JP2010096866A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010096866A5
JP2010096866A5 JP2008265715A JP2008265715A JP2010096866A5 JP 2010096866 A5 JP2010096866 A5 JP 2010096866A5 JP 2008265715 A JP2008265715 A JP 2008265715A JP 2008265715 A JP2008265715 A JP 2008265715A JP 2010096866 A5 JP2010096866 A5 JP 2010096866A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
optical system
projection optical
intersection
center position
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008265715A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5253081B2 (ja
JP2010096866A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008265715A priority Critical patent/JP5253081B2/ja
Priority claimed from JP2008265715A external-priority patent/JP5253081B2/ja
Priority to US12/577,635 priority patent/US8432532B2/en
Publication of JP2010096866A publication Critical patent/JP2010096866A/ja
Publication of JP2010096866A5 publication Critical patent/JP2010096866A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5253081B2 publication Critical patent/JP5253081B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (15)

  1. 物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
    紫外線の照射により屈折率が不可逆的に上昇する第1のレンズと、
    前記紫外線の照射により屈折率が不可逆的に低下する第2のレンズと、
    を有し、
    前記物体面と前記投影光学系の光軸との交点である第1の交点と、前記像面と前記投影光学系の光軸との交点である第2の交点との間の距離をTTとした場合に、
    前記第1のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第1の中心位置と、前記第1の交点及び前記第2の交点のうち前記第1の中心位置に近い交点の交点位置との間の距離D1は、
    D1 ≦ TT/8
    を満たし、
    前記第2のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第2の中心位置と、前記交点位置との間の距離D2は、
    D2 ≦ TT/8
    を満たすことを特徴とする投影光学系。
  2. 物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
    紫外線の照射により屈折率が不可逆的に上昇する第1のレンズと、
    前記紫外線の照射により屈折率が不可逆的に低下する第2のレンズと、
    を有し、
    前記物体面と前記像面との間に少なくとも1つの中間像を形成し、
    前記物体面と前記投影光学系の光軸との交点である第1の交点と、前記像面と前記投影光学系の光軸との交点である第2の交点との間の距離をTTとした場合に、
    前記第1のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第1の中心位置と、前記第1の中心位置と最短となる中間像位置との間の距離DC1は、
    DC1 ≦ TT/6
    を満たし、
    前記第2のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第2の中心位置と、前記中間像位置との距離DC2は、
    DC2 ≦ TT/6
    を満たすことを特徴とする投影光学系。
  3. 物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
    紫外線の照射により屈折率が不可逆的に上昇する第1のレンズと、
    前記紫外線の照射により屈折率が不可逆的に低下する第2のレンズと、
    を有し、
    前記物体面と前記像面との間に少なくとも1つの瞳を有し、
    前記物体面と前記投影光学系の光軸との交点である第1の交点と、前記像面と前記投影光学系の光軸との交点である第2の交点との間の距離をTTとした場合に、
    前記第1のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第1の中心位置と、前記第1の中心位置と最短となる瞳位置との間の距離DP1は、
    DP1 ≦ TT/8
    を満たし、
    前記第2のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第2の中心位置と、前記瞳位置との距離DP2は、
    DP2 ≦ TT/8
    を満たすことを特徴とする投影光学系。
  4. 物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
    紫外線の照射により屈折率が不可逆的に上昇する第1のレンズと、
    前記紫外線の照射により屈折率が不可逆的に低下する第2のレンズと、
    を有し、
    前記物体面と前記投影光学系の光軸との交点である第1の交点と、前記像面と前記投影光学系の光軸との交点である第2の交点との間の距離をTTとした場合に、
    前記第1のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第1の中心位置と、前記第1の中心位置と最短となる前記投影光学系のウエスト位置との間の距離DW1は、
    DW1 ≦ TT/11
    を満たし、
    前記第2のレンズの前記投影光学系の光軸における厚さの中心位置である第2の中心位置と、前記ウエスト位置との間の距離DW2は、
    DW2 ≦ TT/11
    を満たし、
    前記ウエスト位置は、前記投影光学系を構成する複数のレンズのレンズ面のうち最軸外主光線と前記投影光学系の光軸との距離が最大となるレンズ面と前記投影光学系の瞳との間において、有効領域が最小となるレンズ面の前記投影光学系の光軸との交点の位置であることを特徴とする投影光学系。
  5. 物体面のパターンを像面に投影する投影光学系であって、
    紫外線の照射により屈折率が不可逆的に上昇する第1のレンズと、
    前記紫外線の照射により屈折率が不可逆的に低下する第2のレンズと、
    を有し、
    前記第1のレンズと前記第2のレンズとが接合されていることを特徴とする投影光学系。
  6. 前記第2のレンズは、前記第1のレンズの主成分を含む硝材で構成されることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の投影光学系。
  7. 前記第1のレンズと前記第2のレンズとが隣接していることを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載の投影光学系。
  8. 前記第1のレンズと前記第2のレンズとが接合されていることを特徴とする請求項7に記載の投影光学系。
  9. 前記第1のレンズ及び前記第2のレンズは、合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の投影光学系。
  10. 前記第1のレンズ及び前記第2のレンズの少なくとも一方はOH基を含み、
    前記第1のレンズと前記第2のレンズとは、互いに異なるOH基濃度を有することを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の投影光学系。
  11. 前記第1のレンズ及び前記第2のレンズの少なくとも一方は水素分子を含み、
    前記第1のレンズと前記第2のレンズとは、互いに異なる水素分子濃度を有することを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の投影光学系。
  12. 前記第1のレンズと前記第2のレンズとは、オプティカルコンタクトによって接合されていることを特徴とする請求項5又は8に記載の投影光学系。
  13. 前記第1のレンズと前記第2のレンズとは、接着剤によって接合されていることを特徴とする請求項5又は8に記載の投影光学系。
  14. 光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、
    前記レチクルのパターンを基板に投影する請求項1乃至13のうちいずれか1項に記載の投影光学系と、
    を有することを特徴とする露光装置。
  15. 請求項14に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップと、
