TW486610B - Optical arrangement - Google Patents
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Description
五、發明說明(1) 本發明關於一種弁風姑7;丨 備,其特別有—長:j ’特別是一種微影印刷設 a)包含一光學元:狀像场或旋轉性非對稱照度, b )包含一投射光源,其 面因該投射光源之輻射 :對件之表 且包含-補償光供應壯m對柄方式起作用; 光使該光學元件内因浐對该光學元件供應補償 ,内口技射先及補償光對該光學元件之累穑 加熱而產生的溫度分佈至少部份均勻化。干儿件之累和 因光線以一旋轉性非斜 成像品質經常因旋轉性 ^ 之光學排列的 缺陷之成因舉例來像缺陷而受損。此等影像 ΞΪΓΓ:轉性非對稱光誘致加熱,'亦肇因於其他光绣致 :應如,密效應(compaction),此效 學 成像。質日士! 或折射率分佈。在需要高 成像口口貝日守,特別是如微影印刷 缺陷為不可容忍的。 斤τ上述先誘致影像 從—般性歐洲專利ΕΡ 〇 823 6 62 Α2號 屬 =頭所述類型之光學排列,其中藉由使用償光種:咅 補Ϊ i少部份減少此等影像缺陷。其藉由光學李统吸收 内溫度分佈均勻化而實現…;二= 元i邊唛?ΐ行於光學軸線通過未因投射光起作用之光學 徑受=域因&,可用於投影印刷之光學排列有效孔 轉合更^ Ξ n订於投射光之光學路徑的必要補償光輸入 更V致結構整合問題,因為必須將額外輪入耦合及/
第6頁 486610 五、發明說明(2) 或偏向元件插入且/或比鄰於投射光之光學路徑。 因此本發明之目的為開發一種屬於開頭所述類型之光 學排列,其中光學元件之溫度分佈可經由使用補償光且不 對可用孔徑造成不利影響而成為對稱且/或均勻化。 該目的依據本發明使補償光供應裝置經由光學元件之 周邊表面光學地耦合於後者而達成。
補償光經由周邊表面輸入耦合導致完全利用投射光之 光學排列孔徑的可能性,因為免除了由補償光束導引系統 造成之限制。由於此時投射光與補償光二者之光學路徑不 再相互比鄰或平行地延伸,光學排列可作結構性校正。此 :以邊表面可獨立於投射光所用光學表面設 ::便:^導引系統可獨立於投射光之導引系統作最 ί:於元件通常在垂直於光學軸線之維度具有比 輸入麵合:言通因此對經由周邊表面之 ^ , ^ Μ Α ^ ^ ^有較大材料距離可用於吸收補償 先、、、。果為在選擇補償光波長時有著較大 補償光供應裝置可包含一氺、、盾β =丨 " 由該光呢私Φ十^ , 先源及至少一條光纖,其中
於投射光^之朵:^供應至光學元件。假設使用一個獨立 、 “、 光/原,其可配置為與光學排列為★卩彳3® iV 合的結構設Ϊ,I甬! 光學元件周邊表面之輸入搞 大。來自光纖之導致光學排列之橫截面實質加 之一較大區域。,x政可運用於以補償光輻照光學元件 有利的是,可JL彳共=, /、 乂二條光纖且在每一情況中經由
486610 五、發明說明(3) 該至少二條光纖導弓丨之光線輸出.可 互獨立地調整。藉由此種在獨立光纖^ ^ 1装置相 佈有可能使光學元件内因吸收補光引=光線輪出分 償影像缺陷造成重大影響。 之溫度分佈對補 該控制裝置可對一監測該光學 有-通信鏈且可處理從該感測器接测器 *。依此方式得以調節成像品質,光線輪 器偵測到的成像品質變化。 動矯正由该感測 该感測器可為一位置靈敏感測 常便宜的設計取得,例如採取象測盜可以非 該感測器較佳為一CCD陣列。 ;^之成像品質有料敏感的判定。對光學 巧由使用習知影像處理演算法達成一較簡單構造之 波發良中,該補償光供應裝置包含-可變 ^時提供-額外自由度。假設使用一光源具有二1 5 2凋整,波長,光學元件材料之吸收係數在此波= 風,有顯著$化,則改變波長即有可能改變補償光穿 :兀件内之深度且因此使後者的溫度分佈有相應改變。 处可用之典型波長範圍為石英玻璃之長波吸收邊緣( 米)或是在1 40 0毫微米波長之加大内稟吸收範圍(此、、勺 波長例如可由磷化銦二極體雷射達到)。 在本發明之一後續改良中,將一用於使該至少一條光
