比が80/20から20/
80であるダイアタッチペーストである。また、上記の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置で
ある。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるアクリレート
樹脂は、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリ
アルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させ
て得られるウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)
アクリル基を有する反応性希釈剤の重量比が80/20
〜20/80である事が好ましい。ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジ
イソシアネートを反応させて得られるウレタンジ(メ
タ)アクリレートの割合が、80/20より高いとペー
スト粘度が高すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、
20/80より小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。
【0009】本発明に用いられるウレタンジ(メタ)ア
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル酸
又はメタクリル酸、ポリアルキレングリコール、ジイソ
シアネートの反応により合成される。ヒドロキシアルキ
ルアクリル酸又はメタクリル酸の例としては、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート等がある。ポリア
ルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコ
ールやポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコ
ール等がある。又、ジイソシアネートの例としてはヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシア
ネート、トルエンジイソシアネート及びその水素添加物
等がある。
【0010】ウレタンジ(メタ)アクリレートと混合す
る(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤の例として
は、
【化3】 等のモノ(メタ)アクリレートや、ジメチロールトリシ
クロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)
アクリレートが挙げられ、これらの内の1種類あるいは
複数種と併用可能である。
【0011】該(C)トリグリシジルイソシアヌル酸の
添加量は成分(A)及び成分(B)の総重量に対して、
0.01≦(C)/((A)+(B))≦0.5である
ことが好ましい。0.01を下回ると吸湿処理後の接着
性に効果を示さず、0.5より多いとペースト粘度が高
すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。
【0012】一般式(1)で示されるリン酸基含有(メ
タ)アクリレート(D)としては、例えば、モノ(2−
メタクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、
ジ(2−メタクリロイルオキシエチル)アシッドホスフ
ェート、モノ(2−アクリロイルオキシエチル)アシッ
ドホスフェート、ジ(2−アクリロイルオキシエチル)
アシッドホスフェート等 があり、成分(E)
としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)
エチルトリメトキシシラン等 がある。
【0013】次に、成分(D)とエポキシ基を有するア
ルコキシシラン(成分(E))の総添加量は、成分
(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に対して、
0.001≦((D)+(E))/((A)+(B)+
(C))≦0.1であることが好ましい。0.001を
下回ると接着性に効果を示さず、0.1より多いと硬化
中のボイドにより、接着性が低下する。
【0014】本発明において成分(D)と成分(E)は
必須成分であり、一方が欠けても本発明を具現する事は
できない。その構成比は0.1≦(D)/(E)≦10
であることが好ましい。0.1を下回るとリン酸基の濃
度が低くなり、リードフレーム界面への効果が低下す
る。また、10を越えるとリン酸基の濃度が高くなり必
要以上に接着界面に作用し接着性を低下させてしまう。
【0015】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
【0016】本発明で用いられる有機過酸化物の例とし
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
【0017】これら有機過酸化物、アゾ化合物は単独あ
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
【0018】これら有機過酸化物、アゾ化合物の添加量
は、成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に
対して、0.1重量%から5重量%であることが好まし
い。5重量%より多いとペーストの粘度経時変化が大き
く作業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬
化性が著しく低下するので好ましくない。
【0019】本発明に用いる無機フィラーとしては、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
【0020】導電性を付与するフィラーとしては銀粉が
好ましく、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイ
オン性不純物の含有量は10ppm以下であることが好
ましい。また、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝
状、球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好まし
い。また、比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用
いることもでき、形状についても各種のものを便宜混合
してもよい。
【0021】次に、絶縁フィラーの一つであるシリカフ
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
【0022】本発明におけるダイアタッチペーストは、
必要により消泡剤、界面活性剤、エラストマー等の添加
剤を用いることができる。
【0023】本発明のダイアタッチペーストの製造方法
としては、例えば、予備混合し、三本ロール等を用いて
ペーストを得た後、真空下脱泡して製作する。本発明の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置
は、信頼性、生産性の高い半導体装置である。半導体装
置の製造方法は従来の公知の方法を使用することが出来
る。
【0024】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 <実施例1〜8>ヒドロキシアルキルアクリル酸、ポリ
アルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させ
て得られるウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・
製、M−1600)、下記の構造式で示されるモノアク
リレート又はジアクリレート、トリグリシジルイソシア
ヌル酸(日産化学工業(株)・製、TEPIC)、カッ
プリング剤としてリン酸基含有メタクリレート(日本化
薬(株)・製、PM−21)及び脂環式エポキシアルコ
キシシラン(信越化学工業(株)・製、KBM30
3)、重合開始剤として下記の有機過酸化物1、2及び
アゾ化合物、更に無機フィラーとして平均粒径3μm、
最大粒径20μmのフレーク状銀粉、又は平均粒径5μ
m、最大粒径20μmのシリカフィラーを表1のように
配合し、3本ロールを用いて混錬し、脱泡後ダイアッッ
チペーストを得た。得られたペーストを以下の方法によ
り評価した。
【0025】<評価方法> ・粘度:25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5rp
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ダイアタッチペーストを用いて、6×6m
mのシリコンチップを銅フレームにマウントし、所定の
硬化条件で硬化した。硬化後及び硬化後85℃/85%
RH/72時間処理後、自動せん断強度測定装置(DA
GE社製、PC2400)を用いて250℃での熱時ダ
イシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをダイアタッチペーストを用いてマウントし、
所定の硬化条件で硬化後、外観を目視でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。
【0026】・ワイヤーボンディング処理時の剥離:リ
ードフレームに6mm×15mmのチップをダイアタッ
チペーストを用いてマウントし、所定の硬化条件で硬化
後、250℃にてワイヤーボンディング処理を行ない、
ペレットの接着状態を観察した。剥離が無ければ良好、
剥離が観察されれば不良とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00μmの銅フレームに6mm×15mm×0.3mm
のシリコンチップをダイアタッチペーストを用いてペー
スト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗さ計を用
いて、長手方向のチップの変位を測定しその高低差によ
り反り量を測定した。
【0027】・耐パッケージクラック性:スミコンEM
E−7320(住友ベークライト(株)製)の封止材料
