JP2010541292A - マイクロリソグラフィ投影露光装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010541292A JP2010541292A JP2010528290A JP2010528290A JP2010541292A JP 2010541292 A JP2010541292 A JP 2010541292A JP 2010528290 A JP2010528290 A JP 2010528290A JP 2010528290 A JP2010528290 A JP 2010528290A JP 2010541292 A JP2010541292 A JP 2010541292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- light
- projection
- plane
- projection objective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 291
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 144
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 2
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Lutetium Aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- MOCSSSMOHPPNTG-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Y] Chemical compound [Sc].[Y] MOCSSSMOHPPNTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
【選択図】図2
Description
図1は、投影光束を生成するための1次照明系12を含む投影露光装置10の大幅に簡略化した斜視図である。投影光束は、微細構造18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、矩形形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、リングセグメントも考えられている。
図9は、縮尺表現が正しい実際的な投影対物系120を通した子午断面図である。投影対物系120は、マスク平面136と像平面122の間に170及び172で表している2つの中間像平面を有する。中間像平面170,172は、投影対物系120を各々が1つの瞳平面を含む3つのレンズ群に分割する。図9では、これらの瞳平面をそれぞれ174、176、及び178で表している。最大ビーム直径領域の直後に置かれた第3の瞳平面178内には、システムの開口絞り180が配置される。
ている。光軸に対して平行な面点の高さzは、次式によって与えられる。
32 補正要素
34 レンズ
38 基準面と少なくとも実質的に光学的に共役な平面
48 基準面
Claims (36)
- a)マスク平面(36;136)に投影光の強度分布を生成する1次照明系(12)、
b)投影対物系(20;120)、及び
c)基準面(48;148)に補正光の強度分布を生成する2次照明系(30,30’,30’’,30’’’)と、
前記補正光及び前記投影光が、それらが補正要素(32;132)上に入射する前に前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L1からL5)を通過するように、前記基準面(48;148)と少なくとも実質的に光学的に共役である平面(38;174)に配置され、かつ加熱材料を含む補正要素(32;132)と、
を含む補正光学系、
を含み、
前記補正光と前記投影光の両方が通過する全てのレンズ(34;L1からL5)が、前記補正要素(32;132)に含有された前記加熱材料よりも低い該補正光に対する吸収係数を有するレンズ材料で作られる、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置(10)。 - 前記補正光に対して、前記加熱材料の前記吸収係数は、前記レンズ材料の間で最も高い吸収係数を有するレンズ材料の吸収係数よりも少なくともk=2倍大きいことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- k=5であることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記投影対物系(20;120)の像平面(122)に配置される層(22)が、前記投影光に対して感光性があるが、前記補正光に対してはそうではないことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記投影光及び前記補正光は、異なる波長を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱材料は、合成石英ガラスであり、
前記レンズ材料は、全てフッ化カルシウムである、
ことを特徴とする請求項5に記載の装置。 - 前記投影光は、250nmよりも短い波長を有し、前記補正光は、2μmよりも長い波長を有する波長成分を含有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の装置。
- 前記補正光は、4.5μmと6μmの間の波長を有する光成分を含有することを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記合成石英ガラスは、500ppmよりも大きいOH濃度を有し、
前記補正光は、2.65μmと2.85μmの間の波長を有する光成分を含有する、
ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の装置。 - 前記投影光は、190nmよりも長い波長を有し、前記補正光は、180nmよりも短い波長を有する波長成分を含有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の装置。
- 前記補正要素(32;132)は、屈折光学要素であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の装置。
- 前記補正要素(32;132)は、平行平面プレートとして構成された基板を含むことを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 前記基板は、前記加熱材料で作られることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 前記補正要素(32;132)は、前記投影対物系(20;120)の瞳平面(38;174)に又はそれに近接して配置されることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の装置。
- 前記近接性は、比P=hmr/hcr>3である前記瞳平面(38;174)からの軸線方向距離によって定められ、hmrは、光軸上の点から出射する周辺光線の高さであり、hcrは、周辺像点上に入射する主光線の高さであることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- P>5であることを特徴とする請求項15に記載の装置。
- 前記補正光学系は、補正光のみが伝播することを許されるコンデンサー(56;156)を含むことを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コンデンサー(56;156)は、前記投影対物系(20;120)の光軸(26)に一致しない光軸を有することを特徴とする請求項17に記載の装置。
- 前記コンデンサー(56;156)は、前記基準面(48;148)と、前記マスク平面(36;136)又は該マスク平面と光学的に共役な平面との間にフーリエ関係を確立することを特徴とする請求項17又は請求項18に記載の装置。
- 前記補正光学系は、前記補正光を前記投影対物系(120)のビーム経路内に給送するビーム折り返し要素(192)を含むことを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ビーム折り返し要素(192)は、前記マスク平面(136)と前記投影対物系(120)の間に配置されることを特徴とする請求項20に記載の装置。
- 前記ビーム折り返し要素(192)は、ミラー又はプリズムを含むことを特徴とする請求項20又は請求項21に記載の装置。
- 前記補正光学系は、前記基準面(48;148)における前記強度分布を変更するように構成された空間光変調器(64;64’;64’’;64’’’)を含むことを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の装置。
- 前記空間光変調器(64)は、可変開口構成を有する絞りデバイス(54,50,50’,50’’)を含むことを特徴とする請求項23に記載の装置。
- 前記絞りデバイスは、異なる開口構成(51a,51b,51c;51a’,51b’;51a’’,51b’’,53a’’,53b’’)を有する複数の絞り要素(50,50’,50’’)、及び該絞り要素の少なくとも1つを受け取るための交換ホルダ(54)を含むことを特徴とする請求項24に記載の装置。
- 前記空間光変調器(64’)は、前記基準面(48)に配置された複数の発光要素(46’)を含むことを特徴とする請求項23に記載の装置。
- 前記空間光変調器(64’’)は、前記基準面(48)に配置された複数の傾斜可能ミラー要素(Mij)を含み、
前記2次照明系(30’’)は、前記ミラー要素(Mij)を照明する、
ことを特徴とする請求項23に記載の装置。 - 前記補正光学系は、制御ユニット(60’;60’’;60’’’)を含み、
前記制御ユニットは、前記空間光変調器(64’,64’’;64’’’)を制御し、かつ前記1次照明系(12)によって生成された照明設定、前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L1からL5)の温度、及び該投影対物系(20;120)の測定結像品質を含む群のうちの少なくとも1つに関連する入力量に依存して前記基準面(48;148)における前記強度分布を決定するように構成される、
ことを特徴とする請求項23から請求項27のいずれか1項に記載の装置。 - 前記補正光学系は、少なくとも実質的に前記基準面(48)に配置された光出射面を有する光学インテグレータ−(68)を含むことを特徴とする請求項1から請求項28のいずれか1項に記載の装置。
- 前記光学インテグレータ−(68)は、光学マイクロレンズの少なくとも1つのアレイを含むことを特徴とする請求項29に記載の装置。
- a)投影対物系(20;120)、及び
b)基準面(48)における補正光の可変強度分布を生成する光変調器システム(30,50,54;30’;30’’,64’’;30’’’,64’’’)と、
前記補正光及び投影光が、それらが補正要素(20;120)上に入射する前に前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L1からL5)を通過するように、前記基準面(48;148)と少なくとも実質的に光学的に共役である平面(38;174)に配置された補正要素(32;132)と、
を含む補正光学系、
を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置(10)。 - 前記光変調器システム(30’;30’’,64’’;30’’’,64’’’)は、複数の発光要素(46’)又は光反射要素(Mij)と、該要素(46’、Mij)を個々に制御するように構成された制御ユニット(60’,60’’,60’’’)とを含むことを特徴とする請求項31に記載の装置。
- 前記光変調器システム(30,50’’、54)は、前記基準面(48)の複数の点で少なくとも2つの異なる非ゼロ強度を生成するように構成されることを特徴とする請求項31又は請求項32に記載の装置。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)における像誤差を補正する方法であって、
a)基準面(48;148)に補正光の強度分布を生成する段階、及び
b)装置(10)の投影対物系(20;120)に含まれる補正要素(32;132)上に前記基準面(48;148)を結像させる段階、
を含み、
前記補正光及び投影光が、それらが前記補正要素(32;132)上に入射する前に前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L2からL5)を通過し、
前記補正光は、該補正光と前記投影光の両方が通過する前記レンズ(34;L1からL5)のいずれよりも前記補正要素(32;132)においてより強く吸収される、
ことを特徴とする方法。 - 前記基準面(48;148)における前記強度分布は、変更されることを特徴とする請求項34に記載の方法。
- 前記基準面(48;148)における前記強度分布は、照明系によって生成される照明設定、前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L1からL5)の温度、及び該投影対物系(20;120)の測定結像品質を含む群のうちの少なくとも1つに関連する入力量に基づいて変更されることを特徴とする請求項35に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07019674A EP2048540A1 (en) | 2007-10-09 | 2007-10-09 | Microlithographic projection exposure apparatus |
EP07019674.6 | 2007-10-09 | ||
PCT/EP2008/008251 WO2009046895A1 (en) | 2007-10-09 | 2008-09-29 | Microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010541292A true JP2010541292A (ja) | 2010-12-24 |
JP2010541292A5 JP2010541292A5 (ja) | 2011-10-20 |
JP5487110B2 JP5487110B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=38988122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010528290A Expired - Fee Related JP5487110B2 (ja) | 2007-10-09 | 2008-09-29 | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8773638B2 (ja) |
EP (2) | EP2048540A1 (ja) |
JP (1) | JP5487110B2 (ja) |
KR (1) | KR101443421B1 (ja) |
CN (1) | CN101821678B (ja) |
TW (1) | TWI459160B (ja) |
WO (1) | WO2009046895A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010040811A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102010041298A1 (de) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizlichtquelle |
NL2007765A (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method. |
WO2012062501A1 (en) | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method |
DE102010062763A1 (de) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Vermessen eines optischen Systems |
NL2008335A (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask. |
JP6045588B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2016-12-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置並びにデバイス製造方法 |
WO2013044936A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN102411264B (zh) * | 2011-11-22 | 2014-07-16 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻机投影物镜温度均衡装置及均衡方法 |
DE102012205096B3 (de) * | 2012-03-29 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator |
DE102014218474A1 (de) * | 2014-09-15 | 2016-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
CN105068381A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-11-18 | 江苏影速光电技术有限公司 | 一种曝光机光阑承载结构及曝光机光阑更换方法 |
DE102016205619A1 (de) * | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv |
DE102016225701A1 (de) | 2016-12-21 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer EUV-Lithographieanlage |
TWI627440B (zh) * | 2017-05-17 | 2018-06-21 | 力晶科技股份有限公司 | 影像亮度重配模組及影像亮度重配方法 |
DE102019208232A1 (de) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Optische Anordnung und Verfahren zur Korrektur von Zentrierfehlern und/oder Winkelfehlern |
CN112711163A (zh) | 2019-10-25 | 2021-04-27 | 台达电子工业股份有限公司 | 投影装置 |
TWI709810B (zh) * | 2019-10-25 | 2020-11-11 | 台達電子工業股份有限公司 | 投影裝置 |
DE102021210243A1 (de) | 2021-09-16 | 2023-03-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für die DUV-Lithographie |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09329742A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nikon Corp | 光学系の収差補正方法および収差補正光学系を備えた投影露光装置 |
JPH1050585A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1064790A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2001196304A (ja) * | 1999-12-29 | 2001-07-19 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
JP2001196305A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
EP0527166B1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP3368091B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP0823662A2 (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP2000019165A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Shimadzu Corp | ガスクロマトグラフ装置 |
KR100584538B1 (ko) * | 1999-11-04 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 마이크로미러 가동장치를 채용한 반사형 프로젝터 |
DE19963587B4 (de) | 1999-12-29 | 2007-10-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektions-Belichtungsanlage |
US20020171922A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same |
DE10140208C2 (de) | 2001-08-16 | 2003-11-06 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
KR20040086313A (ko) * | 2002-01-29 | 2004-10-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
WO2003075096A2 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Refraktives projektionsobjektiv |
TW594431B (en) * | 2002-03-01 | 2004-06-21 | Asml Netherlands Bv | Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods |
US20030235682A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Sogard Michael R. | Method and device for controlling thermal distortion in elements of a lithography system |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
KR101309242B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP5069232B2 (ja) | 2005-07-25 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
-
2007
- 2007-10-09 EP EP07019674A patent/EP2048540A1/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-29 CN CN200880110591.0A patent/CN101821678B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-29 KR KR1020107007112A patent/KR101443421B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-29 EP EP08802691A patent/EP2198344B1/en not_active Not-in-force
- 2008-09-29 WO PCT/EP2008/008251 patent/WO2009046895A1/en active Application Filing
- 2008-09-29 JP JP2010528290A patent/JP5487110B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 TW TW097138625A patent/TWI459160B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-03-19 US US12/727,482 patent/US8773638B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09329742A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nikon Corp | 光学系の収差補正方法および収差補正光学系を備えた投影露光装置 |
JPH1050585A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1064790A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2001196304A (ja) * | 1999-12-29 | 2001-07-19 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
JP2001196305A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-19 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100231883A1 (en) | 2010-09-16 |
JP5487110B2 (ja) | 2014-05-07 |
EP2048540A1 (en) | 2009-04-15 |
TW200931207A (en) | 2009-07-16 |
CN101821678A (zh) | 2010-09-01 |
WO2009046895A1 (en) | 2009-04-16 |
EP2198344B1 (en) | 2012-08-01 |
CN101821678B (zh) | 2012-12-19 |
KR20100081308A (ko) | 2010-07-14 |
EP2198344A1 (en) | 2010-06-23 |
US8773638B2 (en) | 2014-07-08 |
TWI459160B (zh) | 2014-11-01 |
KR101443421B1 (ko) | 2014-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5487110B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP5863974B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ | |
JP6343344B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
TWI420249B (zh) | 投影曝光裝置、投影曝光方法及投影物 | |
JP6222594B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP5224218B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム | |
KR101809343B1 (ko) | 마이크로리소그래픽 장치 | |
US9146475B2 (en) | Projection exposure system and projection exposure method | |
JP2008530788A (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
TWI572904B (zh) | 對紫外線損傷具低感受性之Wynne-Dyson投射透鏡 | |
EP1335228A1 (en) | Catoptric projection system, exposure apparatus and device fabrication method using the same | |
US20180314165A1 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
EP1335229A1 (en) | Reflection type projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method using the same | |
JP3958261B2 (ja) | 光学系の調整方法 | |
JP2008172272A (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP2004093953A (ja) | 投影光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2004126520A (ja) | 投影光学系、露光装置、及び回路パターンの形成方法 | |
JP4307039B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20170082928A1 (en) | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
EP1906253A1 (en) | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121011 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130111 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140205 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5487110 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |