JP2001240667A - 芳香族ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

芳香族ポリカーボネートの製造方法

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JP2001240667A
JP2001240667A JP2000389097A JP2000389097A JP2001240667A JP 2001240667 A JP2001240667 A JP 2001240667A JP 2000389097 A JP2000389097 A JP 2000389097A JP 2000389097 A JP2000389097 A JP 2000389097A JP 2001240667 A JP2001240667 A JP 2001240667A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】透明異物の混入が少なく、透明性及び成形外観
に優れた、エステル交換法芳香族ポリカーボネートの提
供。 【解決手段】触媒存在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステル化合物とのエステル交換反応によって生
成するポリマー融液を、その溶融温度以上に昇温された
リーフディスク型ポリマーフィルターを通してペレット
化する方法において、該ポリマーフィルターへのポリマ
ー融液通液前の、リーフディスクの昇温を不活性ガス雰
囲気下で行うことにより、該リーフディスクの絶対濾過
精度以上の大きさを有する透明異物が、該ポリカーボネ
ート1g当たり5個以下とすることを特徴とする芳香族
ポリカーボネートの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステル化合物とのエステル交換法に
より製造され、透明異物の混入が少ないため透明性、色
相に優れた芳香族ポリカーボネートを提供することに関
するものである。
【0002】
【従来技術】ポリカーボネートは、耐衝撃性などの機械
的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れてお
り、各種機械部品、光学用ディスク、自動車部品などの
用途に広く用いられている。特にメモリー用光ディス
ク、光ファイバー、レンズなどの光学用途への期待は大
きく、種々の研究が盛んになされている。このような光
学用途においては、不純物や異物含量の少ないポリカー
ボネートの出現が特に望まれている。ところで炭酸ジエ
ステル化合物と芳香族ジヒドロキシ化合物を重縮合させ
てポリカ−ボネ−トを製造する、いわゆるエステル交換
法は、ホスゲン法(界面重合法)に比べて、工程が比較
的単純であり、操作、コスト面で優位性が発揮できるだ
けでなく、毒性の強いホスゲンや、塩化メチレン等のハ
ロゲン系溶剤を使用しないという点において、環境保全
の面からも優れている。
【0003】しかし、エステル交換法による製造では、
重合工程で高温、長時間で反応させるため、樹脂の焼け
の混入やゲル化等の問題が生じる。このような異物が混
入すれば、透明性や成型時の外観が悪化することが知ら
れている。これらの問題を解決するために、種々の提案
がなされている。例えば特開平5−239334号公報
には、添加剤を添加した後ポリマーフィルターで濾過し
て異物を除去する方法が開示されている。しかしなが
ら、上記方法は、外部ダストや焼けを取る方法を示した
のみで、ポリマーフィルター内で生成する透明異物につ
いては触れていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と炭酸ジエステル化合物とのエステル交
換法による芳香族ポリカーボネートの製造において、透
明異物の混入が少なく、透明性及び成形外観に優れた芳
香族ポリカーボネートを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、透明性を
低下させ、成型不良を起こし、記録エラーの原因ともな
る透明異物について、その生成及び混入の防止策を鋭意
検討する過程で、異物を除去するために設置したリーフ
ディスク型ポリマーフィルター内で、新たに透明異物が
生成することを見出した。驚くべきことに、生成する異
物の中には、使用したリーフディスクの絶対濾過精度以
上の大きさを有する透明異物さえあることを見出した。
また、リーフディスクの絶対濾過精度以上の大きさを有
する透明異物の量をある限度以下にすれば、上記の目的
を達成できることを見出した。
【0006】さらに、本発明者らは、触媒存在下、芳香
族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル化合物とのエス
テル交換反応によって生成するポリマー融液を、リーフ
ディスク型ポリマーフィルターに通してペレット化する
方法において、該ポリマーフィルターへのポリマー融液
通液前の、リーフディスクの昇温を不活性ガス雰囲気下
で行うことにより、透明異物の生成が抑制され、透明
性、成形性に優れる芳香族ポリカーボネートが得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
【発明の実施形態】以下、本発明について具体的に説明
する。本発明に係わる芳香族ポリカーボネートを製造す
る原料として、炭酸ジエステル化合物と芳香族ジヒドロ
キシ化合物とが用いられる。
【0008】炭酸ジエステル化合物 炭酸ジエステル化合物は、下記式(1)で表される。
【0009】
【化1】
【0010】(式中、A及びA’は、炭素数1〜18
の、置換されていてもよい、脂肪族基又は芳香族基であ
り、AとA’とは、同一でも異なってもよい。)
【0011】式(1)で表される炭酸ジエステル化合物
の具体例としては、例えば、ジメチルカーボネート、ジ
エチルカーボネート、ジ−t−ブチルカーボネート、ジ
フェニルカーボネート及びジトリルカーボネート等の置
換ジフェニルカーボネート等があるが、好ましくはジフ
ェニルカーボネート、置換ジフェニルカーボネートがあ
り、特にジフェニルカーボネートが好ましい。これらの
炭酸ジエステル化合物は、単独でも、2種以上を混合し
て用いてもよい。
【0012】また、上記のような炭酸ジエステル化合物
と共に、好ましくは50%以下、さらに好ましくは30
モル%以下の量でジカルボン酸、あるいはジカルボン酸
エステルを使用してもよい。このようなジカルボン酸あ
るいはジカルボン酸エステルとしては、テレフタル酸、
イソフタル酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸
ジフェニル等が用いられる。このようなカルボン酸、あ
るいはカルボン酸エステルを炭酸ジエステル化合物と併
用した場合には、ポリエステルカーボネートが得られ
る。
【0013】芳香族ジヒドロキシ化合物 もう一つの原料である芳香族ジヒドロキシ化合物は、下
記式(2)で示される。
【0014】
【化2】
【0015】(式中、Bは、1〜15の炭素数を有する
2価の炭化水素基、ハロゲン置換の2価の炭化水素基、
−S−基、−SO2 −基、−SO−基、−O−基又は−
CO−基を示し、Xは、ハロゲン原子、炭素数1〜14
のアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数1
〜8のオキシアルキル基又は炭素数6〜18のオキシア
リール基を示す。mは、0又は1であり、yは、0〜4
の整数である。)
【0016】式(2)で表される芳香族ジヒドロキシ化
合物としては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン[=ビスフェノールA]、2,2−
ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエ
チルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シ−(3,5−ジフェニル)フェニル)プロパン、2,
2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ペンタン、2,4’−ジヒドロキシ−ジフェニルメ
タン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(4−ヒドロキシ−5−ニトロフェニル)メタン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、3,3−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,4’−ジヒ
ドロキシジフェニルスルホン、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)スルフィド、4,4’−ジヒドロキシジフェニ
ルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジク
ロロジフェニルエーテル、4,4’−ジヒドロキシ−
2,5−ジエトキシジフェニルエーテル等が例示され
