JP2010226123A - マスク、リソグラフィ装置及び半導体部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によれば、マスク平面内での周期膜厚分布が、最大の反射率を得るために最適な周期的膜厚分布よりも、大きくなるように選択される。その結果、瞳でのアポダイゼ−ションが、より対称性を増すのみではなく、強度変化が全体的に小さくなる。
【選択図】なし
Description
Claims (11)
- 周期膜厚分布d(x,y,z)の多層コーティングを有するマスクにおいて、
少なくとも1つの位置(x0 ,y0 ,z0 )における周期膜厚分布d(x,y,z)が、動作波長に関して最大の反射率が存する周期膜厚分布didealよりも大きいことを特徴とするマスク。 - 前記周期膜厚分布d(x,y,z)は、マスク表面全体に渡ってdidealよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のマスク。
- 前記周期膜厚分布d(x,y,z)は、マスク表面全体に渡って一定であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスク。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の、周期膜厚分布d(x,y,z)の多層コーティングを有するマスクであって、
前記周期膜厚分布d(x,y,z)は、所定の照射開口における上部及び下部周縁光線のマスクにおける反射率が、ほぼ同一の大きさであるように選択されることを特徴とするマスク。 - 周期膜厚分布d(x,y,z)の多層コーティングを有するマスクであって、
前記周期膜厚分布d(x,y,z)は、所定の照射開口における上部及び下部周縁光線のマスクにおける反射率が、ほぼ同一の大きさであるように選択されることを特徴とするマスク。 - リソグラフィ装置、特に、極紫外線(EUV)及び軟X線の波長領域のためのリソグラフィ装置であって、
照射光学系(206)と、
請求項1から5のいずれか1項に記載のマスクと、
投影光学系(126)と、
を備えたリソグラフィ装置。 - 前記照射光学系(206)は、前記マスク(5)が適切に不均一に照射され、それにより、瞳アポダイゼーション効果が少なくとも部分的に補償されるようにデザインされていることを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 少なくとも1つの光学素子(1000,1002)が光路内で前記マスク(5)の手前に設けられており、その結果、瞳アポダイゼーション効果が少なくとも部分的に補償されるように構成されていることを特徴とする請求項6または7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの光学素子は、少なくとも1つのフィルタ(1000,1002)であることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影光学系(126)は、勾配型の多層コーティングを有する少なくとも1つの光学素子を有していることを特徴とする請求項6から9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項6から10のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて、基板を構造化することによって製造された半導体部品。
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