486610 五、發明說明(4) 纖之末端朝 架。如此使 若使用一可 且替換的光 為了以 調整裝置。 之位置以及 面之距離。 佈有一額外 件内之溫度 該調整 有一通信鍵 的感測器有 保持元件的 正影像缺陷 光學元 (facets ) 引補償光。 補償光集中 可實現使入 於補償光的 學元件之周 件之周邊表 情況中,此 向光子=件的保持元件附加於一庳 光纖之輪出端相對於光學株士二兀件托 拆解地安裝之保持 可罪地定位。假 纖易於重新定位j ,則保證光纖易於更換 光學兀件之切線方向導引兮 此調整裝置可用於調;:弁:寺:件可提供-輸入耦合方向《者先轉合於光學元件 該等自由度容’光:輸,與光學元件周邊表 影響,且因此= 内之補償光的強度分 分佈產生影響⑼光之吸收而對該光學元 裝致動器,其對-控制裝置 一通信鏈且處理自:V則先學排列之聚焦面 位置。因此=::r收的信號以控制 。 透匕保持疋件之調整得以自動矯 件:表面可在補償光輸入區内具有小面 二能夠藉由補償光束在該處折射而導 该例如可為凸面使分散地入射於該處之 1+ 2 i面,倘若該等小面的形狀為凹形,則 m束發散。在凹形小面的曲率半徑相當 ^政又使補償光束以直角與小面交會時,在光 、表面叹有因折射造成之發散度影響。光學元 ,可在補侦光輸入區内為有紋理。在最簡單的 等紋理係由經過一般粗糙化研磨處理的光學元
件周邊表面提供。撞擊一有紋理 射,從而促進補償先右朵與—Q邊表面之補償光會漫 補償光束導引之A ^ 子7^牛内散佈。可設想用於影響 光學元件之方式。、孓門邊表面紋理,例如採取一繞射 在光源之發射波長大於4微米# ^ 償光。在該情況中,為了達到,呆:車父大直吸收補 m使用具較低光學輸出之光源。 (例如為透鏡或平行板形式此等折射光學元件 裝備。 y式為自知投影印刷設備之標準 另一種選擇, 反射型。由於反射 射光用鏡子亦會經 射之對稱性。當依 置耦合於其周邊表 陷亦可藉由補償光 現包含在一透明基 下文參照圖式 第一圖··一透鏡排 正;
光學7L件可為對投射光源之輻射而言 表面内之投射光殘餘吸收現象,此種 歷一熱貝獻’其實質上呈現以投射光 據本發明之鏡子設計為使補償光供應 面,則在此處由投射光引起之一影像 之吸收而補償之。此種鏡子之一典型 體上之一反射塗層。
洋細說明本發明之實施例,圖式中: 列之平面圖,其依據本發明經過影像 第二圖 第三圖 第四圖 第 與第-圖相似之另一型構造的局部平面圖; 與第二圖相似之另一型構造的局部平面圖;且 與第=圖相似之另一型構造的局部平面圖。 圖所示衫像矯正透鏡1為一微影印刷設備之光學
第10頁 486610 五、發明說明(6) __ 排列的局部。在投影印刷過程中,透鏡丨 起作用,該投射光束之矩形横截面區域 上射先束” 繪出。該橫截面區域之一長邊3對 二,中以虛線 2:1。 還4的長度比通常為 投射光束2為一圖中未示投鼾古 準分子雷射)之紫外光發射束。透"、= 一氬—氟化物 在投射光束2通過之透鏡表面以一羽兄=央玻璃製成。 塗層。 白知方式提供一抗反射 透鏡1安置於一托架5。為了將透於 者藉由一個從第一圖所示之背氏、兄”、、、口於托架5,後 螺旋環(圖中未示)夾住。二個支承部分6和7之 一環形基礎殼體8上成二者相向之圓(产°卩區刀形成於托架5之 分延伸大約90。之角度範圍。由二衣·^形式,每一部 内徑比透鏡1的直徑小,從而I 一支承。卩分6和7定義之 域讓透鏡1放上去。攸而產生二個支承部分6和7之區 投射光束2以使其橫截面區域之短、蠢 為朝向支承部分β和7之方式導入4短邊4在母一情況中皆 在基礎殼體8將支承部分β 、 %之二個9 〇。圓環區段内分你"區域封閉成完整圓 邊表面13的表面内銑出一個^二徑向相鄰於透鏡1之周 形導溝9。該導溝9構成鏡1之光學轴線共軸的弧 成於保持擋塊1 〇上之彈筈 j尾榫企口組合之局部,形 保持擋塊10依前述方式示)卡入其内。 内以切線方向移位,且光1 17在基礎殼體δ之導溝g區域 先纖丨1之末端以圖中未詳細顯示之 !^·ί·ι 第11頁 五、發明說明(7) 方式凌入保持擔塊1 0内。 文中Ξ:擋:1:: 一補償光供應裝置之局部,該装置在下 相向之保持計六個,保持擋塊10 (排列成三群兩兩 之末端鱼复=二)中的每一擋塊而言,分別有—光纖U 透鏡】之周邊端出現之光束12撞擊並穿入 軸線成直角地二光束12係對投射光照射之光學 光束以下將光束12稱為橫向光束12。橫向 長大於4微米且在用以製造透鏡1之石英玻璃的 光纖Π係由一玻璃材料製成 波長不會呈現任何明顯吸收:成蝴+對檢向光束u之 束。輸入端聯合成一輸入保持擔塊“内之光纖 光予輸出分佈器1 5輸入保持$嫌j 4 ,'、 -光學輸出分佈器15, :=塊14之連接上游端為 二’該輸入光束之輸出映照:;; = = =之輸 相伴於各光纖u之光= 化”分佈例如可藉由將 適當遽光片達成,或:是目伴於光纖11之 影響叙合於各光纖η之輸入光束二;:::輸入調整去 輸入光束1 6係由一紅外光源( 、 貝 藉助於成像光學件18映照於光: 錯輸出分佈器15和雷㈣對一輪:以二 鏈。後者對_印刷控制電路2〇有 路19有一通信 路自-感測器排列21接收信號,該:该印刷控制電 α測益排列舉例來說可 五 發明說明(8) 為—維C C D陣列。 透鏡1之影像矯正係以 藉助於在透鏡i之區域内;:式達成: 射光束2,透鏡1因其材料對浐、f —矩形橫截面區域的投 而加熱。因該加熱造二八=束2之波長的殘餘吸收 透鏡1内之光通道對稱性佈最初呈現投射光束2在 藉助於經由透鏡丨之 吏透鏡1之成像性質改變。 同樣因光線吸收而傳人一後/面饋人的橫向光束12, 之材料對大於或等於4微米之另波、貝I獻。」然而,由於透鏡1 光束12僅穿入透鏡Μ達一指=有…能力,橫向 投射光束_照之|^ % / X其通吊不會到達由 之熱特別出現在位於投射光束2:? 因此,透鏡i内因該埶貢之透鏡1側面區域内。 之^狀# A rft ^剧出、波長以及橫向光束12在透鏡1内 透鏡1由橫向光束12額外加熱之目的 佈开心又r卜、蓄,化且/或在該透鏡内達到—預選溫度分 佈形狀。如此導致可控制的成像性質。 以:驗數值為基礎選擇該等參數以便藉由因投射光束 篆餘吸收及橫向光束12之有目的吸收所造成的熱貢獻 f透鏡1内產生一盡可能均勻的溫度分佈。該溫度分佈均 二匕理想地使透鏡1在投影印刷過程中之殘餘吸收誘致 像缺陷除去。 “ 該投影印刷設備之光學排列的成像品質由感測器排列
4獅川
21監測,該感測器排列位在該光學排列之— 用習知影像操取演算法特別針對影像缺陷之出二:二 測器排mi擷取的影像。此評估在—運算估由$ 單το為印刷控制電路2 〇之一部份。 進订’ ^ 以依前述方式取得之成像品質為基礎,印 20為各橫向光束12之輸出指派定點值以藉由投射^束2和 ==幻2之組合吸收在透鏡^達到最佳可行μ
