JP2001237274A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents

半導体装置の実装方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、半導体装置の実装に必要な接着剤
の数を減らすことにより、実装工程の工程数を減らし、
実装コストを低減することのできる半導体装置の実装方
法を提供することを課題とする。 【解決手段】 レベリング用の剛体板３に非導電性接着
剤接着剤７を予め塗布しておき、スタッドバンプ２のレ
ベリングを行うときに、同時に半導体装置１の実装面に
非導電性接着剤７を転写する。非導電性接着剤７は熱硬
化性樹脂よりなり、実装工程より前の工程から加熱する
ことで、実装工程以後の硬化時間を短縮する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の実装方
法に係り、特にスタッドバンプを有する半導体装置を接
着剤を用いて実装基板に実装する実装方法に関する。
【０００２】近年、電子機器の小型化への要求から、実
装基板及の実装面積を縮小化するために、半導体装置を
小型化し、端子を狭ピッチ化することが行われている。
実装面積の縮小化を達成する一つの手段として、ベアチ
ップをそのまま実装基板に実装するフリップチップ実装
が用いられている。フリップチップ実装では、ベアチッ
プを接着剤を用いて実装基板に固定することが一般的で
ある。
【０００３】
【従来の技術】フリップチップ実装により半導体装置を
実装する方法として、接着剤の供給方法に関して、一般
的に以下の二つの方法がある。
【０００４】１）実装基板にあらかじめ接着剤を塗布し
た後、半導体装置を実装基板に搭載する方法。
【０００５】２）実装基板に半導体装置を搭載後、実装
基板と半導体装置との間に接着剤を供給する方法。
【０００６】図１は上述の１）の方法を用いて半導体装
置を実装する実装工程のフローチャートであり、図２
は、図１に示す実装工程を説明するための図である。
【０００７】図１に示す方法では、半導体装置１にスタ
ッドバンプ２を形成した後、スタッドバンプ２の高さを
一様にするために、スタッドバンプ２のレベリングを行
う。レベリングは、スタッドバンプ２をセラミック等の
剛体板３に押し付けることにより行われる。
【０００８】すなわち、図２（ａ）に示すように、スタ
ッドバンプ２が形成された半導体装置１をツール４で保
持し（図２のステップＳ１）、スタッドバンプ２を剛体
板３に対して押圧する。この際、剛体板３に導電性接着
剤５を塗布しておくことにより、レベリング後のスタッ
ドバンプ２に導電性接着剤５を付着させる（ステップＳ
２）。
【０００９】その後、実装基板６の半導体搭載領域の位
置認識を行う（ステップＳ３）。そして、図２（ｂ）に
示すように、実装基板６の半導体搭載領域に非導電性接
着剤７を塗布する（ステップＳ４）。この非導電性接着
剤７は、半導体装置１の実装面と実装基板６との間の空
隙を充填するために供給される。すなわち、非導電性接
着剤７は絶縁性を有しており、半導体装置１及び実装基
板６の電極を保護するために供給される。
【００１０】一方、上記導電性接着剤５は、スタッドバ
ンプ２と実装基板６のランド６ａとを電気的に接続する
ために供給されるものであり、非導電性接着剤７とは機
能が全く異なるものである。図２（ｃ）に示すように非
導電性接着剤７が半導体装置搭載領域に供給された後、
図２（ｄ）に示すように半導体装置１を実装基板６に搭
載し、加熱して半導体装置１の電極を実装基板６のラン
ド６ａに接合することにより実装が完了する（ステップ
Ｓ５）。この加熱により、非導電性接着剤７も硬化す
る。
【００１１】図３は上述の２）の方法を用いて半導体装
置を実装する実装工程のフローチャートであり、図４
は、図３に示す実装工程を説明するための図である。
【００１２】図３に示す方法では、図１に示す方法と同
様に、半導体装置１にスタッドバンプ２を形成した後、
スタッドバンプ２の高さを一様にするために、スタッド
バンプ２のレベリングを行う。レベリングは、スタッド
バンプ２をセラミック等の剛体板３に押し付けることに
より行われる。
【００１３】すなわち、図４（ａ）に示すように、スタ
ッドバンプ２が形成された半導体装置１をツール４で保
持し（図３のステップＳ１１）、スタッドバンプ２を剛
体板３に対して押圧する。この際、剛体板３に導電性接
着剤５を塗布しておくことにより、レベリング後のスタ
ッドバンプ２に導電性接着剤５を付着させる（ステップ
Ｓ１２）。
【００１４】その後、図４（ｂ）に示すように、実装基
板６の半導体搭載領域の位置認識を行い（ステップＳ１
３）、図４（ｃ）に示すように、半導体装置１を実装基
板６の所定の位置に搭載する（ステップＳ１４）。この
状態で、スタッドバンプ２と実装基板６のランド６ａと
は、半導体装置のスタッドバンプに付着していた導電性
接着剤５により電気的に接続される。
【００１５】その後、図４（ｄ）に示すように、半導体
装置１と実装基板６との間に非導電性接着剤７を供給す
る（ステップＳ１５）。
【００１６】上述の従来の実装方法は、スタッドバンプ
２を用いて半導体装置１を実装基板６にフリップチップ
実装するものである。スタッドバンプ２を半導体装置１
に形成した段階では、スタッドバンプ２の高さは一様で
はない。したがって、全てのスタッドバンプ２が実装基
板６のランド６ａに接触するように、スタッドバンプ２
のレベリングが行われる。従来の実装方法では、このレ
ベリングを行う際に、同時に導電性接着剤５をスタッド
バンプ２に付着させることが行われている。そして、半
導体装置１の実装基板６への固定は、主に非導電性接着
剤７により行われている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
フリップチップ実装では、導電性接着剤と非導電性接着
剤の二種類の接着剤を使用するため、各々の接着剤を供
給する工程が別個に必要となり、その分工程数が多くな
る。従って、実装タクトが長いという問題があった。
【００１８】また、上述の従来のフリップチップ実装に
用いられている導電性接着剤は、非導電性接着剤をベー
スとして、それに導電性粒子を含ませて構成されている
ため、非導電性接着剤よりコストが高いという問題があ
った。
【００１９】更に、フリップチップ実装に係わる設備費
は、半導体実装装置の設備にかかる費用のウェイトが大
きい。このため、半導体実装装置の生産効率を上げるこ
とが実装コストの削減に大きく寄与することとなる。ス
タッドバンプを用いたフリップチップ実装では、非導電
性接着剤として熱硬化性樹脂が使用される。熱硬化性樹
脂は硬化時間が比較的長く、半導体装置１個の実装に２
０秒程度必要となるため、生産効率が悪いという問題が
あった。
【００２０】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
り、半導体装置の実装に必要な接着剤の数を減らすこと
により、実装工程の工程数を減らし、実装コストを低減
することのできる半導体装置の実装方法を提供すること
を目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る各手段を講じることにより解決することができる。請
求項１記載の発明は、スタッドバンプを実装用端子とし
て用いた半導体装置の実装方法であって、平坦な剛体板
の表面に非導電性接着剤を付与する工程と、スタッドバ
ンプが形成された半導体装置をボンディングヘッドに取
り付ける工程と、該半導体装置に形成されたスタッドバ
ンプを、非導電性接着剤が付与された前記剛体板の該表
面にボンディングヘッドにより押圧することにより、ス
タッドバンプを変形して所定の高さとすると共に、前記
半導体装置を前記剛体板の前記表面から離間して所定量
の前記非導電性接着剤を前記半導体装置の実装面全域に
付着させる工程と、前記ボンディングヘッドに装着され
た前記半導体装置を実装基板に搭載し、前記半導体装置
の実装面に付着した前記非導電性接着剤を硬化させるこ
とにより、前記半導体装置を前記実装基板に固定する工
程とを有する構成とする。
【００２２】請求項２記載の発明は、スタッドバンプを
実装用端子として用いた半導体装置の実装方法であっ
て、平坦な剛体板の表面に熱硬化性樹脂よりなる非導電
性接着剤を付与する工程と、スタッドバンプが形成され
た半導体装置をボンディングヘッドに取り付ける工程
と、該半導体装置に形成されたスタッドバンプを、非導
電性接着剤が付与された前記剛体板の該表面にボンディ
ングヘッドにより押圧することにより、スタッドバンプ
を変形して所定の高さとし、且つ前記ボンディングヘッ
ドを加熱することにより前記半導体装置を介して前記非
導電性接着剤を加熱すると共に、前記半導体装置を前記
剛体板の前記表面から離間して所定量の前記非導電性接
着剤を前記半導体装置の実装面全域に付着させる工程
と、前記ボンディングヘッドに装着された前記半導体装
置を実装基板に搭載し、前記半導体装置の実装面に付着
した前記非導電性接着剤を熱硬化させることにより、前
記半導体装置を前記実装基板に固定する工程とを有する
構成とする。
【００２３】請求項３記載の発明は、スタッドバンプを
実装用端子として用いた半導体装置の実装方法であっ
て、平坦な剛体板の表面に熱硬化性樹脂よりなる非導電
性接着剤を付与する工程と、スタッドバンプが形成され
た半導体装置をボンディングヘッドに取り付ける工程
と、該半導体装置に形成されたスタッドバンプを、予め
加熱されたボンディングヘッドにより、該非導電性接着
剤が付与された前記剛体板の該表面に押圧することによ
り、スタッドバンプを変形して所定の高さとし、且つ前
記ボンディングヘッドを加熱して前記半導体装置を介し
て前記非導電性接着剤を加熱すると共に、前記半導体装
置を前記剛体板の前記表面から離間して所定量の前記非
導電性接着剤を前記半導体装置の実装面全域に付着させ
る工程と、前記ボンディングヘッドに装着された前記半
導体装置を実装基板に搭載し、前記半導体装置の実装面
に付着した前記非導電性接着剤を熱硬化させることによ
り、前記半導体装置を前記実装基板に固定する工程とを
有する構成とする。
【００２４】請求項４記載の発明は、請求項２又は３記
載の実装方法であって、前記非導電性接着剤は液体状で
あり、前記剛体板の前記表面上に一様な厚みで塗布され
る構成とする。
【００２５】請求項５記載の発明は、請求項４記載の実
装方法であって、前記非導電性接着剤を付着させる工程
において、前記非導電性接着剤が加熱されてゲル状にな
った状態で、前記半導体装置を前記剛体板から離間する
構成とする。
【００２６】請求項６記載の発明は、請求項１記載の実
装方法であって、前記非導電性接着剤をフィルム状の形
態で前記剛体板の前記表面上に貼りつける構成とする。
【００２７】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の
うちいずれか一項記載の実装方法を複数のヘッドの各々
が工程をずらして同時に行う構成とする。上述の各手段
は次のように作用する。
【００２８】請求項１記載の発明によれば、実装に使用
される接着剤は、非導電性接着剤だけであり、導電性接
着剤を使用しない。このため、導電性接着剤を半導体装
置に付与する従来の工程において導電性接着剤の代わり
に非導電性接着剤を付与することができる。その結果、
非導電性接着剤を付与する工程を単独で設ける必要がな
くなり、実装工程のタクトを短縮することができる。ま
た、比較的コストの高い導電性接着剤を使用しないた
め、その分のコストを削減することができ、実装に費や
す費用を削減することができる。
【００２９】請求項２記載の発明によれば、非導電性接
着剤として熱硬化性樹脂を使用し、且つ非導電性接着剤
を半導体装置に付与する工程からボンディングヘッドの
加熱をはじめる。このため、実装基板に実装する際に非
導電性接着剤はある程度硬化が進んでおり、半導体装置
が実装された後の硬化時間を短縮することができる。
【００３０】請求項３記載の発明によれば、非導電性接
着剤として熱硬化性樹脂を使用し、且つ非導電性接着剤
を半導体装置に付与する際に、予め加熱されているボン
ディングヘッドを用いる。このため、実装基板に実装す
る際に、非導電性接着剤はある程度硬化が進んでおり、
半導体装置が実装された後の硬化時間を短縮することが
できる。
【００３１】請求項４記載の発明によれば、非導電性接
着剤は液体状であり、剛体板の表面上に一様な厚みで塗
布されるため、スタッドバンプのレベリング動作のみ
で、所定の量の非導電性接着剤を半導体装置に付与する
ことができる。
【００３２】請求項５記載の発明によれば、非導電性接
着剤を付着させる工程において、非導電性接着剤が加熱
されてゲル状になった状態で、半導体装置を前記剛体板
から離間する。このため、レベリングされたスタッドバ
ンプの端面が非導電性接着剤から露出しており、且つ非
導電性接着剤の接着力が維持されている状態で、実装工
程に移ることができる。ゲル化した非導電性接着剤は流
動性少ないため、実装基板に半導体装置を載置するだけ
で、半導体装置を動かないように固定することができ
る。したがって、実装基板に半導体装置を搭載したら直
ちに別工程に移すことができ、実装工程のタクトを短縮
することができる。
【００３３】請求項６記載の発明によれば、非導電性接
着剤をフィルム状の形態で前記剛体板の前記表面上に貼
りつける。半導体装置に付与されるべきフィルムを剛体
板上で予め所定の寸法に切れ目を入れておくことによ
り、所定の量の非導電性接着剤を容易に半導体装置に付
与することができる。
【００３４】請求項７記載の発明によれば、上述の実装
方法による実装工程を複数のボンディングヘッドの各々
が工程をずらして同時に行うため、同時に複数の半導体
装置を実装することができ、生産性が向上する。すなわ
ち、本発明による実装方法では、実装基板に実装する工
程のタクトを短縮することができるため、そ他の工程の
タクトと実装工程のタクトをほぼ等しくすることがで
き、複数の実装工程を工程をずらしながら実行すること
ができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
【００３６】図５は本発明による実装方法を用いて半導
体装置を実装する実装工程のフローチャートであり、図
６は図５に示す実装工程を説明するための図である。図
６において、図２に示した構成部品と同じ部品には同じ
符号を付し、その説明は省略する。
【００３７】本発明による実装方法では、従来の実装方
法と同様に、半導体装置１にスタッドバンプ２を形成し
た後、スタッドバンプ２の高さを一様にするために、ス
タッドバンプ２のレベリングを行う。レベリングは、ス
タッドバンプ２をセラミック等の剛体板３に押し付ける
ことにより行われる。
【００３８】すなわち、スタッドバンプ２が形成された
半導体装置１をツール（ボンディングヘッド）４で保持
し（図５のステップＳ２１）、次に、半導体装置１の位
置認識を行う（ステップＳ２２）。その後、半導体装置
１を剛体板３上移動して、スタッドバンプ２を剛体板３
に対して押圧する（ステップＳ２３）。この際、剛体板
３上に非導電性接着剤７を設けておくことにより、レベ
リングと同時にスタッドバンプ２に非導電性接着剤７を
付着させる。この非導電性接着剤７は、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂よりなり、半導体装置１の実装面と実装
基板６との間の空隙を充填するために供給される。すな
わち、非導電性接着剤７は絶縁性を有しており、半導体
装置１を実装基板６に強固に固定し、且つ半導体装置１
及び実装基板６の電極を保護するために供給される。こ
こで、半導体装置１の位置認識をレベリング前に行うの
は、レベリングと同時に非導電性接着剤７が半導体装置
１に付着するため、この状態では半導体装置１に設けら
れた位置認識マークが画像認識できなくなるためであ
る。
【００３９】そして、図６（ｂ）に示すように、非導電
性接着剤７が供給された半導体装置１を実装基板６の半
導体搭載領域上に移動する。続いて、図６（ｃ）に示す
ように半導体装置１を実装基板６の半導体装置搭載領域
に搭載する。この際、非導電性接着剤７は、半導体装置
１と実装基板６との間に充填される。そして、ツール４
を介して熱を加えてスタッドバンプ２を実装基板６のラ
ンド６ａに接合すると共に、非導電性接着剤７を硬化さ
せ、実装が完了する。（ステップＳ２４）。
【００４０】次に、本発明の第１の実施の形態につい
て、図７を参照しながら説明する。図７は本発明の第１
の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明するた
めの図である。図７において、図２に示す構成部品と同
じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４１】まず、図７（ａ）に示すように平坦な剛体
板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料に
より構成される。次に、図７（ｂ）に示すように、液体
状の非導電性接着剤７を剛体板３上に均一な厚みとなる
ように塗布する。
【００４２】図８は液体状の非導電性接着剤７を剛体板
３に均一な厚みに塗布する工程を示す図である。まず、
図８（ａ）に示すように、非導電性接着剤７を剛体板の
一部に供給する。そして、図８（ｂ）に示すように、塗
布された非導電性接着剤７が所定の厚みになるように、
スキージ９の先端を所定の厚みに相当する距離だけ離間
させながら、スキージ９を剛体板３の表面に沿って移動
する。これにより、図８（ｃ）に示すように、非導電性
接着剤７は剛体板３の表面に均一な厚みで塗布される。
【００４３】剛体板３上に非導電性接着剤７を塗布した
後、図７（ｃ）に示すように、スタッドバンプ２が形成
された半導体装置１をツール４で保持しながら剛体板３
上に移動する。そして、図７（ｄ）に示すように、半導
体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に押圧して変形
させることにより、スタッドバンプ２のレベリングを行
う。スタッドバンプ２は、金（Ａｕ）、アルミニウム
（Ａｌ）、ハンダ等の比較的塑性変形し易い金属により
形成される。レベリング後のスタッドバンプ２の高さ
は、一般的に５０μｍ以下であり、通常３０μｍ程度と
される。
【００４４】スタッドバンプ２のレベリングが終了した
後、剛体板３から半導体装置１を離間させると、図７
（ｅ）に示すように、所定の量の非導電性接着剤７が半
導体装置１の実装面に付着した状態となる。すなわち、
図７（ｅ）に示す状態は、図６（ｂ）に示す状態に相当
する。その後、ツール４で半導体装置１を保持したまま
半導体装置１を実装基板６上に移動し、半導体装置１を
実装基板６に実装する。
【００４５】すなわち、本発明の第１の実施の形態によ
る実装方法では、従来の実装方法で使用していた導電性
接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装基板
６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電性接
着剤５の供給工程は必要なく、代わりに非導電性接着剤
７をレベリングと同時に半導体装置１に供給している。
【００４６】このように、非導電性接着剤７をレベリン
グと同時に半導体装置１に供給することにより、非導電
性接着剤７を供給する工程を単独で設ける必要がなくな
る。したがって、実装に必要な工程数が減少すると共に
実装工程のタクトが減少する。また、高価な導電性接着
剤を使用しないので、その分の材料費を省くことができ
る。以上のように、本発明の第１の実施の形態による実
装方法を用いることにより、半導体装置の実装コストを
削減することができる。
【００４７】次に、本発明の第２の実施の形態につい
て、図９を参照しながら説明する。図９は本発明の第２
の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明するた
めの図である。図９において、図２に示す構成部品と同
じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４８】まず、図９（ａ）に示すように平坦な剛体
板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料に
より構成される。次に、図９（ｂ）に示すように、非導
電性接着剤７Ａを剛体板３上に貼りつける。本実施の形
態では、非導電性接着剤７Ａは均一な厚みを有するフィ
ルム状の形態として供給される。フィルム状の非導電性
接着剤７Ａには、剛体板３上に貼りつけられた後、切れ
目が入れられて半導体装置１に応じた所定の大きさに分
割される。
【００４９】その後、図９（ｃ）に示すように、スタッ
ドバンプ２が形成された半導体装置１を剛体板３上に移
動する。この際、半導体装置１が切れ目により分割され
た所定の大きさの非導電性接着剤７のフィルムに重なる
ように移動する。
【００５０】そして、図９（ｄ）に示すように、ツール
４により半導体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に
押しつけて加圧し、スタッドバンプ２のレベリングを行
う。レベリングが終了した後、半導体装置１を剛体板３
から離間させると、図９（ｅ）に示すように、所定の大
きさの非導電性接着剤７のフィルムが半導体装置１の実
装面に付着したままとなる。
【００５１】非導電性接着剤７のフィルムが付着した半
導体装置１は、そのまま実装基板６の実装領域に移動さ
れ、実装される。すなわち、図９（ｅ）に示す状態は、
図６（ｂ）に示す状態に相当する。その後、ツール４で
半導体装置１を保持したまま半導体装置１を実装基板６
上に移動し、半導体装置１を実装基板６に実装する。
【００５２】すなわち、本発明の第１の実施の形態によ
る実装方法では、従来の実装方法で使用していた導電性
接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装基板
６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電性接
着剤５の供給工程は必要なく、代わりにフィルム状の非
導電性接着剤７をレベリングと同時に半導体装置１に供
給している。
【００５３】このように、フィルム状の非導電性接着剤
７をレベリングと同時に半導体装置１に供給することに
より、非導電性接着剤７を供給する工程を単独で設ける
必要がなくなる。したがって、実装に必要な工程数が減
少すると共に実装工程のタクトが減少する。また、高価
な導電性接着剤を使用しないので、その分の材料費を省
くことができる。また、非導電性接着剤７がフィルム状
であるため、剛体板３上で適当な大きさに分割すること
ができるため、非導電性接着剤７の供給量を容易に所望
の量に調整することができる。
【００５４】以上のように、本発明の第２の実施の形態
による実装方法を用いることにより、半導体装置の実装
コストを削減することができ、且つ非導電性接着剤７の
量を容易に調節することができる。
【００５５】次に、本発明の第３の実施の形態につい
て、図１０を参照しながら説明する。図１０は本発明の
第３の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明す
るための図である。図１０において、図２に示す構成部
品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００５６】まず、図１０（ａ）に示すように平坦な剛
体板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料
により構成される。次に、図１０（ｂ）に示すように、
液体状の非導電性接着剤７を剛体板３上に均一な厚みと
なるように塗布する。
【００５７】剛体板３に非導電性接着剤７を均一な厚み
に塗布する工程は、上述の第１の実施の形態において図
８を参照しながら説明した工程と同様であり、その説明
は省略する。
【００５８】剛体板３上に液体状の非導電性接着剤７を
塗布した後、図１０（ｃ）に示すように、スタッドバン
プ２が形成された半導体装置１をツール４で保持しなが
ら剛体板３上に移動する。そして、図１０（ｄ）に示す
ように、半導体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に
押圧して、スタッドバンプ２のレベリングを行う。この
際、ツール４によりレベリングのための加圧を行うと同
時に、ツール４を加熱する。これにより、半導体装置１
に付着した非導電性接着剤７の硬化反応が開始される。
【００５９】スタッドバンプ２のレベリングが終了した
後、剛体板３から半導体装置１を離間させると、図１０
（ｅ）に示すように、所定の量の非導電性接着剤７が半
導体装置１の実装面に付着した状態となる。すなわち、
図１０（ｅ）に示す状態は、図６（ｂ）に示す状態に相
当する。その後、ツール４で半導体装置１を保持したま
ま半導体装置１を実装基板６上に移動し、半導体装置１
を実装基板６に実装する。ここで、ツール４の加熱はパ
ルスヒート方式で行われ、半導体装置１が実装基板６に
実装されてから非導電性樹脂７の硬化が進むまで、ツー
ル４は適当な温度になるように制御される。
【００６０】パルスヒート方式では、最初にツール４を
ある温度まで加熱した後に、ツール４を冷却することに
より、半導体装置１及び非導電性接着剤７に伝達される
熱量を制御する。ツール４の冷却は、空冷及び水冷が考
えられるが、半導体装置１をツール４に保持されている
こと、及び正確な温度制御を考えると、水冷が望まし
い。
【００６１】したがって、半導体装置１が実装基板６上
に移動されて、実装されるときには、半導体装置１に付
着した非導電性接着剤７は、ツール４からの熱によりあ
る程度硬化が進み、その粘度が高くなっている。すなわ
ち、半導体装置１が実装基板６に搭載されたときには、
非導電性接着剤７はある程度硬化しているので、搭載し
た後の非導電性接着剤７の硬化時間を短縮することがで
きる。
【００６２】上述のように、本発明の第３の実施の形態
による実装方法では、従来の実装方法で使用していた導
電性接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装
基板６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電
性接着剤５の供給工程は必要なく、代わりに非導電性接
着剤７をレベリングと同時に半導体装置１に供給してい
る。
【００６３】このように、非導電性接着剤７をレベリン
グと同時に半導体装置１に供給することにより、非導電
性接着剤７を供給する工程を単独で設ける必要がなくな
る。したがって、実装に必要な工程数が減少すると共に
実装工程のタクトが減少する。また、高価な導電性接着
剤を使用しないので、その分の材料費を省くことができ
る。また、レベリングの工程のときから非導電性接着剤
７をパルスヒート方式で加熱し、且つレベリングに続い
て半導体装置１の搭載が直ちに行われるので、レベリン
グのときから非導電性接着剤の硬化が開始され、実装工
程タクトにおける非導電性接着剤７の硬化に費やされる
時間を実質的に短縮することができる。
【００６４】次に、本発明の第４の実施の形態につい
て、図１１を参照しながら説明する。図１１は本発明の
第４の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明す
るための図である。図１１において、図２に示す構成部
品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００６５】まず、図１１（ａ）に示すように平坦な剛
体板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料
により構成される。次に、図１１（ｂ）に示すように、
液体状の非導電性接着剤７を剛体板３上に均一な厚みと
なるように塗布する。
【００６６】剛体板３に液体状の非導電性接着剤７を均
一な厚みに塗布する工程は、上述の第１の実施の形態に
おいて図８を参照しながら説明した工程と同様であり、
その説明は省略する。
【００６７】剛体板３上に液体状の非導電性接着剤７を
塗布した後、図１０（ｃ）に示すように、スタッドバン
プ２が形成された半導体装置１をツール４で保持しなが
ら剛体板３上に移動する。この際、ツール４はコンスタ
ントヒート方式で加熱される。
【００６８】コンスタントヒート方式では、ツール４の
温度は常時一定の温度（例えば、１５０℃）に維持され
る。したがって、コンスタントヒート方式では、半導体
装置１がツール４に装着されるときには、ツール４は加
熱されている状態である。
【００６９】そして、図１１（ｄ）に示すように、半導
体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に押圧して、ス
タッドバンプ２のレベリングを行う。この際、ツール４
によりレベリングのための加圧を行うと同時に、ツール
４はコンスタントヒート方式で加熱されているので、ツ
ール４からの熱により、半導体装置１に付着した非導電
性接着剤７の硬化反応が開始される。
【００７０】スタッドバンプ２のレベリングが終了した
後、剛体板３から半導体装置１を離間させると、図１１
（ｅ）に示すように、所定の量の非導電性接着剤７が半
導体装置１の実装面に付着した状態となる。すなわち、
図１１（ｅ）に示す状態は、図６（ｂ）に示す状態に相
当する。その後、ツール４で半導体装置１を保持したま
ま半導体装置１を実装基板６上に移動し、半導体装置１
を実装基板６に実装する。ここで、ツール４の加熱は、
半導体装置１が実装基板６に実装されるまで、一定に維
持される。
【００７１】したがって、半導体装置１が実装基板６上
に移動されて、実装されるときには、半導体装置１に付
着した非導電性接着剤７はある程度硬化が進み、その粘
度が高くなっている。すなわち、半導体装置１が実装基
板６に搭載されたときには、非導電性接着剤７はある程
度硬化しているので、搭載した後の非導電性接着剤７の
硬化時間を短縮することができる。
【００７２】上述のように、本発明の第４の実施の形態
による実装方法では、従来の実装方法で使用していた導
電性接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装
基板６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電
性接着剤５の供給工程は必要なく、代わりに非導電性接
着剤７をレベリングと同時に半導体装置１に供給してい
る。
【００７３】このように、非導電性接着剤７をレベリン
グと同時に半導体装置１に供給することにより、非導電
性接着剤７を供給する工程を単独で設ける必要がなくな
る。したがって、実装に必要な工程数が減少すると共に
実装工程のタクトが減少する。また、高価な導電性接着
剤を使用しないので、その分の材料費を省くことができ
る。また、レベリング工程の前から非導電性接着剤７を
加熱し、且つレベリングに続いて半導体装置１の搭載が
直ちに行われるので、レベリングのときから非導電性接
着剤の硬化が開始され、実装工程タクトにおいて非導電
性接着剤７の硬化に費やされる時間を実質的に短縮する
ことができる。
【００７４】次に、本発明の第５の実施の形態につい
て、図１０を参照しながら説明する。図１２は本発明の
第５の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明す
るための図である。図１２において、図２に示す構成部
品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００７５】まず、図１２（ａ）に示すように平坦な剛
体板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料
により構成される。次に、図１０（ｂ）に示すように、
液体状の非導電性接着剤７を剛体板３上に均一な厚みと
なるように塗布する。
【００７６】剛体板３に非導電性接着剤７を均一な厚み
に塗布する工程は、上述の第１の実施の形態において図
８を参照しながら説明した工程と同様であり、その説明
は省略する。
【００７７】剛体板３上に液体状の非導電性接着剤７を
塗布した後、図１２（ｃ）に示すように、スタッドバン
プ２が形成された半導体装置１をツール４で保持しなが
ら剛体板３上に移動する。そして、図１２（ｄ）に示す
ように、半導体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に
押圧して、スタッドバンプ２のレベリングを行う。この
際、ツール４によりレベリングのための加圧を行うと同
時に、ツール４を加熱する。これにより、半導体装置１
に付着した非導電性接着剤７の硬化反応が開始される。
【００７８】スタッドバンプ２のレベリングが終了した
後、剛体板３から半導体装置１を離間させると、図１２
（ｅ）に示すように、所定の量の非導電性接着剤７が半
導体装置１の実装面に付着した状態となる。ここで、ツ
ール４の加熱はパルスヒート方式で行われ、半導体装置
１の実装面近傍の非導電性接着剤７が、ゲル状（半硬化
状態）となるって半導体装置１に付着する状態になるよ
うに加熱される。
【００７９】図１２（ｅ）に示す状態は、図６（ｂ）に
示す状態に相当する。その後、ツール４で半導体装置１
を保持したまま半導体装置１を実装基板６上に移動し、
半導体装置１を実装基板６に実装する。
【００８０】したがって、半導体装置１が実装基板６上
に移動されて、実装されるときには、半導体装置１に付
着した非導電性接着剤７は、ツール４からの熱によりあ
る程度硬化が進み、ゲル状（半硬化状態）となってい
る。ゲル状の非導電性接着剤７はある程度硬化している
ため、流動性が小さく、スタッドバンプ２の接合面は非
導電性接着剤７から露出している。これにより、露出し
たスタッドバンプ２を実装基板６のランド６ａに接触さ
せるだけで、スタッドバンプ２とランド６ａとの接合を
行うことができ、スール４による加圧を必要としない。
【００８１】また、半導体装置１を実装基板６の実装領
域に搭載するだけで、ゲル状の非導電性接着剤７により
半導体装置が実装基板６上に動かないように固定される
ため、半導体装置１が搭載されたら直ちに実装基板６を
恒温炉に移した後で、非導電性接着剤７を完全に硬化さ
せればよい。すなわち、実装前にゲル状の非導電性接着
剤７とすることにより、半導体装置１を搭載領域に載置
するだけで、実装基板６を動かしても半導体装置の位置
がずれない様に固定することができるので、半導体装置
１を実装基板６に搭載した後に、ツール４による加熱及
び加圧を行う必要がない。
【００８２】上述のように、本発明の第５の実施の形態
による実装方法では、従来の実装方法で使用していた導
電性接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装
基板６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電
性接着剤５の供給工程は必要なく、代わりに非導電性接
着剤７をレベリングと同時に半導体装置１に供給してい
る。
【００８３】このように、非導電性接着剤７をレベリン
グと同時に半導体装置１に供給することにより、非導電
性接着剤７を供給する工程を単独で設ける必要がなくな
る。したがって、実装に必要な工程数が減少すると共に
実装工程のタクトが減少する。また、高価な導電性接着
剤を使用しないので、その分の材料費を省くことができ
る。また、レベリングの工程のときから非導電性接着剤
７をパルスヒート方式で加熱し、且つレベリングに続い
て半導体装置１の搭載が直ちに行われるので、レベリン
グのときから非導電性接着剤の硬化が開始され、実装工
程タクトにおける非導電性接着剤７の硬化に費やされる
時間を実質的に短縮することができる。
【００８４】次に、本発明の第６の実施の形態につい
て、図１３を参照しながら説明する。図１３は本発明の
第６の実施の形態による半導体装置の実装方法を説明す
るための図である。図１３において、図２に示す構成部
品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略す
る。
【００８５】まず、図１３（ａ）に示すように平坦な剛
体板３を準備する。剛体板３はセラミック等の硬い材料
により構成される。次に、図１３（ｂ）に示すように、
液体状の非導電性接着剤７を剛体板３上に均一な厚みと
なるように塗布する。
【００８６】剛体板３に液体状の非導電性接着剤７を均
一な厚みに塗布する工程は、上述の第１の実施の形態に
おいて図８を参照しながら説明した工程と同様であり、
その説明は省略する。
【００８７】剛体板３上に液体状の非導電性接着剤７を
塗布した後、図１３（ｃ）に示すように、スタッドバン
プ２が形成された半導体装置１をツール４で保持しなが
ら剛体板３上に移動する。この際、ツール４はコンスタ
ントヒート方式で加熱される。
【００８８】コンスタントヒート方式では、ツール４の
温度は常時一定の温度（例えば、１５０℃）に維持され
る。したがって、コンスタントヒート方式では、半導体
装置１がツール４に装着されるときには、ツール４は加
熱されている状態である。
【００８９】そして、図１３（ｄ）に示すように、半導
体装置１のスタッドバンプ２を剛体板３に押圧して、ス
タッドバンプ２のレベリングを行う。この際、ツール４
によりレベリングのための加圧を行うと同時に、ツール
４はコンスタントヒート方式で加熱されているので、ツ
ール４からの熱により、半導体装置１に付着した非導電
性接着剤７の硬化反応が開始される。
【００９０】スタッドバンプ２のレベリングが終了した
後、剛体板３から半導体装置１を離間させると、図１１
（ｅ）に示すように、所定の量の非導電性接着剤７が半
導体装置１の実装面に付着した状態となる。すなわち、
図１１（ｅ）に示す状態は、図６（ｂ）に示す状態に相
当する。その後、ツール４で半導体装置１を保持したま
ま半導体装置１を実装基板６上に移動し、半導体装置１
を実装基板６に実装する。ここで、ツール４の加熱は、
半導体装置１が実装基板６に実装されるまで、一定に維
持される。
【００９１】したがって、半導体装置１が実装基板６上
に移動されて、実装されるときには、半導体装置１に付
着した非導電性接着剤７はあるゲル化状態となるまで硬
化が進んでいるので、搭載した後の非導電性接着剤７の
硬化時間を短縮することができる。
【００９２】上述のように、本発明の第６の実施の形態
による実装方法では、従来の実装方法で使用していた導
電性接着剤５を使用しないで、スタッドバンプ２を実装
基板６のランド６ａに直接接合する。したがって、導電
性接着剤５の供給工程は必要なく、代わりに非導電性接
着剤７をレベリングと同時に半導体装置１に供給してい
る。
【００９３】このように、非導電性接着剤７をレベリン
グと同時に半導体装置１に供給することにより、非導電
性接着剤７を供給する工程を単独で設ける必要がなくな
る。したがって、実装に必要な工程数が減少すると共に
実装工程のタクトが減少する。また、高価な導電性接着
剤を使用しないので、その分の材料費を省くことができ
る。また、レベリング工程の前から非導電性接着剤７を
加熱し、且つレベリングに続いて半導体装置１の搭載が
直ちに行われるので、レベリングのときから非導電性接
着剤の硬化が開始され、実装工程タクトにおいて非導電
性接着剤７の硬化に費やされる時間を実質的に短縮する
ことができる。
【００９４】次に、上述の各実施の形態による実装方法
の他の効果について説明する。上述の実施の形態では、
半導体装置１の搭載工程（図５のステップＳ２４）のタ
クトが短くなることに関して説明したが、これを利用し
て、複数のボンディングヘッド（上述の実施の形態にお
けるツール４に相当）により行われる一連の工程を効率
良く行うことが可能となる。
【００９５】図１４は、複数のボンディングヘッドによ
る半導体装置の実装工程を説明する図である。図１４で
は、ボンディングヘッドＡ，Ｂ，Ｃが設けられ、その各
々が図５に示す実装工程を実行する。
【００９６】図１４に示す実装工程では、ボンディング
ヘッドＡ，Ｂ，Ｃは同じ実装工程を繰り返し行うが、そ
のサイクルが一工程ずれて実行される。すなわち、ボン
ディングヘッドＡは、位置認識（ステップＳ３１）と、
レベリング及び非導電性接着剤の転写（ステップＳ３
２）と、搭載工程（ステップＳ３３）という一連の工程
を繰り返して行う。ここで、ステップＳ３１の位置認識
は図５におけるステップスＳ２２の位置認識に相当し、
ステップＳ３２におけるレベリング及び非導電性接着剤
の転写は図５におけるステップＳ２３に相当し、ステッ
プＳ３３における搭載工程は図５におけるステップＳ２
４に相当する。
【００９７】また、ボンディングヘッドＢもボンディン
グヘッドＡと同様にステップＳ３１〜Ｓ３３を繰り返し
実行するが、ボンディングヘッドＡがステップＳ３２を
実行しているときにボンディングヘッドＢはステップＳ
３１を実行する。同様に、ボンディングヘッドＣは、ボ
ンディングヘッドＡがステップＳ３３を実行し、ボンデ
ィングヘッドＢがステップＳ３２を実行しているとき
に、ステップＳ３１を実行する。
【００９８】このように、ステップを一つずつずらして
行うことにより、一つのヘッドで一連の実装工程を行う
場合より、半導体実装装置の生産性を向上することがで
きる。上述のように、複数のヘッドでステップをずらし
がら実装を行うには、各ステップの工程のタクトがほぼ
等しくないと、効率が悪くなってしまう。しかし、本発
明による実施の形態では、ネックとなる非導電性接着剤
７の硬化時間を短縮又は実質的に省略することができる
ため、このように、複数のボンディングヘッドで実装工
程を行うことができるものである。
【００９９】
【発明の効果】上述のように、請求項１記載の発明によ
れば、実装に使用される接着剤は、非導電性接着剤だけ
であり、導電性接着剤を使用しない。このため、導電性
接着剤を半導体装置に付与する従来の工程において導電
性接着剤の代わりに非導電性接着剤を付与することがで
きる。その結果、非導電性接着剤を付与する工程を単独
で設ける必要がなくなり、実装工程のタクトを短縮する
ことができる。また、比較的コストの高い導電性接着剤
を使用しないため、その分のコストを削減することがで
き、実装に費やす費用を削減することができる。
【０１００】請求項２記載の発明によれば、非導電性接
着剤として熱硬化性樹脂を使用し、且つ非導電性接着剤
を半導体装置に付与する工程からボンディングヘッドの
加熱をはじめる。このため、実装基板に実装する際に非
導電性接着剤はある程度硬化が進んでおり、半導体装置
が実装された後の硬化時間を短縮することができる。
【０１０１】請求項３記載の発明によれば、非導電性接
着剤として熱硬化性樹脂を使用し、且つ非導電性接着剤
を半導体装置に付与する際に、予め加熱されているボン
ディングヘッドを用いる。このため、実装基板に実装す
る際に、非導電性接着剤はある程度硬化が進んでおり、
半導体装置が実装された後の硬化時間を短縮することが
できる。
【０１０２】請求項４記載の発明によれば、非導電性接
着剤は液体状であり、剛体板の表面上に一様な厚みで塗
布されるため、スタッドバンプのレベリング動作のみ
で、所定の量の非導電性接着剤を半導体装置に付与する
ことができる。
【０１０３】請求項５記載の発明によれば、非導電性接
着剤を付着させる工程において、非導電性接着剤が加熱
されてゲル状になった状態で、半導体装置を前記剛体板
から離間する。このため、レベリングされたスタッドバ
ンプの端面が非導電性接着剤から露出しており、且つ非
導電性接着剤の接着力が維持されている状態で、実装工
程に移ることができる。ゲル化した非導電性接着剤は流
動性少ないため、実装基板に半導体装置を載置するだけ
で、半導体装置を動かないように固定することができ
る。したがって、実装基板に半導体装置を搭載したら直
ちに別工程に移すことができ、実装工程のタクトを短縮
することができる。
【０１０４】請求項６記載の発明によれば、非導電性接
着剤をフィルム状の形態で前記剛体板の前記表面上に貼
りつける。半導体装置に付与されるべきフィルムを剛体
板上で予め所定の寸法に切れ目を入れておくことによ
り、所定の量の非導電性接着剤を容易に半導体装置に付
与することができる。
【０１０５】請求項７記載の発明によれば、上述の実装
方法による実装工程を複数のボンディングヘッドの各々
が工程をずらして同時に行うため、同時に複数の半導体
装置を実装することができ、生産性が向上する。すなわ
ち、本発明による実装方法では、実装基板に実装する工
程のタクトを短縮することができるため、そ他の工程の
タクトと実装工程のタクトをほぼ等しくすることがで
き、複数の実装工程を工程をずらしながら実行すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の実装方法を用いて半導体装置を実装する
実装工程のフローチャートである。
【図２】図１に示す実装工程を説明するための図であ
る。
【図３】従来の実装方法を用いて半導体装置を実装する
実装工程のフローチャートである。
【図４】図３に示す実装工程を説明するための図であ
る。
【図５】本発明による実装方法を用いて半導体装置を実
装する実装工程のフローチャートである。
【図６】図５に示す実装工程を説明するための図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
実装方法を説明するための図である。
【図８】液体状の非導電性接着剤を剛体板に均一な厚み
に塗布する工程を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の
実装方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態による半導体装置
の実装方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態による半導体装置
の実装方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態による半導体装置
の実装方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の第６の実施の形態による半導体装置
の実装方法を説明するための図である。
【図１４】複数のボンディングヘッドによる半導体装置
の実装工程を説明する図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ２ スタッドバンプ ３ 剛体板 ４ ツール ５ 導電性接着剤 ６ 実装基板 ６ａ ランド ７，７Ａ 非導電性接着剤 ９ スキージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生雲 雅光 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 AC16 BB20 CC61 GG15 5F044 LL07 QQ04

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スタッドバンプを実装用端子として用い
    た半導体装置の実装方法であって、 平坦な剛体板の表面に非導電性接着剤を付与する工程
    と、 スタッドバンプが形成された半導体装置をボンディング
    ヘッドに取り付ける工程と、 該半導体装置に形成されたスタッドバンプを、非導電性
    接着剤が付与された前記剛体板の該表面にボンディング
    ヘッドにより押圧することにより、スタッドバンプを変
    形して所定の高さとすると共に、前記半導体装置を前記
    剛体板の前記表面から離間して所定量の前記非導電性接
    着剤を前記半導体装置の実装面全域に付着させる工程
    と、 前記ボンディングヘッドに装着された前記半導体装置を
    実装基板に搭載し、前記半導体装置の実装面に付着した
    前記非導電性接着剤を硬化させることにより、前記半導
    体装置を前記実装基板に固定する工程とを有することを
    特徴とする半導体装置の実装方法。
  2. 【請求項２】 スタッドバンプを実装用端子として用い
    た半導体装置の実装方法であって、 平坦な剛体板の表面に熱硬化性樹脂よりなる非導電性接
    着剤を付与する工程と、 スタッドバンプが形成された半導体装置をボンディング
    ヘッドに取り付ける工程と、 該半導体装置に形成されたスタッドバンプを、非導電性
    接着剤が付与された前記剛体板の該表面にボンディング
    ヘッドにより押圧することにより、スタッドバンプを変
    形して所定の高さとし、且つ前記ボンディングヘッドを
    加熱することにより前記半導体装置を介して前記非導電
    性接着剤を加熱すると共に、前記半導体装置を前記剛体
    板の前記表面から離間して所定量の前記非導電性接着剤
    を前記半導体装置の実装面全域に付着させる工程と、 前記ボンディングヘッドに装着された前記半導体装置を
    実装基板に搭載し、前記半導体装置の実装面に付着した
    前記非導電性接着剤を熱硬化させることにより、前記半
    導体装置を前記実装基板に固定する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の実装方法。
  3. 【請求項３】 スタッドバンプを実装用端子として用い
    た半導体装置の実装方法であって、 平坦な剛体板の表面に熱硬化性樹脂よりなる非導電性接
    着剤を付与する工程と、 スタッドバンプが形成された半導体装置をボンディング
    ヘッドに取り付ける工程と、 該半導体装置に形成されたスタッドバンプを、予め加熱
    されたボンディングヘッドにより、該非導電性接着剤が
    付与された前記剛体板の該表面に押圧することにより、
    スタッドバンプを変形して所定の高さとし、且つ前記ボ
    ンディングヘッドを加熱して前記半導体装置を介して前
    記非導電性接着剤を加熱すると共に、前記半導体装置を
    前記剛体板の前記表面から離間して所定量の前記非導電
    性接着剤を前記半導体装置の実装面全域に付着させる工
    程と、 前記ボンディングヘッドに装着された前記半導体装置を
    実装基板に搭載し、前記半導体装置の実装面に付着した
    前記非導電性接着剤を熱硬化させることにより、前記半
    導体装置を前記実装基板に固定する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の実装方法。
  4. 【請求項４】 請求項２又は３記載の実装方法であっ
    て、 前記非導電性接着剤は液体状であり、前記剛体板の前記
    表面上に一様な厚みで塗布されることを特徴とする実装
    方法。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の実装方法であって、 前記非導電性接着剤を付着させる工程において、前記非
    導電性接着剤が加熱されてゲル状になった状態で、前記
    半導体装置を前記剛体板から離間することを特徴とする
    実装方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の実装方法であって、 前記非導電性接着剤をフィルム状の形態で前記剛体板の
    前記表面上に貼りつけることを特徴とする実装方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載
    の実装方法を複数のヘッドの各々が工程をずらして同時
    に行うことを特徴とする半導体装置の実装方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6975036B2 (en) 2002-04-01 2005-12-13 Nec Electronics Corporation Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump
JP2008218643A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2022032523A1 (zh) * 2020-08-12 2022-02-17 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法以及显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313841A (ja) * 2000-04-14 2002-10-25 Namics Corp フリップチップ実装方法
US6461881B1 (en) 2000-06-08 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Stereolithographic method and apparatus for fabricating spacers for semiconductor devices and resulting structures
DE10063907A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-04 Philips Corp Intellectual Pty Detektor zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung
US6780682B2 (en) * 2001-02-27 2004-08-24 Chippac, Inc. Process for precise encapsulation of flip chip interconnects
JP2002299595A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP4663184B2 (ja) * 2001-09-26 2011-03-30 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004079951A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US20060057763A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a surface mountable IC and its assembly
US8291582B2 (en) * 2006-02-13 2012-10-23 Panasonic Corporation Circuit board and process for producing the same
US7951648B2 (en) * 2008-07-01 2011-05-31 International Business Machines Corporation Chip-level underfill method of manufacture
TWI478257B (zh) * 2009-08-06 2015-03-21 宏達國際電子股份有限公司 封裝結構及封裝製程
CN101989554B (zh) * 2009-08-06 2012-08-29 宏达国际电子股份有限公司 封装结构及封装工艺
TWI430376B (zh) * 2011-02-25 2014-03-11 聯測科技股份有限公司 The Method of Fabrication of Semiconductor Packaging Structure
CN110854057B (zh) * 2019-11-14 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种转移基板及其制作方法、转移方法
CN117690810A (zh) * 2023-12-11 2024-03-12 安徽丰芯半导体有限公司 一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5030308A (en) * 1986-07-14 1991-07-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
US5926694A (en) * 1996-07-11 1999-07-20 Pfu Limited Semiconductor device and a manufacturing method thereof
JPH10189663A (ja) 1996-12-26 1998-07-21 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディング装置
AU8502798A (en) * 1997-07-21 1999-02-10 Aguila Technologies, Inc. Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US6063647A (en) * 1997-12-08 2000-05-16 3M Innovative Properties Company Method for making circuit elements for a z-axis interconnect

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6975036B2 (en) 2002-04-01 2005-12-13 Nec Electronics Corporation Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump
US7579211B2 (en) 2002-04-01 2009-08-25 Nec Electronics Corporation Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump
JP2008218643A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2022032523A1 (zh) * 2020-08-12 2022-02-17 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法以及显示装置

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