JP2001223230A - 電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置 - Google Patents

電子部品、電子部品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フリップチップ方式の半導体チップが装着さ
れた基板を、短時間に樹脂封止して電子部品を製造す
る。 【解決手段】 樹脂封止装置に、基板1が載置される可
動下型25と、可動下型25を昇降させる昇降機構30
と、基板1又は完成した電子部品が載置された状態で可
動下型25を水平方向に移動させる搬出機構31と、可
動下型25が上昇した状態で基板1の周縁部が当接され
る中間型8Cと、中間型8Cと基板1との上に張設され
る樹脂フィルム10と、樹脂フィルム10を供給し張設
するフィルム張設機構29と、樹脂フィルム10を介し
て半導体チップ2の背面を押圧するチップ用金型18
と、樹脂フィルム10を介して中間型8Cの上面を押圧
する上型6とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、電子部
品の樹脂封止方法、及び樹脂封止装置に関するものであ
って、特に、フリップチップ方式によって基板に半導体
チップが装着された構造を有する電子部品、電子部品の
樹脂封止方法、及び樹脂封止装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ガラスエポキシ基板等のプリント
基板(以下、基板という。)に、フリップチップ方式に
よって装着された半導体チップを樹脂封止して電子部品
を製造する場合には、次のような工程によって行ってい
た。まず、半導体チップが装着された基板を、ステージ
上に載置する。次に、常温において液状である熱硬化性
樹脂、例えばエポキシ樹脂を、ディスペンサを使用して
半導体チップの一辺に沿って塗布する。次に、毛細管現
象を利用して、基板と半導体チップとの隙間全体にエポ
キシ樹脂を浸透させて、更に半導体チップの他の辺に沿
ってフィレットを形成する。次に、加熱することによ
り、エポキシ樹脂を硬化させる。以上の工程により、基
板と半導体チップとの隙間、及び半導体チップの各辺に
沿った領域において、封止樹脂を形成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フリッ
プチップ方式における上記従来の樹脂封止によれば、以
下のような問題があった。まず、毛細管現象を利用して
基板と半導体チップとの隙間全体にエポキシ樹脂を浸透
させるので、浸透するのに長時間が必要になり、作業時
間が増加する。また、封止樹脂の寸法精度が不十分にな
るおそれがある。これらの問題は、近年、電子機器の軽
薄短小化に伴い、電子部品に対する小型化の要求がます
ます強くなっていることに伴い、いっそう顕著になって
きた。すなわち、基板と半導体チップとの隙間がますま
す狭くなり、基板と半導体チップとの電極同士を電気的
に接続するバンプ数がますます多くなっていることか
ら、エポキシ樹脂が浸透するためには長時間を必要とす
るからである。更に、電子部品の小型化に伴い、要求さ
れる寸法精度が厳しくなっている。また、常温で液状の
熱硬化性樹脂は、常温において徐々にではあるが硬化が
進行し、使用している間に粘度が変化するので、常に吐
出量をチェックする必要があり、作業性に問題がある。
また、常温で液状の熱硬化性樹脂を保管する場合には−
40℃以下の雰囲気中で保管する必要があり、使用前に
は熱硬化性樹脂の温度を常温にまで戻す必要がある等の
材料の取扱いに制約がある。加えて、常温で液状の熱硬
化性樹脂は、通常のトランスファ成形において使用する
常温で固体状の熱硬化性樹脂よりも高価である。
【0004】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、トランスファ成形によって液状の熱
硬化性樹脂を注入することにより、高品質な電子部品
と、その電子部品を短時間に樹脂封止する樹脂封止方
法、及び樹脂封止装置とを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するために、本発明に係る電子部品は、基板と該基板に
装着された半導体チップとが樹脂封止された電子部品で
あって、基板の一方の面と半導体チップの主面とにおい
て互いに対向して各々設けられている電極同士を電気的
に接続するバンプと、基板と半導体チップとの間の空間
と、半導体チップの側面とを覆う封止樹脂とを備えると
ともに、半導体チップにおける主面に対向する背面が封
止樹脂から露出しており、かつ、封止樹脂は金型が型締
めされることにより半導体チップを含むように設けられ
たキャビティに注入された溶融樹脂が硬化して形成され
たことを特徴とする。
【0006】これによれば、キャビティに注入された溶
融樹脂が硬化して封止樹脂が形成される。したがって、
電子部品の封止樹脂が良好な寸法精度を有する。加え
て、半導体チップの背面が露出しているので、電子部品
の放熱特性が向上する。
【0007】また、本発明に係る電子部品は、上述した
電子部品において、基板の一方の面と半導体チップの主
面との少なくとも一方において設けられ、バンプの溶融
温度においても軟化するに至らない物質からなるととも
に、バンプの高さ以下の突出寸法を有する突出部を更に
備えたことを特徴とする。
【0008】これによれば、樹脂封止する工程で溶融樹
脂を加熱し硬化させる際に、バンプが軟化した場合にお
いても、半導体チップを介して受ける圧力は、バンプだ
けでなく突出部にも分散して印加されるとともに、基板
と半導体チップとの間隙は、突出部の突出寸法より小さ
くなることはない。したがって、軟化したバンプの変形
や、隣接するバンプとの短絡という不良を防止できる。
【0009】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、基板と該基板に装着された半導体チップとを樹脂
封止して電子部品を形成する電子部品の樹脂封止方法で
あって、対向する金型群が有する金型上に、半導体チッ
プの主面側が装着された基板を載置する工程と、金型群
の型合わせ面において、平面視した場合に空隙を設けて
半導体チップをとり囲むように設けられた複数の中間型
と、基板における半導体チップが装着された面とを接触
させる工程と、各中間型の上面と半導体チップにおける
主面に対向する背面とに接して樹脂フィルムを張設する
工程と、金型群を型締めすることにより、樹脂フィルム
を介して各中間型の上面及び半導体チップの背面を押圧
するとともに、樹脂フィルムと各中間型と基板とに囲ま
れ半導体チップを含む空間からなるキャビティを形成す
る工程と、中間型のうちの少なくとも1つが有する樹脂
流路を経由してキャビティに溶融樹脂を注入する工程
と、注入された溶融樹脂を硬化させて封止樹脂を形成す
る工程と、金型群を型開きする工程と、各中間型の上面
及び半導体チップの背面から樹脂フィルムを剥離する工
程と、封止樹脂と各中間型とを引き離す工程と、基板と
半導体チップとが樹脂封止されるとともに半導体チップ
の背面が露出した電子部品を取り出す工程とを備えたこ
とを特徴とする。
【0010】これによれば、キャビティに注入した溶融
樹脂を硬化させて封止樹脂を形成するので、毛細管現象
を利用する場合に比較して、短時間に樹脂封止を行うこ
とができる。また、樹脂フィルムと中間型と基板とに囲
まれたキャビティに溶融樹脂を注入するので、溶融樹脂
の粘度が低い場合であっても、金型群と中間型との隙間
への溶融樹脂の進入を防止できる。
【0011】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、上述した樹脂封止方法において、接触させる工程
では、基板の外側から半導体チップに向かって複数の中
間型を前進させることを特徴とする。
【0012】これによれば、基板上において複数の中間
型が半導体チップを取り囲んだ状態で、複数の中間型を
基板に接触させて配置できる。
【0013】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、上述した樹脂封止方法において、接触させる工程
では、中間型の下面に向かって基板が載置された金型を
上昇させることを特徴とする
【0014】これによれば、基板上において複数の中間
型が半導体チップを取り囲んだ状態で、基板を複数の中
間型の下面に接触させて配置できる。
【0015】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、上述した樹脂封止方法において、キャビティを形
成する工程では、各中間型を押圧する金型とは独立して
移動自在に設けられた金型が、半導体チップの背面を押
圧することを特徴とする。
【0016】これによれば、注入された溶融樹脂を加熱
して硬化させ封止樹脂を形成する際に、半導体チップを
適正な圧力で押圧する。したがって、バンプが必要以上
に押圧されて軟化・変形することを防止できる。
【0017】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、上述した樹脂封止方法において、各中間型の上面
には傾斜部を設け、かつ、金型群には傾斜部に対向する
別の傾斜部を設けるとともに、キャビティを形成する工
程では、各中間型と別の傾斜部が設けられた金型とが傾
斜部及び別の傾斜部において樹脂フィルムを挟んで伸長
させることにより該樹脂フィルムのしわを防止すること
を特徴とする。
【0018】これによれば、型締めが完了する直前に、
傾斜部が樹脂フィルムを挟んで伸長させる。したがっ
て、キャビティを構成する領域で、樹脂フィルムのしわ
を確実に防止するので、電子部品の外観不良を減らすこ
とができる。
【0019】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止方
法は、上述した樹脂封止方法において、溶融樹脂を注入
する工程よりも前に、キャビティを減圧する工程を更に
備えたことを特徴とする。
【0020】これによれば、予め減圧されたキャビティ
に対して、溶融樹脂を低い圧力で注入することになる。
したがって、低粘度の溶融樹脂を使用することが可能に
なるので、基板と半導体チップとの隙間が小さく、か
つ、バンプの数が多い場合であっても、フリップチップ
方式の半導体チップのアンダーフィルを確実に行うこと
ができる。加えて、封止樹脂においてボイドの発生を抑
制することができる。
【0021】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止装
置は、互いに対向して設けられた金型群を使用して、基
板と該基板に装着された半導体チップとを樹脂封止して
電子部品を形成する電子部品の樹脂封止装置であって、
半導体チップの主面側が装着された基板が載置される、
金型群が有する一部の金型と、一部の金型に対向して設
けられた、金型群における他の金型と、進退自在に設け
られているとともに、平面視した場合に空隙を設けて半
導体チップを取り囲み、基板に接する複数の中間型と、
各中間型の上面と半導体チップにおける主面に対向する
背面とに接して樹脂フィルムを張設するフィルム張設機
構と、金型群が型締めされた状態において、樹脂フィル
ムと各中間型と基板とに囲まれ半導体チップを含む空間
からなるキャビティに、中間型のうちの少なくとも1つ
に設けられた樹脂流路を経由して溶融樹脂を注入する樹
脂注入機構と、溶融樹脂が硬化して形成された封止樹脂
から半導体チップの背面が露出した電子部品を搬出する
搬出機構とを備えているとともに、金型群が型締めされ
た状態においては、他の金型が樹脂フィルムを介して各
中間型の上面と半導体チップの背面とを押圧することを
特徴とする。
【0022】これによれば、キャビティに注入した溶融
樹脂を硬化させて封止樹脂が形成されるので、毛細管現
象を利用する場合に比較して、短時間に樹脂封止できる
樹脂封止装置になる。また、樹脂フィルムと中間型と基
板とに囲まれたキャビティに溶融樹脂が注入されるの
で、溶融樹脂の粘度が低い場合であっても、金型群と中
間型との隙間への溶融樹脂の進入が防止される。
【0023】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止装
置は、互いに対向して設けられた金型群を使用して基板
と該基板に装着された半導体チップとを樹脂封止して電
子部品を形成する電子部品の樹脂封止装置であって、半
導体チップの主面側が装着された基板が載置される、金
型群が有する一部の金型と、一部の金型に対向して設け
られた金型群における他の金型と、一部の金型と他の金
型との間に設けられ平面視した場合に空隙を設けて半導
体チップを取り囲む複数の中間型と、基板が載置された
一部の金型を昇降させる昇降機構と、各中間型の上面に
接して樹脂フィルムを張設するフィルム張設機構と、基
板が載置された一部の金型が上昇し、かつ、金型群が型
締めされた状態において、樹脂フィルムと各中間型と基
板とに囲まれ半導体チップを含む空間からなるキャビテ
ィに、中間型のうちの少なくとも1つに設けられた樹脂
流路を経由して溶融樹脂を注入する樹脂注入機構と、溶
融樹脂が硬化して形成された封止樹脂から半導体チップ
の背面が露出した電子部品を、一部の金型に基板が載置
された状態で搬出する搬出機構とを備えているととも
に、基板が載置された一部の金型が上昇し、かつ、金型
群が型締めされた状態においては、他の金型が樹脂フィ
ルムを介して各中間型の上面と半導体チップの背面とを
押圧することを特徴とする。
【0024】これによっても、キャビティに注入した溶
融樹脂を硬化させて封止樹脂が形成されるので、毛細管
現象を利用する場合に比較して、短時間に樹脂封止でき
る樹脂封止装置になる。また、樹脂フィルムと中間型と
基板とに囲まれたキャビティに溶融樹脂が注入されるの
で、溶融樹脂の粘度が低い場合であっても、金型群と中
間型との隙間への溶融樹脂の進入が防止される。
【0025】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止装
置は、上述した樹脂封止装置において、他の金型は、各
々独立して動作可能に設けられた、各中間型の上面を押
圧する金型と半導体チップの背面を押圧する金型とから
なることを特徴とする。
【0026】これによれば、半導体チップが適正な圧力
で押圧される。したがって、注入された溶融樹脂が加熱
され硬化して封止樹脂が形成される際に、バンプが必要
以上に押圧されて軟化・変形することを防止できる。
【0027】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止装
置は、上述した樹脂封止装置において、各中間型の上面
には傾斜部が設けられ、かつ他の金型には傾斜部に対向
する別の傾斜部が設けられているとともに、金型群が型
締めされた状態においては、各中間型と他の金型とによ
って、傾斜部及び別の傾斜部において樹脂フィルムが挟
まれて伸長されていることを特徴とする。
【0028】これによれば、型締めが完了する直前に、
傾斜部によって樹脂フィルムが挟まれて伸長される。し
たがって、キャビティを構成する領域で、樹脂フィルム
のしわが確実に防止されるので、電子部品の外観不良を
更に低減する樹脂封止装置になる。
【0029】また、本発明に係る電子部品の樹脂封止装
置は、上述した樹脂封止装置において、キャビティを減
圧する減圧機構を更に備えたことを特徴とする。
【0030】これによれば、予め減圧されたキャビティ
に対して、溶融樹脂が低い圧力で注入される。したがっ
て、低粘度の溶融樹脂を使用できるので、基板と半導体
チップとの隙間が小さく、かつ、バンプの数が多い場合
であっても、フリップチップ方式の半導体チップのアン
ダーフィルを確実に行う樹脂封止装置になる。更に、封
止樹脂においてボイドの発生が抑制される。
【0031】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)本発明の第1
の実施形態に係る電子部品を、図1を参照しながら説明
する。図1は、本実施形態に係る電子部品を示す断面図
である。図1において、1はガラスエポキシ等からなる
基板、2は基板1上に載置された半導体チップである。
3は、基板1と半導体チップ2との電極同士(いずれも
図示なし)を電気的に接続する、半田等からなるバンプ
である。4は、基板1と半導体チップ2との間の隙間に
充填され、半導体チップ2の側面を覆うとともに、半導
体チップ2の背面、すなわちバンプ3が接続されていな
い面を露出するように設けられている封止樹脂である。
この封止樹脂4は、金型(図示なし)が型締めされるこ
とによって、半導体チップ2を含むように設けられたキ
ャビティ(図示なし)に、溶融樹脂が注入された後に硬
化して形成されたものである。基板1、半導体チップ
2、バンプ3、及び封止樹脂4は、併せて電子部品5を
構成する。
【0032】図1に示された電子部品を樹脂封止して製
造する樹脂封止装置を、図2を参照して説明する。図2
は、本実施形態に係る樹脂封止装置が型締めした状態を
示す断面図である。図2において、6は上型、7は下型
であって、併せて樹脂封止用の金型群を構成する。8A
及び9Aは、上型6と下型7との間に進退自在に設けら
れ、前進した際には基板1の上面において周縁部に接す
る中間型である。10は、中間型8A及び9Aの上面
と、半導体チップ2の背面とに接するように張設された
樹脂フィルムである。11は、下型7に設けられ基板1
が載置される凹部である。12は、基板1と各中間型8
A,9Aと樹脂フィルム10とに囲まれ、半導体チップ
2の側面からは所定の間隙を設けて、半導体チップ2を
含むようにして形成された空間からなるキャビティであ
る。13は、中間型8Aに設けられ、溶融樹脂(図示な
し)をキャビティ12に注入するゲートである。14
は、中間型8Aに設けられ、溶融樹脂がゲート13に向
かって流動する樹脂流路である。15は、中間型9Aに
設けられ、キャビティ12に連通するエアーベントであ
る。
【0033】また、図2には示されていないが、この樹
脂封止装置には、固形の樹脂タブレットを収容するポッ
トと、樹脂タブレットが加熱されて生成された溶融樹脂
を加圧して樹脂流路14に供給するプランジャが設けら
れている。また、樹脂フィルム10を供給して張設する
とともに使用後の樹脂フィルム10を巻き取る、リール
と駆動部とを備えたフィルム張設機構が設けられてい
る。加えて、樹脂封止された電子部品を吸着して、凹部
11から取り出して所定の位置まで搬出する搬出機構が
設けられている。
【0034】図2に示された樹脂封止装置の動作を、図
3及び図4を参照して説明する。図3(1)〜(3)
は、本実施形態に係る樹脂封止装置による、中間型を移
動させる工程から上型を下降させる工程までをそれぞれ
示す断面図である。まず、図3(1)に示すように、上
型6と下型7とが型開きした状態で、チップ2がバンプ
3を介して装着された基板1が、凹部11に載置されて
いる。そして、中間型8A,9Aが、下型7の型面に沿
って半導体チップ2に向かって移動する。次に、図3
(2)に示すように、中間型8A,9Aが、基板1の上
面において周縁部に接するとともに、半導体チップ2の
側面に対して所定の間隙を設けて停止した後に、樹脂フ
ィルム10を下降させる。次に、図3(3)に示すよう
に、樹脂フィルム10を、半導体チップ2の背面と中間
型8A,9Aの上面とに接触させ、かつ張設させた状態
で、上型6が下降して、上型6と下型7とを型締めす
る。
【0035】図4(1)〜(3)は、本実施形態に係る
樹脂封止装置による、溶融樹脂を注入する工程から電子
部品を取り出す工程までをそれぞれ示す断面図である。
図4(1)に示すように、樹脂フィルム10を介して、
上型6が、中間型8A及び9Aの上面と半導体チップ2
の背面とを押圧している。この状態で、プランジャ(図
示なし)によって、樹脂流路14及びゲート13を経由
して、図中の矢印で示すように溶融樹脂をキャビティ1
2に注入する。ここで、溶融樹脂が注入されるのに伴
い、キャビティ12内の空気は、エアーベントを介して
キャビティ12の外へ排出される。次に、加熱された金
型により、キャビティ12に注入された溶融樹脂を例え
ば175℃程度の温度で加熱して硬化させ、封止樹脂4
を形成する。その後に、図4(2)に示すように、上型
6が上昇して上型6と下型7とを型開きし、樹脂フィル
ム10を上昇させて半導体チップ2の背面と中間型8
A,9Aの上面とから剥離させる。更に、中間型8A,
9Aが、下型7の型面に沿って、封止樹脂4から離れる
ようにして移動する。次に、図4(3)に示すように、
電子部品5の上にチャック16が移動する。そして、電
子部品5を、吸着用管路17によって吸着し、凹部11
から取り出して、所定の位置、例えばトレイまで搬送す
る。
【0036】以上説明したように、本実施形態に係る電
子部品によれば、封止樹脂4がトランスファ成形によっ
て成形され、その封止樹脂4から半導体チップ2の背面
が露出する。これにより、キャビティ12に注入された
溶融樹脂が硬化するので、完成後の封止樹脂4は極めて
良好で安定した寸法精度を有する。加えて、半導体チッ
プ2の背面が露出しているので、電子部品5を使用する
際の放熱特性が向上する。更に、本実施形態に係る樹脂
封止方法及び樹脂封止装置によれば、トランスファ成形
によって溶融樹脂を加圧してキャビティ12に注入させ
るので、短時間に樹脂封止を行うことができる。また、
基板1と各中間型8A,9Aと樹脂フィルム10とに囲
まれ、半導体チップ2を含むようにして形成されたキャ
ビティ12に、溶融樹脂を注入して硬化させる。これに
より、基板1と半導体チップ2との間隙に溶融樹脂を確
実に注入させるために低粘度の樹脂を使用する場合にお
いても、上型6と中間型8A,9Aとの隙間への溶融樹
脂の進入を防止できる。また、安価な固形の樹脂タブレ
ットを加熱溶融させて使用するので、材料の保管や取扱
いが簡便になり、工程における粘度管理が容易になると
ともに、材料費を低減することができる。
【0037】(第2の実施形態)本発明の第2の実施形
態に係る樹脂封止装置及び樹脂封止方法を、図5を参照
して説明する。図5は、本実施形態に係る樹脂封止装置
が型締めした状態を示す断面図である。本実施形態にお
いては、上型6に設けられた貫通孔に、上型6とは独立
して動作するチップ用金型18が設けられている。図5
の樹脂封止装置は、以下のようにして動作する。まず、
半導体チップ2の背面と中間型8A,9Aの上面とに樹
脂フィルム10が張設された状態で、チップ用金型18
が下降して、樹脂フィルム10を介して半導体チップ2
の背面を押圧する。その後に、上型6が下降して、樹脂
フィルム10を介して中間型8A,9Aの上面を押圧す
る。
【0038】本実施形態に係る樹脂封止装置によれば、
第1の実施形態の場合と同様の効果の他に、次のような
効果を生ずる。まず、半導体チップ2の背面を押圧する
チップ用金型18を、中間型8A,9Aの上面を押圧す
る上型6とは独立に設けている。これにより、半導体チ
ップ2を適正な圧力で押圧することができる。したがっ
て、注入された溶融樹脂を175℃程度の温度で加熱し
て硬化させ封止樹脂4を形成する際に、半田からなるバ
ンプ3が必要以上に押圧されて軟化・変形することを防
止できる。また、それぞれ樹脂フィルム10を介して、
チップ用金型18が半導体チップ2を押圧した後に、上
型6が中間型8A,9Aを押圧するので、キャビティ1
2を構成する領域で、樹脂フィルム10のしわを防止で
きる。したがって、電子部品の外観不良を減らすことが
できる。
【0039】(第3の実施形態)本発明の第3の実施形
態に係る樹脂封止装置及び樹脂封止方法を、図6を参照
して説明する。図6は、本実施形態に係る樹脂封止装置
が型締めした状態を示す断面図である。本実施形態にお
いては、中間型8B,9Bに傾斜部20が、上型19の
型面において傾斜部20に対向する部分に傾斜部21
が、それぞれ半導体チップ2を囲むように環状に設けら
れている。そして、傾斜部20,21は、型締めした状
態でこれら傾斜部20,21の間に樹脂フィルム10を
挟むことができるような位置と角度とをもって、形成さ
れている。図6の樹脂封止装置が動作する際には、型締
めが完了する直前に、上型19が下降するのに伴って傾
斜部20,21が樹脂フィルム10を挟んで伸長させ
る。このことによって、キャビティ12を構成する領域
で、樹脂フィルム10のしわを確実に防止できる。した
がって、電子部品の外観不良を更に減らすことができ
る。
【0040】(第4の実施形態)本発明の第4の実施形
態に係る電子部品を、図7及び図8を参照しながら説明
する。図7は、本実施形態に係る電子部品を樹脂封止す
る際に、溶融樹脂をキャビティに注入する直前の状態を
示す断面図である。図7において、電子部品を構成する
基板1の上面には、突出部22が設けられている。突出
部22は、半田等からなるバンプ3を介して基板1に半
導体チップ3を装着する工程で、バンプ3を溶融する際
の加熱温度でも軟化せず、かつ、樹脂封止する工程で溶
融樹脂を加熱し硬化させる際の加熱温度でも軟化しない
材料で形成されている。また、突出部22の突出寸法
は、バンプ3の高さと同じかそれよりわずかに低くなる
ようにして形成されている。この突出部22は、例え
ば、次のようにして基板1を処理することによって、形
成される。すなわち、突出部22は、基板1上で配線パ
ターンがない領域において、Cuからなるダミーパター
ンの上に、めっき法によってCuを所定の厚さまで付着
させることによって形成される。また、基板1上に、予
め格子状に形成された、例えばポリイミド等の耐熱性の
樹脂材料を載置してもよい。また、スクリーン印刷法に
よって、基板1上に、耐熱性の樹脂材料を格子状に形成
してもよい。
【0041】これによれば、樹脂封止する工程で溶融樹
脂を加熱し硬化させる際にバンプ3が軟化した場合にお
いても、半導体チップ2を介してバンプ3が受ける圧力
は、バンプ3だけでなく突出部22にも分散して印加さ
れるとともに、基板1と半導体チップ2との間隙は、突
出部22の突出寸法より小さくなることはない。したが
って、軟化したバンプ3が変形して、最悪の場合には隣
接するバンプ3と短絡するという不良を防止することが
できる。以上の本実施形態の説明においては、突出部2
2を基板1上に形成したが、これに代えて、又はこれに
加えて、半導体チップ2におけるバンプ3が形成される
面と同じ面に形成してもよい。
【0042】(第5の実施形態)本発明の第5の実施形
態に係る樹脂封止装置及び樹脂封止方法を、図3と図4
と図8とを参照して説明する。図8は、本実施形態に係
る樹脂封止装置が型締めする前の状態を示す断面図であ
る。本実施形態は、キャビティ12を減圧する減圧機構
を設けたものである。図8において、23は下型7に設
けられ減圧ポンプ(図示なし)に接続されている排気用
管路、24は基板1と各中間型8A,9Aと樹脂フィル
ム10とに囲まれた閉空間である。本実施形態に係る樹
脂封止装置は、次のように動作する。まず、図3(1)
において中間型8A,9Aを移動させる前に、半導体チ
ップ2の背面と各中間型8A,9Aの上面とに樹脂フィ
ルム10を接触させる。次に、排気用管路23を介して
閉空間24を減圧する。次に、中間型8A,9Aを移動
させて、図3(3)に示されたキャビティ12を形成
し、以下、図4に示された動作と同様に動作する。
【0043】これによれば、予め減圧されたキャビティ
12に対して、低い圧力で溶融樹脂を注入することにな
る。したがって、低粘度の溶融樹脂を使用することが可
能になるので、基板1と半導体チップ2との隙間が小さ
く、かつ、バンプ3の数が多い場合であっても、フリッ
プチップ方式の半導体チップ2のアンダーフィルを確実
に行うことができる。加えて、封止樹脂において、ボイ
ドの発生を抑制することができる。
【0044】(第6の実施形態)本発明の第6の実施形
態に係る樹脂封止装置及び樹脂封止方法を、図9と図1
0とを参照して説明する。図9は、本実施形態に係る樹
脂封止装置が型締めした状態を示す断面図である。図9
において、8C,9Cは、基板1の周縁部に接するよう
にして固定された中間型である。そして、25は基板1
が載置され昇降可能な可動下型、26は溶融樹脂(図示
なし)を押圧してキャビティ12に注入するプランジ
ャ、27はキャビティ12内を外気から遮断するための
シールブロック、28は中間型9Cとシールブロック2
7との間に設けられたシール部材である。
【0045】図9の樹脂封止装置は、次のようにして動
作する。まず、基板1が載置された可動下型25が上昇
して、中間型8C,9Cの下面に対して基板1の上面を
突き当てる。次に、キャビティ12を減圧した後にシー
ルブロック27を下降させ、更に、チップ用金型18と
上型6とを順次下降させる。これにより、図9の手前と
奥との間で張設された樹脂フィルム10が、傾斜部2
0,21によって伸長されるので、樹脂フィルム10の
しわを防止できる。次に、基板1と中間型8C,9Cと
樹脂フィルム10とによって形成されたキャビティ12
に、プランジャ26によって溶融樹脂を注入させた後
に、これを硬化させて封止樹脂を形成する。次に可動下
型25を下降させて、中間型8C,9Cから封止樹脂を
引き離した後に、電子部品を取り出す。
【0046】図10は、図9の樹脂封止装置の全体的な
構成を示す説明図である。図10において、29は樹脂
フィルム10を供給し、中間型8Cと半導体チップ2と
の上に張設するフィルム張設機構、30は可動下型25
を昇降させる昇降機構、31は可動下型25を水平方向
に移動させて電子部品を取り出す搬出機構、32は基板
1を可動下型25に供給するとともに、電子部品をトレ
イに搬送するローダ/アンローダである。
【0047】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、トランスファ成形によって溶融樹脂を加圧してキャ
ビティ12に注入させるので、短時間に樹脂封止を行う
ことができる。また、基板1と半導体チップ2との間隙
に溶融樹脂を確実に注入させるために低粘度の樹脂を使
用する場合においても、上型6と中間型8C,9Cとの
隙間への溶融樹脂の進入を防止できる。また、安価な固
形の樹脂タブレットを加熱溶融させて使用するので、材
料の保管や取扱いが簡便になり、工程における粘度管理
が容易になるとともに、材料費を低減することができ
る。また、キャビティ12を構成する領域で、樹脂フィ
ルム10のしわを防止できるので、電子部品の外観不良
を減らすことができる。また、キャビティ12を減圧す
ることによって、低い圧力で溶融樹脂を注入できるの
で、フリップチップ方式の半導体チップ2のアンダーフ
ィルを確実に行うことができる。加えて、封止樹脂にお
いて、ボイドの発生を抑制することができる。
【0048】なお、ここまでの各実施形態の説明におい
ては、1枚の基板に1個の半導体チップが装着される例
を説明したが、1枚の基板に複数個の半導体チップが装
着され、樹脂封止後に基板を分割して複数の電子部品を
形成する場合においても、同様に本発明を適用すること
ができる。
【0049】また、1個のプランジャに対して1個のキ
ャビティを設けた場合について説明したが、これに限ら
ず、1個のプランジャに対して複数個のキャビティを設
けてもよい。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、封止樹脂の寸法精度が
良好で、かつ、放熱特性が良好な電子部品になる。ま
た、キャビティに注入した溶融樹脂を硬化させて封止樹
脂を形成するので、毛細管現象を利用する場合に比較し
て、短時間に樹脂封止を行うことができる。また、注入
された溶融樹脂を加熱して硬化させ封止樹脂を形成する
際に、半導体チップを適正な圧力で押圧するので、バン
プが必要以上に押圧されて軟化・変形することを防止で
きる。また、型締めが完了する直前に、傾斜部が樹脂フ
ィルムを挟んで伸長させることにより、キャビティを構
成する領域で、樹脂フィルムのしわを確実に防止するの
で、電子部品の外観不良を減らすことができる。また、
予め減圧されたキャビティに対して、溶融樹脂を低い圧
力で注入するので、低粘度の溶融樹脂を使用することが
可能になる。したがって、フリップチップ方式の半導体
チップのアンダーフィルを確実に行うことができるとと
もに、封止樹脂においてボイドの発生を抑制することが
できる。これにより、高品質な電子部品と、その電子部
品を短時間に樹脂封止する樹脂封止方法、及び樹脂封止
装置とを提供できるという、優れた実用的な効果を奏す
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る電子部品を示す
断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る樹脂封止装置が
型締めした状態を示す断面図である。
【図3】(1)〜(3)は、図2の樹脂封止装置によ
る、中間型を移動させる工程から上型を下降させる工程
までの動作をそれぞれ示す断面図である。
【図4】(1)〜(3)は、図2の樹脂封止装置によ
る、溶融樹脂を注入する工程から電子部品を取り出す工
程までをそれぞれ示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態に係る樹脂封止装置が
型締めした状態を示す断面図である。
【図6】本発明の第3の実施形態に係る樹脂封止装置が
型締めした状態を示す断面図である。
【図7】本発明の第4の実施形態に係る電子部品を樹脂
封止する際に、溶融樹脂をキャビティに注入する直前の
状態を示す断面図である。
【図8】本発明の第5の実施形態に係る樹脂封止装置が
型締めする前の状態を示す断面図である。
【図9】本発明の第6の実施形態に係る樹脂封止装置が
型締めした状態を示す断面図である。
【図10】図9の樹脂封止装置の全体的な構成を示す説
明図である。
【符号の説明】
1 基板 2 半導体チップ 3 バンプ 4 封止樹脂 5 電子部品 6,19 上型 7 下型 8A,8B,8C,9A,9B,9C 中間型 10 離型フィルム 11 凹部 12 キャビティ 13 ゲート 14 樹脂流路 15 エアーベント 16 チャック 17 吸着用管路 18 チップ用金型 20,21 傾斜部 22 突出部 23 排気用管路 24 閉空間 25 可動下型 26 プランジャ(樹脂注入機構) 27 シールブロック 28 シール部材 29 フィルム張設機構 30 昇降機構 31 搬出機構 32 ローダ/アンローダ P.L. 型合わせ面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B29L 31:34 B29L 31:34 Fターム(参考) 4F202 AD05 AD08 AH33 CA12 CB01 CB12 CK52 CM14 CM72 CP01 4F206 AD05 AD08 AH37 JA02 JB17 JF05 JQ81 5F061 AA01 BA03 CA21 DA01 DA08 DA15

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と該基板に装着された半導体チップ
    とが樹脂封止された電子部品であって、 前記基板の一方の面と前記半導体チップの主面とにおい
    て互いに対向して各々設けられている電極同士を電気的
    に接続するバンプと、 前記基板と前記半導体チップとの間の空間と、前記半導
    体チップの側面とを覆う封止樹脂とを備えるとともに、 前記半導体チップにおける前記主面に対向する背面が前
    記封止樹脂から露出しており、かつ、前記封止樹脂は金
    型が型締めされることにより前記半導体チップを含むよ
    うに設けられたキャビティに注入された溶融樹脂が硬化
    して形成されたことを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載された電子部品におい
    て、 前記基板の一方の面と前記半導体チップの主面との少な
    くとも一方において設けられ、前記バンプの溶融温度に
    おいても軟化するに至らない物質からなるとともに、前
    記バンプの高さ以下の突出寸法を有する突出部を更に備
    えたことを特徴とする電子部品。
  3. 【請求項3】 基板と該基板に装着された半導体チップ
    とを樹脂封止して電子部品を形成する電子部品の樹脂封
    止方法であって、 対向する金型群が有する金型上に、前記半導体チップの
    主面側が装着された前記基板を載置する工程と、 前記金型群の型合わせ面において、平面視した場合に空
    隙を設けて前記半導体チップをとり囲むように設けられ
    た複数の中間型と、前記基板における前記半導体チップ
    が装着された面とを接触させる工程と、 前記各中間型の上面と前記半導体チップにおける前記主
    面に対向する背面とに接して樹脂フィルムを張設する工
    程と、 前記金型群を型締めすることにより、前記樹脂フィルム
    を介して前記各中間型の上面及び前記半導体チップの背
    面を押圧するとともに、前記樹脂フィルムと前記各中間
    型と前記基板とに囲まれ前記半導体チップを含む空間か
    らなるキャビティを形成する工程と、 前記中間型のうちの少なくとも1つが有する樹脂流路を
    経由して前記キャビティに溶融樹脂を注入する工程と、 前記注入された溶融樹脂を硬化させて封止樹脂を形成す
    る工程と、 前記金型群を型開きする工程と、 前記各中間型の上面及び前記半導体チップの背面から前
    記樹脂フィルムを剥離する工程と、 前記封止樹脂と前記各中間型とを引き離す工程と、 前記基板と前記半導体チップとが樹脂封止されるととも
    に前記半導体チップの背面が露出した電子部品を取り出
    す工程とを備えたことを特徴とする電子部品の樹脂封止
    方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載された電子部品の樹脂封
    止方法において、 前記接触させる工程では、前記基板の外側から前記半導
    体チップに向かって前記複数の中間型を前進させること
    を特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載された電子部品の樹脂封
    止方法において、 前記接触させる工程では、前記中間型の下面に向かって
    前記基板が載置された金型を上昇させることを特徴とす
    る電子部品の樹脂封止方法。
  6. 【請求項6】 請求項3〜5のいずれかに記載された電
    子部品の樹脂封止方法において、 前記キャビティを形成する工程では、前記各中間型を押
    圧する金型とは独立して移動自在に設けられた金型が、
    前記半導体チップの背面を押圧することを特徴とする電
    子部品の樹脂封止方法。
  7. 【請求項7】 請求項3〜6のいずれかに記載された電
    子部品の樹脂封止方法において、 前記各中間型の上面には傾斜部を設け、かつ、前記金型
    群には前記傾斜部に対向する別の傾斜部を設けるととも
    に、 前記キャビティを形成する工程では、前記各中間型と前
    記別の傾斜部が設けられた金型とが前記傾斜部及び別の
    傾斜部において前記樹脂フィルムを挟んで伸長させるこ
    とにより該樹脂フィルムのしわを防止することを特徴と
    する電子部品の樹脂封止方法。
  8. 【請求項8】 請求項3〜7のいずれかに記載された電
    子部品の樹脂封止方法において、 前記溶融樹脂を注入する工程よりも前に、前記キャビテ
    ィを減圧する工程を更に備えたことを特徴とする電子部
    品の樹脂封止方法。
  9. 【請求項9】 互いに対向して設けられた金型群を使用
    して、基板と該基板に装着された半導体チップとを樹脂
    封止して電子部品を形成する電子部品の樹脂封止装置で
    あって、 前記半導体チップの主面側が装着された前記基板が載置
    される、前記金型群が有する一部の金型と、 前記一部の金型に対向して設けられた、前記金型群にお
    ける他の金型と、 進退自在に設けられているとともに、平面視した場合に
    空隙を設けて前記半導体チップを取り囲み、前記基板に
    接する複数の中間型と、 前記各中間型の上面と前記半導体チップにおける前記主
    面に対向する背面とに接して樹脂フィルムを張設するフ
    ィルム張設機構と、 前記金型群が型締めされた状態において、前記樹脂フィ
    ルムと前記各中間型と前記基板とに囲まれ前記半導体チ
    ップを含む空間からなるキャビティに、前記中間型のう
    ちの少なくとも1つに設けられた樹脂流路を経由して溶
    融樹脂を注入する樹脂注入機構と、 前記溶融樹脂が硬化して形成された封止樹脂から前記半
    導体チップの背面が露出した電子部品を搬出する搬出機
    構とを備えているとともに、 前記金型群が型締めされた状態においては、前記他の金
    型が前記樹脂フィルムを介して前記各中間型の上面と前
    記半導体チップの背面とを押圧することを特徴とする電
    子部品の樹脂封止装置。
  10. 【請求項10】 互いに対向して設けられた金型群を使
    用して、基板と該基板に装着された半導体チップとを樹
    脂封止して電子部品を形成する電子部品の樹脂封止装置
    であって、 前記半導体チップの主面側が装着された前記基板が載置
    される、前記金型群が有する一部の金型と、 前記一部の金型に対向して設けられた、前記金型群にお
    ける他の金型と、 前記一部の金型と他の金型との間に設けられ平面視した
    場合に空隙を設けて前記半導体チップを取り囲む複数の
    中間型と、 前記基板が載置された一部の金型を昇降させる昇降機構
    と、 前記各中間型の上面に接して樹脂フィルムを張設するフ
    ィルム張設機構と、 前記基板が載置された一部の金型が上昇し、かつ、前記
    金型群が型締めされた状態において、前記樹脂フィルム
    と前記各中間型と前記基板とに囲まれ前記半導体チップ
    を含む空間からなるキャビティに、前記中間型のうちの
    少なくとも1つに設けられた樹脂流路を経由して溶融樹
    脂を注入する樹脂注入機構と、 前記溶融樹脂が硬化して形成された封止樹脂から前記半
    導体チップの背面が露出した電子部品を、前記一部の金
    型に基板が載置された状態で搬出する搬出機構とを備え
    ているとともに、 前記基板が載置された一部の金型が上昇し、かつ、前記
    金型群が型締めされた状態においては、前記他の金型が
    前記樹脂フィルムを介して前記各中間型の上面と前記半
    導体チップの背面とを押圧することを特徴とする電子部
    品の樹脂封止装置。
  11. 【請求項11】 請求項9又は10に記載された電子部
    品の樹脂封止装置において、 前記他の金型は、各々独立して動作可能に設けられた、
    前記各中間型の上面を押圧する金型と前記半導体チップ
    の背面を押圧する金型とからなることを特徴とする電子
    部品の樹脂封止装置。
  12. 【請求項12】 請求項9〜11のいずれかに記載され
    た電子部品の樹脂封止装置において、 前記各中間型の上面には傾斜部が設けられ、かつ、前記
    他の金型には前記傾斜部に対向する別の傾斜部が設けら
    れているとともに、 前記金型群が型締めされた状態においては、前記各中間
    型と前記他の金型とによって、前記傾斜部及び別の傾斜
    部において前記樹脂フィルムが挟まれて伸長されている
    ことを特徴とする電子部品の樹脂封止装置。
  13. 【請求項13】 請求項9〜12のいずれかに記載され
    た電子部品の樹脂封止装置において、 前記キャビティを減圧する減圧機構を更に備えたことを
    特徴とする電子部品の樹脂封止装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200269A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
KR100451959B1 (ko) * 2001-01-30 2004-10-08 토와 가부시기가이샤 수지 밀봉장치의 다이 개폐기구
US6897094B2 (en) 2002-03-11 2005-05-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
WO2006051844A1 (ja) * 2004-11-12 2006-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 樹脂封止金型および樹脂封止装置
JP2006516366A (ja) * 2003-01-08 2006-06-29 フィーコ ビー.ブイ. 担体上に固定した電子部品を、封入材料で封入するためのデバイス及び方法
JP2008143186A (ja) * 2008-01-08 2008-06-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 樹脂封止方法
JP2010109252A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびトランスファモールド装置とこれを用いた樹脂成形方法と半導体装置
JP2015082607A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 第一精工株式会社 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法
CN114986928A (zh) * 2022-07-29 2022-09-02 山东圣大管材有限公司 一种用于波纹管加工的多段式快速成型装置
CN116598214A (zh) * 2023-05-13 2023-08-15 江苏爱矽半导体科技有限公司 一种功率半导体器件封装结构

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1282162A3 (en) * 2001-08-03 2005-02-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body
TWI327756B (en) 2002-11-29 2010-07-21 Apic Yamada Corp Resin molding machine
JP4373237B2 (ja) 2004-02-13 2009-11-25 Towa株式会社 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
JP2007109831A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法
KR101001096B1 (ko) * 2006-09-19 2010-12-14 다이-이치 세이코 가부시키가이샤 수지 밀봉 장치
JP6886341B2 (ja) * 2017-05-10 2021-06-16 Towa株式会社 樹脂成形用成形型、樹脂成形装置、樹脂成形用成形型調整方法、及び樹脂成形品製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02109358A (ja) * 1988-10-19 1990-04-23 Hitachi Ltd 半導体の実装構造体
KR100280762B1 (ko) * 1992-11-03 2001-03-02 비센트 비.인그라시아 노출 후부를 갖는 열적 강화된 반도체 장치 및 그 제조방법
US5633535A (en) * 1995-01-27 1997-05-27 Chao; Clinton C. Spacing control in electronic device assemblies
JP3263288B2 (ja) * 1995-09-13 2002-03-04 株式会社東芝 半導体装置
KR0178626B1 (ko) * 1995-12-06 1999-03-20 황인길 반도체 패키지의 제조방법 및 그 구조
JPH10189630A (ja) * 1996-12-25 1998-07-21 Towa Kk 電子部品の樹脂封止成形方法
JPH10189653A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Toshiba Corp 半導体素子およびこの半導体素子を有する回路モジュール
JP3017470B2 (ja) * 1997-07-11 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JP3017485B2 (ja) * 1998-01-23 2000-03-06 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP2000036507A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Towa Corp フリップチップにおける樹脂の注入方法及び樹脂注入用金型

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451959B1 (ko) * 2001-01-30 2004-10-08 토와 가부시기가이샤 수지 밀봉장치의 다이 개폐기구
US6897094B2 (en) 2002-03-11 2005-05-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
JP2004200269A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2006516366A (ja) * 2003-01-08 2006-06-29 フィーコ ビー.ブイ. 担体上に固定した電子部品を、封入材料で封入するためのデバイス及び方法
KR100880970B1 (ko) * 2004-11-12 2009-02-03 파나소닉 주식회사 수지 밀봉 금형
JP4508839B2 (ja) * 2004-11-12 2010-07-21 パナソニック株式会社 樹脂封止金型および樹脂封止装置
JP2006137105A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止金型および樹脂封止装置
KR100851708B1 (ko) * 2004-11-12 2008-08-11 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 수지 밀봉 금형 및 수지 밀봉 장치
WO2006051844A1 (ja) * 2004-11-12 2006-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 樹脂封止金型および樹脂封止装置
US7753667B2 (en) 2004-11-12 2010-07-13 Panasonic Corporation Resin-sealed mold and resin-sealed device
JP2008143186A (ja) * 2008-01-08 2008-06-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 樹脂封止方法
JP4551931B2 (ja) * 2008-01-08 2010-09-29 住友重機械工業株式会社 樹脂封止方法
JP2010109252A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Apic Yamada Corp トランスファモールド金型およびトランスファモールド装置とこれを用いた樹脂成形方法と半導体装置
JP2015082607A (ja) * 2013-10-23 2015-04-27 第一精工株式会社 樹脂封止金型およびこれを用いた樹脂封止装置、樹脂封止方法
CN114986928A (zh) * 2022-07-29 2022-09-02 山东圣大管材有限公司 一种用于波纹管加工的多段式快速成型装置
CN114986928B (zh) * 2022-07-29 2022-10-04 山东圣大管材有限公司 一种用于波纹管加工的多段式快速成型装置
CN116598214A (zh) * 2023-05-13 2023-08-15 江苏爱矽半导体科技有限公司 一种功率半导体器件封装结构
CN116598214B (zh) * 2023-05-13 2024-03-19 江苏爱矽半导体科技有限公司 一种功率半导体器件封装结构

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