JP2002170850A - 電子部品実装構造体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度実装において歩留まり良く製造するこ
とを可能とする電子部品実装構造体及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 所定の電子部品をその電極が回路基板側
の電極と電気的に接続するように実装するとともに、該
電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接
続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化
させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱
硬化させてなる電子部品実装構造体の製造方法におい
て、上記封止樹脂を加熱硬化させる間に、上記熱硬化性
絶縁樹脂の温度がそのガラス転移点以上になった時点
で、上記電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うよう
に加圧を行うことにより、熱硬化性絶縁樹脂に生じる応
力を分散させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ実
装法を用いて構成される構造体及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路基板上に集積回路チップ等の
電子部品を実装する際には、両者の電極間を金属細線で
結線するワイヤボンディングがよく利用されてきた。し
かし、近年、特に半導体装置等の電子部品においては、パ
ッケージの小型化や接続端子数の増加により接続端子の
間隔が狭くなり、従来のワイヤボンディング技術で対処
することが次第に困難になってきた。これに関連して、
最近では、電子部品を回路基板の入出力端子電極上に直
接実装することにより、半導体パッケージの小型化・高
密度実装化を図ろうとする方法が提案されてきている。

【０００３】なかでも、電子部品を回路基板にフェイス
ダウン状態で実装する方法（所謂フリップチップ実装
法）は、電子部品と回路基板との電気的接続が一括して
できることや接続後の機械的強度が強いことから有用な
方法であるとされている。フリップチップ実装法として
は、電子部品及び回路基板の電極相互間に、例えばはん
だ，異方性導電シート又は導電性接着剤を介して電気的
接続を行う方法がある。

【０００４】これに関連して、図８には、導電性接着剤
を介して電気的接続を行うフリップチップ実装法を用い
て組み立てられた実装構造体の従来例を概略的に示す。
この実装構造体８０は、半導体チップ８２が回路基板８
３上にそれらの電極パッド８４と入出力端子電極８５と
が互いに電気的に接続されつつ実装されてなるものであ
る。半導体チップ８２を回路基板８３に実装するに先立
ち、半導体チップ８２側では、ワイヤボンディング法を
用いて、その電極パッド８４上に突起電極８６を形成
し、更に、突起電極８６上には転写法を用いて導電性接
着剤層（以下、単に導電性接着剤という）８７を形成す
る。他方、回路基板８３側では、半導体チップ８２の実
装エリア内で、且つ、回路基板３上の電気的接続に関与
しない領域（この例では中央の領域）に、熱硬化性絶縁
樹脂８８を供給する。

【０００５】その後、半導体チップ８２を、図８に示さ
れるように、フェイスダウン状態で、互いに対応する電
極を位置合せしつつ、回路基板８３上に載置する。この
状態で、導電性接着剤８７及び熱硬化性絶縁樹脂８８を
加熱し、両者を硬化させる。これにより、半導体チップ
８２及び回路基板８３の両電極間の電気的接続が得られ
る。続いて、両電極間の電気的接続を補強するために、
半導体チップ８２と回路基板８３との間で、導電性接着
剤８７及び熱硬化性絶縁樹脂８８が存在しない領域に、
封止樹脂８９を供給し、これを加熱して硬化させる。以
上で、図８に示す実装構造体８０が得られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、現在、ノー
トパソコン，携帯電話等の携帯機器の小型軽量化が進む
につれ、半導体部品実装分野においても高密度実装への
要望が強くなり、これに応じるべく、接続端子の間隔の
狭ピッチ化が盛んに進められている。こうした狭ピッチ
化には高度な技術が必要とされ、製品の歩留りが低下す
る惧れがあるが、特に民生機器の分野においては、消費
者の需要に応じて供給する点から、生産性を低下させる
ことは望ましくない。したがって、従来、電子部品実装
構造体については、その製品の歩留りを維持しつつ高密
度実装を実現することが重要な課題の１つとされてい
る。

【０００７】本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされ
たもので、高密度実装において歩留まり良く製造するこ
とを可能とする電子部品実装構造体及びその製造方法を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１に係る発
明は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と
電気的に接続するように実装するとともに、該電子部品
と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以
外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体の製造方法において、上記封
止樹脂を加熱硬化させる間に、上記熱硬化性絶縁樹脂の
温度がそのガラス転移点以上になった時点で、上記電子
部品と回路基板とが互いに付勢し合うように加圧を行う
ことを特徴としたものである。

【０００９】また、本願の請求項２に係る発明は、請求
項１に係る発明において、上記電子部品として半導体部
品を用いることを特徴としたものである。

【００１０】更に、本願の請求項３に係る発明は、請求
項２に係る発明において、上記半導体部品が、フリップ
チップ実装型の部品であることを特徴としたものであ
る。

【００１１】また、更に、本願の請求項４に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、上
記電子部品側の電極と回路基板側の電極とを導電性接着
剤を介して電気的に接続することを特徴としたものであ
る。

【００１２】また、更に、本願の請求項５に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、更
に、上記熱硬化性絶縁樹脂の硬化時に、電子部品又は回
路基板のいずれか一方から急激に加熱を行い、該熱硬化
性絶縁樹脂の内部に、閉鎖された空洞を形成することを
特徴としたものである。

【００１３】また、更に、本願の請求項６に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、更
に、上記熱硬化性絶縁樹脂に所定温度以上で揮発性を有
する希釈剤を添加した上で、該熱硬化性絶縁樹脂に含ま
れる希釈剤の揮発温度以上にて硬化を行うことにより、
該熱硬化性絶縁樹脂の外面に、開放された空洞を形成す
ることを特徴としたものである。

