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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsmaske, insbesondere für eine Vorrichtung zur Wellenfrontanalyse, sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsmaske.
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Stand der Technik
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Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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Sowohl im Projektionsobjektiv als auch in der Beleuchtungseinrichtung besteht ein Bedarf, die im Betrieb durch das jeweilige optische System propagierenden Wellenfronten zu analysieren, um z.B. Aufschluss über die tatsächlich erzielte optische Wirkung der einzelnen optischen Komponenten des betreffenden optischen Systems sowie deren Justage zueinander zu erhalten.
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Hierzu ist u.a. das Prinzip der Shearing-Interferometrie bekannt, bei welchem durch Einsatz eines Beugungsgitters („Shearing-Gitter“), das im Bereich der Bildebene der jeweils zu untersuchenden Abbildungsoptik platziert wird, identische Kopien der zu vermessenden Wellenfront entsprechend den unterschiedlichen Beugungsordnungen erzeugt und zur Überlagerung gebracht werden. Das an diesem Beugungsgitter in unterschiedliche Beugungsordnungen gebeugte Licht erzeugt in einer in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgenden Auffangebene ein Interferenzmuster, dessen Auswertung z.B. nach Auflösung durch einen kamerabasierten Sensor grundsätzlich eine Wellenfrontanalyse und damit einen Rückschluss auf die optische Wellenfrontwirkung sowie etwaige Aberrationen der jeweils Abbildungsoptik erlaubt und z.B. eine Justage der in der Abbildungsoptik befindlichen optischen Komponenten zueinander ermöglicht.
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Hierbei ist es bekannt, die in die jeweilige Abbildungsoptik eingekoppelte Wellenfront durch eine kohärenzformende Maske auszubilden, welche insbesondere so ausgelegt sein kann, dass in Lichtausbreitungsrichtung nach dem Shearing-Gitter genau zwei Beugungsordnungen miteinander interferieren, wohingegen alle anderen Interferenzen weitgehend unterdrückt sind. Hierdurch können störende Interferenzen vermieden und höhere Messgenauigkeiten erzielt werden.
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Im Zuge der Entwicklung von Projektionsobjektiven mit immer höheren numerischen Aperturen ist es weiter bekannt, zur Pupillenfüllung eine streuende Ausleuchtung der kohärenzformenden Maske mit diffusem Licht vorzunehmen oder die kohärenzformende Maske selbst mit Streuzentren auszustatten. Grundsätzlich ist zur Minimierung des konstruktiven Aufwandes eine Realisierung der vorstehend beschriebenen, streuenden und kohärenzformenden Wirkung in ein- und derselben Ebene wünschenswert, was jedoch hinsichtlich der Fertigung der betreffenden kohärenzformenden Maske eine anspruchsvolle Herausforderung darstellt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsmaske sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsmaske bereitzustellen, so dass ein reduzierter Fertigungsaufwand bei der Herstellung der Beleuchtungsmaske zur Analyse der Wellenfronteigenschaften sowie ggf. weiterer Eigenschaften einer Abbildungsoptik ermöglicht wird.
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Diese Aufgabe wird durch die Beleuchtungsmaske gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. 4 sowie das Verfahren gemäß den Merkmalen des nebengeordneten Patentanspruchs 9 gelöst.
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Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist eine Beleuchtungsmaske, insbesondere für eine Vorrichtung zur Wellenfrontanalyse, einen Schichtaufbau derart auf, dass die Beleuchtungsmaske sowohl absorbierende Bereiche als auch reflektierende Bereiche aufweist, wobei die reflektierenden Bereiche sowohl diffus reflektierende erste Bereiche als auch spekular reflektierende zweite Bereiche umfassen.
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Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, eine Beleuchtungsmaske mit einem Schichtaufbau derart auszugestalten, dass die Beleuchtungsmaske zum einen - zwecks Erzielung der gewünschten Kohärenzformung - sowohl reflektierende als auch absorbierende Bereiche und zum anderen - zwecks Erzielung der erforderlichen Füllung der Objektivpupille auch bei hochaperturigen Systemen - diffus reflektierende Bereiche aufweist. Des Weiteren werden auch in definierter Weise spekular reflektierende Bereiche vorgesehen mit der Folge, dass die zuletzt genannten Bereiche für weitere Messungen (z.B. der Intensitätsverteilung in der Pupillenebene) genutzt werden können.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt der Schichtaufbau in den diffus reflektierenden ersten Bereichen ein zufällig variierendes Höhenprofil.