を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃/6
0%RH/168時間吸水処理した後、IRリフロー
(240℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラ
ックの数を測定し、耐パッケージクラック性の指標とし
た。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
【0028】<比較例1〜7>表2に示した組成の各成
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
【0029】評価結果を表1及び表2に示す。
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
【化4】
【0032】有機過酸化物1:日本油脂(株)・製、キュ
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)・製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)・製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
【0033】
【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、柔軟
な構造のウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤との組み合わせにより低
応力性に優れ、更にトリグリシジルイソシアヌル酸を加
えることにより吸湿後の接着性が向上し、その結果優れ
た耐半田クラック性が発現された速硬化性ペーストであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 163/00 C09J 163/00 175/14 175/14 183/06 183/06 Fターム(参考) 4J036 AB17 DC48 DD07 EA02 EA04 EA09 FA02 FA03 FA04 FA05 GA28 JA07 KA03 4J040 DF041 DF042 DF051 DF052 DF062 EC131 EC132 EF071 EF072 EF131 EF132 FA202 GA11 GA19 GA27 HA066 HA116 HA196 HA206 HA306 HB41 HC14 HD32 HD35 JA05 JA12 JB02 KA14 KA24 KA32 KA42 LA03 LA06 LA08 LA09 MA02 MA04 NA09 NA20 PA24 PA30 5F047 AA11 BA23 BA34 BA53 BB11

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)ヒドロキシアルキル(メタ)アク
    リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
    トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
    ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
    (C)トリグリシジルイソシアヌル酸、(D)一般式
    (1)で示されるリン酸基含有(メタ)アクリレート、
    (E)エポキシ基を有するアルコキシシラン、(F)有
    機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(G)無機フィラー
    からなり、該(F)成分の添加割合が、成分(A)、成
    分(B)及び成分(C)の総重量に対し0.1〜5重量
    %であることを特徴とするダイアタッチペースト。 【化1】
  2. 【請求項2】 該(A)ヒドロキシアルキル(メタ)ア
    クリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネ
    ートを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレ
    ートと該(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈
    剤との重量比が80/20から20/80である請求項
    1記載のダイアタッチペースト。
  3. 【請求項3】 該(C)トリグリシジルイソシアヌル酸
    の添加量が成分(A)及び成分(B)の総重量に対し
    て、0.01≦(C)/((A)+(B))≦0.5で
    ある請求項1及び2記載のダイアタッチペースト。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のダイア
    タッチペーストを用いて製作した半導体装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179275A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
JP2004186525A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd エリア実装型半導体装置
JP2005247896A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2008031357A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
WO2011052161A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 日本化薬株式会社 光半導体封止用硬化性樹脂組成物、及びその硬化物
CN110494528A (zh) * 2017-01-17 2019-11-22 陶氏(上海)投资有限公司 制备硅酮压敏性粘合剂的方法
CN112877009A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 烟台元申新材料有限公司 一种ic封装用导电胶及其制备方法
CN113025247A (zh) * 2021-03-17 2021-06-25 东莞市德聚胶接技术有限公司 一种低吸水率的双组份热固环氧胶及其制备方法和用途
WO2022014625A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 京都エレックス株式会社 導電性接着剤組成物

Citations (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296879A (ja) * 1989-05-11 1990-12-07 Nitto Denko Corp 光硬化型接着剤組成物
JPH07292048A (ja) * 1994-04-28 1995-11-07 Denki Kagaku Kogyo Kk 硬化性樹脂組成物
JPH0853655A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JPH09100450A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JPH1135903A (ja) * 1997-07-14 1999-02-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JPH1160654A (ja) * 1997-08-19 1999-03-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JPH1161086A (ja) * 1997-08-19 1999-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JPH11172205A (ja) * 1997-12-11 1999-06-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペーストの製造方法
JPH11171943A (ja) * 1997-12-16 1999-06-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11189763A (ja) * 1997-09-29 1999-07-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11189747A (ja) * 1997-09-18 1999-07-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11199758A (ja) * 1998-01-09 1999-07-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11265902A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11265901A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11269452A (ja) * 1998-03-25 1999-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11293213A (ja) * 1998-04-10 1999-10-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペーストの製造方法
JPH11335630A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000017246A (ja) * 1998-07-06 2000-01-18 Lintec Corp 粘接着剤組成物および粘接着シート
JP2000044905A (ja) * 1998-03-18 2000-02-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤及びそれを用いた電子機器
JP2000063452A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 絶縁性ダイアタッチペースト
