JP2021184112A - 感光性の層を露光するための装置および方法 - Google Patents

感光性の層を露光するための装置および方法 Download PDF

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Abstract

【課題】マスクを不要とし、所望のパターンを感光性の層に直接露光する方法を提供する。【解決手段】光学システム8によって感光性の層9を露光するための方法であって、少なくとも1つの光ビーム6,6’をそれぞれ少なくとも1つの光源7によって発生させ、露光格子のピクセルを、複数のマイクロミラーを備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイス1によって照明する方法において、露光格子の、特にアフィン変換による歪め、特に剪断変形を行うことを特徴としている方法。【選択図】図1

Description

本発明は、請求項1記載の、感光性の層を露光するための方法ならびに請求項6記載の、対応する装置に関する。
マイクロミラーデバイス(英語:Digital Micromirror Device, DMD)は、先行技術においてすでに従来公知である。このDMDは、個々に運動させることができる/アライメントすることができる複数の小さなミラーから成る光学素子である。各ミラーは目的に合わせて電気的に制御することができ、方向設定することができる。これによって、DMDを備えた光学システムは、広幅の光ビームを選択的に空間分解式に偏向させるために使用することができる。大抵、ミラーごとに、完全に変向させられた2つの位置しか考慮されない。1つのミラーは、光ビームの、ミラーに当たった部分を光学システムを通して引き続き通過させるかまたは光が光学システム内でもはや案内されないように、光ビームの一部を反射する。このようなDMDの各ミラーはデジタル式の光スイッチと解釈することができる。
このようなDMDは、先行技術において、とりわけすでにプロジェクタに使用される。DMDは、例えば3D印刷、3D測定およびマスクレスリソグラフィのような産業界隈でもますます使用される。
先行技術において、専らマスクレスの露光器が公知である。この露光器は、DMDひいては被露光表面に光を照射する単一の光源を有している。
したがって、本発明の課題は、先行技術の欠点を排除し、特に改善された露光結果を得ることである。
この課題は、独立請求項の対象と、以下に開示した本発明の思想とによって解決される。本発明の有利な改良形態が従属請求項に記載されている。本発明の範囲には、明細書、特許請求の範囲および/または図面に記載した少なくとも2つの特徴から成る全ての組合せも含まれる。数値範囲では、記載した制限の範囲内にある数値が限界値として開示され、任意の組合せで請求可能であることも望ましい。
本発明は、特に改善された、より迅速な高分解式の露光工程をどのように実施することができるのかを示している。
本発明の中心にある思想は、強度分布の格子による解像度の向上を行うことができるように、光学素子によってDMDの画像の歪めを実施することにある。
1つのピクセルの強度分布は、好ましくは、1つのピクセルのエネルギの50%を、直接対応する画像面に認めることができ、更なる50%が、隣接したフィールドに分配されるように選択される。より好適な本発明による実施の形態では、1つのピクセルの強度分布は、1つのピクセルのエネルギの50%よりも多くを、直接対応する画像面に認めることができ、50%未満の残りのエネルギは、隣接したフィールドに分配されるように選択される。好適と云うほどでもない本発明による別の実施の形態では、1つのピクセルの強度分布は、1つのピクセルのエネルギの50%未満を、直接対応する画像面に認めることができ、50%よりも多くの残りのエネルギは、隣接したフィールドに分配されるように選択される。
本発明は、特にマスクレスの露光装置もしくはマスクレスの露光法を説明している。露光器は、互いに組合せ可能な複数の実施の形態に記載される。
特に独立しているものの、互いに組合せ可能な最適化可能性が挙げられる。
最も重要な実施の形態は、光路に沿ってDMD画像の歪めが生じるように光学システムを設計することにある。
とりわけ、光学システムが、DMDと感光性の被露光層(被露光材料)との間に、原像の、直交方向に(特に被露光層の表面に対して平行に)歪められた描画を発生させる実施の形態が開示される。画像の光学的な歪めによって、特に位置決め精度もしくはオーバレイを向上させることができる。既存のパターンに対する位置決め精度とは、特殊な場合、原像の、本発明により歪められた描画によって、書き込むべきパターンの解像度が高められることを意味している。
発明の利点
マスクが不要となり、これによって、所望のパターンを感光性の(photosensitive)層に直接露光することができる。複数の光源の使用によって、スペクトルを広く選択することができ、光出力ひいては達成可能な処理量を高めることができる。
本発明によれば、装置は、特に以下の特徴
− 少なくとも1つの光ビームを発生させるための少なくとも1つの光源と、