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Gemäß einer Ausführungsform besitzt der Schichtaufbau in den spekular reflektierenden zweiten Bereichen ein konstantes Höhenprofil.
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Die Erfindung betrifft weiter eine Beleuchtungsmaske, insbesondere für eine Vorrichtung zur Wellenfrontanalyse, mit einem Schichtaufbau derart, dass die Beleuchtungsmaske erste Bereiche, in denen der Schichtaufbau ein zufällig variierendes Höhenprofil besitzt, und zweite Bereiche, in denen der Schichtaufbau ein konstantes Höhenprofil besitzt, aufweist.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die Beleuchtungsmaske ein Substrat und wenigstens einen Reflexionsschichtstapel auf.
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Gemäß einer Ausführungsform werden die ersten Bereiche und die zweiten Bereiche durch voneinander separate Reflexionsschichtstapel gebildet, welche voneinander durch wenigstens eine Rauhigkeitsschicht getrennt sind.
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Gemäß einer Ausführungsform sind die ersten Bereiche zumindest zum Teil durch eine zwischen dem Substrat und dem wenigstens einen Reflexionsschichtstapel ausgebildete Schicht mit variierendem Dickenprofil gebildet.
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Gemäß einer Ausführungsform sind die absorbierenden Bereiche zumindest zum Teil durch freigelegte Substratabschnitte des Substrats gebildet.
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Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsmaske, insbesondere für eine Vorrichtung zur Wellenfrontanalyse, mit den Schritten:
- - Bereitstellen eines Substrats; und
- - Aufbringen eines Schichtaufbaus, welcher wenigstens einen Reflexionsschichtstapel aufweist, auf das Substrat;
- - wobei der Schichtaufbau derart aufgebracht wird, dass die resultierende Beleuchtungsmaske sowohl absorbierende Bereiche als auch reflektierende Bereiche aufweist, wobei die reflektierenden Bereiche sowohl diffus reflektierende erste Bereiche als auch spekular reflektierende zweite Bereiche umfassen.
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Gemäß einer Ausführungsform erfolgt ein Strukturieren des Schichtaufbaus zur Unterteilung in absorbierende Bereiche und reflektierende Bereiche wenigstens zum Teil durch partielles Ätzen einer auf den wenigstens einen Reflexionsschichtstapel aufgebrachten Absorberschicht.
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Gemäß einer Ausführungsform erfolgt ein Strukturieren des Schichtaufbaus zur Unterteilung in absorbierende Bereiche und reflektierende Bereiche wenigstens zum Teil durch partielles Ätzen des wenigstens einen Reflexionsschichtstapels.
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Gemäß einer Ausführungsform werden die ersten Bereiche zumindest zum Teil dadurch gebildet, dass das Substrat vor Aufbringen des Schichtaufbaus aufgeraut wird.
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Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Aufrauen des Substrats eine Ionenstrahlbearbeitung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB) oder eine Laserstrahlbearbeitung. Hierbei können auch deterministisch bestimmte Profile vorab berechnet und dann mit dem entsprechenden Verfahren (z.B. der FIB-Bearbeitung) erzeugt werden.
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Gemäß einer Ausführungsform erfolgt wenigstens eine Nachstrukturierung des Substrats und/oder des Schichtaufbaus.
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Gemäß einer Ausführungsform umfasst diese Nachstrukturierung eine Ionenstrahlbearbeitung, eine Laserstrahlbearbeitung und/oder einen Lithographieprozess.
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Die Erfindung betrifft weiter eine Vorrichtung zur Analyse der Wellenfront einer wenigstens einer ein optisches System durchlaufenden Lichtwelle, mit
- - einer Beleuchtungsmaske, welche gemäß den oben beschriebenen Merkmalen ausgebildet oder nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellt ist;
- - einem Beugungsgitter, welches aus einer zu analysierenden, von der Beleuchtungsmaske ausgehenden und das optische System durchlaufenden Wellenfront ein Interferogramm in einer vorgegebenen Ebene erzeugt; und
- - einem Detektor zur Erfassung dieses Interferogramms.