【００１４】また、更に、本願の請求項７に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、更
に、上記熱硬化性絶縁樹脂の内部に弾性ゴムを含ませる
ことを特徴としたものである。

【００１５】また、更に、本願の請求項８に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、更
に、上記熱硬化性絶縁樹脂の少なくとも一部を、無機フ
ィラーを含有しない層を用いて形成することを特徴とし
たものである。

【００１６】また、更に、本願の請求項９に係る発明
は、請求項１〜３に係る発明のいずれか一において、更
に、上記回路基板又は電子部品と熱硬化性絶縁樹脂との
間に、上記電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うよ
うに加圧を行うに際して該熱硬化性絶縁樹脂に生じる応
力を緩和するための応力緩和層を形成することを特徴と
したものである。

【００１７】また、更に、本願の請求項１０に係る発明
は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と電
気的に接続するように実装するとともに、該電子部品と
回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以外
の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性絶縁
樹脂が、その内部に、閉鎖された空洞を有することを特
徴としたものである。

【００１８】また、更に、本願の請求項１１に係る発明
は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と電
気的に接続するように実装するとともに、該電子部品と
回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以外
の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性絶縁
樹脂が、その外面に、開放された空洞を有することを特
徴としたものである。

【００１９】また、更に、本願の請求項１２に係る発明
は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と電
気的に接続するように実装するとともに、該電子部品と
回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以外
の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性絶縁
樹脂が、その内部に、弾性ゴムを含んでいることを特徴
としたものである。

【００２０】また、更に、本願の請求項１３に係る発明
は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と電
気的に接続するように実装するとともに、該電子部品と
回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以外
の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性絶縁
樹脂の少なくとも一部が、無機フィラーを含有しない樹
脂から構成されることを特徴としたものである。

【００２１】また、更に、本願の請求項１４に係る発明
は、請求項１３に係る発明において、上記熱硬化性絶縁
樹脂が、上記電子部品側にて無機フィラーを含有しない
層を有していることを特徴としたものである。

【００２２】また、更に、本願の請求項１５に係る発明
は、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電極と電
気的に接続するように実装するとともに、該電子部品と
回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部分以外
の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上
で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させ
てなる電子部品実装構造体において、上記回路基板又は
電子部品と熱硬化性絶縁樹脂との間に、上記電子部品と
回路基板とが互いに付勢し合うように加圧を行うに際し
て該熱硬化性絶縁樹脂に生じる応力を緩和するための応
力緩和層が設けられていることを特徴としたものであ
る。

【００２３】また、更に、本願の請求項１６に係る発明
は、請求項１５に係る発明において、上記応力緩和層が
熱可塑性樹脂からなることを特徴としたものである。

【００２４】また、更に、本願の請求項１７に係る発明
は、請求項１５に係る発明において、上記応力緩和層が
弾性ゴムからなることを特徴としたものである。

【００２５】

【発明の実施形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係る半
導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説明図であ
る。この実装構造体１０は、基本的に、半導体部品（以
下、半導体チップという）２をその突起電極６が回路基
板３上の入出力端子電極５と電気的に接続するように実
装するとともに、該半導体部品２と回路基板３との間
で、互いに対応する電極が接続する部分以外の所定領域
に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させた上で、該電
極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化させてなるも
のである。ここでは、半導体チップ２として、１０ｍｍ
×１０ｍｍサイズを有するものを用い、また、回路基板
３としては、ガラスエポキシ製のものを用いた。

【００２６】この実施の形態１では、半導体チップ２を
回路基板３上にフリップチップ実装するに先立ち、半導
体チップ２側では、その電極パッド４上に、公知の方法
を用いて、突起電極（所謂バンプ）６を形成する。ここ
では、ワイヤボンディング装置を改良したバンプボンダ
装置を用いて、金（Ａｕ）のワイヤを溶融して球状にし
た後に、電極パッド４に対して超音波，熱及び圧力で接
合させ、金製の突起電極６を形成する。また、この実施
の形態１では、転写法を用いて、突起電極６上に導電性
接着剤層（以下では、単に、導電性接着剤という）７を
形成する。

【００２７】他方、回路基板３側では、半導体チップ２
の実装エリア内で、且つ、回路基板３上の電気的接続に
関与しない領域に、熱硬化性絶縁樹脂８を供給する。こ
こでは、熱硬化性絶縁樹脂８として、ガラス転移点（粘
性又は弾性を有するものから比較的かたくて脆いものに
変化する温度）が５０℃である硬化物特性を有するもの
を用いた。その後、公知の方法を用い、互いに対応する
電極を位置合わせしつつ、回路基板３上に半導体チップ
２を載置する。この状態で、半導体チップ２と回路基板
３との間の導電性接着剤７及び熱硬化性樹脂８を加熱
し、両者を同時に硬化させる。以上で、回路基板４に対
する半導体チップ２のフリップチップ実装が行なわれ
る。

【００２８】以上のように導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂８を硬化させた上で、半導体チップ２と回路基
板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性絶縁樹脂８
が存在しない領域に、封止樹脂９を供給する。そして、
封止樹脂９を加熱硬化させる。この実施の形態１では、
封止樹脂９を加熱硬化させる間に、既に硬化させられた
熱硬化性樹脂８の温度がそのガラス転移点（ここでは５
０℃）に到達した時点で、半導体チップ２と回路基板３
とが互いに付勢し合うように、半導体チップ２を保持
し、回路基板３の底面側から圧力を加える。この状態
で、更に、封止樹脂９が硬化温度に達するまで加熱し、
封止樹脂９を硬化させる。以上で、図１に示すような半
導体部品実装構造体１０が得られる。

【００２９】このように、半導体チップ２を保持し、回
路基板３の底面側から加圧を行なうことにより、封止樹
脂９を押さえ込み、硬化時に生じ得る封止樹脂９の膨張
や回路基板３の反り等に対する耐性を有することができ
る。その結果、半導体チップ２と回路基板３との間の電
気的接続部分に対するダメージを抑制することができ
る。また、この熱硬化性絶縁樹脂８のガラス転移点を越
えた段階で加圧を行なうため、熱硬化性絶縁樹脂８のヤ
ング率は低下した状態にあり、加圧時に発生する応力を
吸収することができ、半導体チップ２へのダメージを抑
制することが可能である。以上の効果が得られることに
より、実装構造体１０を歩留りよく製造することができ
る。

【００３０】なお、半導体チップ２と回路基板３とが互
いに付勢し合うように圧力を加える方法として、前述し
たように、半導体チップ２を保持し、回路基板３の底面
側から圧力を加える方法に限定されることなく、例え
ば、回路基板３を保持し、半導体チップ２の上面側から
圧力を加えても、若しくは、回路基板３の底面側及び半
導体チップ２の上面側の両側から圧力を加えてもよい。

【００３１】以下、本発明の他の実施の形態について説
明する。なお、以下の説明では、上記実施の形態１にお
ける場合と同じものについては、同一の符号を付し、そ
れ以上の説明を省略する。 実施形態２．図２は、本発明の実施の形態２に係る半導
体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説明図である。
この半導体部品実装構造体２０は、上記実施の形態１に
係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ構成を有する
もので、この実施の形態２では、半導体チップ２と回路
基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹脂２８が閉鎖
された空洞２１を含んでいる。

【００３２】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、熱硬化性絶縁樹脂２８を供給する。この
実施の形態２では、熱硬化性絶縁樹脂２８として、その
ガラス転移点が１１０℃である硬化特性を有するものを
用いた。

【００３３】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から昇温スピード約２００℃／分で１２０℃まで加熱し
て、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂２８を硬化さ
せる。このとき、熱硬化性絶縁樹脂２８が急激に加熱さ
れることにより、熱硬化性絶縁樹脂２８内に閉鎖された
空洞２１が形成される。以上で、回路基板３に対する半
導体チップ２のフリップチップ実装が行なわれる。な
お、昇温スピード等の硬化プロファイルは、使用樹脂材
料によって異なるものであり、使用材料ごとの最適化が
必要である。

【００３４】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂２８が存在しない領域に、封止樹脂９を供給す
る。そして、封止樹脂９を加熱し硬化させる。この加熱
硬化の間には、熱硬化性樹脂２８の温度がガラス転移点
に到達した時点で、上記実施の形態１における場合と同
様に、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合
うように圧力を加える。この状態で、更に、封止樹脂９
が硬化温度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化させ
る。以上で、図２に示すような半導体部品実装構造体２
０が得られる。なお、封止樹脂９の硬化温度等の硬化条
件は、使用する材料により異なる。

【００３５】この実施の形態２では、熱硬化性絶縁樹脂
２８の加熱硬化を急激に行うことにより、該熱硬化性絶
縁樹脂２８内に閉鎖された空洞２１が形成されるため、
熱硬化性絶縁樹脂２８の強度が比較的小さい。その結
果、封止樹脂９を加熱硬化させる間に、封止樹脂９の膨
張を押さえ込むべく、半導体チップ２と回路基板３とが
互いに付勢し合うように加圧を行なうに際して、応力に
対する半導体チップ２及び回路基板３の配列方向におけ
る変形量が大きくなり、その応力を分散させることがで
きる。また、熱硬化性絶縁樹脂２８のガラス転移点を越
えた段階で加圧を行なうため、熱硬化性絶縁樹脂２８の
ヤング率は低下した状態にあり、加圧時に生じる応力を
吸収することができ、半導体チップ２へのダメージを抑
制することが可能である。以上の効果が得られることに
より、実装構造体２０を歩留りよく製造することができ
る。

【００３６】実施形態３．図３は、本発明の実施の形態
３に係る半導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説
明図である。この半導体部品実装構造体３０は、上記実
施の形態１に係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ
構成を有するもので、この実施の形態３では、半導体チ
ップ２と回路基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹
脂３８が開放された空洞３１を含んでいる。

【００３７】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、熱硬化性絶縁樹脂３８を供給する。この
実施の形態３では、熱硬化性絶縁樹脂３８として、所定
温度以上で揮発性を有する希釈剤（ここでは低分子エポ
キシ樹脂）が添加されてなるものを用いた。なお、低分
子エポキシ樹脂の代わりに、溶剤等を用いてもよい。

【００３８】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から加熱して、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂３
８を硬化させる。このとき、熱硬化性絶縁樹脂３８をそ
れに含まれる希釈剤の揮発温度以上に加熱することによ
り、熱硬化性絶縁樹脂３８に、その外面にて開口する開
放された空洞３１が形成される。以上で、回路基板３に
対する半導体チップ２のフリップチップ実装が行なわれ
る。

【００３９】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂３８が存在しない領域に、封止樹脂９を供給す
る。図３では、開放された空洞３１を白抜きで示すが、
実際には、このとき、封止樹脂９は、熱硬化性絶縁樹脂
３８における開放された空洞３１にも入り込む。そし
て、封止樹脂９を加熱し硬化させる。この加熱硬化の間
には、熱硬化性樹脂３８の温度がガラス転移点に到達し
た時点で、上記実施の形態１における場合と同様に、半
導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合うように
加圧を行なう。この状態で、更に、封止樹脂９が硬化温
度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化させる。以上
で、図３に示すような半導体部品実装構造体３０が得ら
れる。

【００４０】この実施の形態３では、熱硬化性絶縁樹脂
３８に開放された空洞３１が形成されるため、熱硬化性
絶縁樹脂３８の強度が比較的小さい。その結果、封止樹
脂９を加熱硬化させる間に、封止樹脂９の膨張を押さえ
込むべく、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢
し合うように加圧を行なうに際して、応力に対する半導
体チップ２及び回路基板３の配列方向における変形量が
大きくなり、その応力を分散させることができる。ま
た、封止樹脂９の加熱硬化後には、熱硬化性絶縁樹脂３
８の開放された空洞３１内に封止樹脂９が存在するた
め、最終的に得られる実装構造体３０の信頼性を向上さ
せることができる。更に、熱硬化性絶縁樹脂３８のガラ
ス転移点を越えた段階で加圧を行なうため、熱硬化性絶
縁樹脂３８のヤング率は低下した状態にあり、加圧時に
生じる応力を吸収することができ、半導体チップ２への
ダメージを抑制することが可能である。以上の効果が得
られることにより、実装構造体３０を歩留りよく製造す
ることができる。

【００４１】実施形態４．図４は、本発明の実施の形態
４に係る半導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説
明図である。この半導体部品実装構造体４０は、上記実
施の形態１に係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ
構成を有するもので、この実施の形態４では、半導体チ
ップ２と回路基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹
脂４８がその内部に弾性ゴム４１を含んでいる。

【００４２】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、熱硬化性絶縁樹脂４８を供給する。この
実施の形態４では、熱硬化性絶縁樹脂４８として、その
内部に、球状の弾性ゴム４１が含まれたものを用いた。

【００４３】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から加熱して、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂４
８を硬化させる。以上で、回路基板３に対する半導体チ
ップ２のフリップチップ実装が行なわれる。

【００４４】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂４８が存在しない領域に、封止樹脂９を供給す
る。そして、封止樹脂９を加熱し硬化させる。この加熱
硬化の間には、熱硬化性樹脂４８の温度がガラス転移点
に到達した時点で、上記実施の形態１における場合と同
様に、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合
うように加圧を行なう。この状態で、更に、封止樹脂９
が硬化温度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化させ
る。以上で、図４に示すような半導体部品実装構造体４
０が得られる。

【００４５】この実施の形態４では、熱硬化性絶縁樹脂
４８に弾性ゴム４１が含まれるため、熱硬化性絶縁樹脂
４８の所定以上の弾性が得られる。これにより、封止樹
脂９を加熱硬化させる間に、封止樹脂９の膨張を押さえ
込むべく、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢
し合うように加圧を行なうに際して、応力に対する半導
体チップ２及び回路基板３の配列方向における変形量が
大きくなり、その応力を分散させることができる。ま
た、熱硬化性絶縁樹脂４８のガラス転移点を越えた段階
で加圧を行なうため、熱硬化性絶縁樹脂４８のヤング率
は低下した状態にあり、加圧時に生じる応力を吸収する
ことができ、半導体チップ２へのダメージを抑制するこ
とが可能である。以上の効果が得られることにより、実
装構造体４０を歩留りよく製造することができる。

【００４６】なお、ここでは、熱硬化性絶縁樹脂４８の
内部に球状の弾性ゴム４１が含まれたが、弾性ゴムの形
状としては、これに限定されることなく、例えば、熱硬
化性絶縁樹脂内に縞状に配置されてもよい。

【００４７】実施形態５．図５は、本発明の実施の形態
５に係る半導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説
明図である。この半導体部品実装構造体５０は、上記実
施の形態１に係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ
構成を有するもので、この実施の形態５では、半導体チ
ップ２と回路基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹
脂５８として、無機フィラー（無機充填剤）を含まない
ものを用いる。

【００４８】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、無機フィラーを含有しない熱硬化性絶縁
樹脂５８を供給する。

【００４９】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から加熱して、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂５
８を硬化させる。以上で、回路基板３に対する半導体チ
ップ２のフリップチップ実装が行なわれる。

【００５０】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂５８が存在しない領域に、封止樹脂９を供給す
る。そして、封止樹脂９を加熱し硬化させる。この加熱
硬化の間には、熱硬化性樹脂５８の温度がガラス転移点
に到達した時点で、上記実施の形態１における場合と同
様に、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合
うように加圧を行なう。この状態で、更に、封止樹脂９
が硬化温度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化させ
る。以上で、図５に示すような半導体部品実装構造体５
０が得られる。

【００５１】この実施の形態５では、熱硬化性絶縁樹脂
５８に無機フィラーが含まれないため、熱硬化性絶縁樹
脂５８の所定以上の弾性が得られる。その結果、封止樹
脂９を加熱硬化させる間に、封止樹脂９の膨張を押さえ
込むべく、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢
し合うように加圧を行なうに際して、無機フィラーが支
点となり応力が集中することもなく、その応力を分散さ
せることができる。また、熱硬化性絶縁樹脂５８のガラ
ス転移点を越えた段階で加圧を行なうため、熱硬化性絶
縁樹脂５８のヤング率は低下した状態にあり、応力を吸
収することができ、半導体チップ２へのダメージを抑制
することが可能である。以上の効果が得られることによ
り、実装構造体５０を歩留りよく製造することができ
る。

【００５２】実施形態６．図６は、本発明の実施の形態
６に係る半導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説
明図である。この半導体部品実装構造体６０は、上記実
施の形態１に係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ
構成を有するもので、この実施の形態６では、半導体チ
ップ２と回路基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹
脂６８として、無機フィラーを含有する熱硬化性絶縁樹
脂６１と、無機フィラーを含有しないフィルム状の熱硬
化性絶縁樹脂６２とから構成されるものを用いる。

【００５３】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、無機フィラーを含有する熱硬化性絶縁樹
脂６１をペースト状に供給する。更に、熱硬化性絶縁樹
脂６１上に、無機フィラーを含有しないフィルム状の熱
硬化性絶縁樹脂６２を供給する。ここでは、熱硬化性絶
縁樹脂６１としてペースト状のものを用い、無機フィラ
ーを含有する熱硬化性絶縁樹脂６２にはフィルム状のも
のを用いたが、材質上の制約はなく、例えば、熱硬化性
絶縁樹脂６１として、複数のフィルム状熱硬化性絶縁樹
脂が積層されてなるものを用いてもよい。

【００５４】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から加熱して、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂６
８（６１及び６２）を硬化させる。以上で、回路基板３
に対する半導体チップ２のフリップチップ実装が行なわ
れる。

【００５５】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂６８（６１及び６２）が存在しない領域に、封
止樹脂９を供給する。そして、封止樹脂９を加熱し硬化
させる。この加熱硬化の間には、熱硬化性絶縁樹脂６１
又は６２のいずれか一方の温度がガラス転移点に到達し
た時点で、上記実施の形態１における場合と同様に、半
導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合うように
加圧を行なう。この状態で、更に、封止樹脂９が硬化温
度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化させる。以上
で、図６に示すような半導体部品実装構造体６０が得ら
れる。

【００５６】この実施の形態６では、熱硬化性絶縁樹脂
６８の構成として無機フィラーを含有しない熱硬化性絶
縁樹脂６２が含まれるため、、封止樹脂９を加熱硬化さ
せる間に、封止樹脂９の膨張を押さえ込むべく、半導体
チップ２と回路基板３とが互いに付勢し合うように加圧
を行なうに際して、無機フィラーが支点となり応力が集
中することもなく、その応力を分散させることができ
る。また、熱硬化性絶縁樹脂６１又は６２のガラス転移
点を越えた段階で圧力を加えるため、熱硬化性絶縁樹脂
６８（６１及び６２）のヤング率は低下した状態にあ
り、応力を吸収することができ、半導体チップ２へのダ
メージを抑制することが可能である。以上の効果が得ら
れることにより、実装構造体６０を歩留りよく製造する
ことができる。

【００５７】実施形態７．図７は、本発明の実施の形態
７に係る半導体部品実装構造体を概略的に示す縦断面説
明図である。この半導体部品実装構造体７０は、上記実
施の形態１に係る半導体部品実装構造体１０とほぼ同じ
構成を有するもので、この実施の形態７では、半導体チ
ップ２と回路基板３との間に供給される熱硬化性絶縁樹
脂７８の下側に（すなわち熱硬化性絶縁樹脂７８と回路
基板３との間に）、熱可塑性樹脂からなる応力緩和層７
１が形成される。

【００５８】半導体チップ２を回路基板３上にフリップ
チップ実装するに先立ち、上記実施の形態１における場
合と同様に、回路基板３上で、半導体チップ２の実装エ
リア内で、かつ、半導体チップ２との電気的接続に関与
しない領域に、応力緩和層７１を形成する。この応力緩
和層７１は、熱可塑性樹脂を供給し加熱を行うことによ
り、ポーラス状に（すなわち多孔を有するように）形成
される。更に、応力緩和層７１上に熱硬化性絶縁樹脂７
８を供給する。なお、応力緩和層７１の形態としては、
これに限定されることなく、ゴムシート等を用いてもよ
い。また、応力緩和層７１は、熱硬化性絶縁樹脂７８と
半導体チップ２との間に形成してもよい。

【００５９】その後、公知の方法を用いて、互いに対応
する電極を位置合わせし、半導体チップ２を回路基板３
上に載置する。また、これと同時に、半導体チップ側２
から加熱して、導電性接着剤５及び熱硬化性絶縁樹脂７
８を硬化させる。以上で、回路基板３に対する半導体チ
ップ２のフリップチップ実装が行なわれる。

【００６０】続いて、公知の方法を用い、半導体チップ
２と回路基板３との間で、導電性接着剤７及び熱硬化性
絶縁樹脂７８が存在しない領域に、封止樹脂９を供給す
る。そして、封止樹脂９を加熱し硬化させる。この加熱
硬化の間には、熱硬化性絶縁樹脂７８の温度がガラス転
移点に到達した時点で、上記実施の形態１における場合
と同様に、半導体チップ２と回路基板３とが互いに付勢
し合うように加圧を行なう。この状態で、更に、封止樹
脂９が硬化温度に達するまで加熱し、封止樹脂９を硬化
させる。以上で、図７に示すような半導体部品実装構造
体７０が得られる。

【００６１】この実施の形態７では、熱硬化性絶縁樹脂
７８と回路基板３との間に多孔を有する応力緩和層が形
成されるため、封止樹脂９を加熱硬化させる間に、封止
樹脂９の膨張を押さえ込むべく、半導体チップ２と回路
基板３とが互いに付勢し合うように加圧を行なうに際し
て、その応力を分散させることができる。また、熱硬化
性絶縁樹脂７８のガラス転移点を越えた段階で圧力を加
えるため、熱硬化性絶縁樹脂７８のヤング率は低下した
状態にあり、応力を吸収することができ、半導体チップ
２へのダメージを抑制することが可能である。以上の効
果が得られることにより、実装構造体７０を歩留りよく
製造することができる。

【００６２】なお、本発明は、例示された実施の形態に
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。なお、前述した実施の形態では、
半導体チップ２を回路基板３上に実装するに先立ち、ワ
イヤボンディング法を用いて、半導体チップ２の電極パ
ッド４に突起電極６を形成したが、これに限定されるこ
となく、例えば半導体チップ２の電極パッド４と回路基
板３上の入出力端子電極５とをはんだ付けにより直接に
接合させてもよく、また、突起電極６の形成方法とし
て、メッキ法を用いてもよい。

【００６３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
請求項１に係る発明によれば、所定の電子部品をその電
極が回路基板側の電極と電気的に接続するように実装す
るとともに、該電子部品と回路基板との間で、互いに対
応する電極の接続部分以外の領域に供給された熱硬化性
絶縁樹脂を硬化させた上で、該電極の接続部分に封止樹
脂を供給し加熱硬化させてなる電子部品実装構造体の製
造方法において、上記封止樹脂を加熱硬化させる間に、
上記熱硬化性絶縁樹脂の温度がそのガラス転移点以上に
なった時点で、上記電子部品と回路基板とが互いに付勢
し合うように加圧を行うので、封止樹脂を押さえ込み、
硬化時に生じ得る封止樹脂の膨張や回路基板の反り等に
対する耐性を有することができる。その結果、電子部品
と回路基板との間の電気的接続部分に対するダメージを
抑制することができる。また、この熱硬化性絶縁樹脂の
ガラス転移点を越えた段階で加圧を行なうため、熱硬化
性絶縁樹脂のヤング率は低下した状態にあり、加圧時に
発生する応力を吸収することができ、電子部品へのダメ
ージを抑制することが可能である。以上の効果が得られ
ることにより、電子部品実装構造体を歩留りよく製造す
ることができる。

【００６４】また、本願の請求項２に係る発明によれ
ば、上記電子部品として半導体部品を用いて、各種の半
導体装置に適用可能である。

【００６５】更に、本願の請求項３に係る発明によれ
ば、上記半導体部品が、フリップチップ実装型の部品で
あるので、電子部品実装構造体の歩留りを維持しつつ、
高密度実装を実現することができる。

【００６６】また、更に、本願の請求項４に係る発明に
よれば、上記電子部品側の電極と回路基板側の電極とを
導電性接着剤を介して電気的に接続し、接着箇所の表面
処理を必要とせず、互いに対応する電極を良好に接続す
ることができる。

【００６７】また、更に、本願の請求項５に係る発明に
よれば、更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の硬化時に、電子
部品又は回路基板のいずれか一方から急激に加熱を行
い、該熱硬化性絶縁樹脂の内部に、閉鎖された空洞を形
成するので、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂
の膨張を押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互い
に付勢し合うように加圧を行なうに際して、応力に対す
る電子部品及び回路基板の配列方向における変形量が大
きくなり、その応力を分散させることができ、電子部品
へのダメージを抑制することが可能である。その結果、
電子部品実装構造体を一層歩留りよく製造することがで
きる。

【００６８】また、更に、本願の請求項６に係る発明に
よれば、更に、上記熱硬化性絶縁樹脂に所定温度以上で
揮発性を有する希釈剤を添加した上で、該熱硬化性絶縁
樹脂に含まれる希釈剤の揮発温度以上にて硬化を行うこ
とにより、該熱硬化性絶縁樹脂の外面に、開放された空
洞を形成するので、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封
止樹脂の膨張を押さえ込むべく、電子部品と回路基板と
が互いに付勢し合うように加圧を行なうに際して、応力
に対する電子部品及び回路基板の配列方向における変形
量が大きくなり、その応力を分散させることができ、電
子部品へのダメージを抑制することが可能である。その
結果、電子部品実装構造体を一層歩留りよく製造するこ
とができる。

【００６９】また、更に、本願の請求項７に係る発明に
よれば、更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の内部に弾性ゴム
を含ませるので、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止
樹脂の膨張を押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが
互いに付勢し合うように加圧を行なうに際して、応力に
対する電子部品及び回路基板の配列方向における変形量
が大きくなり、その応力を分散させることができ、電子
部品へのダメージを抑制することが可能である。その結
果、電子部品実装構造体を一層歩留りよく製造すること
ができる。

【００７０】また、更に、本願の請求項８に係る発明に
よれば、更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の少なくとも一部
を、無機フィラーを含有しない層を用いて形成するの
で、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を
押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し
合うように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部
品及び回路基板の配列方向における変形量が大きくな
り、その応力を分散させることができ、電子部品へのダ
メージを抑制することが可能である。その結果、電子部
品実装構造体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７１】また、更に、本願の請求項９に係る発明に
よれば、更に、上記回路基板又は電子部品と熱硬化性絶
縁樹脂との間に、上記電子部品と回路基板とが互いに付
勢し合うように加圧を行うに際して該熱硬化性絶縁樹脂
に生じる応力を緩和するための応力緩和層を形成するの
で、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を
押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し
合うように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部
品及び回路基板の配列方向における変形量が大きくな
り、その応力を分散させることができ、電子部品へのダ
メージを抑制することが可能である。その結果、電子部
品実装構造体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７２】また、更に、本願の請求項１０に係る発明
によれば、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電
極と電気的に接続するように実装するとともに、該電子
部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部
分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させ
た上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化
させてなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性
絶縁樹脂が、その内部に、閉鎖された空洞を有するの
で、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を
押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し
合うように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部
品及び回路基板の配列方向における変形量が大きくな
り、その応力を分散させることができ、電子部品へのダ
メージを抑制することが可能である。その結果、電子部
品実装構造体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７３】また、更に、本願の請求項１１に係る発明
によれば、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電
極と電気的に接続するように実装するとともに、該電子
部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部
分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させ
た上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化
させてなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性
絶縁樹脂が、その外面に、開放された空洞を有するの
で、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を
押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し
合うように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部
品及び回路基板の配列方向における変形量が大きくな
り、その応力を分散させることができ、電子部品へのダ
メージを抑制することが可能である。その結果、電子部
品実装構造体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７４】また、更に、本願の請求項１２に係る発明
によれば、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電
極と電気的に接続するように実装するとともに、該電子
部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部
分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させ
た上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化
させてなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性
絶縁樹脂が、その内部に、弾性ゴムを含んでいるので、
封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を押さ
え込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し合う
ように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部品及
び回路基板の配列方向における変形量が大きくなり、そ
の応力を分散させることができ、電子部品へのダメージ
を抑制することが可能である。その結果、電子部品実装
構造体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７５】また、更に、本願の請求項１３に係る発明
によれば、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電
極と電気的に接続するように実装するとともに、該電子
部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部
分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させ
た上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化
させてなる電子部品実装構造体において、上記熱硬化性
絶縁樹脂の少なくとも一部が、無機フィラーを含有しな
い樹脂から構成されるので、封止樹脂を加熱硬化させる
間に、封止樹脂の膨張を押さえ込むべく、電子部品と回
路基板とが互いに付勢し合うように加圧を行なうに際し
て、応力に対する電子部品及び回路基板の配列方向にお
ける変形量が大きくなり、その応力を分散させることが
でき、電子部品へのダメージを抑制することが可能であ
る。その結果、電子部品実装構造体を一層歩留りよく製
造することができる。

【００７６】また、更に、本願の請求項１４に係る発明
によれば、上記熱硬化性絶縁樹脂が、上記電子部品側に
て無機フィラーを含有しない層を有しているので、封止
樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を押さえ込
むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うよう
に加圧を行なうに際して、応力に対する電子部品及び回
路基板の配列方向における変形量が大きくなり、その応
力を分散させることができ、電子部品へのダメージを抑
制することが可能である。その結果、電子部品実装構造
体を一層歩留りよく製造することができる。

【００７７】また、更に、本願の請求項１５に係る発明
によれば、所定の電子部品をその電極が回路基板側の電
極と電気的に接続するように実装するとともに、該電子
部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接続部
分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化させ
た上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱硬化
させてなる電子部品実装構造体において、上記回路基板
又は電子部品と熱硬化性絶縁樹脂との間に、上記電子部
品と回路基板とが互いに付勢し合うように加圧を行うに
際して該熱硬化性絶縁樹脂に生じる応力を緩和するため
の応力緩和層が設けられているので、封止樹脂を加熱硬
化させる間に、封止樹脂の膨張を押さえ込むべく、電子
部品と回路基板とが互いに付勢し合うように加圧を行な
うに際して、応力に対する電子部品及び回路基板の配列
方向における変形量が大きくなり、その応力を分散させ
ることができ、電子部品へのダメージを抑制することが
可能である。その結果、電子部品実装構造体を一層歩留
りよく製造することができる。

【００７８】また、更に、本願の請求項１６に係る発明
によれば、上記応力緩和層が熱可塑性樹脂からなるの
で、封止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を
押さえ込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し
合うように加圧を行なうに際して、応力に対する電子部
品及び回路基板の配列方向における十分な変形量を確保
し、その応力を分散させることができ、電子部品へのダ
メージを確実に抑制することが可能である。

【００７９】また、更に、本願の請求項１７に係る発明
によれば、上記応力緩和層が弾性ゴムからなるので、封
止樹脂を加熱硬化させる間に、封止樹脂の膨張を押さえ
込むべく、電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うよ
うに加圧を行なうに際して、応力に対する電子部品及び
回路基板の配列方向における十分な変形量を確保し、そ
の応力を分散させることができ、電子部品へのダメージ
を確実に抑制することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図２】 本発明の実施の形態２に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図３】 本発明の実施の形態３に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図４】 本発明の実施の形態４に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図５】 本発明の実施の形態５に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図６】 本発明の実施の形態６に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図７】 本発明の実施の形態７に係る半導体部品実装
構造体を概略的に示す縦断面説明図である。

【図８】 従来の実装構造体を概略的に示す縦断面説明
図である。

【符号の説明】

２…半導体チップ ３…回路基板 ４…半導体チップ側の電極パッド ５…回路基板側の入出力端子電極 ６…半導体チップ側の突起電極 ７…導電性接着剤 ８，２８，３８，４８，６１…熱硬化性絶縁樹脂 ９…封止樹脂 １０，２０，３０，４０，５０，６０，７０…半導体部
品実装構造体 ２１…閉鎖された空洞 ３１…開放された空洞 ４１…弾性ゴム ５８，６２…無機フィラーを含まない熱硬化性絶縁樹脂 ７１…応力緩和層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/32 (72)発明者 板垣 峰広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA03 CA05 CA22 DA03 EA02 EA12 EB19 EE02 5E319 AA03 AB05 AC01 BB11 5E336 AA04 BB01 CC02 CC55 EE07 5F044 KK01 LL07 LL11 RR17 RR18 RR19 5F061 AA02 BA03 CA05 CA22 DE03

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の電子部品をその電極が回路基板側
   の電極と電気的に接続するように実装するとともに、該
   電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の接
   続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬化
   させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加熱
   硬化させてなる電子部品実装構造体の製造方法におい
   て、 上記封止樹脂を加熱硬化させる間に、上記熱硬化性絶縁
   樹脂の温度がそのガラス転移点以上になった時点で、上
   記電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うように加圧
   を行うことを特徴とする電子部品実装構造体の製造方
   法。
2. 【請求項２】 上記電子部品として半導体部品を用いる
   ことを特徴とする請求項１記載の電子部品実装構造体の
   製造方法。
3. 【請求項３】 上記半導体部品が、フリップチップ実装
   型の部品であることを特徴とする請求項２記載の電子部
   品実装構造体の製造方法。
4. 【請求項４】 上記電子部品側の電極と回路基板側の電
   極とを導電性接着剤を介して電気的に接続することを特
   徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の電子部品実
   装構造体の製造方法。
5. 【請求項５】 更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の硬化時
   に、電子部品又は回路基板のいずれか一方から急激に加
   熱を行い、該熱硬化性絶縁樹脂の内部に、閉鎖された空
   洞を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか
   一に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
6. 【請求項６】 更に、上記熱硬化性絶縁樹脂に所定温度
   以上で揮発性を有する希釈剤を添加した上で、該熱硬化
   性絶縁樹脂に含まれる希釈剤の揮発温度以上にて硬化を
   行うことにより、該熱硬化性絶縁樹脂の外面に、開放さ
   れた空洞を形成することを特徴とする請求項１〜３のい
   ずれか一に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
7. 【請求項７】 更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の内部に弾
   性ゴムを含ませることを特徴とする請求項１〜３のいず
   れか一に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
8. 【請求項８】 更に、上記熱硬化性絶縁樹脂の少なくと
   も一部を、無機フィラーを含有しない層を用いて形成す
   ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の
   電子部品実装構造体の製造方法。
9. 【請求項９】 更に、上記回路基板又は電子部品と熱硬
   化性絶縁樹脂との間に、上記電子部品と回路基板とが互
   いに付勢し合うように加圧を行うに際して該熱硬化性絶
   縁樹脂に生じる応力を緩和するための応力緩和層を形成
   することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載
   の電子部品実装構造体の製造方法。
10. 【請求項１０】 所定の電子部品をその電極が回路基板
    側の電極と電気的に接続するように実装するとともに、
    該電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の
    接続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬
    化させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加
    熱硬化させてなる電子部品実装構造体において、 上記熱硬化性絶縁樹脂が、その内部に、閉鎖された空洞
    を有することを特徴とする電子部品実装構造体。
11. 【請求項１１】 所定の電子部品をその電極が回路基板
    側の電極と電気的に接続するように実装するとともに、
    該電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の
    接続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬
    化させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加
    熱硬化させてなる電子部品実装構造体において、 上記熱硬化性絶縁樹脂が、その外面に、開放された空洞
    を有することを特徴とする電子部品実装構造体。
12. 【請求項１２】 所定の電子部品をその電極が回路基板
    側の電極と電気的に接続するように実装するとともに、
    該電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の
    接続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬
    化させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加
    熱硬化させてなる電子部品実装構造体において、 上記熱硬化性絶縁樹脂が、その内部に、弾性ゴムを含ん
    でいることを特徴とする電子部品実装構造体。
13. 【請求項１３】 所定の電子部品をその電極が回路基板
    側の電極と電気的に接続するように実装するとともに、
    該電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の
    接続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬
    化させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加
    熱硬化させてなる電子部品実装構造体において、 上記熱硬化性絶縁樹脂の少なくとも一部が、無機フィラ
    ーを含有しない樹脂から構成されることを特徴とする電
    子部品実装構造体。
14. 【請求項１４】 上記熱硬化性絶縁樹脂が、上記電子部
    品側にて無機フィラーを含有しない層を有していること
    を特徴とする請求項１３記載の電子部品実装構造体。
15. 【請求項１５】 所定の電子部品をその電極が回路基板
    側の電極と電気的に接続するように実装するとともに、
    該電子部品と回路基板との間で、互いに対応する電極の
    接続部分以外の領域に供給された熱硬化性絶縁樹脂を硬
    化させた上で、該電極の接続部分に封止樹脂を供給し加
    熱硬化させてなる電子部品実装構造体において、 上記回路基板又は電子部品と熱硬化性絶縁樹脂との間
    に、上記電子部品と回路基板とが互いに付勢し合うよう
    に加圧を行うに際して該熱硬化性絶縁樹脂に生じる応力
    を緩和するための応力緩和層が設けられていることを特
    徴とする電子部品実装構造体。
16. 【請求項１６】 上記応力緩和層が熱可塑性樹脂からな
    ることを特徴とする請求項１６記載の電子部品実装構造
    体。
17. 【請求項１７】 上記応力緩和層が弾性ゴムからなるこ
    とを特徴とする請求項１６記載の電子部品実装構造体。