JP2001196305A - 光学装置 - Google Patents
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Abstract
する。 【解決手段】 特にマイクロリソグラフィ投影プリンテ
ィング装置である光学装置は、スロット状の画像フィー
ルドまたは回転非対称な照明を持つ。従って光学部材
(1)は、光源の放射光により回転非対称的な作用を受
ける。補償光供給装置(11、14から19)は、光学
部材(1)の周縁表面(13)を介して光学部材(1)
に光学的に結合される。補償光供給装置は、投影光
(2)と補償光(12)による光学部材(1)の加熱で
生じる光学部材(1)の温度分布が少なくとも部分的に
均一化されるように光学部材(1)に補償光(16、1
2)を供給する。投影光により引き起こされた結像欠陥
が補正される。
Description
状の画像フィールドまたは回転非対称な照明を持つマイ
クロリソグラフィ投影プリンティング装置に特に関する
光学装置に関し、 a)光学部材を含み、 b)放射光を放出する投影光源を含み、光学部材の表面
が投影光源の放射光により回転非対称的な作用を受け、
そして c)光学部材を投影光と補償光とを重ねて加熱する結果
として生じる光学部材の温度分布が少なくとも部分的に
均一化されるように光学部材に補償光を供給する補償光
供給装置を含む。
学装置の結像特性が、回転非対称性から生じる結像欠陥
によって損なわれることがある。こうした結像欠陥は例
えば、投影光に関して言えば、屈折または反射光学部材
の回転非対称な光誘導加熱による結果だけでなく例え
ば、他の光誘導効果の結果としても起こり、例えば光学
部材における相当する回転非対称な膨張、及び/又は、
回転非対称な屈折率分布をもたらすコンパクションなど
である。高品質の結像が求められる場合、特にマイクロ
リソグラフの投影プリンティング処理ではそうである
が、上述した光によって引き起こされる結像欠陥を容認
することはできない。
により、最初に説明した種類の光学装置は知られてい
る。そこでは補償光源を使用して、少なくともそのよう
な結像欠陥の部分的低減を達成する努力がなされてい
る。補償光を吸収させることにより、光学システムにお
ける温度分布を均一化することで達成されている。その
場合、投影光が作用しない光学部材の端部の区域を通っ
て補償光が光軸に平行に導かれる。その結果、投影プリ
ンティングに利用できる光学装置の有効な口径が制限さ
れる。投影光の光路と平行な補償光に必要な入力結合が
更に構造の一体化の問題を生じるが、これは、追加の入
力結合部材、及び/又は、偏向部材を投影光の光路内
に、及び/又は、近くに挿入する必要があるからであ
る。
は、補償光を使用して有効口径に悪影響を与えることな
く光学部材の温度分布を対称、及び/又は、均一にでき
る最初に説明した種類の光学装置を開発することであ
る。
れば、補償光供給装置が光学部材の周縁表面を介して光
学的に光学部材に結合されることで実現される。
補償光ビームの誘導で生じる制限がなくなるため、投影
光に対して光学装置の口径を全面的に利用することがで
きる。投影光と補償光の光路が互いに隣接または平行し
て延びていないので、光学装置は構造的に補正される。
更に光学部材の周縁表面は、投影光用の光学表面とは別
に設計できるため、補償光の誘導は、投影光の誘導とは
別々に最適化できる。光学部材は通常、光軸に対し平行
よりも垂直な方向の寸法が大きいため、周縁表面を介す
る入力結合の使用で補償光の吸収に利用できる材料の距
離も更に広がり、その結果、補償光の波長選択により大
きな自由度をもたらす。
源からの放射光を光学部材に供給する少なくとも1つの
光ファイバを含む。投影光源から独立した光源を使用す
る場合、それを光学装置から独立した空間に収容でき
る。光ファイバの使用により、光学装置の断面積の大き
な増加をもたらさずに、光学部材の周縁表面への入力結
合の構造設計を実現することができる。光ファイバの出
力発散を利用して、補償光による光学部材のかなり広い
領域を照射することができる。
の少なくとも2つの光ファイバを介してそれぞれに導か
れる光線出力を制御装置により互いに別々に調節するよ
うにすることが有利である。別々の光ファイバに誘導さ
れる光線出力の分布を利用して、補償光を吸収して光学
部材で生成された温度分布を意図的に影響を与えること
が結像欠陥の補償に対して可能になる。
センサと通信リンクを持ち、光線出力を制御するために
センサからの受信信号を処理する。前記方法により結像
特性の調節が可能になり、それによって、センサにより
検出された結像特性の変化が自動的に補正される。
うしたセンサは非常に安価な設計、例えばカドラント検
出器の形で入手できる。センサはCCDアレイが好まし
い。こうしたセンサにより、光学装置の結像特性に対し
高感度な測定が約束される。制御装置の比較的単純な構
造は、本発明では既知の画像処理アルゴリズムの使用を
介して、可能である。
変波長の光源を含む。波長は、結像欠陥を補償するため
に光学部材における温度分布を調節する時、更なる自由
度をもたらす。例えば、ある範囲で調節可能な波長を持
つ光源を使用する場合、光学部材材料の吸収係数が波長
の変化でかなり変化するので、その波長の変化により、
光学部材内への補償光の貫通深さが変えられ、光学部材
の温度分布の対応する変化が可能になる。本発明で使用
される通常の波長域は、4ミクロン領域、石英ガラスの
長波長側の吸収エッジ、または、波長1400nmで固
有吸収が増加する領域である(多くの石英ガラスで生じ
る)。その波長はリン化インジウム・ダイオードレーザ
などで達成される。
ている少なくとも1つのファイバの端部用の保持部材
は、光学部材の取付台に取り付けられる。これは、光学
部材に対するファイバの出力端部の確実な位置決めをも
たらす。脱着可能に装着された保持部材を使用する場
合、容易なファイバ交換および交換ファイバの容易な再
位置決めが約束される。
ために調節装置が設けられる。こうした調節装置は、補
償光が光学部材内に結合される位置と、入力結合の方
向、または代わりに光学部材周縁表面からの出力端部の
距離とを調節するために使用される。自由度によって、
光学部材における補償光の強さの分布へ影響を与え、補
償光の吸収を介して前記光学部材の温度分布への影響を
与えることができる。
が設けられており、そのアクチェータは制御装置との通
信リンクを持ち、制御装置は、光学装置の焦点面を監視
するセンサとの通信リンクを備えて、保持部材の位置制
御のためにセンサからの受信信号を処理する。このよう
に結像欠陥の自動的な補正は、保持部材の調節によって
可能になる。
ファセットを持つ。こうしたファセットは、ファセット
面での屈折により補償光ビームの誘導を可能にする。フ
ァセットは例えば凸面であり、ファセット上に発散的に
入射する補償光を集光させる。逆にファセット形状が凹
面の場合、入射補償光ビームの発散が実現する。凹面フ
ァセットの曲率半径が入射補償光の発散に対応していて
補償光がファッセット面と直角に当たる時、光学部材周
縁表面の屈折による発散の影響はない。
でテクスチャーを施される。最も単純な場合、こうした
テクスチャーは通常、光学部材の粗く研磨された周縁表
面である。テクスチャーを施された周縁表面に入射する
補償光は拡散し、それにより光学部材における補償光の
分布を促進する。補償光ビームの誘導に影響を与える他
の周縁表面テクスチャーとしては、例えば回折性光学部
材の方法などが考えられる。
場合、補償光の吸収が比較的高くなることが約束され
る。この場合従って、特定の熱出力を達成するために比
較的低い光学出力を持つ光源を補償光として使用でき
る。
レンズまたは平行平面板などの形をとるこうした屈折光
学部材は、既知の投影プリンティング装置においては標
準の機器である。
対して反射的であってもよい。反射面における投影光の
残留吸収のために、投影光のそのような鏡は同様に、実
質的に投射光に対して入射対称を示す熱寄与にさらされ
る。本発明によって鏡を補償光供給装置がその周縁表面
と結合するように設計する場合、投影光により生じた結
像欠陥は、ここでもまた、補償光の吸収により補償され
る。こうした鏡は通常、透明基板上に反射被膜を含む形
で実現される。本発明の実施形態は、図を参照して以下
に詳しく説明される。
1は、マイクロリソグラフィ投影プリンティング装置の
光学装置の一部である。投影プリンティングが行われて
いる間、レンズ1は、投影光ビーム2により作用を受
け、その矩形断面区域は、図1に点線で示されている。
前記断面区域の長辺3の短辺4に対する長さ比は、通常
2:1である。
・エキシマレーザなどの、図示されていない投影光源か
らの紫外線放射ビームである。レンズ1は、石英ガラス
から作られる。投影ビーム2が通過するその表面に、既
知の手法で反射防止被膜が設けられている。
5にレンズ1を装着させるため、取付台は、2つの台座
部分6および7に対して後部からネジ付きリング(図示
しない)を使用して締め付けられる。台座部分は、各々
がほぼ90°の角度領域に亘って広がっている互いに向
かい合うリングの一部(セグメント)の形で、取付台5
の輪状の基本ケース8上に形成される。2つの台座部分
6および7の内径は、レンズ1の直径よりも小さく、こ
れにより台座部分6および7のレンズ1が置かれる2つ
の領域が作られる。
各々の場合に台座部分6および7の方向に向くように誘
導される。
の間を閉じ、完全なリングとしている基本ケース8の2
つの90°のリングセグメントの各々の、レンズ1の周
縁表面13に放射方向に隣接する箇所にレンズ1の光軸
と同軸のアーク状案内溝9が形成されている。前記案内
溝9は、周知のありつぎ状さねはぎの一部を形成し、そ
の中に保持ブロック10上に形成されるスプリング(図
示しない)が取り付けられる。
中で周縁方向に変位可能な保持ブロック10の内部に、
光ファイバ11の端部が、詳細は示されていない方法で
装着される。
うに補償光供給装置の一部である。3つの保持ブロック
10の互いに対向するグループに配置される合計6つの
保持ブロック10の各々に、1つのファイバ11の端部
が結びついている。ファイバ11の端部から出てくるビ
ーム12は、レンズ1の周縁表面13に入射して貫通す
る。ビーム12は、投影光入射の光軸に対し直角に導か
れるので、以下では横方向光ビーム12と呼ぶ。横方向
光ビーム12の波長は4ミクロンより長く、レンズ1の
製作で使用される石英ガラスの吸収領域内にある。
長を大きく吸収しないガラス材料で作成される。光ファ
イバ11は、それらの入力端部を結合されて入力保持ブ
ロック14でファイバ束になる。入力保持ブロック14
の上流側に接続されているのが光学出力分配器15で、
ファイバ束上に結像された入力光ビーム16を個々のフ
ァイバ11に分配する。こうした出力分配器15は、様
々な構造形体で既知である。出力分配は例えば、個々の
ファイバ11に付随する光学部品を偏光することによ
り、または、ファイバ11に付随する適切なフィルタに
より、あるいは代わりに、個々のファイバ11内に結合
される入力光ビーム16の光量に影響を及ぼすようにフ
ァイバ11の入力を個々に調節することにより達成され
る。
外線光源により放射され、ファイバ11のファイバ束上
に結像光学部品18を使って結像される。出力分配器1
5およびレーザ17は、出力制御回路19と通信リンク
を持つ。出力制御回路は、2次元CCDアレイなどのセ
ンサ配置21からの信号を受信するプリンティング制御
回路20と通信リンクを持つ。
される。レンズ1の領域に矩形断面区域を持つ投影ビー
ム2によって、レンズ1は投影ビーム2の波長での材料
の残留吸収のために加熱される。その加熱の結果の温度
分布は、最初はレンズ1の投影光ビーム2の光路に対称
である。これは材料の熱膨張と、同じく屈折率の変化の
両方をもたらし、従って、その変更された屈折特性のた
めにレンズ1の結像特性の変化をもたらす。
れる横方向光ビーム12により、更なる熱寄与が、光線
吸収の結果として同様に伝達される。しかしながら、波
長で4ミクロン以上でのレンズ1材料の高い吸収能力に
より、横方向光ビームは、特定の深さまでしかレンズ1
を貫通しない。横方向光ビームは、通常、投影光ビーム
1により照射されるレンズ1の区域2には達しないた
め、吸収された光線出力に対応する熱は、実際には投影
光ビーム2の外側にあるレンズ1の側面領域に生じると
いう結果になる。
の温度分布は、横方向光ビーム12の誘導された個々の
出力、それらの波長および形、及び、レンズ1における
横方向光ビーム12の重ね合わせに左右される。横方向
光ビーム12によるレンズ1の追加加熱の目的は、温度
分布を対称にする、及び/又は、前記レンズの予め選択
された形状の温度分布を達成することである。これは、
制御可能な結像特性をもたらす。
投影光ビーム2の残留吸収および横方向光ビーム12の
意図的な吸収から生じる熱寄与のため、レンズ1におい
てできるだけ均一な温度分布が発生するように選択され
る。前記温度分布の均一化により、レンズ1の残留吸収
で生じた結像欠陥を、投影プリンティングの間に理想的
に除去することができる。
特性が、光学装置の焦点面に配置されるセンサ配置21
により監視される。既知の画像取得アルゴリズムを使用
してセンサ配置21により取得された前記画像が、結像
欠陥の発生に対して特に評価される。前記評価は、プリ
ンティング制御回路20の一部である演算ユニットで達
成される。
プリンティング制御回路20は、レンズ1において可能
な限り均一な温度分布が投影光ビーム2と横方向光ビー
ム12との結合された吸収によって達成されるように、
個々の横方向光ビーム12の出力に対して設定値を割り
当てる。
リンティング制御回路20により出力分配器15に送ら
れ、出力分配器は、様々なファイバ11の間に入力光ビ
ーム16の対応する出力分布をもたらす。
源を横方向光ビーム12用として使用する配置が考えら
れる。特に、別々の光源は、各々の光ファイバ11と結
びつけることができる。各ファイバ11間の出力分布
は、次に各々の光源の駆動装置の最適な作動により達成
される。
により、レンズ1における横方向光ビーム12が吸収さ
れる光量が対応して変更される。このように、レンズ1
内に結合された6つの横方向光ビーム12間の出力分布
により、レンズ1における温度分布形状に影響が及ぼさ
れる。センサ配置21により計測された結像特性に基づ
くフィードバックを介して、繰返し過程において温度分
布の調節が可能になり、レンズ1の結像欠陥の最小化を
もたらす。
は、案内溝9に沿った保持ブロック10の変位と、横方
向光ビーム12の重ね合わせ構造の対応する変化とによ
って与えられる。
案内溝9に沿った保持ブロック10の変位は、モータ駆
動で達成される。こうした保持ブロック10のモータ駆
動による変位がプリンティング制御回路20を介して同
様に始められると、レンズ1における温度分布形作成の
ための、追加の自動調節可能な自由度が作られる。横方
向光ビーム12の入力配置のそのような調節は、センサ
配置21の評価された測定データに応じて、プリンティ
ング制御回路20により同様に制御される。
使用される横方向光ビーム12の数は変化する。例えば
レンズ1の周縁表面13内に互いに対向して結合され
る、たった2つの横方向光ビーム12を使うことが考え
られる。
合されて出た後は、横方向光ビーム12の更なる形状形
成は起こらない。横方向光ビーム12は次に、発散性ビ
ームとしてレンズ1の周縁表面13内を貫通し、それら
の発散は、凸レンズの役割をする周縁表面13での屈折
のため、レンズ1の光軸に垂直な平面(図1の図面平
面)におけるレンズ1の材料内で減少される。
力結合を最適化するために特別に処理される。最適入力
結合効率を達成するために周縁表面13は、例えばダイ
オードレーザ17の放射波長領域に対する反射防止被膜
を持つ。
て、それにより周縁表面13内に結合される光のより均
一な分布を達成するために、周縁表面13は、横方向光
ビーム12が周縁表面13のテクスチャーを施された表
面で拡散されるように、テクスチャーを施すことも可能
である。こうした拡散効果は例えば、通常粗く研磨され
た、既知のレンズの周縁表面により達成される。周縁表
面上のテクスチャーを施された表面のサイズおよび分布
によって、拡散効果に意図的な影響を与えることができ
る。
的な調節が、前記個々のレンズの結像特性を最適化する
ために使われる。代わりに、レンズ1における温度分布
の調節を、それで作成されたレンズ1の結像特性が光学
装置全体の結像特性を補償するために使われる方法で調
節することも可能である。そのために、入力横方向光ビ
ーム12の助けを借りて、投影光ビーム2の残留吸収に
よる加熱効果をわざと過補償にすることができる。前記
のセンサ配置21を使用したレンズ1における温度分布
の繰返し調節は、投影プリンティング装置の光学装置の
他の光学部材のこうした結像欠陥補償の一例である。な
ぜなら、光学装置の焦点面を監視する結果として、光学
装置の結像特性全体が最適化されるからである。
するために、レンズ101および201は、図2および
図3に示されるようにファセットを刻むことができる。
図1のそれに対応する前記代替構造形体の構成部材につ
いては、100および200ほど増えた参照番号がつけ
られているが、詳細については再度説明されない。
3は、横方向光ビーム112がファセット122の領域
でレンズ101を貫通するように、各々の横方向光ビー
ム112に付随する凸面ファセット122を持つ。ファ
セット122は、レンズ101の光軸に垂直な平面(図
2および図3の図面平面)と、それと垂直で各々のファ
セット122の中心を包含するメリジオナル平面との両
方において凸面に湾曲している。
ト122に入る際の横方向光ビーム112は、ファセッ
トのない図1で説明された状況においてより、より多く
集光させられる。横方向光ビーム112の集光は、図2
に直角な平面にもあるファセット122によって更に達
成される。
の横方向光ビーム112の対応する集光をもたらし、従
って、横方向光ビーム112の重ね合わせ領域の変更さ
れた形状をもたらし、結果的に、横方向光ビーム112
の吸収の結果としてレンズ101内の変更された温度分
布をもたらす。
横方向光ビーム212の出力発散に対しファセット22
3の曲率半径を適切に適応させると、出力発散がレンズ
201内に入る際に実際上変更されないようにすること
ができる。これは、凹面ファセット表面を横方向光ビー
ム212の放射方向と垂直にして、ファセット表面で何
の屈折も起こらないようにできるためである。横方向光
ビーム212の吸収によって加熱されるレンズ201の
領域は、従って図1および図2で示された状況と比べて
大きくなる。
較的多く吸収される波長を持つ赤外線光源の代わりに、
レンズ材料に対して比較的低い吸収係数を持つ波長の光
源を使うことができる。こうした光源は、比較的安価で
市販されている。
れている。図1の構成要素に対応する代替構成要素につ
いては、300増やした参照番号を付けて、詳細につい
ては再度説明しない。
レーザである。レーザから放射される入力光ビーム31
6の波長は、1400nmの領域にある。石英ガラス製
のレンズ301の固有吸収は増加するが、波長4ミクロ
ン以上の波長での吸収には匹敵しない。レーザ317の
温度を変更することで前記レーザの放射波長は、特定領
域において整調できる。
ないためレンズ301を透過する。全ての横方向光ビー
ム312は、中央のほぼ回転対称な領域で重なり、その
領域は投影光ビーム302内にあり、それ自体は温度分
布の回転非対称性に影響を与えない。必要とされる回転
対称性は、投影光ビーム302の外側にある横方向光ビ
ーム312の領域によって達成される。
り横方向光ビーム312の吸収が変わるが、これは従来
のレンズ材料の場合、材料に特有な吸収が波長により変
わるからである。波長の設定値がプリンティング制御回
路320によりダイオードレーザ317に送られ、その
設定値選択に応じたダイオードレーザ317の温度が放
射波長を調節する。
長、更に、レンズ301内に結合された6つの横方向光
ビーム312の間での出力分布の調節を介して、レンズ
301の温度分布の形状が影響を受ける。センサ配置3
21により計測される結像特性に基づくフィードバック
を介して、レンズ301の結像欠陥を最小化する温度分
布は、図1の実施形態に関して説明されたのと同じよう
に、繰返し処理において調節される。
の代わりに、投影光ビーム2および302に対して反射
的である光学部材、すなわち鏡を使用することができ
る。その鏡は、補償光ビームを透過させる基板に多層イ
ンタフェース被膜または金属被膜など投影光ビームを反
射する被膜を持つものであって、上記した方法で基板の
内部に横方向光線が結合される。典型的な基板材料は、
400nmと2500nmの間の光学的透明度範囲と、
2500nmを超える増加する光学吸収領域を持つZe
rodurである。
す平面図である。
面図である。
ある。
ある。
Claims (15)
- 【請求項1】 スロット状の画像フィールドまたは回転
非対称な照明を持つマイクロリソグラフィ投影プリンテ
ィング装置に特に関する光学装置であって、 a)光学部材と、 b)前記光学部材の表面が投影光源の放射光により回転
非対称的な作用を受ける、放射光を放出する投影光源
と、 c)前記光学部材に補償光を供給する補償光供給装置で
あって、投影光と前記補償光とで前記光学部材を加熱す
る結果として生じる前記光学部材の温度分布が少なくと
も部分的に均一化される補償光供給装置とを含み、 前記補償光供給装置(11、14〜19、111、21
1、311、314〜319)は、前記光学部材(1、
101、201、301)の周縁表面(13、113、
213、313)を介して前記光学部材に光学的に結合
されることを特徴とする光学装置。 - 【請求項2】 前記補償光供給装置(11、14〜1
9、111、211、311、314〜319)は、光
源(17、317)、及び、少なくとも1つの光ファイ
バ(11、111、211、311)を含み、前記光源
(17、317)により放射される放射光(16、31
6)が前記光学部材(1、101、201、301)に
供給されることを特徴とする請求項1に記載の光学装
置。 - 【請求項3】 少なくとも2つの光ファイバ(11、1
11、211、311)が設けられ、その少なくとも2
つの光ファイバ(11、111、211、311)を通
って案内される光線出力が、制御装置(19、319)
により互いに独立して調節可能であることを特徴とする
請求項2に記載の光学装置。 - 【請求項4】 前記制御装置(19、319)は、前記
光学装置の焦点面を監視するセンサ(21、321)と
の通信リンクを持ち、前記光線出力を制御するために前
記センサ(21、321)からの受信信号を処理するこ
とを特徴とする請求項3に記載の光学装置。 - 【請求項5】 前記センサ(21、321)は位置感知
センサであることを特徴とする請求項4に記載の光学装
置。 - 【請求項6】 前記センサ(21、321)はCCDア
レイであることを特徴とする請求項5に記載の光学装
置。 - 【請求項7】 前記補償光供給装置(11、14〜1
9、111、211、311、314〜319)は、可
変波長の光源(17、317)を含むことを特徴とする
請求項1から請求項6のうちのいずれか1つに記載の光
学装置。 - 【請求項8】 前記光学部材(1、101、201、3
01)に向けられた前記少なくとも1つのファイバ(1
1、111、211、311)の端部の保持部材(1
0、110、210、310)は、前記光学部材(1、
101、201、301)の取付台(5、105、20
5、305)に取り付けられていることを特徴とする請
求項2から請求項7のうちのいずれか1つに記載の光学
装置。 - 【請求項9】 調節装置(9、109、209、30
9)が、前記保持部材(10、110、210、31
0)を前記光学部材(1、101、201、301)の
周縁方向に沿って案内するために設けられていることを
特徴とする請求項8に記載の光学装置。 - 【請求項10】 制御装置との通信リンクを持ち、かつ
前記調節装置(9、109、209、309)用のモー
タ駆動アクチュエータを設け、前記制御装置は前記焦点
面を監視するセンサとの通信リンクを持ち、かつ前記保
持部材(10、110、210、310)の位置制御用
の前記センサからの受信信号を処理することを特徴とす
る請求項9に記載の光学装置。 - 【請求項11】 前記光学部材(101、201)の周
縁表面(113、213)は、補償光入力領域にファセ
ット(122、223)を持つことを特徴とする請求項
1から請求項10のうちのいずれか1つに記載の光学装
置。 - 【請求項12】 前記光学部材(1、101、201、
301)の周縁表面(13、113、213、313)
は、補償光入力領域においてテクスチャーを施されるこ
とを特徴とする請求項1から請求項11のうちのいずれ
か1つに記載の光学装置。 - 【請求項13】 前記光源(17)の放射波長は4ミク
ロンより大きいことを特徴とする請求項1から請求項1
2のうちのいずれか1つに記載の光学装置。 - 【請求項14】 前記光学部材(1、101、201、
301)は屈折光学部材であることを特徴とする請求項
1から請求項13のうちのいずれか1つに記載の光学装
置。 - 【請求項15】 前記光学部材は、前記投影光源(1
7、317)の放射光に対して反射的であることを特徴
とする請求項1から請求項13のうちのいずれか1つに
記載の光学装置。
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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TW (1) | TW486610B (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2007000984A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2008219010A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 |
JP2010511298A (ja) * | 2006-12-01 | 2010-04-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム |
JP2010522977A (ja) * | 2007-03-27 | 2010-07-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 低角度で入射する補正光を用いる補正光学素子 |
JP2010541292A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2012175102A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置へ電磁放射を案内する装置 |
JP2013533633A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-08-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv露光装置 |
JP2013536988A (ja) * | 2010-08-30 | 2013-09-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置 |
US8605253B2 (en) | 2006-07-03 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographic projection objective |
KR20140089356A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-07-14 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 대물 렌즈 |
JP2014520399A (ja) * | 2011-06-20 | 2014-08-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影機構 |
JP2015512145A (ja) * | 2012-02-01 | 2015-04-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学素子を測定するための測定システムを備えた投影露光装置 |
JP2015515134A (ja) * | 2012-04-18 | 2015-05-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ装置及びそのような装置において光学波面を変更する方法 |
JP2016510141A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-04 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ装置 |
JP2018523916A (ja) * | 2015-07-08 | 2018-08-23 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Noblelight GmbH | 放射源のビーム分布の最適化 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3944008B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2007-07-11 | キヤノン株式会社 | 反射ミラー装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004051716A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
DE10301799B4 (de) * | 2003-01-20 | 2005-08-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Homogenisierung optischer Eigenschaften einer optischen Komponente |
JP4666908B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、計測方法及びデバイス製造方法 |
DE102005031792A1 (de) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür |
DE102006039895A1 (de) | 2006-08-25 | 2008-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Korrektur von durch Intensitätsverteilungen in optischen Systemen erzeugten Abbildungsveränderungen sowie entsprechendes optisches System |
US7903234B2 (en) * | 2006-11-27 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
ATE554427T1 (de) | 2007-01-22 | 2012-05-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Verfahren zur verbesserung von bildgebungseigenschaften eines optischen systems und optisches system |
DE102007009867A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungsvorrichtung mit auswechselbaren Blenden sowie Verfahren hierzu |
JP5251869B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2013-07-31 | 株式会社ニコン | 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 |
US7692766B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-04-06 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus |
US20080285000A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100290020A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Shinichi Mori | Optical apparatus, exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
NL2005449A (en) * | 2009-11-16 | 2012-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
JP5478773B2 (ja) | 2010-03-26 | 2014-04-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学系、露光装置、及び波面補正方法 |
DE102010041298A1 (de) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizlichtquelle |
NL2007498A (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of modifying a beam of radiation within a lithographic apparatus. |
DE102011076435B4 (de) * | 2011-05-25 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren sowie Vorrichtung zur Einstellung einer Beleuchtungsoptik |
NL2010196A (en) | 2012-02-09 | 2013-08-13 | Asml Netherlands Bv | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography. |
DE102012212757A1 (de) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum betreiben einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
NL2011592A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Compensation for patterning device deformation. |
DE102013205567A1 (de) * | 2013-03-28 | 2014-03-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter |
KR102047584B1 (ko) | 2013-09-09 | 2019-11-21 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치 및 이러한 장치의 광학적 파면 변형의 교정 방법 |
WO2015036002A1 (en) | 2013-09-14 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection apparatus |
DE102016214480A1 (de) * | 2016-08-04 | 2017-08-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische anordnung für eine lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage |
DE102016225701A1 (de) | 2016-12-21 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer EUV-Lithographieanlage |
CN109426088B (zh) * | 2017-08-25 | 2021-03-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种照明系统、曝光装置和曝光方法 |
US11474439B2 (en) * | 2019-06-25 | 2022-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article |
DE102022209455A1 (de) * | 2022-09-09 | 2024-03-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Heizanordnung, sowie optisches System und Verfahren zum Heizen eines optischen Elements |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088178A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JPH09232213A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1050585A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719704A (en) * | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5995263A (en) * | 1993-11-12 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH0864548A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハのランプアニール方法及び装置 |
US6018384A (en) * | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
US5883704A (en) | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
EP0823662A2 (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6256086B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
2000
- 2000-01-05 DE DE10000191A patent/DE10000191B8/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-12 JP JP2000376898A patent/JP4612945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-18 TW TW089122846A patent/TW486610B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-05 US US09/755,423 patent/US6504597B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088178A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JPH09232213A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1050585A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2007-11-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7817249B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-10-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device producing method using two light beams to correct non-rotationally symmetric aberration |
JP2010171447A (ja) * | 2003-08-28 | 2010-08-05 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101328356B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2013-11-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP4692753B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2011-06-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US8111378B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device production method |
JPWO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2007-10-18 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2007000984A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2009-01-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2007000984A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US9494868B2 (en) | 2006-07-03 | 2016-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographic projection objective |
US10042265B2 (en) | 2006-07-03 | 2018-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographic projection objective |
US8605253B2 (en) | 2006-07-03 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographic projection objective |
US8542346B2 (en) | 2006-12-01 | 2013-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations |
US8659745B2 (en) | 2006-12-01 | 2014-02-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations |
JP2010511298A (ja) * | 2006-12-01 | 2010-04-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム |
US8068212B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus configured to compensate for variations in a critical dimension of projected features due to heating of optical elements |
JP2008219010A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 |
JP2010522977A (ja) * | 2007-03-27 | 2010-07-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 低角度で入射する補正光を用いる補正光学素子 |
US9366857B2 (en) | 2007-03-27 | 2016-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Correction of optical elements by correction light irradiated in a flat manner |
US10054786B2 (en) | 2007-03-27 | 2018-08-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Correction of optical elements by correction light irradiated in a flat manner |
JP2010541292A (ja) * | 2007-10-09 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
US8773638B2 (en) | 2007-10-09 | 2014-07-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus with correction optical system that heats projection objective element |
JP2013533633A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-08-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv露光装置 |
KR101895083B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2018-10-18 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 노광 장치 |
KR20130096231A (ko) * | 2010-07-30 | 2013-08-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 노광 장치 |
JP2013536988A (ja) * | 2010-08-30 | 2013-09-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置 |
JP2012175102A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 投影露光装置へ電磁放射を案内する装置 |
US9310701B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Device for guiding electromagnetic radiation into a projection exposure apparatus |
JP2014520399A (ja) * | 2011-06-20 | 2014-08-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影機構 |
JP2014529194A (ja) * | 2011-09-29 | 2014-10-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
KR101693950B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2017-01-06 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 대물 렌즈 |
KR20140089356A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-07-14 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 대물 렌즈 |
JP2015512145A (ja) * | 2012-02-01 | 2015-04-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学素子を測定するための測定システムを備えた投影露光装置 |
US10162270B2 (en) | 2012-02-01 | 2018-12-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure apparatus comprising a measuring system for measuring an optical element |
JP2015515134A (ja) * | 2012-04-18 | 2015-05-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ装置及びそのような装置において光学波面を変更する方法 |
US10423082B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic apparatus and method of changing an optical wavefront in such an apparatus |
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