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Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen. Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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Figurenliste
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Es zeigen:
- 1-8 schematische Darstellungen zur Erläuterung unterschiedlicher Ausführungsformen einer erfindungsgemäßen Beleuchtungsmaske; und
- 9 eine schematische Darstellung eines möglichen Aufbaus einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Wellenfronterfassung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Den im Weiteren beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass als Ergebnis des jeweiligen Beschichtungsprozesses jeweils eine Beleuchtungsmaske erhalten wird, die zum einen - zwecks Erzielung der gewünschten Kohärenzformung - sowohl reflektierende als auch absorbierende Bereiche und zum anderen - zwecks Erzielung der erforderlichen Füllung der Objektivpupille auch bei hochaperturigen Systemen - diffus reflektierende Bereiche aufweist. Des Weiteren können aber auch in definierter Weise spekular reflektierende Bereiche vorgesehen werden mit der Folge, dass die zuletzt genannten Bereiche für weitere Messungen (z.B. der Intensitätsverteilung in der Pupillenebene) genutzt werden können.
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1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform einer Beleuchtungsmaske 100 bzw. eines Verfahrens zu deren Herstellung.
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Zur Herstellung der Beleuchtungsmaske 100 wird auf einem Substrat 110 (welches z.B. aus dem unter der Bezeichnung ULE® von der Firma Corning Inc. vertriebenen Titanium-Silikatglas, Zerodur(® oder Siliziumdioxid (SiO2) hergestellt sein kann) ein erster Reflexionsschichtstapel 120 in für sich bekannter Weise durch Aufdampfen aufgebracht, wobei der Reflexionsschichtstapel 120 eine alternierende Abfolge aus z.B. jeweils 16 bis 50 Molybdän (Mo)- und Silizium (Si)-Schichten aufweisen kann. Hierbei können je nach Bedarf weitere Funktionsschichten (z.B. als Diffusionssperrschichten, Schutzschichten oder Haftverbesserungs- bzw. Adhäsionsschichten) vorgesehen sein. Mit „105“ ist eine auf der Rückseite des Substrats 110 angeordnete Beschichtung (im Beispiel aus CrN) bezeichnet.
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Auf diesem Reflexionsschichtstapel 120 wird im nächsten Schritt eine Rauhigkeitsschicht 130 aufgetragen, welche im Ausführungsbeispiel (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) aus Ruthenium (Ru) besteht und deren Rauheit so eingestellt wird, dass sich als Ergebnis der nachfolgend beschriebenen, weiteren Fertigungsschritte für die letztlich erhaltene Beleuchtungsmaske 100 in bestimmten (in 1 mit „D“ bezeichneten) Bereichen eine gewünschte Streuwirkung für auf die Beleuchtungsmaske 100 auftreffendes Licht ergibt.
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Auf der Rauhigkeitsschicht 130 wird sodann im Ausführungsbeispiel gemäß 1 ein zweiter Reflexionsschichtstapel 140 (gegebenenfalls nach vorherigem Aufbringen einer Diffusionssperrschicht) aufgedampft, welcher lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) einen zu dem ersten Reflexionsschichtstapel 120 entsprechenden Schichtaufbau haben kann. Das Dickenprofil bzw. die Rauhigkeit der Rauhigkeitsschicht 130 setzt sich dabei wie in 1 angedeutet innerhalb des zweiten Reflexionsschichtstapels 140 fort und führt zur gewünschten, streuenden bzw. diffus reflektierenden Wirkung des mit „D“ bezeichneten Bereichs, wobei eine gewisse glättende Wirkung des zweiten Reflexionsschichtstapels 140 bei dessen Aufdampfung bereits bei Auslegung der Rauhigkeitsschicht 130 berücksichtigt bzw. vorgehalten werden kann.
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Zur Erzielung einer absorbierenden Wirkung der Beleuchtungsmaske 100 in den in 1 mit „A“ bezeichneten Bereichen dient gemäß 1 in diesen Bereichen eine Absorberschicht 150 (im Beispiel aus TaN), auf welcher noch eine Antireflexschicht 160 (im Beispiel aus TaON) aufgebracht ist.
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Ein insbesondere unter Verwendung der Schicht 130 als Ätzstoppschicht durchgeführtes partielles Ätzen führt in den in 1 mit „S“ bezeichneten Bereichen dazu, dass dort der erste Reflexionsschichtstapel 120 freigelegt wird und infolge des somit im Wesentlichen konstanten Höhenprofils in diesem Bereich „S“ eine nicht-diffuse, spekulare Reflexion bewirkt.
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2 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren möglichen Ausführungsform, wobei zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Im Unterschied zu 1 wird bei der Ausführungsform von 2 die streuende Wirkung in dem mit „D“ bezeichneten Bereich dadurch erzielt, dass eine Mehrzahl von (im Beispiel aus Ruthenium (Ru) hergestellten) Ätzstoppschichten 231-234 in den Reflexionsschichtstapel 220 eingebaut werden, wobei sich oberhalb jeder dieser Ätzstoppschichten 231-234 eine Silizium (Si)-Schicht mit einer Dicke von mehreren Nanometer zur Einstellung der Phase der einzelnen Ätztiefen befindet, und wobei die resultierende streuende Struktur durch ein CGH in den Reflexionsschichtstapel 220 eingeschrieben wird.
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3 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform, wobei zu 2 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten wiederum mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
Zur Erzielung einer absorbierenden Wirkung der Beleuchtungsmaske 300 in den in 1 mit „A“ bezeichneten Bereichen ist in diesen Bereichen der Reflexionsschichtstapel 220 durch partielles Ätzen vollständig entfernt, d.h. die mit „A“ bezeichneten Bereichen sind durch freigelegte Substratabschnitte des Substrats 310 gebildet. Dabei kann im Aufbau von 3 ebenso wie bei den übrigen Ausführungsformen jeweils eine Nachstrukturierung z.B. durch Ionenstrahlbearbeitung (IBF) erfolgen, um die Auflösungsgrenze zu erhöhen und steilere Kantenwinkel zu erreichen.
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4 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform, wobei zu 3 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten wiederum mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Im Unterschied zu den zuvor beschriebenen Ausführungsformen wird gemäß 4 die streuende Wirkung in dem mit „D“ bezeichneten Bereich dadurch erzielt, dass das Substrat 410 noch vor dem Aufbringen des Schichtaufbaus in den betreffenden Bereichen lokal aufgeraut wird. Hierzu kann beispielsweise ein fokussierter Laserstrahl zur Strukturierung über das Substrat 410 gescannt werden, wobei abhängig von der jeweiligen Kombination aus Substratmaterial und Laserwellenlänge bzw. Pulsdauer eine gewünschte Rauheit im Mikrometer- oder Nanometerbereich jeweils lokal erzeugt werden kann. Eine Kontrolle der erzeugten Rauheit kann weiter auch über (ggf. selektive) Laser-Ablation, Laser-Annealing (zum lokalen Glätten) und über laserinduzierte Phasenübergänge zur gezielten Einbringung lokaler Verspannungen erfolgen.
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Die Strukturierung bzw. Unterteilung in die absorbierenden Bereiche „A“ und die (spekular oder diffus) reflektierenden Bereiche „D“ und „S“ erfolgt gemäß 4 durch entsprechendes Ätzen der Absorberschicht 450.
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5 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform, wobei zu 4 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten wiederum mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Im Unterschied zu den zuvor beschriebenen Ausführungsformen wird gemäß 5 die streuende Wirkung in dem mit „D“ bezeichneten Bereich dadurch erzielt, dass auf das Substrat 510 vor dem Aufdampfen des Reflexionsschichtstapels 520 eine zusätzliche Schicht 515 aufgebracht und in geeigneter Weise strukturiert wird. Auch hier können gegebenenfalls weitere Funktionsschichten wie Diffusionssperrschichten, Haftverbesserungs- bzw. Adhäsionsschichten oder Schutzschichten vorgesehen sein.
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Die Strukturierung bzw. Unterteilung in die absorbierenden Bereiche „A“ und die (spekular oder diffus) reflektierenden Bereiche „D“ und „S“ erfolgt gemäß 5 (insoweit analog zu 4) durch entsprechendes Ätzen der Absorberschicht 550.
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6 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform, wobei zu 5 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten wiederum mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Gemäß 6 wird (insoweit analog zu 4) die streuende Wirkung in dem mit „D“ bezeichneten Bereich dadurch erzielt, dass das Substrat 410 noch vor dem Aufbringen des Schichtaufbaus in den betreffenden Bereichen lokal aufgeraut wird. Zur Erzielung einer absorbierenden Wirkung der Beleuchtungsmaske 600 in den in 6 mit „A“ bezeichneten Bereichen ist (insoweit analog zu 3) in diesen Bereichen der Reflexionsschichtstapel 620 durch partielles Ätzen vollständig entfernt, d.h. die mit „A“ bezeichneten Bereiche sind durch freigelegte Substratabschnitte des Substrats 610 gebildet.
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In sämtlichen vorstehend beschriebenen Ausführungsformen können jeweils Nachbearbeitungen (z.B. Ionenstrahlbearbeitung mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB), Laserstrahlbearbeitung, Lithographieprozesse) durchgeführt werden. Dabei können auch deterministisch bestimmte Profile vorab berechnet und dann mit entsprechenden Verfahren (z.B. der FIB-Bearbeitung) erzeugt werden. Eine in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen gegebenenfalls erfolgende Aufrauhung einzelner Schichten kann neben den genannten Verfahren auch durch gezieltes Schichtwachstum (z.B. Stranski-Krastanow-Wachstum zur Erzielung von Strukturen im Nanometerbereich), mit PVD-Verfahren zur Erzeugung von Nanopartikeln, Einsatz von Polier-Stopps sowie durch selbst-organisierendes Wachstum (unter Erzeugung von Strukturen mit lokaler Ordnung im Nanometerbereich) erfolgen.
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In Ausführungsformen können die erfindungsgemäß erzeugten diffus reflektierenden Bereiche zumindest zum Teil dadurch gebildet werden, dass das Substrat vor Aufbringen des Schichtaufbaus aufgeraut wird, wobei dieses Aufrauen des Substrats insbesondere wie nachfolgend beschrieben eine Ionenstrahlbearbeitung mit zeilen- und spaltenweisem Bearbeiten der Substratoberfläche zwecks Erzeugung einer zweidimensionalen Streuwirkung umfassen kann.
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Hierbei kann eine Ionenstrahlbearbeitungsanlage 700 (FIB-Anlage, FIB = „Focused Ion Beam“), wie in 7 lediglich schematisch dargestellt, verwendet werden. Die Ionenstrahlbearbeitungsanlage 700 weist eine Ionenquelle 701 (z.B. auf Basis von Gallium) auf, wobei ein von dieser Ionenquelle 701 erzeugter Ionenstrahl 702 über eine Ionenoptik (welche gemäß 7 eine Strahlformungseinheit 703 und eine Ablenkungs- und Fokussiereinheit 704 umfasst) auf ein Substrat 705 fokussiert wird. Das Substrat 705 ist über einen geeigneten Manipulator 706 in sechs Freiheitsgraden verstellbar (d.h. in x-, y- und z-Richtung verfahrbar sowie um die x-, y- bzw. z-Achse verdrehbar). Infolge der hohen kinetischen Energie der Ionen können aus dem Substrat 705 Atome zur Erzeugung eines örtlich und zeitlich selektiven Abtrags herausgelöst werden. Nach gezielter Erzeugung bzw. Eingravierung eines lokal (typischerweise auf nm-Skala) variierenden Höhenprofils in das Substrat 705 wird eine reflektierende Vielfachschicht aufgedampft (z.B. ein Molybdän (Mo)/Silizium (Si)-Vielfachschichtsystem zur Reflexion von EUV-Strahlung), wobei die hierdurch entstehende Oberfläche die erwünschte Streuwirkung zeigt.
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Durch gezielte Ansteuerung der Ionenoptik kann die jeweils aufzurauende Position des Substrats 705 gezielt zur Erzeugung eines jeweils an jedem Ort gewünschten Abtrags abgerastert werden, wobei die Tiefe des erzeugten Abtrags über die Verweilzeit des Ionenstrahls auf dem jeweiligen Rasterpunkt, die Ionenzahl, die kinetische Energie der Ionen sowie den Strahldurchmesser kontrolliert werden kann.
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Des Weiteren kann zur Verkürzung der Schreibzeit sowie Begrenzung von zu verarbeitenden Datenmengen eine mäanderförmige Bewegung des Ionenstrahls (im Sinne eines zeilen- und spaltenweisen Abraster-Prozesses) realisiert werden. Dabei kann das erzeugte Höhenprofil des Substrats auch durch kontinuierliche Variation der Geschwindigkeit und/oder Dosis verändert werden. Des Weiteren können Strahldurchmesser und -form während des Abraster-Prozesses in gewünschter Weise variiert werden. Gemäß 8 kann zur Erzielung einer zweidimensionalen Streuwirkung der Ionenstrahl zunächst zeilenweise zwecks Eingravierung eines eindimensionalen Profils in x-Richtung (entlang des mit „801“ bezeichneten Bereichs) bewegt werden, woraufhin der Prozess anschließend spaltenweise zur Erzeugung eines eindimensionalen Profils in y-Richtung (entlang des mit „802“ bezeichneten Bereichs) wiederholt wird. Im Ergebnis wird so der mit „803“ bezeichnete Bereich abgerastert.
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Eine selektive Nachbearbeitung der Kanten des jeweils streuenden Bereiches kann ebenfalls unter Verwendung der vorstehend beschriebenen Ionenstrahlbearbeitungsanlage 700 erfolgen. Des Weiteren können auch Hilfsstrukturen zur Orientierung bzw. zum Auffinden von Strukturen auf der Oberfläche eingebracht werden.
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9 zeigt in lediglich schematischer Darstellung den möglichen Aufbau einer Vorrichtung zur Wellenfronterfassung.
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In 9 ist eine hinsichtlich ihrer Wellenfrontwirkung zu prüfende Abbildungsoptik mit „901“ bezeichnet. Dabei kann es sich insbesondere auch um ein Projektionsobjektiv oder auch ein beliebiges Teilsystem einer Beleuchtungseinrichtung oder eines Projektionsobjektivs einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage handeln.
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Zur Überprüfung der Wellenfrontwirkung dieser Abbildungsoptik 901 bzw. zur Analyse der Wellenfront einer diese Abbildungsoptik 901 durchlaufenden Lichtwelle weist die Anordnung gemäß 9 eine Beleuchtungsmaske 900 auf, durch welche Licht einer (nicht dargestellten) Lichtquelle in die Abbildungsoptik 901 eintritt und auf ein in Lichtausbreitungsrichtung (z-Richtung im eingezeichneten Koordinatensystem) nach der Abbildungsoptik 901 angeordnetes Beugungsgitter 902 auftrifft, welches auf einem mit „902a“ bezeichneten, für Licht der Arbeitswellenlänge hinreichend transparenten Substrat aufgebracht ist. Das an der Gitterstruktur des Beugungsgitters 902 in unterschiedliche Beugungsordnungen (z.B. 0-te, +1. und -1. Beugungsordnung) gebeugte Licht erzeugt in einer bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung nach dem Beugungsgitter 902 angeordneten (Auffang-)Ebene ein Interferenzmuster, dessen Auswertung im Falle einer Auflösung durch einen kamerabasierten Sensor 903 grundsätzlich eine Wellenfrontanalyse und damit einen Rückschluss auf die optische Wirkung bzw. Wellenfrontwirkung der Abbildungsoptik 901 und z.B. eine Justage der in der Abbildungsoptik 901 befindlichen optischen Komponenten zueinander ermöglicht.
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Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 10109929 A1 [0007]
- US 6940587 B2 [0007]
- US 7595931 B2 [0007]
- US 7388696 B2 [0007]