    を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP2008265715A 2008-10-14 2008-10-14 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP5253081B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008265715A JP5253081B2 (ja) 2008-10-14 2008-10-14 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US12/577,635 US8432532B2 (en) 2008-10-14 2009-10-12 Projection optical system with rarefaction compensation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008265715A JP5253081B2 (ja) 2008-10-14 2008-10-14 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010096866A JP2010096866A (ja) 2010-04-30
JP2010096866A5 true JP2010096866A5 (ja) 2011-12-01
JP5253081B2 JP5253081B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=42098605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008265715A Expired - Fee Related JP5253081B2 (ja) 2008-10-14 2008-10-14 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8432532B2 (ja)
JP (1) JP5253081B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111617342B (zh) 2014-04-25 2022-08-16 拜耳医药保健有限公司 具有滚动膜片的注射器
TWI621454B (zh) 2015-04-24 2018-04-21 拜耳保健公司 帶有滾動膜片的注射器
WO2018053074A1 (en) 2016-09-16 2018-03-22 Bayer Healthcare Llc Pressure jacket having syringe retaining element
US11207462B2 (en) 2016-10-17 2021-12-28 Bayer Healthcare Llc Fluid injector with syringe engagement mechanism
JP7023947B2 (ja) 2016-10-17 2022-02-22 バイエル・ヘルスケア・エルエルシー シリンジ係合機構を備える流体インジェクタ
DK3681561T3 (da) 2017-09-13 2022-01-24 Bayer Healthcare Llc Forskydelig sprøjtehætte til separat fyldning og fremføring
JP2022546618A (ja) 2019-09-10 2022-11-04 バイエル・ヘルスケア・エルエルシー 血管造影流体インジェクタ用の圧力ジャケット及びシリンジ保持機構
JP2023514704A (ja) 2020-02-21 2023-04-07 バイエル・ヘルスケア・エルエルシー 医療用流体のデリバリのための流体経路コネクタ
WO2021257699A1 (en) 2020-06-18 2021-12-23 Bayer Healthcare Llc In-line air bubble suspension apparatus for angiography injector fluid paths

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0989434B1 (en) * 1998-07-29 2006-11-15 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same
KR20000034967A (ko) * 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US6339505B1 (en) * 2000-06-26 2002-01-15 International Business Machines Corporation Method for radiation projection and lens assembly for semiconductor exposure tools
WO2002029492A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-11 Corning Incorporated Photolithography methods and systems
US7190527B2 (en) * 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
KR20040104691A (ko) * 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP4174400B2 (ja) * 2003-09-24 2008-10-29 信越石英株式会社 シリカガラスの選別方法
JP2005114881A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
US6992753B2 (en) * 2003-12-24 2006-01-31 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system
CN102830487A (zh) 2004-01-14 2012-12-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
TWI395069B (zh) 2004-02-18 2013-05-01 尼康股份有限公司 投影光學系統、曝光裝置以及曝光方法
JP2006073687A (ja) 2004-09-01 2006-03-16 Nikon Corp 投影光学系、投影光学系の製造方法、露光装置、および露光方法
JP4868209B2 (ja) 2004-11-10 2012-02-01 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
TW200616043A (en) 2004-11-10 2006-05-16 Nikon Corp Optical projection system, exposure apparatus, exposure method and method of fabricating devices
DE102006027787A1 (de) * 2005-07-05 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage und Betriebsmethode dieser
JP2008063181A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd エキシマレーザー用合成石英ガラス基板及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010096866A5 (ja)
JP6927348B2 (ja) パターン形成方法
US7812926B2 (en) Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice
KR102074476B1 (ko) 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200727335A (en) Method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device
JP2005519348A5 (ja)
JP2010541292A5 (ja)
JP2012168543A5 (ja) 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
ATE529781T1 (de) Beleuchtungssystem mit zoomobjetiv
TW200530766A (en) Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and component producing method
JP6245342B2 (ja) デバイス製造方法
WO2005096098A3 (en) Projection objective, projection exposure apparatus and reflective reticle for microlithography
JP2016001308A5 (ja) 露光装置、およびデバイス製造方法
US20180059475A1 (en) Optics component with double-layered micro-lens array
KR20080023338A (ko) 마이크로리소그래피 노출 장치용 펠리클
CN113608400B (zh) 一种图案投影设备
US8802356B2 (en) Photosensitive film pattern and method for manufacturing a photosensitive film pattern
WO2012033230A1 (en) Reflective imaging optical system, exposure apparatus, and method for producing device
EP1760528A2 (en) Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice
CN101551600A (zh) 曝光系统和曝光方法
TW200931198A (en) Reflective projection optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, projection method, and exposure method
JP2009038152A5 (ja)
JP2004158786A5 (ja)
JP2018092116A5 (ja)
WO2007071569A1 (en) Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus