JP3313053B2 - ダイアタッチペーストの製造方法 - Google Patents

ダイアタッチペーストの製造方法

Info

Publication number
JP3313053B2
JP3313053B2 JP34176397A JP34176397A JP3313053B2 JP 3313053 B2 JP3313053 B2 JP 3313053B2 JP 34176397 A JP34176397 A JP 34176397A JP 34176397 A JP34176397 A JP 34176397A JP 3313053 B2 JP3313053 B2 JP 3313053B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
die attach
attach paste
producing
represented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP34176397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11172205A (ja
Inventor
克利 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP34176397A priority Critical patent/JP3313053B2/ja
Publication of JPH11172205A publication Critical patent/JPH11172205A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3313053B2 publication Critical patent/JP3313053B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低応力性、接着性
及び速硬化性に優れた半導体接着用ペーストの製造方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年半導体パッケージの生産量は増加の
一歩をたどっており、これに伴い製造コスト削減は重要
な課題となっている。半導体パッケージ組立の中で、ダ
イアタッチペーストで半導体とリードフレームを接着す
る工程が有るが、この工程に関しては時間短縮、及び低
温硬化がポイントになっている。硬化の過程はバッチ式
オーブン法、インライン(熱盤等)で硬化させる方法に
大別されるが、コスト削減という観点からいずれの方法
でも硬化時間の短縮が重要となっている。インラインで
用いられるいわゆる速硬化性ペーストを用いた場合、通
常のダイマウントは、150℃から200℃で30秒か
ら60秒の間で行われる。しかし今後は更に低温、短時
間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
【0003】更に 、オーブン硬化の場合も同様に生産
性の向上が要求されているので、硬化時間の短縮が不可
欠となる。オーブン硬化の場合、通常のダイマウントは
150℃から200℃で60分から120分の間で行わ
れるが、今後は20分以内で硬化させることが要求され
るようになる。また現在はオーブン硬化からインライン
硬化へと移る過渡期にあるため、完全にインライン硬化
のみに絞り込むことはできない。従って、オーブン/イ
ンライン硬化併用ペーストの開発も併せて要求されてい
る。一方、パッケージとしての信頼性は、特に耐半田ク
ラック性が重要であるが、ダイアタッチペーストとして
は特に低応力性、高接着性が必要である。
【0004】ダイアタッチペーストのベースレジンはエ
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、等
が知られているが、例えばインライン硬化で30秒以内
に硬化が可能及び/又はオーブン硬化で15分以内で硬
化が可能であり且つ耐半田クラック性に適した特性を維
持する材料は全く見いだされていなかった。又、特性を
満足したとしても常温での粘度上昇が激しすぎ使用に適
さない材料しかなかった。
【0005】その他の樹脂としてはアクリレート樹脂が
あるが、硬化収縮の問題、接着性が乏しい等実用性のあ
るものは見いだされていなかった。その中でもヒドロキ
シアルキルアクリル、ジアルキレングリコール、ジイソ
シアネートを反応させて得られるウレタンアクリレート
は主鎖骨格の柔軟性から低応力化が期待される樹脂系で
ある。しかし、この樹脂単独では応力性に優れているも
のの、依然接着力に乏しく問題があった。そこで、この
問題を解決する方法として、成分A,C,E,F(但し
一般の導電紛)を用いる方法が特開平7ー292048
号公報等で提案されている。しかしながら本発明者らの
検討により、半導体分野において、半導体チップを金属
のリードフレーム又はガラスーエポキシ樹脂を代表とす
る有機基板との接着に対してはそれらの成分のみでは全
く接着強度が得られない事が判明した。これは、半導体
チップとリードフレームに金線等を取り付ける工程(以
下ワイヤーボンディングという)には200℃以上まで
温度を上げる必要があるためであり、前記構成要素のみ
では熱時接着力が全く得られず、本発明用途のような高
温時(200℃〜350℃)における無機表面と有機物
の密着性には更なる改良が必要であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記アクリ
レート樹脂の欠点を改良し、低応力性、接着性及び速硬
化性に優れたダイアタッチペーストの製造方法を提供す
るものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記アク
リレート樹脂の欠点を改良すべく検討を行った結果、特
定のアクリレート樹脂、重合開始剤、カップリング剤と
しての特定のリン酸系化合物及び脂環式エポキシ基を含
むアルコキシシラン、及び銀粉を組み合わせたところ、
前記半導体チップと金属フレーム又は有機基板との接着
性が優れていることを見いだした。しかし、ペースト製
造工程において接着剤全成分を混練し得られたペースト
の可使時間(粘度が10%上昇する時間)が著しく悪く
なり、長時間、正確な塗布量を要求されるダイアタッチ
用途には問題があることがわかった。そこで原因を追究
した結果、銀粉又は銀粉+重合開始剤以外を予め混練
し、それぞれ常温又は加温状態で所定の時間静置し、脂
環式エポキシ基アルコキシシランとリン酸基を有する
(メタ)アクリレートを希釈条件下において十分に反応
させた後、残りの成分を配合し混練することによりペー
スト可使時間が充分に延長されることを見いだした。更
に得られたペーストは、優れた接着性、低応力性、耐半
田クラック性を維持し、且つ非常に短時間でも硬化が可
能なダイアタッチペーストであることを見いだし、本発
明を完成させるに至ったものである。
【0008】すなわち本発明は、(A)ヒドロキシアル
キルアクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソ
シアネートを反応させて得られるウレタンジアクリレー
ト、(B)一般式(1a)で示されるモノアクリレート
又は一般式(1b)で示されるモノメタクリレート、
(C)一般式(2)で示されるリン酸基含有アクリレー
ト又は一般式(3)で示されるリン酸基含有メタクリレ
ート、(D)脂環式エポキシ基を有するアルコキシシラ
ン、(E)重合開始剤、及び(F)銀粉を必須成分とす
るダイアタッチペーストにおいて、成分A〜成分Eを配
合後、0℃〜50℃で1時間〜30日間静置した後に成
分Fを添加、又は成分A〜成分Dを配合後に0℃〜50
℃で1時間〜30日間静置した後に成分E及び成分Fを
添加するすることを特徴とするダイアタッチペーストの
製造方法である。
【0009】
【化1】 (式中、R1:脂環族基、及び/又は芳香族基を含み、炭
素数10以上の置換基)
【0010】
【化2】 (式(2)中、a:0又は1、b:1又は2、c:1又は2、b+c=
3)
【0011】
【化3】 (式(3)中、a:0又は1、b:1又は2、c:1又は2、b+c=
3)
【0012】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるウレタンジア
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル
酸、ポリアルキレングリコール、ジイソシアネートの反
応により合成される。
【0013】ヒドロキシアルキルアクリル酸の例として
は2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシ
プロピルアクリレートがある。ポリアルキレングリコー
ルの例としてはポリエチレングリコールやポリプロピレ
ングリコール、ポリブチレングリコール等がある。又、
ジイソシアネートの例としてはヘキサメチレンジイソシ
アネート、イソフォロンジイソシアネート、トルエンジ
イソシアネート及びその水素添加物等がある。
【0014】また、一般にウレタンジアクリレートは粘
度が高いためこのままではペースト化しても塗布作業性
が悪く実用に適さない。そこで希釈剤として(メタ)ア
クリル基を一つ含むモノ(メタ)アクリレートを添加す
る。更に本発明に使用されるモノ(メタ)アクリレート
は式(1a)又は(1b)で示され、さらには置換基R
1が脂環族、及び/又は芳香族基を含み置換基R1中の全
炭素数が10個以上であることが必須である。この条件
を満たす事により希釈剤としての効果だけでなく嵩高い
置換基を有するため硬化中の収縮を押さえることがで
き、界面の接着信頼性を高めることができる。脂環族、
芳香族基を含まず炭素数が10個以上の置換基の場合は
硬化収縮に関しては低減できるが脂肪族炭化水素の特性
により接着性が低下してしまうので好ましくない。モノ
(メタ)アクリレートの例としては、一般式(1a)又
は(1b)のR1が、
【0015】
【化4】
【0016】等が挙げられる。ウレタンジアクリレート
とモノアクリレートの比は重量比で80/20〜20/
80である事が好ましい。ウレタンジアクリレート量が
80/20を超えるとペースト粘度が高すぎて塗布作業
性が悪くなる。一方、20/80よりも少ないと、接着
強度が得られなくなる。
【0017】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(試料1gを電熱板の上にのせ4℃/分で昇温したと
きの分解開始温度)における分解温度が40℃から14
0℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満たな
い場合は、常温における保存性が悪くなり、140℃を
超えると硬化時間が極端に長くなるためである。
【0018】有機過酸化物の例としては、キュミルパー
オキシネオデカネート、t−ブチルパーオキシネオデカ
ネート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオ
キシネオデカネート、1,1,3,3−テトラメチルブ
チルパーオキシネオデカネート、1,1,3,3−テト
ラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサネート、
ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−ブチルパーオ
キシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ3,5,5−
トリメチルヘキサネート、t−ブチルパーオキシ−2−
エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオ
キシ−2−エチルヘキサネート等があり、アゾ化合物の
例としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、
1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1−フェニルエ
タン)等がある。
【0019】これら有機過酸化物及び/又はアゾ化合物
は単独あるいは硬化性を制御するため2種類以上を混合
して用いることもできる。更に、樹脂の保存性を向上す
るために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可能
である。
【0020】これら有機過酸化物及び/又はアゾ化合物
の添加量としては、ウレタンジアクリレート+モノアク
リレート総重量に対して0.1重量%から5重量%であ
ることがることが好ましく、0.1%以下だと硬化速度
が遅くなり、5重量%以上だと接着強度が低下するので
好ましくない。
【0021】次に銀粉の例としては、球状又はフレーク
状の銀粉がある。平均粒径としては、0.5μm〜15
μmが好ましい。平均粒径が0.5μmより小さいと製
品粘度が高くなり、ロール等の混練が不可能となり、ま
た平均粒径が15μmより大きいとディスペンサー等を
用いたペースト塗布時のノズル詰まり、または接着剤層
の厚みが制御しにくく好ましくない。添加量としては、
全ペーストに対し60重量%から85重量%の範囲であ
ることが好ましい。60%に満たない場合、体積抵抗率
が高くなり、85%を超えるとペースト粘度が高くな
り、塗布作業性において好ましくない。
【0022】次に、脂環式エポキシ基を含むアルコキシ
シランとは例えば、信越化学工業(株)・製、KBM−3
03等が知られている。
【0023】式(2)又は式(3)で示されるアクリレ
ート又はメタクリレート(成分C)と脂環式エポキシ基
を含むアルコキシシラン(成分D)の総添加量はウレタ
ンジアクリレート+モノアクリレート総重量に対して
0.1重量%から5重量%であることが好ましい。0.
1%以下だと接着性に効果を示さず、5%より多いと粘
度が著しく上昇する。
【0024】更には、本発明において成分Cと成分Dは
必須成分であり一方がかけても本発明を具現化する事は
できない。その構成比は特に限定されないが好ましくは
C/D=0.1から10である。この場合、成分Cと成
分Dを、成分A〜成分D又は成分A〜成分Eを配合後、
即ち希釈条件下にて静置することにより反応させ、そこ
に成分F又はF+Eを添加することが必須であり、静置
なしで成分F又はF+Eを添加すると、全成分配合後に
粘度が経時的に上昇したり接着強度が低下したりする。
この場合の静置とは、0℃〜50℃、好ましくは常温
(25℃)において1時間〜30日間保存することであ
る。希釈条件下における成分Cと成分Dの反応には最低
限1時間程度必要であり、1時間より静置時間が短いと
粘度が安定しにくく、30日以上静置すると特に重合開
始剤を前もって添加した場合重合開始剤の分解によるラ
ジカル反応が起こり始め粘度が上昇する。また、常温以
上(30℃以上)で処理する場合は成分F+Eを後から
配合する場合に限られる。Fのみを後で配合する場合、
静置条件を30℃以上にすると重合開始剤が徐々に分解
し、系全体の粘度上昇を引き起こす。50℃以上で静置
した場合、成分Eの有無にかかわらず粘度上昇を引き起
こし、0℃以下で静置した場合、静置後の吸湿が接着力
を低下させる要因となる。
【0025】本発明における樹脂ペーストは必要により
前述の重合禁止剤、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加
剤を用いることができる。
【0026】以下本発明を実施例で具体的に説明する。
【0027】
【実施例】 実施例1〜2 ヒドロキシエチルアクリレート、ポリブチレングリコール、イソフォロンジイソ シアネートから成るウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・製、Mー1600 ) 50重量部 2-フェニルフェノール・オキシシラン付加物モノアクリレート(新中村化学工業 (株)・製、A−L4) 25重量部 フェノキシジエチレングリコールモノアクリレート(新中村化学工業(株)・製、 AMP−20GY) 25重量部 リン酸基含有メタクリレート(日本化薬(株)、KAYAMER,PM−21) 1重量部 脂環式エポキシアルコキシシラン(信越化学工業(株)、KBM−303) 0.5重量部 有機過酸化物開始剤(日本油脂(株)、パークミルND) 1.4重量部
【0028】上記原材料を3本ロールにて混練、透明均
一粘稠溶液とした後に25℃恒温器中にて一週間静置す
る。得られた溶液(ワニスという)25重量部に対し
て、銀粉(デグサ社製、SF−65)65重量部及び銀
粉((株)徳力化学研究所・製、TCGー1)10重量部
を混合し、再度3本ロールにて分散混練する。続いて真