− 複数のマイクロミラーを備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイスであって、各マイクロミラーが、露光格子のピクセルを所定のミラー強度分布で照明するために働く、マイクロミラーデバイスと
を備えた光学システムを有している。この光学システムは、DMD画像の歪みが光路に沿って行われるように形成されている。
本発明による歪みは、特にアフィン変換、さらに好適には剪断変形である。
本発明は、少なくとも1つの、好ましくはデジタルのマイクロミラーデバイス(英語:Digital Micromirror Device, DMD)から成る光学システムにより案内される光ビーム束、特にレーザによって、感光性の層に光を照射するための方法および装置を記載している。層への光の照射は、層の物理的なかつ/または化学的な変化を引き起こす。
本発明による実施の形態は、特に
・全面型の
・連続走査(スキャニング)型の
・歩進(ステッピング)型の
マスクレスの露光器として構想することができる。「マスクレス」とは、動的に光学的にパターン化するシステムによる静的な前置体(マスク、レクチル)の結像の置き換えを意味している。
全面型のマスクレスの露光器とは、被露光層と光学システムとの間で大幅な相対移動なしに、書き込むべき全ての領域を露光することができるDMDを有する装置を意味している。今日の先行技術によれば、全面型のマスクレスの露光器は、今日のDMDのサイズが制限されているので、極めて小さな基板を露光することしかできない。
走査(スキャニング)型のマスクレスの露光器とは、露光フィールドが被露光領域よりも小さく、これによって、露光フィールド全体を露光するために、光学システムと被露光層との間で相対移動が行われる装置もしくは方法を意味している。この相対移動は、特に路に沿って連続的に行われる。路は、好ましくは
・メアンダ状
・次の行への移動と、終端への到達時の始端への戻りとを伴う行状
・螺線状
・円形
・線形
である。
特に記載した路は互いに組み合わされてもよい。こうして、露光のために、まず、螺線状の路を使用し、続いて、特に基板の中心を通って延びるかまたは当初独立した複数の書込み路を互いに補足する線形の路を使用することが可能である。好適には、メアンダ状に延ばされる。
ステッピング型のマスクレスの露光器とは、光学システムと被露光層との間の相対移動が歩進的に行われ、個々の層の間では露光が行われない被露光領域よりも、露光フィールドが小さい装置を意味している。光学システムと被露光層とが、適正に規定された位置にある場合に初めて、光学システムが被露光層を露光する。つまり、この実施の形態は、被露光層の複数の部分領域の露光である。
DMD原理
DMDによって、広幅の一次の、好ましくは平行なかつ/または散乱しないビーム束の、特に複数の部分の意図的な偏向が可能となる。これによって、マスクの補助手段なしに、空間的に構造化された二次の光学的な露光ビーム束を発生させることができる。DMDには、大抵、光学系、特に投影光学系が前置されているかつ/または後置されている。この光学系は、DMDに当たった一次の露光ビームおよび/またはDMDにより反射された二次の露光ビームを操作する(特にスケーリングする)ことができ、マイクロリソグラフィの際に、特にDMD画像を縮小することができる。これによって、DMD画像を相応に縮小することができる。
これにより達成可能なDMDのパターン解像度は、特に0.1μm〜50μm、好ましくは0.3μm〜25μm、さらに好適には1μm〜10μmにある。
とりわけ、個別の露光フィールドが基板よりも小さい実施の形態では、光学システムと被露光層との間の相対運動後に、形成すべきパターンのシームレスな後続案内が行われることが重要である。ステッピング時には、これは、独立した二方向、連続走査時には、大抵、単に一方向で行われる。
光学システム
本発明による実施の形態は、少なくとも1つの光学システムから成っている。この光学システムは、種々異なる形態の複数の光学素子を有することができる。複数のDMDの使用が本発明による別の実施の形態を成しているにもかかわらず、複数の光学素子のうちの少なくとも1つの光学素子はDMDである。光学システムには、特に正確に1つのDMD、好ましくは少なくとも2つのDMD、さらに好適には少なくとも4つのDMDが位置している。光学システム自体は、一種または多種の形態で装置の内部の基板上で並行して使用することができる。また、装置の内部での複数の基板の並行した露光も本発明により可能である。
光学システムには、さらに、以下の光学素子、すなわち
・照明光学系
・コヒーレント光源、特に
・レーザ光源
・レーザダイオード
・固体レーザ
・エキシマレーザ
・インコヒーレント光源、特に
・ガス放電ランプ、特に
・水銀ランプ
・LED
・部分コヒーレント光源
・コヒーレントを変化させるコンポーネント
・偏向光学系
・DMD
・ミラー、特に
・コールドミラー
・ホットミラー
・反射素子、特に
・プリズム
・ビームスプリッタ
・投影光学系
・レンズ、特に
・フレネルレンズ
・屈折レンズ
・凸レンズ
・凹レンズ
・両凹レンズ
・両凸レンズ
・凸凹レンズ
・凹凸レンズ
・シリンドリカルレンズ
・複合レンズ
・ミラー、特に
・シリンドリカルミラー
・ビームを変化させる一般的な光学コンポーネント
が位置していてよい。
光源は、連続的にまたはパルス式に、特に付加的に内的にまたは外的に変調させて使用することができる。
光学システムと被露光層との間の最大限に可能な相対速度は、特にDMDの最大の制御周波数(つまり、1つのDMDの個々のミラー素子を実際に切り換えることができる周波数)によって制限される。スキャニング型のシステムにおける相対速度は、さらに、変位光学系および/または偏向光学系によって規定されていて、特に5mm/s〜500mm/s、好ましくは10mm/s〜250mm/s、さらに好適には15mm/s〜200mm/s、最も好適には25mm/s〜100mm/sである。
本発明による実施の形態の別の重要な態様は、格子サイズと走査周波数とにより規定されている送り速度よりも高い送り速度を使用する点にある。相応により高い送り速度の選択によって、DMDの、時間的に見て遅めの露光行により補足される行が飛ばされる。
組み込まれた測定光学系
好ましくは、装置は、特に光学システムに組み込まれた測定光学系を有している。特に好適には、被露光層により反射された光を、露光のためにDMDに適用される光路から出力するために、ビームスプリッタが使用される。測定光学系は複数の重要な役割を有している。これらの役割、すなわち
・露光フィールドを基板における既存のパターンに対してアライメントするかまたは新たに成形するためのアライメント
・書込みヘッドの校正および検査
・書込み工程のインサイチュコントロール
・相対的な画像・基板位置の動的な変化時の実時間補正
は全て同時に果たされている必要はない。
アライメントは、すでに基板に付与されたアライメントマークまたは新たな被露光パターン用のアライメントマークまたは嵌合マーク(英語:alignment marks)として働く意図的に付与されたかまたはすでに存在するパターンに関して行われる。これによって、本発明によれば、光学システムが、すでに露光されたパターンに新たにアライメントされかつ/または校正されることにより、大きな面を露光することが可能となる。
本発明による実施の形態の別の重要な態様は、嵌合マークの、実際に測定された位置と、目標位置との比較によって、基板の、万が一の、特に予備プロセスおよび/または熱的な影響により生じる歪みが算出され、書き込むべき画像がこの歪みに適合される点にある。これは、より高い次数の歪みであってもよい。
特にソーイングアーティファクト(隣り合ったピクセル同士および/または隣り合った露光格子同士の間の移行部における欠陥)を回避する際には、アライメントおよび/または実時間補正が重要な役割を果たす。
露光時のかつ隣り合った露光パターンの検出による補償調整時の露光フィールドの(表面において典型的な雑音であってもよい)パターンの検出によって、相関関係または類似の方法を介して基板のオフセットを確認することができる。このオフセットは欠陥信号としてDMD画像に供給される。これによって、サブピクセル範囲までの補償が可能となる。
検出/測定は、好ましくは、この検出/測定の間に機械的な結合、特に位置固定を実現することができるようにするために、露光にも使用される光路に沿って行われる。
検出/測定のためには、光信号(少なくとも1つの光源の光ビーム)が、表面から光学素子、好ましくは半透過性のミラーまたはプリズムを介して出力され、相応の検出器によって検出される。この場合、検出器(または検出器に接続された評価システム)は、構造化すべき層の表面が露光される/書き込まれる間、この表面を監視することができる。検出器は、好ましくはカメラ、さらに好適にはCCDカメラまたはCMOSカメラである。カメラ画像は、照射フィールドの一部または複数の部分、より大きな領域、または1つまたはそれ以上の小さな部分領域を検出することができる。露光は固有の光源を使用することができ、照射の(好適には)等しい波長領域または別の波長領域で行うことができる。
特に拡張された実施の形態では、本発明による実施の形態の下面に測定光学系も存在している。この測定光学系によって、基板ホルダまたは基板の下面に設けられたアライメントマークを検出することができる。基板ホルダの下面測定の原理は、PCT/EP2016/070289に開示された実施の形態に類似している。下面に設けられたアライメントマークの測定によって、互いにアライメントされた両面にパターンを作成することが可能となる。
光源の出力は、特に0.01ワット〜1000ワット、好ましくは0.1ワット〜500ワット、さらに好適には1ワット〜250ワット、さらに一層好適には5ワット〜100ワット、最も好適には9〜13ワットである。
強度をW/mで記載する。単位面積への光学素子による放射線の集束によって、強度を相応に簡単に校正することができる。光源の強度は、好ましくは極めて正確に調整することができる。強度は、光源の出力の変化、露光の時間または光学システム内の光学素子によって変化させられる。これによって、本発明によれば、それぞれ異なる強度の光ビームを、適正に規定された期間内でDMDに入射させることが可能となる。こうして、相応のミラー制御によって、被露光層の個々の点に、規定された強度を照射することができる。被露光層の周辺の点には、これとは異なる強度を照射することができる。
オーバレイ欠陥および/またはモーションブラーを改善するための異方性のかつまたは歪められた結像光学系
本発明による実施の形態では、露光格子の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線が、光学的な結像によって互いに異なる形態で結像され(つまり、特に正方形ではない)、これによって、鉛直方向でも、水平方向でも、互いに異なる露光格子解像度が調整される。露光の算出/制御は偏差だけ補償される。
別の実施の形態では、結像の軸線同士もしくは露光格子線同士が直交していない、つまり、傾いた状態で延びるように配置される。このような、特にアフィン変換により歪められた投影(特に剪断変形)の使用によって、照射位置の簡単な算出と、線形の案内とが、露光エッジの高精度の成形のための格子解像度(サブピクセル精度)下で照明点を精密に配置しながら可能となる。
本発明による別の実施の形態では、鉛直方向および/または水平方向に沿った露光格子の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線が、等間隔で形成されない。
互いに異なる露光格子は、DMDに前置されたかつ/または後置された光学素子によってDMDの均質な等方性の画像から形成することができ、かつ/または異方性にかつ/または非均質に構造化されたDMDの直接的な結果である。
本発明による相応の投影、特に露光格子の剪断変形を発生させるために、以下、幾つかの可能性を挙げておく。
本発明による第1の可能な実施の形態では、円筒軸線を備えた少なくとも1つのシリンドリカルレンズが、結像光学系として使用される。特に正確に2つのシリンドリカルレンズが使用される。両シリンドリカルレンズの円筒軸線は、被露光表面に対して、好ましくは平行に位置している。本発明による剪断変形を得るためには、両円筒軸線の間に90°未満、好ましくは70°未満、さらに好適には50°未満、さらに一層好適には20°未満の角度が調整される。しかしながら、最も好適な角度は、形成すべき剪断角から明らかとなる。
本発明による別の実施の形態では、光学システムが、唯1つの、いわゆる複合レンズから成っている。複合レンズとは、光学特性が、2つのレンズの組合せによって得られる光学特性と同一であるように研削された表面を有するレンズを意味している。
上述した実施の形態は、基板への規則的な照射によっても、不規則な照射によっても達成することができる。露光の、規則的ではあるものの、移動速度に正確に整数で適合しない繰返し率の特殊事例では、露光パターンが、目下の書込み位置に対して一層正確に活性化される。相応して、改善された配置精度およびエッジ粗さにも結果的に繋がる、移動方向でのサブピクセル配置に対する非整数のオフセットが生じる。
上述した幾何学的なかつ/または時間的な変位の組合せは、全ての方向でのサブピクセル解像度を形成し、個々の露光コンポーネントの故障に対する欠陥感度を減少させる。正確な露光調量分布を特徴づけるために、結像エラーによりかつ/または人工的に生じる歪みの知識が必要となる。線形に歪められたかまたはねじられた結像は、より簡単な算出ならびにより簡単な光源制御の利点を有している。
記載した本発明による全ての実施の形態およびプロセスは、互いに任意に組み合わせることができるものの、個々に記載される。方法特徴が記載されている限り、この方法特徴は装置特徴としても開示されていると見なされ、また、その逆も然りである。
本発明の更なる利点、特徴および詳細は、以下の好適な実施例の説明ならびに図面から明らかである。
本発明に係る装置の第1の実施の形態を示す図である。 本発明に係る装置の第2の実施の形態を示す図である。 本発明に係る装置の第3の実施の形態を示す図である。 第1の位置におけるマイクロミラーの拡大部分区分を有するDMD(マイクロミラーデバイス)の、正確な寸法ではない概略図である。 第2の位置におけるマイクロミラーの拡大部分区分を有するDMD(マイクロミラーデバイス)の、正確な寸法ではない概略図である。 本発明による露光格子の第1の実施の形態の、正確な寸法ではない概略的な拡大図である。 本発明による露光格子の第1の実施の形態の、正確な寸法ではない概略的な拡大図である。 光学素子により歪められた露光格子の概略図である。
図中、同一の構成部材または同一の機能を備えた構成部材には、同じ符号が付してある。
図1には、少なくとも1つの光源7および少なくとも1つのDMD1(マイクロミラーデバイス)を備えた光学システム8と、基板ホルダ11とから成る第1の実施の形態が示してある。基板ホルダ11は座標系K3を基準にして運動させることができる。
基板ホルダ11には、位置固定手段13によって基板10が位置固定される。この基板10上には、露光可能な材料から成り、装置により露光される感光性の層9が位置している。
試料固定の(つまり、基板10上にもしくは被露光層9上に位置固定された)座標系K2の座標原点は、好ましくは層9の表面9oの中心に置かれている。
光源7から発せられて、DMD1への途中に複数の光学素子(図示せず)を通過することができる光ビーム6(一次の光ビーム)は、DMD1によって、構造化された光ビーム6’(二次の光ビーム)に変換される。この構造化された光ビーム6’は、層9への途中に複数の光学素子(14’’以外図示せず)を通過することができる。
半透過性のミラー14’’によって、検出器19、特にカメラ、さらに好適にはCCDカメラまたはCMOSカメラが、被露光層9の表面9oを直接検出しかつ/または測定することができる。測定結果は、好ましくは、方法を直接制御しかつ/または装置を校正するために利用される。このような測定手段の説明については、便宜上、後続の図面の説明および図面では省略する。しかしながら、本発明による測定手段は、記載した本発明によるあらゆる実施の形態に使用することができる。
図2には、第2の実施の形態が示してある。ここでは、光学システム8が2つの光源7,7’を備えている。光ビーム6は両光源7,7’から発せられる。両光ビームのうちの一方の光ビーム6は、ミラー14によって変向させられてビームスプリッタ14’へと案内され、このビームスプリッタ14’によって第2の光源7’の光ビーム6と1つにまとめられる。
1つにまとめられた光ビーム6はDMD1へと案内され、このDMD1によって、構造化された光ビーム6’に変換される。この構造化された光ビーム6’は、やはり、層9への途中に複数の光学素子(図示せず)を通過することができる。
特に固有の本発明による態様は、とりわけ両光源7,7’を放射強度、波長、コヒーレント長さおよび場合により別の特性またはパラメータの点で互いに区別することができ、これによって、それぞれ異なる複数の光学パラメータを有する光ビーム6を発生させることができる点にある。
本発明によれば、特に2個よりも多くの、特に5個よりも多くの、さらに好適には10個よりも多くの、最も好適には20個よりも多くの光源7,7’を使用することができる。各光源は、好ましくはLEDフィールドまたはLD(英語:laser diode)フィールドであってもよい。
図3には、少なくとも1つの光源7と2つのDMD1とを備えた光学システム8から成る第3の実施の形態が示してある。
光ビーム6が光源7から発せられ、ビームスプリッタ14’によって分割される。分割された第1の光ビーム6.1は、第1のDMD1により構造的に変更されて、変更された第1のビーム6.1’を形成する。この変更された第1のビーム6.1’によって、層9が露光される。分割された第2のビーム6.2は、ミラー14により変向させられて第2のDMD1へと案内され、構造的に変更された第2のビーム6.2’として層9へとさらに案内される。好ましくは、変更された第2の光ビーム6.2’によって、被露光層9の、変更された第1の光ビーム6.1’により露光される位置とは異なる位置が露光される。記載した全ての光ビームが複数の光学素子(図示せず)を通過することができる。
特に固有の本発明による態様は、層9の2つの異なる位置を同時に露光することができる少なくとも2つのDMD1が使用される点にある。好ましくは、特に1つにまとめられた単一の光ビームが、DMDへの供給のために使用される。これによって、露光区分、特に露光縞が拡幅され、ひいては、処理量が高められる。
図4aには、ミラー面2を備えたDMD1が示してある。ミラー面2の一部の拡大図には、複数のミラー3のうちの幾つか(16個)のミラー3が示してある。これらのミラーは、出発位置と呼ばれる傾倒させられていない向きで配置されている。DMD1には、座標系K1が割り当てられている。このK1のz軸(つまりK1z)はミラー面2に対して法線方向に延びており、x座標軸とy座標軸とは、ミラー面2のミラー面エッジ2kx,2kyに対して平行に位置していて、ミラー平面を規定している。
図4bには、同一のDMD1が示してある。複数のミラー3のうちの1つのミラー3は、x軸を中心として傾倒または回動させられた位置に配置されている。したがって、光ビーム6の、傾倒させられたミラー3に衝突する部分が、光ビーム6の、傾倒させられていないミラー3により反射される部分の反射方向と同一でない(異なる)方向に反射される。
図5aには、本発明による、好適とまでは云えない第1の露光格子24が示してある。この第1の露光格子24は、互いに直交する両方向K2x,K2yにおいて等間隔の露光格子線27を有している。これによって、露光格子24は、両方向K2x,K2yで等方性であると共に均質である。
図5bには、本発明による好適な第2の露光格子24’が示してある。この第2の露光格子24’は、あらゆる方向に対して、特にその方向に関して固有の等間隔を露光格子線27同士の間に有している。これによって、露光格子24’は、方向K2x,K2yの各々において異方性であるものの、均質である。
また、露光を露光格子線交点25および/または露光格子部分面26において行い、個々の格子面の範囲内では行わないことも可能である。
種々異なる露光格子24,24’,24’’,24’’’は、特にDMD1(図示せず)に前置かつ/または後置された光学素子(図示せず)によって形成/変更することができる。DMD1(図示せず)は等方性であると共に均質であることが好ましい。光学素子(図示せず)、特に後置された光学素子(図示せず)だけが、DMDの異方性のかつ/または均質でない結像を発生させるように構成されている。
図6には、特に光学システム8の光学素子により歪められた露光格子24’’の、正確な寸法ではない概略的な平面図が示してある。光学素子によって、DMD1のミラー3により反射された分割ビームが、被露光層9に対して直角に反射されるものの、好ましくは専らK2x−K2y平面の範囲内での歪めが生じる。この本発明に係る方法によって、本発明によりオーバレイを高める露光格子24’’を光学的に提供することができる。DMD1は、この実施の形態では好ましくは傾けられておらず、DMD1の原像がアフィン変換により歪められ、これによって、露光格子24’’が傾斜させられる。
1 DMD
2 ミラー面
2kx,2ky ミラー面エッジ
3,3’ ミラー
4 書込み領域
5 バッファ領域
6 光ビーム
6’ 変更された/構造化された光ビーム
6.1’ 変更された第1のビーム
6.2’ 変更された第2のビーム
7,7’ 光源
8 光学システム
9 層
10 基板
11 基板ホルダ
12,12’,12’’ パターン
13 位置固定手段
14 ミラー
14’ ビームスプリッタ
14’’ 半透過性のミラー
15,15’,15’’ 縞
16l,16r,16l’,16r’,16r’’ 強度変更領域
17 焦点平面
18 被写界深度
19 検出器
20 ドット格子
22,22’,22’’ ミラー強度分布
23,23’ ピクセル;画素
24,24’,24’’,24’’’ 露光格子
25 露光格子線交点
26 露光格子部分面
27 露光格子線
28 パターン
l,l’ 長さ
b 幅
D 移動方向
v 鉛直方向の格子点間隔
h 水平方向の格子点間隔
r 露光点半径
p ミラー中心間隔

Claims (6)

  1. 光学システム(8)によって感光性の層(9)を露光するための方法であって、少なくとも1つの光ビーム(6,6’)をそれぞれ少なくとも1つの光源(7)によって発生させ、露光格子(24,24’,24’’,24’’’)のピクセル(23)を、複数のマイクロミラー(3)を備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイス(1)によって照明する、方法において、
    前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線を傾いた状態で延びるように配置しかつ/または歪めることを特徴とする、方法。
  2. 前記水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線を互いに平行に延びるように配置するかまたはアライメントする、請求項1記載の方法。
  3. 前記水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線をアフィン変換により歪める、請求項1または2記載の方法。
  4. 前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)への前記マイクロミラー(3)のぶれたマッピングによってオーバレイを行う、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)を、ビーム路に設けられた光学素子によって傾けて配置しかつ/または歪める、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 光学システム(8)によって感光性の層(9)を露光するための装置であって、
    − 少なくとも1つの光ビーム(6,6’)を発生させるための少なくとも1つの光源(7)と、
    − 複数のマイクロミラー(3)を備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイス(1)であって、各マイクロミラー(3)が、露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の1つのピクセル(23)を照明するために働く、マイクロミラーデバイス(1)と
    を備えている、装置において、
    前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線が、傾いた状態で延びるように配置されているかつ/または歪められていることを特徴とする、装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109426091B (zh) * 2017-08-31 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置、曝光方法及光刻方法
US11181830B2 (en) 2018-12-28 2021-11-23 Qoniac Gmbh Lithographic apparatus and method of controlling a lithographic apparatus
CN115698858A (zh) 2020-07-06 2023-02-03 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 曝光光敏涂层之方法及装置
CN112363313B (zh) * 2020-11-16 2022-06-21 广州大学 一种微小型空间反射结构的制备装置、制备方法及产品

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024924A (ja) * 2004-06-30 2006-01-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2008070785A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Orc Mfg Co Ltd 露光装置
JP2010518595A (ja) * 2007-02-06 2010-05-27 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置
US20100208329A1 (en) * 2009-02-16 2010-08-19 Micronic Laser Systems Ab SLM Device and Method
JP2013048235A (ja) * 2011-08-24 2013-03-07 Palo Alto Research Center Inc 空間光変調器およびアナモルフィック投影光学系を用いるマルチライン単一パス画像形成
JP2013543647A (ja) * 2010-06-11 2013-12-05 オーボテック リミテッド 光学シアリングのシステムと方法
US20150248062A1 (en) * 2014-03-03 2015-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Digital exposure method and digital exposure apparatus for performing the same
JP2016072434A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス パターン形成装置およびパターン形成方法
KR101720595B1 (ko) * 2016-07-27 2017-03-29 주식회사 리텍 Dmd 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW249856B (en) 1993-11-12 1995-06-21 Sony Corp Control apparatus for recording medium
US5710619A (en) * 1995-10-31 1998-01-20 Anvik Corporation Large-area, scan-and-repeat, projection patterning system with unitary stage and magnification control capability
DE69729659T2 (de) 1996-02-28 2005-06-23 Johnson, Kenneth C., Santa Clara Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld
US7061584B2 (en) 2001-03-19 2006-06-13 Dmetrix, Inc. Multi-axis projection imaging system
KR100576746B1 (ko) * 2001-06-01 2006-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물
US6894712B2 (en) * 2002-04-10 2005-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head, exposure apparatus, and application thereof
JP3938714B2 (ja) 2002-05-16 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 露光装置
EP1573366B1 (en) 2002-08-24 2016-11-09 Chime Ball Technology Co., Ltd. Continuous direct-write optical lithography
US7567368B2 (en) * 2005-01-06 2009-07-28 Asml Holding N.V. Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography
JP2006285575A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 画像処理方法、プログラム、並びに画像処理システム
JP2006349945A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 露光装置
KR100655165B1 (ko) 2005-11-28 2007-02-28 서만승 마스크리스 리소그래피를 위한 점유면적기반 패턴 생성방법
US8619109B2 (en) * 2007-04-26 2013-12-31 Kodak Graphic Communications Canada Company Registering patterns of features by adjusting the pitch of image swaths
NL1036108A1 (nl) * 2007-11-09 2009-05-12 Asml Netherlands Bv Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product.
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
CN102338989B (zh) 2011-07-06 2013-02-27 中国科学院上海光学精密机械研究所 延长焦深的并行激光直写装置
US8767270B2 (en) * 2011-08-24 2014-07-01 Palo Alto Research Center Incorporated Single-pass imaging apparatus with image data scrolling for improved resolution contrast and exposure extent
US9001305B2 (en) 2011-10-11 2015-04-07 Wenhui Mei Ultra-large size flat panel display maskless photolithography system and method
JP5994367B2 (ja) 2012-04-27 2016-09-21 富士通株式会社 動画像符号化装置、動画像符号化方法
DE102013217269A1 (de) * 2013-08-29 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array
EP2876499B1 (en) 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
EP3155361A2 (en) * 2014-06-10 2017-04-19 Carl Zeiss Meditec, Inc. Improved frequency-domain interferometric based imaging systems and methods
JP6801085B2 (ja) 2016-08-29 2020-12-16 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を位置合わせする方法および装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024924A (ja) * 2004-06-30 2006-01-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2008070785A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Orc Mfg Co Ltd 露光装置
JP2010518595A (ja) * 2007-02-06 2010-05-27 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置
US20100208329A1 (en) * 2009-02-16 2010-08-19 Micronic Laser Systems Ab SLM Device and Method
JP2013543647A (ja) * 2010-06-11 2013-12-05 オーボテック リミテッド 光学シアリングのシステムと方法
JP2013048235A (ja) * 2011-08-24 2013-03-07 Palo Alto Research Center Inc 空間光変調器およびアナモルフィック投影光学系を用いるマルチライン単一パス画像形成
US20150248062A1 (en) * 2014-03-03 2015-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Digital exposure method and digital exposure apparatus for performing the same
JP2016072434A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社Screenホールディングス パターン形成装置およびパターン形成方法
KR101720595B1 (ko) * 2016-07-27 2017-03-29 주식회사 리텍 Dmd 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체

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