JP2010541292A5 - - Google Patents

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  1. a)マスク平面(36;136)に投影光の強度分布を生成する1次照明系(12)、
    b)投影対物系(20;120)、及び
    c)基準面(48;148)に補正光の強度分布を生成する2次照明系(30,30’,30’’,30’’’)と、
    前記基準面(48;148)内の補正光の強度分布が、補正要素(32;132)上に結像され、前記補正光及び前記投影光が、それらが補正要素(32;132)上に入射する前に前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L1からL5)を通過するように、前記基準面(48;148)と少なくとも実質的に光学的に共役である平面(38;174)に配置され、かつ加熱材料を含む補正要素(32;132)と、
    を含む補正光学系、
    を含み、
    前記補正光と前記投影光の両方が通過する全てのレンズ(34;L1からL5)が、前記補正要素(32;132)に含有された前記加熱材料よりも低い該補正光に対する吸収係数を有するレンズ材料で作られる、
    ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置(10)。
  2. 前記補正光に対して、前記加熱材料の前記吸収係数は、前記レンズ材料の間で最も高い吸収係数を有するレンズ材料の吸収係数よりも少なくともk=2倍大きいことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記投影対物系(20;120)の像平面(122)に配置される層(22)が、前記投影光に対して感光性があるが、前記補正光に対してはそうではないことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の装置。
  4. 前記投影光及び前記補正光は、異なる波長を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の装置。
  5. a)前記加熱材料は、合成石英ガラスであり、前記レンズ材料は、全てフッ化カルシウムであり、
    b)前記投影光は、250nmよりも短い波長を有し、
    c)前記補正光は、2.65μmと2.85μmの間の波長を有する光成分を含有し、
    d)前記合成石英ガラスは、500ppmよりも大きいOH濃度を有する、
    ことを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 前記補正要素(32;132)は、平行平面プレートとして構成された基板を含む屈折光学要素であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の装置。
  7. 前記補正要素(32;132)は、前記投影対物系(20;120)の瞳平面(38;174)に又はそれに近接して配置され、
    前記近接性は、比P=hmr/hcr>3である前記瞳平面(38;174)からの軸線方向距離によって定められ、hmrは、光軸上の点から出射する周辺光線の高さであり、hcrは、周辺像点上に入射する主光線の高さであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の装置。
  8. 前記補正光学系は、補正光のみが伝播することを許されるコンデンサー(56;156)を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の装置。
  9. 前記コンデンサー(56;156)は、前記基準面(48;148)と、前記マスク平面(36;136)又は該マスク平面と光学的に共役な平面との間にフーリエ関係を確立することを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記補正光学系は、前記補正光を前記投影対物系(120)のビーム経路内に給送するビーム折り返し要素(192)を含むことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の装置。
  11. 前記ビーム折り返し要素(192)は、ミラー又はプリズムを含むことを特徴とする請求項10に記載の装置。
  12. 前記補正光学系は、前記基準面(48;148)における前記強度分布を変更するように構成された空間光変調器(64;64’;64’’;64’’’)を含むことを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の装置。
  13. 前記補正光学系は、少なくとも実質的に前記基準面(48)に配置された光出射面を有する光学インテグレータ−(68)を含むことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の装置。
  14. マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)における像誤差を補正する方法であって、
    a)基準面(48;148)に補正光の強度分布を生成する段階、及び
    b)装置(10)の投影対物系(20;120)に含まれる補正要素(32;132)上に前記基準面(48;148)を結像させる段階、
    を含み、
    前記補正光及び投影光が、それらが前記補正要素(32;132)上に入射する前に前記投影対物系(20;120)に含まれる少なくとも1つのレンズ(34;L2からL5)を通過し、
    前記補正光は、該補正光と前記投影光の両方が通過する前記レンズ(34;L1からL5)のいずれよりも前記補正要素(32;132)においてより強く吸収される、
    ことを特徴とする方法。
  15. 前記基準面(48;148)における前記強度分布は、変更されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041298A1 (de) 2010-09-24 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizlichtquelle
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
JP5661194B2 (ja) 2010-11-12 2015-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
DE102010062763A1 (de) 2010-12-09 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen eines optischen Systems
NL2008335A (en) * 2011-04-07 2012-10-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask.
NL2009079A (en) * 2011-08-23 2013-02-27 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
JP5863974B2 (ja) 2011-09-29 2016-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ
CN102411264B (zh) * 2011-11-22 2014-07-16 上海华力微电子有限公司 光刻机投影物镜温度均衡装置及均衡方法
DE102012205096B3 (de) * 2012-03-29 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator
DE102014218474A1 (de) * 2014-09-15 2016-03-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie
CN105068381A (zh) * 2015-07-27 2015-11-18 江苏影速光电技术有限公司 一种曝光机光阑承载结构及曝光机光阑更换方法
DE102016205619A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv
DE102016225701A1 (de) 2016-12-21 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer EUV-Lithographieanlage
TWI627440B (zh) * 2017-05-17 2018-06-21 力晶科技股份有限公司 影像亮度重配模組及影像亮度重配方法
DE102019208232A1 (de) * 2019-06-05 2020-12-10 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Optische Anordnung und Verfahren zur Korrektur von Zentrierfehlern und/oder Winkelfehlern
CN112711163A (zh) 2019-10-25 2021-04-27 台达电子工业股份有限公司 投影装置
TWI709810B (zh) * 2019-10-25 2020-11-11 台達電子工業股份有限公司 投影裝置
DE102021210243A1 (de) 2021-09-16 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die DUV-Lithographie

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
ATE123885T1 (de) * 1990-05-02 1995-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JP3368091B2 (ja) * 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JPH09329742A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Nikon Corp 光学系の収差補正方法および収差補正光学系を備えた投影露光装置
JP3646757B2 (ja) * 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP3790833B2 (ja) * 1996-08-07 2006-06-28 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
EP0823662A2 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP2000019165A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Shimadzu Corp ガスクロマトグラフ装置
KR100584538B1 (ko) * 1999-11-04 2006-05-30 삼성전자주식회사 마이크로미러 가동장치를 채용한 반사형 프로젝터
DE19963587B4 (de) * 1999-12-29 2007-10-04 Carl Zeiss Smt Ag Projektions-Belichtungsanlage
DE19963588C2 (de) * 1999-12-29 2002-01-10 Zeiss Carl Optische Anordnung
DE10000191B8 (de) * 2000-01-05 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Projektbelichtungsanlage der Mikrolithographie
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
DE10140208C2 (de) * 2001-08-16 2003-11-06 Zeiss Carl Optische Anordnung
KR20040086313A (ko) * 2002-01-29 2004-10-08 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법
KR20040089688A (ko) 2002-03-01 2004-10-21 칼 짜이스 에스엠테 아게 굴절투사렌즈
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
US20030235682A1 (en) * 2002-06-21 2003-12-25 Sogard Michael R. Method and device for controlling thermal distortion in elements of a lithography system
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
EP1670041A4 (en) * 2003-08-28 2007-10-17 Nikon Corp METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ASSOCIATED DEVICE
CN102830487A (zh) 2004-01-14 2012-12-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
JP5069232B2 (ja) 2005-07-25 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ

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