空下脱泡処理をして銀ペーストを得た。
【0029】得られた銀ペーストの粘度は、E型回転粘
度計を用いて調製直後及び1週間経過後(25℃下)に
測定、2.5rpmでの値から粘度上昇率を算出した。
その結果、粘度上昇率は約9%に留まり、冷凍保存しな
くても長期保存可能であることが明らかになった。更に
42アロイ製フレームに得られた銀ペーストを塗布後6
mm角のチップをマウントし、オーブン中(150℃1
5分)又は熱盤上(175℃60秒)にて硬化させた。
接着強度は常温(25℃)及び熱時(250℃)にて自
動せん断強度測定装置を用いて測定した。その結果、ワ
イヤーボンディング温度(約250℃)においても十分
な接着強度が得られることが確認され、超音波探傷機を
用いてもチップの剥離は全く観測されなかった(表1に
示す)。
【0030】その他の評価方法 ワイヤーボンディング後の剥離:リードフレームに6m
m×15mmのチップをマウント後硬化し、250℃に
てワイヤーボンディングを行いチップの剥離の有無を観
察した。
【0031】反り値:低応力性の評価として測定した。
厚み200μmの銅フレームに6mm×15mm×0.
3mmのシリコンチップをペーストを用いて175℃6
0秒でペースト厚が20μmになるように接着し、接触
式表面粗さ計を用いて長手方向のチップの変位を測定し
その高低差により反り値を測定した。
【0032】耐半田クラック性:スミコンEME−73
20(住友ベークライト(株)・製)の封止材料を用い、
下記の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度8
5%、168時間吸水処理した後、IRリフロー(24
0℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラックの
数を測定し耐半田クラック性の指標とした。
【0033】 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm) チップサイズ:7.5x7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:42アロイ 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12 総合評価:ダイアタッチペーストとして使用できるもの
を○、使用不可能なものを×として評価した。
【0034】実施例3〜8、比較例1〜8 表1及び表2に示した組成、条件以外は全く実施例1〜
2と同一の方法にて銀ペーストを得、その特性を評価し
た。結果は表1及び表2に示してあるとおりである。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【化5】
【0038】
【化6】 但し、m+n=3(新中村化学工業(株)・製、A-BPE-3)
【0039】重合開始剤1:日本油脂(株)・製、キュミ
ルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における分
解温度:65℃) 重合開始剤2:日本油脂(株)・製、t−ブチルパーオキ
シイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験におけ
る分解温度:108℃) 重合開始剤3:和光純薬工業(株)・製、2,2’−アゾ
ビスイソブチロニトリル重合開始剤4:日本油脂(株)・
製、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−
2−エチルヘキサネート(急速加熱試験における分解温
度:81℃) 成分C:一般式(3)においてa=1,b=1,c=2 成分D:脂環式エポキシ基含有アルコキシシラン(信越
化学工業(株)・製、KBM−303) カップリング剤1:エポキシ基含有アルコキシシラン
(信越化学工業(株)・製、KBM−403E) カップリング剤2:メタクリル基含有アルコキシシラン
(信越化学工業(株)・製、KBM−503) 銀粉1:デグサ社製、SF−65(平均粒径11μm)
【0040】
【発明の効果】本発明により、低応力性及び速硬化性の
他に、従来の課題であった保存性及び接着性を併せ持っ
た工業的に有用な半導体接着用ペーストが製造可能とな
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/52 H01L 21/52 E // C08F 290/06 C08F 290/06 (C08F 290/06 (C08F 290/06 220:18 220:18 230:02) 230:02) (56)参考文献 特開 平3−160077(JP,A) 特開 昭57−16083(JP,A) 特開 平11−189763(JP,A) 特開 平11−60654(JP,A) 特開 平11−61086(JP,A) 特開 平11−189747(JP,A) 特開 平11−71436(JP,A) 特開 平9−100450(JP,A) 特開 平7−25957(JP,A) 特開 平6−87938(JP,A) 特開 昭63−284213(JP,A) 特開 昭61−7369(JP,A) 特開 平7−48422(JP,A) 特開 昭64−11108(JP,A) 特開 平7−292048(JP,A) 特表 平7−508555(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C09J 1/00 - 201/10 H01B 1/22 H01L 21/52 C08F 290/00 - 290/14 C08F 299/00 - 299/08

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)ヒドロキシアルキルアクリル
    酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネートを
    反応させて得られるウレタンジアクリレート、(B)一
    般式(1a)で示されるモノアクリレート又は一般式
    (1b)で示されるモノメタクリレート、(C)一般式
    (2)で示されるリン酸基含有アクリレート又は一般式
    (3)で示されるリン酸基含有メタクリレート、(D)
    脂環式エポキシ基を有するアルコキシシラン、(E)重
    合開始剤、及び(F)銀粉を必須成分とするダイアタッ
    チペーストにおいて、成分A〜成分Eを配合後、0℃〜
    50℃で1時間〜30日間静置した後に成分Fを添加す
    ることを特徴とするダイアタッチペーストの製造方法。 【化1】 (式中、R1:脂環族基、及び/又は芳香族基を含み、炭
    素数10以上の置換基) 【化2】 (式(2)中、a:0又は1、b:1又は2、c:1又は2、b+c=
    3) 【化3】 (式(3)中、a:0又は1、b:1又は2、c:1又は2、b+c=
    3)
  2. 【請求項2】 (A)ヒドロキシアルキルアクリル酸、
    ポリアルキレングリコール及びジイソシアネートを反応
    させて得られるウレタンジアクリレート、(B)一般式
    (1a)で示されるモノアクリレート又は一般式(1
    b)で示されるモノメタクリレート、(C)一般式
    (2)で示されるリン酸基含有アクリレート又は一般式
    (3)で示されるリン酸基含有メタクリレート、(D)
    脂環式エポキシ基を有するアルコキシシラン、(E)重
    合開始剤、及び(F)銀粉を必須成分ととするダイアタ
    ッチペーストにおいて、成分A〜成分Dを配合後、0℃
    〜50℃で1時間〜30日間静置した後に成分E及び成
    分Fを添加することを特徴とするダイアタッチペースト
    の製造方法。
  3. 【請求項3】 成分Aと成分Bの比が、重量比で80/
    20〜20/80である請求項1又は2記載のダイアタ
    ッチペーストの製造方法。
  4. 【請求項4】 成分Eが、急速加熱試験における分解温
    度が40℃〜140℃である有機過酸化物、及び/又は
    アゾ化合物である請求項1、2又は3記載のダイアタッ
    チペーストの製造方法。
  5. 【請求項5】 成分Eの添加量が、成分A+成分B総重
    量に対して0.1重量%〜5重量%である請求項1、
    2、3又は4記載のダイアタッチペーストの製造方法。
  6. 【請求項6】 成分Fの平均粒径が0.5〜15μmで
    ある請求項1〜5のいずれか1項に記載のダイアタッチ
    ペーストの製造方法。
  7. 【請求項7】 成分Fの添加量が成分A〜成分F総重量
    の60重量%〜85重量%である請求項1〜6のいずれ
    か1項に記載のダイアタッチペーストの製造方法。
  8. 【請求項8】 成分C+成分D総重量が、成分A+成分
    B総重量に対して、0.1〜5重量%である請求項1〜
    7のいずれか1項に記載のダイアタッチペーストの製造
    方法。
JP34176397A 1997-12-11 1997-12-11 ダイアタッチペーストの製造方法 Expired - Fee Related JP3313053B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34176397A JP3313053B2 (ja) 1997-12-11 1997-12-11 ダイアタッチペーストの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34176397A JP3313053B2 (ja) 1997-12-11 1997-12-11 ダイアタッチペーストの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11172205A JPH11172205A (ja) 1999-06-29
JP3313053B2 true JP3313053B2 (ja) 2002-08-12

Family

ID=18348581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34176397A Expired - Fee Related JP3313053B2 (ja) 1997-12-11 1997-12-11 ダイアタッチペーストの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3313053B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3503736B2 (ja) * 1998-05-27 2004-03-08 住友ベークライト株式会社 ダイアタッチペースト
JP2001257220A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP2001257219A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP3985433B2 (ja) * 2000-06-27 2007-10-03 日立化成工業株式会社 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
WO2003020978A1 (en) * 2001-09-01 2003-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing hydrogel biochip by using star-like polyethylene glycol derivative having epoxy group
JP5844589B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-20 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びそれを用いた接続方法並びに接続構造体

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11172205A (ja) 1999-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090057687A (ko) 플루오르를 포함하는 자외선(광)경화형 점착제 조성물 및이를 이용한 점착필름
JP3313053B2 (ja) ダイアタッチペーストの製造方法
JP2001257219A (ja) ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP3313054B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3209959B2 (ja) ダイアタッチペースト
JPH11269452A (ja) ダイアタッチペースト
JP2001257220A (ja) ダイアタッチペースト及び半導体装置
JPH11293213A (ja) ダイアタッチペーストの製造方法
JP3313055B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3503736B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3473943B2 (ja) ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP3209961B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3209954B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3473944B2 (ja) ダイアタッチペースト及び半導体装置
JP3389083B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3456920B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3705529B2 (ja) 絶縁性ダイアタッチペースト
JP3209958B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3469497B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3469498B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3871828B2 (ja) ダイアタッチペースト及びそれを用いた半導体装置
JPH11189747A (ja) ダイアタッチペースト
JPH11263942A (ja) ダイアタッチペースト
JP3469499B2 (ja) ダイアタッチペースト
JP3919157B2 (ja) ダイアタッチペースト及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100531

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110531

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110531

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120531

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120531

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130531

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130531

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140531

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees