JP2021184112A - 感光性の層を露光するための装置および方法 - Google Patents
感光性の層を露光するための装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021184112A JP2021184112A JP2021137331A JP2021137331A JP2021184112A JP 2021184112 A JP2021184112 A JP 2021184112A JP 2021137331 A JP2021137331 A JP 2021137331A JP 2021137331 A JP2021137331 A JP 2021137331A JP 2021184112 A JP2021184112 A JP 2021184112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- optical system
- dmd
- exposed
- grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/213—Exposing with the same light pattern different positions of the same surface at the same time
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Abstract
Description
マスクが不要となり、これによって、所望のパターンを感光性の(photosensitive)層に直接露光することができる。複数の光源の使用によって、スペクトルを広く選択することができ、光出力ひいては達成可能な処理量を高めることができる。
− 少なくとも1つの光ビームを発生させるための少なくとも1つの光源と、
− 複数のマイクロミラーを備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイスであって、各マイクロミラーが、露光格子のピクセルを所定のミラー強度分布で照明するために働く、マイクロミラーデバイスと
を備えた光学システムを有している。この光学システムは、DMD画像の歪みが光路に沿って行われるように形成されている。
・全面型の
・連続走査(スキャニング)型の
・歩進(ステッピング)型の
マスクレスの露光器として構想することができる。「マスクレス」とは、動的に光学的にパターン化するシステムによる静的な前置体(マスク、レクチル)の結像の置き換えを意味している。
・メアンダ状
・次の行への移動と、終端への到達時の始端への戻りとを伴う行状
・螺線状
・円形
・線形
である。
DMDによって、広幅の一次の、好ましくは平行なかつ/または散乱しないビーム束の、特に複数の部分の意図的な偏向が可能となる。これによって、マスクの補助手段なしに、空間的に構造化された二次の光学的な露光ビーム束を発生させることができる。DMDには、大抵、光学系、特に投影光学系が前置されているかつ/または後置されている。この光学系は、DMDに当たった一次の露光ビームおよび/またはDMDにより反射された二次の露光ビームを操作する(特にスケーリングする)ことができ、マイクロリソグラフィの際に、特にDMD画像を縮小することができる。これによって、DMD画像を相応に縮小することができる。
本発明による実施の形態は、少なくとも1つの光学システムから成っている。この光学システムは、種々異なる形態の複数の光学素子を有することができる。複数のDMDの使用が本発明による別の実施の形態を成しているにもかかわらず、複数の光学素子のうちの少なくとも1つの光学素子はDMDである。光学システムには、特に正確に1つのDMD、好ましくは少なくとも2つのDMD、さらに好適には少なくとも4つのDMDが位置している。光学システム自体は、一種または多種の形態で装置の内部の基板上で並行して使用することができる。また、装置の内部での複数の基板の並行した露光も本発明により可能である。
・照明光学系
・コヒーレント光源、特に
・レーザ光源
・レーザダイオード
・固体レーザ
・エキシマレーザ
・インコヒーレント光源、特に
・ガス放電ランプ、特に
・水銀ランプ
・LED
・部分コヒーレント光源
・コヒーレントを変化させるコンポーネント
・偏向光学系
・DMD
・ミラー、特に
・コールドミラー
・ホットミラー
・反射素子、特に
・プリズム
・ビームスプリッタ
・投影光学系
・レンズ、特に
・フレネルレンズ
・屈折レンズ
・凸レンズ
・凹レンズ
・両凹レンズ
・両凸レンズ
・凸凹レンズ
・凹凸レンズ
・シリンドリカルレンズ
・複合レンズ
・ミラー、特に
・シリンドリカルミラー
・ビームを変化させる一般的な光学コンポーネント
が位置していてよい。
好ましくは、装置は、特に光学システムに組み込まれた測定光学系を有している。特に好適には、被露光層により反射された光を、露光のためにDMDに適用される光路から出力するために、ビームスプリッタが使用される。測定光学系は複数の重要な役割を有している。これらの役割、すなわち
・露光フィールドを基板における既存のパターンに対してアライメントするかまたは新たに成形するためのアライメント
・書込みヘッドの校正および検査
・書込み工程のインサイチュコントロール
・相対的な画像・基板位置の動的な変化時の実時間補正
は全て同時に果たされている必要はない。
本発明による実施の形態では、露光格子の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線が、光学的な結像によって互いに異なる形態で結像され(つまり、特に正方形ではない)、これによって、鉛直方向でも、水平方向でも、互いに異なる露光格子解像度が調整される。露光の算出/制御は偏差だけ補償される。
2 ミラー面
2kx,2ky ミラー面エッジ
3,3’ ミラー
4 書込み領域
5 バッファ領域
6 光ビーム
6’ 変更された/構造化された光ビーム
6.1’ 変更された第1のビーム
6.2’ 変更された第2のビーム
7,7’ 光源
8 光学システム
9 層
10 基板
11 基板ホルダ
12,12’,12’’ パターン
13 位置固定手段
14 ミラー
14’ ビームスプリッタ
14’’ 半透過性のミラー
15,15’,15’’ 縞
16l,16r,16l’,16r’,16r’’ 強度変更領域
17 焦点平面
18 被写界深度
19 検出器
20 ドット格子
22,22’,22’’ ミラー強度分布
23,23’ ピクセル;画素
24,24’,24’’,24’’’ 露光格子
25 露光格子線交点
26 露光格子部分面
27 露光格子線
28 パターン
l,l’ 長さ
b 幅
D 移動方向
v 鉛直方向の格子点間隔
h 水平方向の格子点間隔
r 露光点半径
p ミラー中心間隔
Claims (6)
- 光学システム(8)によって感光性の層(9)を露光するための方法であって、少なくとも1つの光ビーム(6,6’)をそれぞれ少なくとも1つの光源(7)によって発生させ、露光格子(24,24’,24’’,24’’’)のピクセル(23)を、複数のマイクロミラー(3)を備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイス(1)によって照明する、方法において、
前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線を傾いた状態で延びるように配置しかつ/または歪めることを特徴とする、方法。 - 前記水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線を互いに平行に延びるように配置するかまたはアライメントする、請求項1記載の方法。
- 前記水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線をアフィン変換により歪める、請求項1または2記載の方法。
- 前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)への前記マイクロミラー(3)のぶれたマッピングによってオーバレイを行う、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)を、ビーム路に設けられた光学素子によって傾けて配置しかつ/または歪める、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 光学システム(8)によって感光性の層(9)を露光するための装置であって、
− 少なくとも1つの光ビーム(6,6’)を発生させるための少なくとも1つの光源(7)と、
− 複数のマイクロミラー(3)を備えた少なくとも1つのマイクロミラーデバイス(1)であって、各マイクロミラー(3)が、露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の1つのピクセル(23)を照明するために働く、マイクロミラーデバイス(1)と
を備えている、装置において、
前記露光格子(24,24’,24’’,24’’’)の水平方向のかつ/または鉛直方向の露光格子線が、傾いた状態で延びるように配置されているかつ/または歪められていることを特徴とする、装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021137331A JP2021184112A (ja) | 2016-12-20 | 2021-08-25 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2016/081888 WO2018113918A1 (de) | 2016-12-20 | 2016-12-20 | Vorrichtung und verfahren zur belichtung einer lichtempfindlichen schicht |
JP2019531426A JP6935498B2 (ja) | 2016-12-20 | 2016-12-20 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
JP2021137331A JP2021184112A (ja) | 2016-12-20 | 2021-08-25 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531426A Division JP6935498B2 (ja) | 2016-12-20 | 2016-12-20 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021184112A true JP2021184112A (ja) | 2021-12-02 |
Family
ID=57680253
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531426A Active JP6935498B2 (ja) | 2016-12-20 | 2016-12-20 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
JP2021137331A Pending JP2021184112A (ja) | 2016-12-20 | 2021-08-25 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531426A Active JP6935498B2 (ja) | 2016-12-20 | 2016-12-20 | 感光性の層を露光するための装置および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10852528B2 (ja) |
EP (2) | EP3734349A1 (ja) |
JP (2) | JP6935498B2 (ja) |
KR (1) | KR20190095269A (ja) |
CN (1) | CN110073269B (ja) |
TW (1) | TWI745500B (ja) |
WO (1) | WO2018113918A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109426091B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法及光刻方法 |
US11181830B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-11-23 | Qoniac Gmbh | Lithographic apparatus and method of controlling a lithographic apparatus |
CN115698858A (zh) | 2020-07-06 | 2023-02-03 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 曝光光敏涂层之方法及装置 |
CN112363313B (zh) * | 2020-11-16 | 2022-06-21 | 广州大学 | 一种微小型空间反射结构的制备装置、制备方法及产品 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024924A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2006080285A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2008070785A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Orc Mfg Co Ltd | 露光装置 |
JP2010518595A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置 |
US20100208329A1 (en) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | Micronic Laser Systems Ab | SLM Device and Method |
JP2013048235A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-07 | Palo Alto Research Center Inc | 空間光変調器およびアナモルフィック投影光学系を用いるマルチライン単一パス画像形成 |
JP2013543647A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-12-05 | オーボテック リミテッド | 光学シアリングのシステムと方法 |
US20150248062A1 (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Digital exposure method and digital exposure apparatus for performing the same |
JP2016072434A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
KR101720595B1 (ko) * | 2016-07-27 | 2017-03-29 | 주식회사 리텍 | Dmd 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW249856B (en) | 1993-11-12 | 1995-06-21 | Sony Corp | Control apparatus for recording medium |
US5710619A (en) * | 1995-10-31 | 1998-01-20 | Anvik Corporation | Large-area, scan-and-repeat, projection patterning system with unitary stage and magnification control capability |
DE69729659T2 (de) | 1996-02-28 | 2005-06-23 | Johnson, Kenneth C., Santa Clara | Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld |
US7061584B2 (en) | 2001-03-19 | 2006-06-13 | Dmetrix, Inc. | Multi-axis projection imaging system |
KR100576746B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2006-05-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 그 디바이스,제어시스템, 컴퓨터프로그램, 및 컴퓨터프로그램물 |
US6894712B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-05-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure head, exposure apparatus, and application thereof |
JP3938714B2 (ja) | 2002-05-16 | 2007-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 露光装置 |
EP1573366B1 (en) | 2002-08-24 | 2016-11-09 | Chime Ball Technology Co., Ltd. | Continuous direct-write optical lithography |
US7567368B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-07-28 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography |
JP2006285575A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像処理方法、プログラム、並びに画像処理システム |
JP2006349945A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 露光装置 |
KR100655165B1 (ko) | 2005-11-28 | 2007-02-28 | 서만승 | 마스크리스 리소그래피를 위한 점유면적기반 패턴 생성방법 |
US8619109B2 (en) * | 2007-04-26 | 2013-12-31 | Kodak Graphic Communications Canada Company | Registering patterns of features by adjusting the pitch of image swaths |
NL1036108A1 (nl) * | 2007-11-09 | 2009-05-12 | Asml Netherlands Bv | Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product. |
DE102010040811A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
CN102338989B (zh) | 2011-07-06 | 2013-02-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 延长焦深的并行激光直写装置 |
US8767270B2 (en) * | 2011-08-24 | 2014-07-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Single-pass imaging apparatus with image data scrolling for improved resolution contrast and exposure extent |
US9001305B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-04-07 | Wenhui Mei | Ultra-large size flat panel display maskless photolithography system and method |
JP5994367B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-09-21 | 富士通株式会社 | 動画像符号化装置、動画像符号化方法 |
DE102013217269A1 (de) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrospiegel-Array |
EP2876499B1 (en) | 2013-11-22 | 2017-05-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
EP3155361A2 (en) * | 2014-06-10 | 2017-04-19 | Carl Zeiss Meditec, Inc. | Improved frequency-domain interferometric based imaging systems and methods |
JP6801085B2 (ja) | 2016-08-29 | 2020-12-16 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を位置合わせする方法および装置 |
-
2016
- 2016-12-20 US US16/464,838 patent/US10852528B2/en active Active
- 2016-12-20 WO PCT/EP2016/081888 patent/WO2018113918A1/de active Search and Examination
- 2016-12-20 KR KR1020197015478A patent/KR20190095269A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-12-20 EP EP20178906.2A patent/EP3734349A1/de active Pending
- 2016-12-20 EP EP16819533.7A patent/EP3559724B1/de active Active
- 2016-12-20 CN CN201680091612.3A patent/CN110073269B/zh active Active
- 2016-12-20 JP JP2019531426A patent/JP6935498B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-05 TW TW106142534A patent/TWI745500B/zh active
-
2021
- 2021-08-25 JP JP2021137331A patent/JP2021184112A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006024924A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2006080285A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2008070785A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Orc Mfg Co Ltd | 露光装置 |
JP2010518595A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置 |
US20100208329A1 (en) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | Micronic Laser Systems Ab | SLM Device and Method |
JP2013543647A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-12-05 | オーボテック リミテッド | 光学シアリングのシステムと方法 |
JP2013048235A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-07 | Palo Alto Research Center Inc | 空間光変調器およびアナモルフィック投影光学系を用いるマルチライン単一パス画像形成 |
US20150248062A1 (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Digital exposure method and digital exposure apparatus for performing the same |
JP2016072434A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社Screenホールディングス | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
KR101720595B1 (ko) * | 2016-07-27 | 2017-03-29 | 주식회사 리텍 | Dmd 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6935498B2 (ja) | 2021-09-15 |
WO2018113918A1 (de) | 2018-06-28 |
CN110073269B (zh) | 2022-03-01 |
EP3734349A1 (de) | 2020-11-04 |
US20190293924A1 (en) | 2019-09-26 |
CN110073269A (zh) | 2019-07-30 |
TW201830162A (zh) | 2018-08-16 |
KR20190095269A (ko) | 2019-08-14 |
EP3559724B1 (de) | 2020-06-17 |
EP3559724A1 (de) | 2019-10-30 |
US10852528B2 (en) | 2020-12-01 |
TWI745500B (zh) | 2021-11-11 |
JP2020510851A (ja) | 2020-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021184112A (ja) | 感光性の層を露光するための装置および方法 | |
JP5032253B2 (ja) | 測定装置および方法 | |
JP4416758B2 (ja) | リソグラフィ装置及びfpdチャックz位置測定を利用したデバイス製造方法 | |
TWI446123B (zh) | 用於量測及獲得與基板表面相關的高度資料之微影裝置及方法 | |
JP2006148121A (ja) | 潜在重ね合わせ測定 | |
JP6380412B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6347849B2 (ja) | センサシステム、基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置 | |
JP7339306B2 (ja) | 感光性の層を露光するための装置および方法 | |
JP2007049165A (ja) | リソグラフィ装置及びメトロロジ・システムを使用するデバイス製造方法 | |
JP2018139010A (ja) | 移動体装置及び露光装置 | |
KR100747784B1 (ko) | 리소그래피 장치에 대한 캘리브레이션방법 및 디바이스 제조방법 | |
JP5650272B2 (ja) | リソグラフィ方法および装置 | |
JP4469820B2 (ja) | 照明ビーム測定 | |
JP5973472B2 (ja) | リソグラフィ装置、放射ビームスポットフォーカスを測定するための方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2021518927A (ja) | レベルセンサ及びリソグラフィ装置 | |
KR20100083459A (ko) | 노광 장치 및 그 직각도 측정방법 | |
JPH05121296A (ja) | アライメント装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230308 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230516 |