JP2001203460A

JP2001203460A - 多層配線基板と半導体装置

Info

Publication number: JP2001203460A
Application number: JP2000279229A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kurihara; 孝栗原; Michio Horiuchi; 道夫堀内; Shigeru Mizuno; 茂水野; Yuka Tamatate; 由香玉舘
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1999-11-11
Filing date: 2000-09-14
Publication date: 2001-07-27
Also published as: KR100774894B1; KR20010060271A

Abstract

(57)【要約】【課題】両面に導体層が形成された絶縁層からなる配
線基板や無電解めっき処理を使用することなく、安価な
製造コストで多層配線基板を製造する。【解決手段】複数の配線層１２および絶縁層１０は、
板状の絶縁層１０の一方の表面にのみ配線層１２が形成
された複数の配線基板２６を、配線基板２６の配線層１
２と絶縁層１０とが交互に位置するように積層して形成
されている。接続部２８は、複数の配線基板２６の内の
少なくとも一の配線基板２６の絶縁層１０に、絶縁層１
０の表裏を連通するように形成された連通部１６内に、
一の配線基板２６の配線層１２の一部が折り曲げられて
折り曲げ部分３０に形成され、折り曲げ部分３０と一の
配線基板２６の絶縁層１０側に隣接して積層された他の
配線基板２６の配線層１２とがめっきにより形成される
導体以外の第１導体３２を介して電気的に接続されて構
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板と半導
体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層配線基板の構成をその製造方
法と共に図２２を参照して説明する。多層配線基板は、
例えば半導体装置を構成する半導体パッケージに使用さ
れる。まず、板状若しくはシート状に形成された絶縁層
としての絶縁基材１０の両面に銅箔等の導体層が形成さ
れた絶縁基材１０を用意する。絶縁基材１０は一例とし
てポリイミド等の樹脂材で構成される。そして、この絶
縁基材１０の導体層をエッチングし、図２２（ａ）に示
すように絶縁基材１０の両面に所定の配線パターン（配
線層）１２が形成された配線基板１４にする。次に、積
層される配線基板１４の配線層１２同士を電気的に接続
しようとする部位に、配線層１２および絶縁基材１０を
貫通する透孔１６を図２２（ｂ）に示すように形成す
る。

【０００３】次に、透孔１６の内周面およびこの透孔１
６が開口する配線層１２の表面に、図２２（ｃ）に示す
ように、例えば銅めっきを施して、絶縁基材１０の両面
の配線層１２同士を電気的に接続する接続部１８を形成
する。この接続部１８は、いわゆるビアとなる。なお、
透孔１６の内周面にめっきを施す場合は、まず無電解め
っきを施し、次いで電解めっきを施すようにする。そし
て、配線層１２と接続部１８が形成された複数の絶縁基
材１０同士、つまり配線基板１４同士を接着剤２０を介
在させて積層する。

【０００４】そして、積層された各配線基板１４に形成
された接続部１８の内、複数の配線基板１４に形成され
た配線層１２間を電気的に接続するために使用する接続
部１８については、図２２（ｄ）に示すように各絶縁基
材１０を形成した接続部１８同士が同一直線上に配置さ
れるようにしておき、各接続部１８を連通させる。そし
て、例えば加熱溶融させて流動状態にしたはんだのよう
な合金（第１導体）２２を連通した各接続部１８内に流
し込むことで、各接続部１８同士を導通させる。これに
より、各配線基板１４の配線層１２が層間で電気的に接
続された多層配線基板２３が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多層配線基板では、両面に導体層が形成された絶縁層か
らなる配線基板を材料として使用しなければならず、部
品コストが高くなるという課題がある。また、接続部の
形成工程において、無電解めっき処理が必要であるた
め、製造コストが上昇してしまうという課題もある。ま
た、両面に導体層が形成された絶縁層からなる配線基板
を積層する構造であるため、厚くなってしまうという課
題が生ずる。

【０００６】そこで本発明は、両面に導体層が形成され
た絶縁層からなる配線基板や無電解めっき処理を使用す
ることなく、安価な製造コストで製造できる多層配線基
板と半導体装置を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次の構成を備える。すなわち、本発明に係
る多層配線基板は、複数の配線層が絶縁層を介して積層
され、該絶縁層の表裏に位置する少なくとも一対の前記
配線層同士が、絶縁層を貫通して形成された接続部を介
して電気的に接続された多層配線基板において、前記複
数の配線層および前記絶縁層は、板状若しくはシート状
の絶縁層の一方の表面にのみ配線層が形成された複数の
配線基板を、該配線基板の配線層と前記絶縁層とが交互
に位置するように積層して形成され、前記接続部は、前
記複数の配線基板の内の少なくとも一の配線基板の前記
絶縁層に、該絶縁層の表裏を連通するように形成された
連通部内に、該一の配線基板の前記配線層の一部が折り
曲げられて折り曲げ部分に形成されると共に、該折り曲
げ部分と、一の配線基板の絶縁層側に隣接して積層され
た他の配線基板の配線層と、が第１導体を介して電気的
に接続されて構成されていることを特徴とする。これに
よれば、従来例で使用していた絶縁層の両面に導体層が
形成された配線基板に比べて安価な、絶縁層の片面にの
み導体層が形成された配線基板を使用して多層配線基板
を製造することができ、しかも導体層をエッチング等に
よって形成する配線層同士を層間で接続する接続部も無
電解めっき処理を用いることなく形成できるから、製造
コストが大幅に低減でき、製品コストも安価になると共
に厚みも薄くできる。また、前記連通部は、具体的には
前記絶縁層に形成された透孔とする場合や、また前記絶
縁層の周縁部に形成された切欠部とする場合が考えられ
る。また、前記第１導体としては、はんだや導電ペース
トが採用し得る。

【０００８】また、本発明に係る半導体装置は、前記各
配線基板の前記絶縁層に半導体素子を収容するための収
容凹部が形成され、前記配線層は、一端側が前記半導体
素子の電極端子に電気的に接続されるリード部に形成さ
れ、他端側が前記折り曲げ部分に形成された、上記のよ
うな多層配線基板と、前記収容凹部内に、電極端子形成
面を前記配線層側に向けて収容され、電極端子に配線層
のリード部が接続されて搭載された半導体素子と、を具
備することを特徴とする。

【０００９】また、本発明に係る他の態様の半導体装置
は、前記配線層は、一端側が半導体素子の電極端子に電
気的に接続されるリード部に形成され、他端側が前記折
り曲げ部分に形成された上記のような多層配線基板と、
電極端子形成面が前記配線基板の配線層側に向けられ、
かつ電極端子に配線層のリード部が接続されて搭載され
た半導体素子と、を具備することを特徴とする。

【００１０】更に他の態様の本発明に係る半導体装置
は、前記配線層は、一端側が半導体素子の電極端子に電
気的に接続されるリード部に形成され、他端側が前記折
り曲げ部分に形成された上記のような多層配線基板と、
電極端子上に形成されたバンプが前記配線層側に向けら
れ、かつ該バンプと配線層のリード部とが接続されて搭
載された半導体素子と、を具備することを特徴とする。

【００１１】更に本発明の半導体装置の他の態様は、前
記配線層は、一端側が半導体素子の電極端子に電気的に
接続されるリード部に形成されかつ前記接続部の絶縁層
に開口部が形成されて、該開口部内にはんだが充填され
た構造を持ち、他端側が前記折り曲げ部分に形成された
上記のような多層配線基板と、電極端子上に形成された
バンプを絶縁層の裏面側から該開口部を通して配線層の
リードに接続されて搭載された半導体素子と、を具備す
ることを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層配線基板
と半導体装置の好適な実施の形態について添付図面と共
に詳細に説明する。（多層配線基板）本発明の多層配線基板の特徴点は、絶
縁層の片面にのみ導電層が形成された配線基板を使用
し、しかも導体層をエッチングして形成された各配線基
板の配線層同士を層間で接続する接続部を無電解めっき
処理を用いることなく形成する点にある。以下では、こ
の点を中心として説明する。

【００１３】最初に、本実施の形態の多層配線基板２４
の構成について説明する。なお、図２２に示した従来例
と同じ構成については同じ符号を付し、詳細な説明は省
略する。多層配線基板２４は、図１に示すように、板状
若しくはシート状の絶縁層としての絶縁基材１０の一方
の表面（図１中の上面）にのみ配線層１２が形成された
複数（図１では一例として２層）の配線基材２６が、絶
縁基材１０と配線層１２が交互に位置するように積層さ
れて形成されたものである。

【００１４】そして、隣接する少なくとも一対の配線基
材２６の配線層１２同士を電気的に接続する接続部２８
は、複数の配線基板２６の内の一の配線基板（図１中の
上側の配線基板）２６の絶縁基材１０に、絶縁基材１０
の表裏を連通するように形成された連通部（一例として
透孔）１６内に、透孔１６内に延出する一の配線基板２
６の配線層１２の一部（延出部）３０が折り曲げられて
折り曲げ部分に形成されると共に、折り曲げ部分（すな
わち延出部３０）と一の配線基板２６の絶縁基板１０側
に隣接して積層された他の配線基板（図１中の下側の配
線基板）２６の配線層１２とが、透孔１６内に流し込ま
れた第１導体（めっきにより形成される導体以外のはん
だや導電ペースト等）３２を介して電気的に接続されて
構成されている。

【００１５】この構成により、従来例のように絶縁層の
両面に導体層が形成された配線基板に比べて安価な、絶
縁層の片面にのみ導体層が形成された配線基板（例えば
片面銅箔テープ基板等）を使用して多層配線基板を製造
することができ、しかも絶縁層としての絶縁基材１０を
挟んで形成された配線層１２同士を層間で接続する接続
部２８も無電解めっき処理を用いることなく形成できる
から、製造コストが大幅に低減でき、製品コストも安価
になる。

【００１６】次に、多層配線基板２４の製造方法を説明
する。図２（ａ）はまず、絶縁層の一方の表面に銅箔等
の導体層が一体的に形成された絶縁基材１０を用意し、
この導体層を、フォトリソグラフィ法等を用いてエッチ
ングによりパターニングし、絶縁基材１０の表面に配線
層１２が形成された配線基板２６を製造する。この配線
層１２の構造上の特徴点は、図３〜図９に示すように、
絶縁基材１０に設けられる透孔１６の形成領域内に、配
線層１２の一部が延出部３０として延出する構成となる
点にある。

【００１７】透孔１６の形成領域内に延出する配線層１
２の延出部３０の具体的な平面形状は、一例として図３
から図９に示すものが考えられる。なお、透孔１６（の
形成領域）の平面形状は円形に形成され、かつ透孔１６
の口縁部分に形成される配線層１２の一部を構成するラ
ンド部１２ａの平面形状も円形に形成されているが、特
に透孔１６やランド部１２ａの平面形状は円形に限定さ
れず、例えば図９に示すように四角形や多角形等の形状
の場合にも適用できる。図３は、この配線層１２の延出
部３０の平面形状が、透孔１６の形成領域の全周から透
孔１６の中心部分に向けて同じ長さずつ延出するリング
状に形成されたものである。

【００１８】図４は、この配線層１２の延出部３０の平
面形状が、透孔１６を閉塞する構造であって、かつ透孔
１６の形成領域の中心部分からこの形成領域の外周（透
孔１６の口縁）に達するスリット３４が複数施されてい
る。スリット３４は本図では一例として４本等角度間隔
で形成されて全体として十文字状に形成されているが、
スリット３４の本数や間隔は任意に設定可能である。ス
リット３４の機能としては、延出部３０を透孔１６内に
折り曲げる際に、延出部３０がスリット３４に沿って均
等に裂けるようにするためである。スリット３４の機能
は以下に於いても同様である。

【００１９】図５は、この配線層１２の延出部３０の平
面形状が、透孔１６の半分を覆う半円形状であって、か
つ半円形の延出部３０の中央部分に一例として１本スリ
ット３４が半径方向に設けられた構造である。このよう
に、延出部３０は透孔１６の全周をカバーしなくとも良
い。なお、スリット３４は１本に限定されず、２本、３
本等、複数本設ける構造であっても良い。図６は、この
配線層１２の延出部の平面形状が、一例として透孔１６
の四分の一を覆う扇状である。本図の例ではスリット３
４は無いが、設けても良い。図７は、この配線層１２の
延出部が、透孔１６の開口部全体を覆う形状になってお
り、スリットが無い構造である。

【００２０】図８は、この配線層１２の延出部３０の平
面形状が短冊状に形成され、透孔１６の口縁から中心に
向けて一例として４つ延出する構造である。延出部３０
は９０度毎に等間隔で配置されている。延出部３０の数
は少なくとも１本有れば良く、また複数本ある場合に
は、等角度間隔で配置される形状でも良いし、また間隔
が等角度で無い構成も考えられる。

【００２１】また、前述した例では、透孔１６の形成領
域、つまり平面形状は円形であったが、図９に示すよう
な多角形状（一例として四角形）の場合にも適用でき
る。図９では、一例として図４と略同じ構造を採用して
おり、スリット３４が透孔１６の対角線上に形成されて
いるため、配線層１２の各延出部３０の平面形状は三角
形となっている。なお、図示はしないが、多角形状に形
成された透孔１６に、図４以外の構造、つまり図３、図
５から図８の構造をもった延出部３０を適応することも
可能である。

【００２２】図２（ｂ）は、絶縁基材１０の配線層１２
とは反対側の面から、レーザにより絶縁基材１０に透孔
１６を形成した状態である。透孔１６の形成領域は、図
３〜図９に示すようにランド部１２ａの平面領域の内側
に位置させる。また、先に、絶縁基材１０に打ち抜き加
工等で貫通孔を形成した後、この絶縁基材１０に銅箔を
積層して延出部３０を有する配線層１２を形成しても良
い。

【００２３】図２（ｃ）は、透孔１６の形成領域に延出
する配線層１２の延出部３０を、透孔１６内に折り曲げ
る。ここで、延出部３０の長さは、例えばその先端が透
孔１６内から絶縁基材１０の他方の面側へ突出しない長
さに設定することが考えられる。第１導体による下層の
配線基板２６の配線層１２との接続の確実性を、多層配
線基板２４の厚みを抑えつつ高めるためには、好適に
は、折り曲げた配線層１２の延出部３０の先端が、透孔
１６の他方の開口部分と面一になるようにするのが望ま
しいが、第１導体３２によって下層の配線基板２６の配
線層１２と電気的に接続できれば、折り曲げた配線層１
２の延出部３０の先端と下層の配線基板２６の配線層１
２との間に隙間が生じていても良い。

【００２４】なお、透孔１６の平面形状と絶縁基材１０
の厚みとの関係によっては、図１０（ａ）に示すよう
に、折り曲げた配線層１２の延出部３０の先端が、透孔
１６内から絶縁基材１０の他方の面側に突出する場合も
ある。この場合には、第１の方法として、突出する延出
部３０の先端は図１０（ｂ）に示すように、延出部３０
の透孔１６内への折り曲げ工程の後工程において、絶縁
基材１０の他方の面の透孔１６の口縁に折り曲げるよう
にすることが考えられる。この場合、この延出部３０の
先端部分の折り曲げ工程が増えると共に配線基板２６を
複数積層して多層配線基板２４を製造した際の厚さが増
すが、折り曲げた延出部３０の先端が下層の配線基板２
６の配線層１２に密着するため、配線層１２同士の接続
の確実性が高まると考えられる。

【００２５】また、第２の方法として、透孔１６内に折
り曲げられた延出部３０の先端を絶縁基材１０の他方の
面に折り曲げせず、下層の配線基板の透孔１６内に進入
させることが考えられる。これによれば、延出部３０の
先端部分の折り曲げ工程も必要が無く、また配線基板２
６を複数積層して多層配線基板２４を製造した際の厚さ
も増えない。ただし、この方法では、最下層の配線基板
の場合には延出部３０の先端を絶縁基材１０の他方の面
に折り曲げる工程は必要となる。

【００２６】図２（ｄ）は、図２（ａ）〜図２（ｃ）の
工程を複数（一例として２枚）の配線基板２６に対して
適応し、できあがったこれら複数の配線基板２６を積層
した状態である。各配線基板２６は接着剤２０で接合さ
れ、各配線基板２６の接続部２８を形成する透孔１６同
士は、同一直線上に配置されて互いに連通した状態とな
る。なお、図２では全ての配線基板２６に透孔１６を形
成しているが図１に示すように、最下層の配線基板２６
では透孔１６を設けなくすることも可能である。

【００２７】図２（ｅ）は、最上層の配線基板２６の透
孔１６から、例えば加熱溶融させて流動状態にしたはん
だのような導電性を有する導体（以下単に、第１導体）
３２を、連通した各透孔１６内に流し込んで各配線基板
２６の配線層１２同士を電気的に接続する接続部２８を
形成する。これにより、各配線基板２６の配線層１２が
層間で電気的に接続された多層配線基板２４が得られ
る。なお、第１導体３２としては、はんだに代えて、例
えば導電粒子を分散した導電ペーストを使用することも
できる。

【００２８】また、前述した実施の形態の接続部２８の
構造は、各配線基板２６に設けた透孔１６を利用した構
成であるが、図１１に示すように透孔１６に代えて配線
基板２６の外周縁部分（周縁部）に、例えば平面形状が
半円状の切欠部３６を設ける。そして、絶縁基材１０の
一方の面に形成された配線層１２の一部を前述した延出
部３０として切欠部３６内に折り曲げる。そして、図示
はしないが、このように切欠部３６と延出部３０を形成
した配線基板２６同士を、切欠部３６の内周面同士が連
通するように積層し、これら切欠部３６に第１導体３２
を流し込むことによって、積層した各配線基板２６の延
出部３０同士を電気的に接続して接続部２８を構成する
こともできる。これにより、層間で配線層１２同士が電
気的に接続された多層配線基板２４とすることも可能で
ある。

【００２９】（半導体装置）次に、前述した構造の多層
配線基板２４を利用した半導体装置の構造について図１
２〜図２１を用いて説明する。なお、図１４に示した半
導体装置の実施形態を除いて、接続部２８は、各配線基
板２６の外周縁に切欠部３６を形成し、この切欠部３６
内に配線層１２の端部に形成された延出部３０を折り曲
げて形成したものであり、また延出部３０は絶縁基材１
０の厚みよりも長く、延出部３０の先端は絶縁基材１０
の他方の面側に折り曲げた構造となっているが、この構
造以外にも、図示はしないが、前述したように延出部３
０の長さを絶縁基材１０の厚みの範囲内に設定し、延出
部３０の先端を折り曲げないようにする構造でも良い。
また、接続部２８が配線基板２６の外周縁ではなく、ビ
アのように内部領域に形成した構造とすることも可能で
ある。

【００３０】半導体装置３８は、絶縁基材１０の一方の
表面にのみ配線層１２が形成された配線基板２６が、配
線層１２と絶縁基材１０とが交互に位置するように複数
積層されて形成された多層配線基板２４を用いて構成さ
れている。図１２〜図１４に示した実施形態では、各配
線基板２６の絶縁基材１０には、半導体素子４０を収容
するための収容凹部４２が形成されている。収容凹部４
２は絶縁基板１０に設けた開口部であって、その底面に
は配線層１２が露出する。また、収容凹部４２の領域内
の後述するリード部が形成される領域は、リード部以外
の導体層がエッチングで剥離される結果、配線基板２６
を貫通する窓部４４に形成されている。

【００３１】また、配線層１２は、一端側（図１２や図
１３中の左端側）が収容凹部４２内に延出して半導体素
子４０の電極端子４６に接続されるリード部４８に形成
され、他端側（図１２や図１３中の右端側）が絶縁基材
１０の外周縁に形成された切欠部３６の領域内に延出
し、この延出部３０が切欠部３６の内面に密着するよう
に折り曲げられている。

【００３２】各配線基板２６の各々の収容凹部４２内に
は、電極端子４６が形成された面（電極端子形成面）４
０ａを配線層１２側に向けて半導体素子４０が収容さ
れ、電極端子形成面４０ａに露出する電極端子４６に配
線層１２のリード部４８が接続されている。各配線基板
２６は、収容凹部４２内に半導体素子４０が搭載された
後に、収容凹部４２内に樹脂材５０が充填されて半導体
素子４０の側面、電極端子形成面４０ａおよび配線層１
２のリード部４８が封止される。

【００３３】そして、各配線基板２６が、対応する切欠
部３６同士が連通するように積層され、各配線基板２６
の連通する切欠部３６の内面に折り曲げられた延出部３
０同士がはんだや導電ペースト等の第１導体３２で電気
的に接続されることによって、半導体装置３８となる。
なお、５４は配線層１２に半導体素子４０を接着する接
着層であり、５６は配線層１２と絶縁基材１０とを接着
する接着層である。この半導体装置３８においては、積
層された各配線基板２６に収容凹部４２が形成されてこ
の収容凹部４２内に半導体素子４０が搭載されているた
め、複数の副半導体装置５２が積層されて一つの新たな
半導体装置３８に構成されたと考えることもでき、さら
に収容凹部４２が形成された各配線基板２６は各副半導
体装置５２における半導体パッケージとも考えられる。

【００３４】また、図１３の半導体装置３８における接
続部２８を、切欠部３６に代えて前述したように透孔１
６を用いた構成した実施形態を図１４に示す。各副半導
体装置５２の接続部２８を構成する透孔１６が連通して
構成される連通孔５８内にリードフレーム６０のインナ
ーリード６２を挿入し、連通孔５８内に第１導体（はん
だまたは導電ペースト）３２を入れて接合した後、積層
された各副半導体装置５２全体を樹脂材６４で樹脂封止
する。そして、樹脂材６４から突出したリードフレーム
６０のアウターリード６６を例えばガルウィング形状
（Ｌリード型）に整形してＳＯＰ（Small Outline Pack
age ）型の半導体装置６８にしても良い。なお、アウタ
ーリード６６の整形は、Ｌリード型に代えて、Ｊリード
型やＩリード型に整形することも可能である。このよう
に、リードを有する半導体装置６８にすることによっ
て、既存のＩＣアセンブリ装置の使用が可能になる。な
お、予めインナーリード６２には第１導体３２としての
はんだめっきを施しておいても良い。

【００３５】図１２〜図１４の実施形態では絶縁基材１
０に収容凹部４２を設け、この中に半導体素子４０を収
容した構造のものであるが、このような収容凹部を設け
ていない実施形態について図１５〜図２１を参照して説
明する。

【００３６】なお、どの実施形態の半導体装置も絶縁基
材１０の一方の表面にのみ配線層１２が形成された配線
基板２６が、配線層１２と絶縁基材１０とが交互に位置
するように複数積層されて形成された多層配線基板２４
を用いて構成されており、接続部２８は図１２、図１３
に示す実施形態と同様に、各配線基板２６の外周縁に切
欠部３６を形成し、この切欠部３６内に配線層１２の端
部に形成された延出部３０を折り曲げて形成したもので
あり、また延出部３０は絶縁基材１０の厚みよりも長
く、延出部３０の先端は絶縁基材１０の他方の面側に折
り曲げた構造となっているが、この構造以外にも、図示
はしないが、前述したように延出部３０の長さを絶縁基
材１０の厚みの範囲内に設定し、延出部３０の先端を折
り曲げないようにする構造でも良い。また、接続部２８
が配線基板２６の外周縁ではなく、ビアのように内部領
域に形成した構造とすることも可能である。

【００３７】また、図１３においては各配線基板を接着
剤２０で接合しているが、以下に示す実施形態のように
必ずしも接着剤２０を用いる必要はない。接着剤を使用
すれば配線基板間のより強固な固定となり得るが、工程
が増加してしまう。配線基板の接合は、接着剤を使用せ
ずに電気的接続部３２のみで充分な場合もある。

【００３８】図１５及び図１６に半導体装置の他の実施
形態を示すが、前述の実施形態と異なる点のみを説明す
る。この実施形態では、半導体素子４０が各配線基板２
６上に接着剤５４により搭載されている。半導体素子４
０の面は、その電極端子形成面側が配線基板２６側とな
るように搭載されている。また、配線基板２６の向きは
この場合配線層１２側に半導体素子４０が搭載されてい
る。そして、半導体素子４０の電極端子４６は配線層１
２のリード部４８に接続され、半導体装置４０と配線基
板２６間の電気的接続が達成される。なお、配線層１２
はリード部４８から一旦は配線基板２６の内側へ延び、
迂回して配線基板２６の外周縁の切欠部３６へ到達し、
前述の実施形態と同様、この切欠部３６で延出部３０が
折り曲げられていて、はんだ又ははんだペースト等の第
１導体３２にて層間の接続部を構成している。

【００３９】配線基板２６が積層される際、外周縁の切
欠部３６の設けられている領域の近辺にて外周に平行し
て各配線基板２６間に帯状のソルダレジスト７０が配置
されている。これは、はんだ等の第１導体３２にて層間
の接続部を構成する際に、溶融したはんだが半導体装置
の内部領域に流入するのを防止するためである。なお、
この実施形態において、配線基板２６の向きは、配線層
１２側に半導体素子４０を搭載した向きとしているが、
絶縁基材１０の側に半導体素子４０を搭載しても良い。

【００４０】図１７及び図１８に示す半導体装置の実施
形態では、半導体素子４０の電極端子４６にバンプ７２
が形成されていて、このバンプ７２が配線基板２６のリ
ード部４８に接続されている。半導体素子４０は、電極
端子形成面が配線基板２６の配線層１２側となるように
搭載されている。なお、配線層１２はリード部４８から
直接配線基板２６の外周縁の切欠部３６へ延びており、
前述の実施形態と同様、層間の接続部を構成している。
上記実施形態と同様、各配線基板２６間の外周縁の切欠
部３６の設けられている領域の近辺に帯状のソルダレジ
スト７０が配置されている。

【００４１】図１９〜図２１に示す半導体装置の実施形
態では、図１７及び図１８に示した実施形態と同様、半
導体素子４０の電極端子４６にバンプ７２が形成され、
このバンプ７２が配線基板２６のリード部４８に接続さ
れているが、配線基板２６の構造及び配線基板２６の半
導体素子４０の搭載面が異なる。即ち、半導体素子４０
は、配線基板２６の絶縁基材１０側に搭載され、バンプ
７２は配線基板２６の絶縁基材１０に設けられた開口部
７４を通して裏面のリード部４８に電気的に接続され
る。なお、この絶縁基材１０の開口部７４にははんだ７
６が供給されていて、半導体素子４０を配線基板２６上
に搭載する際にバンプ７２を固定すると共に、半導体素
子４０の電極端子４６と配線層１２のリード部４８との
間の電気的な接続の役割も果たす。半導体素子４０と配
線基板２６との間には薄い樹脂接着剤層５０を設けるこ
とにより両者間を固定する。

【００４２】なお、図１８及び図２１において、バンプ
７２の形状は電極端子４８に接続する基端部は電極端子
４８と同じ程度の太い径の部分となり、先端のリード部
４８と接続する部分は細い径となっている。また、図１
９〜図２１の実施形態ではソルダレジスト７０は配線基
板２６の絶縁基材１０側（半導体素子４０の搭載されて
いない側）のほぼ全面を覆うように形成されている。

【００４３】

【発明の効果】本発明に係る多層配線基板と半導体装置
によれば、従来例で使用していた絶縁層の両面に導体層
が形成された配線基板に比べて安価な、絶縁層の片面に
のみ導体層が形成された配線基板を使用して多層配線基
板を製造することができ、しかも導体層をエッチング等
によって形成する配線層同士を層間で接続する接続部も
無電解めっき処理を用いることなく形成できるから、製
造コストが大幅に低減でき、製品コストも安価になると
共に厚みも薄くできるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多層配線基板の一実施の形態の構
造を説明するための説明図である。

【図２】本発明に係る多層配線基板の一実施の形態の製
造工程を説明するための説明図である。

【図３】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（リング状）。

【図４】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（スリット付円形状）。

【図５】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（スリット付半円形状）。

【図６】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（扇状）。

【図７】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（スリット無しの円形状）。

【図８】透孔内に延出する配線層の延出部の一実施の形
態を示す平面図である（短冊状）。

【図９】四角形の透孔内に延出する配線層の延出部の一
実施の形態を示す平面図である（三角状）。

【図１０】透孔内に折り曲げられる延出部の長さが絶縁
基材の厚みを越える場合の折り曲げ工程を説明するため
の工程図である。

【図１１】絶縁基材の外周縁に形成された切欠部内に延
出部を折り曲げて構成した接続部の構造を説明するため
の要部斜視図である。

【図１２】本発明に係る半導体装置の一実施の形態の構
成を説明するための、配線層側から見た要部平面図であ
る。

【図１３】図１２のＷ−Ｗ断面図である。

【図１４】本発明に係る半導体装置の他の実施の形態の
構成を説明するための、断面図である。

【図１５】本発明に係る半導体装置の他の実施形態の構
成を配線層側から見た要部平面図である。

【図１６】図１５に示す実施形態のＷ−Ｗ断面図であ
る。

【図１７】本発明に係る半導体装置の更に他の実施形態
の構成を配線層側から見た要部平面図である。

【図１８】図１７に示す実施形態のＷ−Ｗ断面図であ
る。

【図１９】本発明に係る半導体装置の更に他の実施形態
の構成を配線層側から見た要部平面図である。

【図２０】図１９のバンプの部分（Ｙ）を拡大して示す
部分平面図である。

【図２１】図１９に示す実施形態のＷ−Ｗ断面図であ
る。

【図２２】従来の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの説明図である。

【符号の説明】

１０…絶縁層（絶縁基材）１２…配線層１６…連通部（一例として透孔）２０…接着剤２４…多層配線基板２６…配線基板２８…接続部３０…折り曲げ部分としての延出部３２…第１導体３６…切欠部３８，６８…半導体装置４０…半導体素子４２…収容凹部４６…電極端子４８…リード部５０…樹脂材５２…副半導体装置５４，５６…接着層６０…リード６２…インナーリード６６…アウターリード７０…ソルダレジスト７２…バンプ７４…開口部７６…はんだ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 25/065 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ 25/07 25/08 Ｚ 25/18 Ｈ０５Ｋ 1/11 (72)発明者水野茂長野県長野市大字栗田字舎利田711番地新光電気工業株式会社内 (72)発明者玉舘由香長野県長野市大字栗田字舎利田711番地新光電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 AA26 BB01 BB11 CC11 CC15 CC17 CC53 CD27 GG16 5E346 AA02 AA04 AA12 AA15 AA29 AA32 AA43 BB20 CC02 CC32 CC55 DD32 DD44 EE12 EE13 FF01 FF07 FF18 FF19 FF27 FF45 GG15 GG18 GG28 HH07 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の配線層が絶縁層を介して績層さ
れ、該絶縁層の表裏に位置する少なくとも一対の前記配
線層同士が、絶縁層を貫通して形成された接続部を介し
て電気的に接続された多層配線基板において、前記複数の配線層および前記絶縁層は、板状若しくはシ
ート状の絶縁層の一方の表面にのみ配線層が形成された
複数の配線基板を、該配線基板の配線層と前記絶縁層と
が交互に位置するように積層して形成され、前記接続部は、前記複数の配線基板の内の少なくとも一
の配線基板の前記絶縁層に、該絶縁層の表裏を連通する
ように形成された連通部内に、該一の配線基板の前記配
線層の一部が折り曲げられて折り曲げ部分に形成される
と共に、該折り曲げ部分と、一の配線基板の絶縁層側に
隣接して積層された他の配線基板の配線層と、が第１導
体を介して電気的に接続されて構成されていることを特
徴とする多層配線基板。
【請求項２】前記連通部は、前記絶縁層に形成された
透孔であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基
板。
【請求項３】前記連通部は、前記絶縁層の周縁部に形
成された切欠部であることを特徴とする請求項１記載の
多層配線基板。
【請求項４】前記第１導体は、はんだであることを特
徴とする請求項１，２または３記載の多層配線基板。
【請求項５】前記第１導体は、導電ペーストであるこ
とを特徴とする請求項１，２または３記載の多層配線基
板。
【請求項６】前記各配線基板の前記絶縁層に半導体素
子を収容するための収容凹部が形成され、前記配線層
は、一端側が前記半導体素子の電極端子に電気的に接続
されるリード部に形成され、他端側が前記折り曲げ部分
に形成された請求項１，２，３，４または５記載の多層
配線基板と、前記収容凹部内に、電極端子形成面を前記配線層側に向
けて収容され、電極端子に配線層のリード部が接続され
て搭載された半導体素子と、を具備することを特徴とす
る半導体装置。
【請求項７】前記配線層は、一端側が半導体素子の電
極端子に電気的に接続されるリード部に形成され、他端
側が前記折り曲げ部分に形成された請求項１，２，３，
４または５記載の多層配線基板と、電極端子形成面が前記配線基板の配線層側に向けられ、
かつ電極端子に配線層のリード部が接続されて搭載され
た半導体素子と、を具備することを特徴とする半導体装
置。
【請求項８】前記配線層は、一端側が半導体素子の電
極端子に電気的に接続されるリード部に形成され、他端
側が前記折り曲げ部分に形成された請求項１，２，３，
４または５記載の多層配線基板と、電極端子上に形成されたバンプが前記配線層側に向けら
れ、かつ該バンプと配線層のリード部とが接続されて搭
載された半導体素子と、を具備することを特徴とする半
導体装置。
【請求項９】前記配線層は、一端側が半導体素子の電
極端子に電気的に接続されるリード部に形成され、かつ
前記接続部の絶縁層に開口部が形成されて、該開口部内
にはんだが充填された構造を持ち、他端側が前記折り曲
げ部分に形成された請求項１，２，３，４または５記載
の多層配線基板と、電極端子上に形成されたバンプを絶縁層の裏面側から該
開口部を通して配線層のリードに接続されて搭載された
半導体素子と、を具備することを特徴とする半導体装
置。