?:光束12之輸出的定點值由印刷控制電路2〇中繼至 輸出H器15 ’該分佈器在各條光纖u中造成輸入e 之一相應輸出分佈。 、—對於個體雷射17排列亦可想見其他替代方案,其中使 用稷數個光源發出橫向光束丨2。更明確地說,可針對每一 條光纖11伴有-獨立光源。然後在各光纖丄i間之輸出分佈 耩由相^光源之驅動件的適當激勵而實現。 一 k向光束1 2之光線輸出的輸出變化導致該橫向光束 1 2在透鏡1内之文吸收光線量有一相應變化。因此,可藉 由耦〇於透鏡1之六道橫向光束12中的輸出分佈使透鏡 之溫度分佈形狀受到影響。經由以感測器排列2丨所測得成 像品質為基礎之反饋有可能在一反覆程序中調整一溫度分 佈從而使透鏡1之影像缺陷減至最少。 溫度分佈之造型(taping )的另一自由度係由保持 擒塊10沿導溝9之位移以及橫向光束12之疊加結構之一相 應變化提供。
第14頁 486610 五、發明說明(ίο) 在一圖中未示替代構造中,保持擋塊10沿導溝9之位 移可以一馬達驅動方式實行。當保持擋塊1〇之此種馬達驅 動位移同樣地經由印刷控制電路2〇開始,即為透鏡1内溫 度分佈之造型產生可自動調整自由纟。橫向光束12之輸入 :以的此種?行調整,地可由印刷控制電路2〇依據感測 為排列2 1之评估後測$資料控制之。 橫向光束12的數量可視所需影像矯正之準確度標準而 f。舉例來說’可想見僅使用兩道横向光束12相互反向地 摩馬合於透鏡1之周邊表面13。 在最簡單的,清況中,在橫向光束! 2離開光纖1 1麵合之 ^不再發生後續造型。然後橫向光束丨2以發散光束穿入 之周邊表面13 ’其中該等光束之發散度在透則之材料 2因周邊表面13處的折射而在一垂直於透鏡】光學軸線的 平面(第一圖之圖示平面)内縮小,該等周邊表面的 如同一凸透鏡。 、土 ΐ邊ΐ面13可經特殊處理以使橫向光束12之輸入耦合 :仏 為達到一最佳輸入耦合效率,周邊表面1 3舉例來 况可有一針對二極體雷射丨7發射波長範圍之抗反射塗層。 為了加大輸入橫向光束丨2的發散度且藉以使二 分佈更均勻,周邊表面13亦可為有紋理: ,杈向先束12在周邊表面13之紋理漫射。此漫射效 ,說I藉由習知透鏡之典型粗糙化研磨處理周邊表面達 、。藉由周邊表面上之紋理尺寸和分佈可有目的地、、惑 射效果。 荩又
第15頁 486610
五、發明說明(π) 另一方面,透鏡1内之溫度分佈的有目的調整可用π 使該透鏡的成像性質最佳化。另一種選巧"了用於 透鏡1内之溫度分佈使因此造成之透鏡i成像:所3調整 償整個光學排列的影像缺陷。為此之故, =:用於補 12的協助下,蓄意地對因投射光束2 兩尹、向光束 也, ^ t歹欠餘吸收造成的士 了、、效果過度補償。前述藉由感測器排列21進行之口 溫度分佈反覆調整為投影印刷設備光學排列之其他=與内一 件之影像缺陷之此種補償的一個實例,因為監測光學:= 之聚焦面使得投影印刷設備的整體成像品質最佳化。 為了造型橫向光束112和212,透鏡ΐ(π*1〇2可依第二 圖和第三圖所示方式琢面。該等替代構造中與第一圖相^ 的結構元件分別載以第一圖之參考數字加上丨〇 〇和2 〇 〇且 再詳細說明。 在第二圖中,透鏡1〇1之周邊表面113具有凸形小面 1 2 2 ’該等小面與相應橫向光束丨丨2結合使後者在小面丨2 2 區域内穿入透鏡1〇1内。小面122在一垂直於透鏡1〇1之光 學軸線的平面(第二圖和第三圖之圖示平面)以及與此平 面垂直且内含相應小面丨22中心的子午面内凸圓地拱起。 橫向光束112因小面122之凸度而在進入後者之後比第 一圖所示無小面情況更為集中。橫向光束11 2之集中尚因 在與第二圖成直角之平面内的小面122而實現。 該較大集中度導致在透鏡101内之橫向光束112相應集 中’從而使橫向光束1 1 2之疊加區域改變形狀且因此使透 鏡101内因吸收橫向光束112造成的溫度分佈改變。
