JP2006514441A5 - - Google Patents

Claims (31)

1. 物体面を均一に照明するためにＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
   第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
   さらに、
   前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
   前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
   ことを特徴とする波面測定装置。
2. 干渉縞は０次／１次の干渉縞を有さない、請求項１記載の装置。
3. 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項１記載の装置。
4. 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項１記載の装置。
5. 反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項１記載の装置。
6. 反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項１記載の装置。
7. 反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項１記載の装置。
8. 第１の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項１記載の装置。
9. 第１の格子の複数の反射線は第２の格子に対して４５°に配向されている、請求項１記載の装置。
10. 第１の格子はレチクルステージに取り付けられている、請求項１記載の装置。
11. 第２の格子はウェハステージに取り付けられている、請求項１記載の装置。
12. ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
    干渉縞は０次／１次の干渉縞を有さず、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする波面測定装置。
13. 第１の格子のピッチは
    １／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ
    である、請求項１２記載の装置。
14. 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項１２記載の装置。
15. 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項１２記載の装置。
16. ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、焦点面に回折パターンを形成するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、第１の格子の回折パターンを受信するために焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子を介して第１の格子の像を受信する検出器とを有しており、
    第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする波面測定装置。
17. ＥＵＶ放射を放出するＥＵＶ放射源と、ＥＵＶ放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、ＥＵＶ放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第２の格子と、第１の格子の像を受信する第２の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
    第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とするＥＵＶフォトリソグラフィシステム。
18. ＥＵＶ放射源でＥＵＶ放射を形成し、
    該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
    第１の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
    焦点面と物体面とを結合し、
    検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第２の格子を焦点面に位置決めし、
    放射源の像を第２の格子を介して受信し、
    像から波面パラメータを計算し、
    ここで第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする光学系の波面測定方法。
19. さらに第１の格子をラテラル方向にステップさせることにより干渉縞を位相シフトさせ、各フレームを検出器により読み出す、請求項１８記載の方法。
20. ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする波面測定装置。
21. 反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項２０記載の装置。
22. 反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項２０記載の装置。
23. 反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項２０記載の装置。
24. 反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項２０記載の装置。
25. 反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項２０記載の装置。
26. 第１の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項２０記載の装置。
27. 第１の格子の複数の反射線は第２の格子に対して４５°に配向されている、請求項２０記載の装置。
28. 第１の格子のピッチは
    １／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ
    である、請求項２０記載の装置。
29. ＥＵＶ放射源でＥＵＶ放射を形成し、
    該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
    第１の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
    焦点面と物体面とを結合し、
    検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第２の格子を焦点面に位置決めし、
    放射源の像を第２の格子を介して受信し、
    像から波面パラメータを計算し、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする光学系の波面測定方法。
30. 物体面を均一に照明するためにＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
    第１の格子のピッチは、１×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とする波面測定装置。
31. ＥＵＶ放射を放出するＥＵＶ放射源と、ＥＵＶ放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、ＥＵＶ放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第２の格子と、第１の格子の像を受信する第２の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
    第１の格子のピッチは、１×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
    さらに、
    前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
    前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
    ことを特徴とするＥＵＶフォトリソグラフィシステム。