JP2000234083A (ja) * 1998-10-13 2000-08-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤の製造方法及びその方法により製造された接着剤を用いて製作された電子機器
JP2000256641A (ja) * 1999-03-04 2000-09-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤及びそれを用いた電子機器
JP2000265120A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000265117A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000290597A (ja) * 1999-04-09 2000-10-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2001115132A (ja) * 1999-10-15 2001-04-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001126541A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム及び電気・電子部品
JP2001181595A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001223225A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP2001254058A (ja) * 2000-01-06 2001-09-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001257219A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置

Patent Citations (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296879A (ja) * 1989-05-11 1990-12-07 Nitto Denko Corp 光硬化型接着剤組成物
JPH07292048A (ja) * 1994-04-28 1995-11-07 Denki Kagaku Kogyo Kk 硬化性樹脂組成物
JPH0853655A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JPH09100450A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Lintec Corp 粘接着テープおよびその使用方法
JPH1135903A (ja) * 1997-07-14 1999-02-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JPH1161086A (ja) * 1997-08-19 1999-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JPH1160654A (ja) * 1997-08-19 1999-03-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JPH11189747A (ja) * 1997-09-18 1999-07-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11189763A (ja) * 1997-09-29 1999-07-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11172205A (ja) * 1997-12-11 1999-06-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペーストの製造方法
JPH11171943A (ja) * 1997-12-16 1999-06-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11199758A (ja) * 1998-01-09 1999-07-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11265901A (ja) * 1998-03-17 1999-09-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000044905A (ja) * 1998-03-18 2000-02-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤及びそれを用いた電子機器
JPH11265902A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11269452A (ja) * 1998-03-25 1999-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JPH11293213A (ja) * 1998-04-10 1999-10-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペーストの製造方法
JPH11335630A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000017246A (ja) * 1998-07-06 2000-01-18 Lintec Corp 粘接着剤組成物および粘接着シート
JP2000063452A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 絶縁性ダイアタッチペースト
JP2000234083A (ja) * 1998-10-13 2000-08-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤の製造方法及びその方法により製造された接着剤を用いて製作された電子機器
JP2000256641A (ja) * 1999-03-04 2000-09-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤及びそれを用いた電子機器
JP2000265120A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000265117A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2000290597A (ja) * 1999-04-09 2000-10-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト
JP2001115132A (ja) * 1999-10-15 2001-04-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001126541A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム及び電気・電子部品
JP2001181595A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001254058A (ja) * 2000-01-06 2001-09-18 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
JP2001223225A (ja) * 2000-02-07 2001-08-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP2001257219A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179275A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置
JP2004186525A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd エリア実装型半導体装置
JP2005247896A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP2008031357A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
WO2011052161A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 日本化薬株式会社 光半導体封止用硬化性樹脂組成物、及びその硬化物
CN110494528A (zh) * 2017-01-17 2019-11-22 陶氏(上海)投资有限公司 制备硅酮压敏性粘合剂的方法
CN110494528B (zh) * 2017-01-17 2022-05-03 陶氏(上海)投资有限公司 制备硅酮压敏性粘合剂的方法
WO2022014625A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 京都エレックス株式会社 導電性接着剤組成物
JP2022019451A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 京都エレックス株式会社 導電性接着剤組成物
CN112877009A (zh) * 2021-01-18 2021-06-01 烟台元申新材料有限公司 一种ic封装用导电胶及其制备方法
CN113025247A (zh) * 2021-03-17 2021-06-25 东莞市德聚胶接技术有限公司 一种低吸水率的双组份热固环氧胶及其制备方法和用途
CN113025247B (zh) * 2021-03-17 2021-11-23 东莞市德聚胶接技术有限公司 一种低吸水率的双组份热固环氧胶及其制备方法和用途

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