る。これらの中でも、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンが好ましい。また、これらの芳香族ジ
ヒドロキシ化合物は、単独で又は2種以上を混合して、
用いることができる。
【0017】炭酸ジエステル化合物と芳香族ジヒドロキ
シ化合物との混合比率は、所望する芳香族ポリカーボネ
ートの分子量と末端ヒドロキシ基量により決められる。
末端ヒドロキシ基量は、製品ポリカーボネートの熱安定
性と加水分解安定性に大きな影響を及ぼし、実用的な物
性を持たせるためには1000ppm以下にすることが
必要となる。従って、芳香族ジヒドロキシ化合物1モル
に対して炭酸ジエステル化合物を等モル量以上用いるの
が一般的であり、1.01〜1.30モル、好ましくは
1.01〜1.20モルの量で用いられるのが望まし
い。
【0018】エステル交換触媒 エステル交換法により芳香族ポリカーボネートを製造す
る際には、通常エステル交換触媒が使用される。エステ
ル交換触媒としては、主として、アルカリ金属化合物及
び/又はアルカリ土類金属化合物が使用され、補助的
に、塩基性ホウ素化合物、塩基性リン化合物、塩基性ア
ンモニウム化合物あるいはアミン系化合物等の塩基性化
合物を併用することも可能である。これらの触媒は、1
種類で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用し
てもよい。
【0019】触媒量は、通常、芳香族ジヒドロキシ化合
物1モルに対して、1×10-8〜1×10-5モルの範囲
で用いられる。この量より少なければ、所定の分子量、
末端ヒドロキシ基量のポリカーボネートを製造するのに
長時間必要な重合活性が得られず、この量より多い場合
は、ポリマー色相が悪化し、ゲルの発生による異物量も
増大する傾向となる。特に、アルカリ金属化合物及び/
又はアルカリ土類金属化合物を用いる場合、それらの金
属量として1×10-8〜2×10-6モルの範囲が好まし
く、0.5×10-7〜1×10-6モルの範囲が特に好ま
しい。
【0020】アルカリ金属化合物としては、リチウム、
ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムの水酸化
物、炭酸水素塩、炭酸塩、酢酸塩、リン酸水素塩、フェ
ニルリン酸塩等の無機アルカリ金属化合物や、ステアリ
ン酸、安息香酸等の有機酸類、メタノール、エタノール
等のアルコール類,石炭酸、ビスフェノールA等のフェ
ノール類との塩等の有機アルカリ金属化合物等が挙げら
れる。アルカリ土類金属化合物としては、ベリリウム、
カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウム
の水酸化物、炭酸水素塩、炭酸塩、酢酸塩等の無機アル
カリ土類金属化合物や、有機酸類、アルコール類、フェ
ノール類との塩等の有機アルカリ土類金属化合物等が挙
げられる。
【0021】塩基性ホウ素化合物の具体例としては、テ
トラメチルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピ
ルホウ素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ
素、トリメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホ
ウ素、トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホ
ウ素、トリエチルフェニルホウ素、トリブチルベンジル
ホウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホ
ウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニ
ルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素、等の水素化物、
ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム
塩、マグネシウム塩、バリウム塩、或いはストロンチウ
ム塩等が挙げられる。
【0022】塩基性リン化合物としては、例えば、トリ
エチルホスフィン、トリ−n−プロピルホスフィン、ト
リイソプロピルホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、
あるいは四級ホスホニウム塩等が挙げられる。
【0023】塩基性アンモニウム化合物としては、例え
ば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、
トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメ
チルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルフェニルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリブチルベンジルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリブチルフェニルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラフェニルアンモニウムヒドロキシド、ベン
ジルトリフェニルアンモニウムヒドロキシド、メチルト
リフェニルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリフェ
ニルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
【0024】アミン系化合物としては、例えば、4−ア
ミノピリジン、2−アミノピリジン、N,N−ジメチル
−4−アミノピリジン、4−ジエチルアミノピリジン、
2−ヒドロキシピリジン、2−メトキシピリジン、4−
メトキシピリジン、2−ジメチルアミノイミダゾール、
2−メトキシイミダゾール、イミダゾール、2−メルカ
プトイミダゾール、2−メチルイミダゾール、アミノキ
ノリン等が挙げられる。
【0025】芳香族ポリカーボネート 本発明の芳香族ポリカーボネートは、二段階以上の多段
工程で製造される。一般的には反応温度140〜320
℃、反応時間0.1〜5時間、常圧より減圧度を上げな
がら副生するモノフェノール化合物をラインから連続的
に除去しながら反応を行う。必要に応じて窒素等の不活
性ガスを流通させることもできる。また、モノフェノー
ル化合物に同伴する原料を反応槽に戻すために分留塔を
反応器に付設することもできる。最終的には2mmHg
以下の減圧下、250〜320℃の温度で重縮合反応を
行い粘度平均分子量10000〜18000、好ましく
は14000以上に高分子量化する。分子量が小さすぎ
ると、極端に衝撃強度が低下するなど、機械的強度特性
を維持できず、また大きすぎると、後記するように、透
明異物量を好ましい範囲まで低減することが極めて困難
となる。
【0026】反応の方式は、バッチ式、連続式、又はバ
ッチ式と連続式の組合せのいずれでもよい。使用する装
置は、槽型、管型又は塔型のいずれの形式であってもよ
く、例えば、各種の撹拌翼を具備した竪型重合槽、横型
1軸タイプの重合槽又は/及び横型2軸タイプの重合槽
等を使用することができる。
【0027】反応は、実質的に無酸素下で行われること
が好ましく、例えば、運転開始前に原料調整槽、反応器
及び配管内を窒素ガス等の不活性ガスで置換しておく。
通常、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル化合
物との溶融混合物を、竪型反応器に供給する。触媒は、
原料とは別のラインで第1反応槽に直接供給してもよい
し、第1反応槽に入る手前の配管内で、スタティックミ
キサー等により原料と混合した状態で供給させてもよ
い。必要に応じて、触媒を溶解あるいは懸濁するための
溶媒が用いられる。好ましい溶媒としては、水、アセト
ン、フェノール等が挙げられる。
【0028】重合液供給口は、反応槽側壁液相部にあ
り、抜き出し口は、反応槽底部にあるのが好ましい。ま
た、各槽から反応液を連続して抜き出す方法は、落差を
利用する方法、圧力差を利用する方法、ギアポンプ等の
送液ポンプを用いる方法等、反応液の物性に適応した方
法で行うのが好ましい。
【0029】リーフディスク型ポリマーフィルター 重合終了後、製造された芳香族ポリカーボネート融液
は、通常、押出機に導入し、後記の各種添加剤を投入
後、リーフディスク型ポリマーフィルターを通してペレ
ット化する。所望とあれば、ギヤポンプ等で反応槽から
抜き出されたポリマー融液は、直接該ポリマーフィルタ
ーを通してペレット化することもできる。
【0030】本発明で使用するリーフディスク型ポリマ
ーフィルターは、一般的には、ハウジング、センターポ
スト及び多数枚のリーフディスクからなる。センターポ
ストに装着されるフィルターエレメントである、リーフ
ディスクの枚数は、ポリマーの流量や粘度にもよるが、
数枚から数百枚に及ぶ。センターポストへの装着は、例
えば、中央に円形の穴を設けたリーフディスクを所定枚
数、表面に多数の小貫通孔を設けた円筒形のセンターポ
ストに通し、ディスク間を十分に締め付けることによっ
て行われる。また、ポリマーフィルターの組立は、上記
のようにしてリーフディスクを装着したセンターポスト
を、ハウジング内の所定位置に固定することによって行
われる。この種のポリマーフィルターでは、供給された
ポリマー融液は、リーフディスクを通って濾別された
後、センターポストの貫通孔を経て円筒内の空間を通
り、センターポストの一端開口部から排出される構造を
有する。なお、センターポスト及びハウジングの材質
は、通常、SUS製、内面メッキ等から選ばれる。
【0031】本発明で用いられるポリマーフィルター用
リーフディスクは、通常円板形で、直径100〜600
mm程度、厚み5mm程度であり、種々の線径及び開口
率を有する織金網を1種以上、1層以上重ねたものが用
いられる。織りの種類も、平織、綾織、平畳織、綾畳織
等があり、不織布でもよい。材質は、通常、SUS−3
16やSUS−316L等のステンレス系が用いられる
が、燒結金属や樹脂を用いることも可能である。リーフ
ディスクは、また、絶対濾過精度が好ましくは0.5μ
m〜50μmであり、さらに好ましくは、絶対濾過精度
が0.5μm〜20μmである。このような絶対濾過精
度のリーフディスクを用いると、濾過滞留時間が長くな
ってポリカーボネート組成物が熱劣化してしまうような
ことがなく、またリーフディスクも長い寿命で使用でき
るため好ましい。
【0032】本発明方法において、ポリマーフィルター
の温度は、これに通液するポリマーの溶融温度以上、通
常、240℃〜320℃に昇温した状態を保つことが重
要である。すなわち、溶融温度より低いと、ポリマーが
フィルター内部で固化して閉塞したり、溶融粘度が高く
なりすぎて剪断発熱による樹脂の劣化の原因となる。ま
た、温度が高すぎるとポリマーの熱劣化が起こり樹脂が
劣化する。ポリマーフィルターは、通常、電気ヒーター
や熱媒を昇温源に使用する。
【0033】また、ポリマーフィルターは、その使用に
際し、ポリマー融液の通液前に上記の温度に昇温してお
くことが必要である。しかも、ポリマーフィルター、特
に前記センターポストに装着したリーフディスクの昇温
時の雰囲気に使用されるガスは、不活性ガスが好まし
く、特にアルゴンや窒素が好ましい。このように、昇温
時に不活性ガス雰囲気を使用することで、使用するリー
フディスクの絶対濾過精度以上の大きさを有する透明異
物の量を、ポリカーボネート1g当たり5個以下にする
ことができる。この透明異物数が5個/gを超えると、
成形時にシルバーの発生率が高くなり、その結果、記録
エラーや外観不良といった問題が起こる。しかし、ポリ
マーフィルターの不活性ガス処理により透明異物数を低
減させるためには、ポリカーボネートの粘度平均分子量
が18000以下、好ましくは17000以下であるこ
とが最も好ましい。この範囲を超える分子量域では、溶
融重合に特有の架橋化反応が関与し始め、透明異物数は
桁違いに増加することになる。例えば、10μm以上の
大きさの透明異物数(y:単位個/g)と総架橋点数
(x:単位ppm)との間には、大凡下式で示される関
係がある。 y=exp(2.616×10-3x+1.518)
【0034】また、昇温時に使用する不活性ガスの流
は特に規定は無いが、10ml/min以下であること
が好ましく、特に0.2〜10ml/minが好まし
い。流速が大きすぎるとポリマーフィルター内の温度が
上がらず、溶融樹脂を通液した場合内部で固化し、運転
継続が困難となる。また、流速が10ml/min以下
でも不活性ガスの温度が低すぎると同様にフィルター内
の温度が上がらず、溶融樹脂を通液した場合内部で固化
し、運転継続が不可能となる場合がある。そのため、不
活性ガスは加熱して使用することが好ましく、不活性ガ
スの加熱温度は100℃〜300℃の範囲内、特には1
50〜300℃の範囲内が好ましい。加熱不活性ガスの
使用は、ポリマーフィルター表面の安定化及び局所的低
温部の解消により、安定なポリマー製造を可能にする。
【0035】添加剤 本発明に使用される添加剤として、アルカリ金属化合物
等の触媒を用いる場合には、ポリカーボネート中に残存
する触媒を中和するために、酸性化合物、特にはイオウ
含有酸性化合物を、触媒金属に対して0.5〜10当
量、好ましくは1〜5当量を添加することができる。す
なわち、通常0.01〜20ppm、好ましくは0.1
〜10ppm、さらに好ましくは3〜7ppm添加す
る。
【0036】イオウ含有酸性化合物の例としては、スル
ホン酸、スルフィン酸又はそれらのエステル誘導体であ
り、具体的には、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸、それらのメ
チル、エチル、ブチル、t−ブチル、オクチル、ドデシ
ル、フェニル、ベンジル、フェネチル等のエステル類、
ベンゼンスルフィン酸、トルエンスルフィン酸、ナフタ
レンスルホン酸等が挙げられる。これらの化合物の内、
p−トルエンスルホン酸のエステル又はベンゼンスルホ
ン酸のエステルが好ましく、これらの化合物を2種以上
使用してもよい。さらに、これらの化合物のアルカリ金
属塩を、これらの化合物と併用すると、分散性が向上し
失活効果が高まるので好ましい。併用する量としては、
非アルカリ金属塩に対してアルカリ金属塩を、重量比で
0.3〜3倍程度の量用いることが好ましい。
【0037】イオウ含有酸性化合物のポリカーボネート
への添加方法は、任意の方法により行うことができる。
例えば、イオウ含有酸性化合物を、直接又は希釈剤で希
釈して、溶融又は固体状態にあるポリカーボネートに添
加し、分散させることができる。具体的には、重縮合反
応器中、反応器からの移送ライン中、押出機中に供給し
て混合することができ、通常は押出機中に供給される。
また、ミキサー等で、ポリカーボネートや、他種ポリマ
ーのペレット、フレーク、粉末等と混合後、押出機に供
給して混練することもできる。これらのうちポリカーボ
ネートのフレークに、イオウ含有酸性化合物の原液を添
加し、ミキサー等で混合後、マスターバッチとして添加
することが好ましい。さらに、添加の際には、重量フィ
ーダー等を用いて、添加量を精度良く制御することが好
ましい。
【0038】また押出機で、ベントによる減圧処理を行
う場合、又は水添加、熱安定剤、離型剤、染料、顔料、
紫外線吸収剤、帯電防止剤、防曇剤、有機・無機充填剤
等を添加する場合は、これらの添加及び処理は、イオウ
含有酸性化合物と同時に行ってもよいが、イオウ含有酸
性化合物を最初に添加、混練することが好ましい。
【0039】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、
得られた芳香族ポリカーボネートの分析は下記の測定方
法により行った。
【0040】(1)粘度平均分子量(Mv) ウベローデ粘度計を用いて、塩化メチレン中20℃の極
限粘度[η]を測定し、以下の式より粘度平均分子量
(Mv)を求めた。 [η]=1.23×10-4×(Mv)0.83
【0041】(2)透明異物量 ポリカーボネート樹脂を、窒素雰囲気下、120℃で6
時間以上乾燥した後、(株)いすず化工製単軸30mm
押出機を用いて、厚み70μmのフィルムを製膜し、9
0cm×50cm範囲(約4g)を、実体顕微鏡を用い
て核のない透明異物(=フィッシュアイ)をマーキング
し、大きさと数を測定した。核のない透明異物の平面的
境界は周辺との屈折率が異なることによって定め、その
大きさは、屈折率の異なる部分の最大距離とした。この
大きさが、使用するポリマーフィルターの絶対濾過精度
以上である10μm以上の透明異物の数を数え、1g当
たりの異物数を算出した。
【0042】(3)成形外観検査 ポリカーボネート樹脂を、窒素雰囲気下、120℃で6
時間以上乾燥させた後、(株)住友重機社製のSD−4
0型を用いて、320℃の温度でCDディスク盤を成形
した。この成形品の表面に、レイボルト社製のAlスパ
ッタを用いて、Al蒸着した後、外観を目視で検査し
て、シルバーの発生を観察した。ここで、シルバーと
は、成形時の線状欠陥の総称であり、その発生は異物全
般、成形時の空気の巻き込み等による。従って、シルバ
ーの有無により記録エラーの原因が判定される。
【0043】実施例1 窒素ガス雰囲気下、ビスフェノールAとジフェニルカー
ボネートとを、一定のモル比(DPC/BPA=1.0
65)で混合し、140℃に加熱して、溶融混合物を得
た。これを、140℃に加熱した原料導入管を介して、
常圧、窒素雰囲気下、210℃に制御した第1竪型撹拌
重合槽内に連続供給した。平均滞留時間が60分になる
ように、槽底部のポリマー排出ラインに設けられたバル
ブ開度を制御しつつ、液面レベルを一定に保った。ま
た、上記原料混合物の供給を開始すると同時に、触媒と
して炭酸セシウム水溶液を、ビスフェノールA1モルに
対し、0.5×10‐6モルの割合で連続供給した。
【0044】槽底より排出された重合液は、引き続き第
2、第3及び第4の竪型撹拌重合槽並びに第5の横型撹
拌重合槽に、逐次、連続供給された。反応の間、各槽の
平均滞留時間が60分になるように、液面レベルを制御
し、また同時に副生するフェノールの留去も行った。第
2〜5重合槽の重合条件は、それぞれ、第2重合槽(2
10℃、13300Pa)、第3重合槽(240℃、1
995Pa)、第4重合槽(260℃、67Pa)、第
5重合槽(265℃、67Pa)で、反応の進行ととも
に高温、高真空、低撹拌速度に条件を設定した。ポリカ
ーボネートの製造速度は、50kg/Hrである。こう
して得られたポリカーボネートの分子量は、15500
であった。
【0045】次に、溶融状態のままで、このポリマーを
ギヤポンプにて2軸押出機(L/D=42、バレル温度
240℃)に導入し、p−トルエンスルホン酸ブチルを
7ppm添加した後、リーフディスク型ポリマーフィル
ターを通してペレット化した。このポリマーフィルター
は、絶対濾過精度10μmの織金網製のリーフディスク
135枚をセンターポストに装着したもので、ポリマー
融液通液前に、流速5ml/min、36時間、200
℃の窒素雰囲気下で電気ヒーターにより280℃までに
昇温して、使用した。得られたペレットの透明異物量と
成形外観検査の結果を表−1に示した。
【0046】実施例2 ポリマーフィルターの昇温をアルゴンガス雰囲気下で行
った以外は、実施例1と同様な操作を行った。その結果
を表−1に示した。
【0047】比較例1 ポリマーフィルターの昇温を空気雰囲気下で行った以外
は、実施例1と同様な操作を行った。その結果も表−1
に示した。
【0048】
【表1】
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、製品中への透明異物の
混入を防止し、透明性と成形性に優れたエステル交換法
芳香族ポリカーボネートが得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高野 純志 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石1番1号 三菱化学株式会社黒崎事業所内 Fターム(参考) 4J029 AA09 AB05 AC01 BB12A BB13A BB13B BD09A BF14A BG06X BG08X BG24X BH02 DB11 DB13 HA01 HC04A HC05A HC05B JA091 JA121 JA261 JB131 JB171 JB201 JC021 JC091 JC481 JC631 JC731 JF021 JF031 JF041 JF051 JF121 JF131 JF141 JF151 JF161 KH08 LB06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】触媒存在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と
    炭酸ジエステル化合物とのエステル交換反応によって生
    成するポリマー融液を、その溶融温度以上に昇温された
    リーフディスク型ポリマーフィルターを通してペレット
    化する方法において、該ポリマーフィルターへのポリマ
    ー融液通液前の、リーフディスクの昇温を不活性ガス雰
    囲気下で行うことにより、該リーフディスクの絶対濾過
    精度以上の大きさを有する透明異物が、該ポリカーボネ
    ート1g当たり5個以下とすることを特徴とする芳香族
    ポリカーボネートの製造方法。
  2. 【請求項2】芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子量
    が、10000〜18000の範囲内にあることを特徴
    とする請求項1記載の芳香族ポリカーボネートの製造方
    法。
  3. 【請求項3】昇温時に使用する不活性ガス流速が、10
    ml/min以下であることを特徴とする請求項2記載
    の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
  4. 【請求項4】不活性ガスを加熱して使用することを特徴
    とする請求項3記載の芳香族ポリカーボネートの製造方
    法。
  5. 【請求項5】不活性ガスの加熱温度が、100〜300
    ℃の範囲内であることを特徴とする請求項4記載の芳香
    族ポリカーボネートの製造方法。
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