第16頁 486610 五、發明說明(12) 第三圖所示凹形小面223 (前接 適當地配合橫向光束212之輸出發吟:小面223之曲率半徑 散度在進入透鏡2 〇 1内後維持實際^ ^修改)使該輸出發 形小面垂直於橫向光束2 1 2之發射古改變,因為該等凹 不會發生折射。是以透鏡2〇 j内 ° =因此在該等小面 之區域比起第一圖和第二圖所示 松向光束212而加熱 以-大於4微米且受透鏡材料^兄為旦加大。、 一紅外光源,有可能使用透鏡材料具里 之波/長取代 長的光源。此等光源可在市面 ^又_ n收係數之波 -個具有此種光源之實施例取得。 中與第-圖相同的結構元件載n。該替代構造 且不再詳細說明。+載以圖之參考數字加上 此處之雷射為磷化銦二極體 入光束316的波長約為1 400 由忒每射發出之輸 3〇1呈現-加大内禀吸收率;:t吸==璃製透鏡 =4微米之波長的吸收率 该雷;之溫度變化而在-指定範圍内調整。長了I由 光束3〇2以内:G = ;f區域内重疊,該區域在投射 把。心似、 八本身不影響溫度分佈之旋轉性非釾獾 束3 °1 2^域迎達的成轴對稱性係由在投射光束3 G 2以外的橫向光 改變鏡皮材長,化導致橫向光束 在“透鏡材料之情況中,材料的吸收比隨波 486610 五、發明說明U3) 長而異。 波長之定點值由印刷控制電路320中繼至二極體雷射 3 1 7。二極體雷射3 1 7之溫度係用於依據該定點選擇調整發 射波長。 經由调整檢向光束3 1 2之總輸出和波長以及調整搞合 於透鏡301之/、道向光束312中的輸出分佈,可'"影變透鏡 3 〇 1内之/jDL度为佈形狀。經由以感測器排列3 2 1所測得成像 品質為基礎之反饋,可依與第一圖實施例所述相同之方式 在/反覆私序中調整一溫度分佈使透鏡3 〇丨之影像缺陷減 至最少。 有可能使用對投射光束2和30 2而言為反射性之光學元 件(亦即鏡子)取代透鏡1、1〇1、2〇1和3〇1。該鏡子有一 塗層反射投射光束,例如施加於一基體上之一多層式干擾 塗^或一金屬塗層,其對補償光束而言為透明且橫向光束 以前述方^耦合於其内。一典型基體材料為Zer〇dur,其 光學透明範圍為400毫微米至2500毫微米且對2500毫微米 以上波長有一加大光學吸收率區。
486610 圖式簡單說明 1、 101、102、301 :透鏡 2、 3 0 2 :投射光束 3 :長邊 4 :短邊 5 :托架 6、7 :支承部分 8 :環形基礎殼體 9 :導溝 I 0 :保持擋塊 II :光纖 12、 112、212、312 :橫向光束 13、 113 :周邊表面 14 :輸入保持擋塊 1 5 :光學輸出分佈器 16、316 :輸入光束 17 雷射 18 成像光學件 19 輸出控制電路 2 0、3 2 0 :印刷控制電路 21 :感測器排列 1 2 2 :凸形小面 223 :凹形小面 3 1 7 :二極體雷射
第19頁
Claims (1)
- 486610 Η 修正 案號 8Q1MR4fi 六、申請專利範圍 1· 一種光學排列,特別是一種微影投g印刷設備,特別是 有一長孔狀像場或旋轉性非對稱照度, a) 包含一光學元件; b) 包含一投射光源,其發出輻射,其中該光學元件之表面 因該投射光源之輻射而以一旋轉性非對稱方式起作用; c) 且包含一補償光供應裝置,其對該光學元件供應補償光 使該光學元件内因投射光及構償光對該光學元件之累積加 熱而產生的溫度分佈至少部份均勻化;其中: 該補償光供應裝置(11,14至19 ; 1 11 ; 21 1 ; 311 ; 314至 319)經由該光學元件(l;i〇i;2〇i;3〇i )之周邊表面 (13;113;213;313 )光學地耗合於後者。 2 ·如申請專利範圍第1項之光學排列,其中該補彳賞光供應 裝置(11,14至19;111;211;311;314至319)包含一光源 (1 7 ; 3 1 7 )及至少一條光纖(11 ; 1 1! ; 2 11 ; 3 11 ),其中 由該光源(1 7 ; 3 1 7 )發出之輻射(1 6 ; 3 1 6 )供應至該光學 元件(1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )。 3 ·如申請專利範圍第2項之光學排列,其中一用於使該至 少一條光纖(11 ; 111 ; 2 11 ; 3 11 )之末端朝向該光學元件 (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )的保持元件(1 〇 ; 11 〇 ; 21 〇 ; 3 1 0 )附加 於一光學元件(1 ; 101 ; 201 ; 301 )用托架 (5;105;205;305 )。 4.如申請專利範圍第3項之光學排列,其中具備一調整裝 置(9 ; 1 0 9 ; 2 0 9 ; 3 0 9 )用來以該光學元件(1 ; 1 〇 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )之切線方向導引該保持元件(1 〇 ; 11 〇 ;P1476.ptc2001.06.22.020 486610 _案號89122846 年(;貝/日 修,下一_ 六、申請專利範圍 210;310 )。 5 ·如申請專利範圍第4項之光學排列,其中具備一調整裳 置(9 ; 1 0 9 ; 2 0 9 ; 3 0 9 )用馬達驅動致動器,其對一控制裝 置有一通信鏈,然後該控制裝置對一監測該光學排列之聚 焦面的感測器有一通信鏈且處理自該感測器接收的信號以 控制該保持元件(1 0 ; 11 0 ; 2 1 0 ; 3 1 0 )的位置。 U 6 ·如申請專利範圍第2項之光學排列,其中具備至少二條 光纖(11;111;211;311 )且其中在每一情況中通過該至"少 二條光纖(11 ; 1 1 1 ; 2 1 1 ; 3 11 )導引之光線輸出可藉由一控 制裝置(1 9 ; 3 1 9 )相互獨立地調整。 7 ·如申請專利範圍第6項之光學排列,其中一用於使該至 少一條光纖(11;111;211;311 )之末端朝向該光學元^ (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )的保持元件(1 〇 ; 11 〇 ; 2 1 〇 ; 3 1 〇 )附加 於一光學元件(1;1〇1;201; 301)用托架 (5;105;205;305)。 8 ·如申凊專利範圍第7項之光學排列,其中具備一調整裝 置(9;109;2 0 9;309 )用來以該光學元件(1;1〇1; " 201 ; 301 )之切線方向導引該保持元件(1〇 ; i 1〇 ·, 210;310 )。 ’ ’ 9·如申請專利範圍第8項之光學排列,其中具備一調整裂 置(9 ; 1 〇 9 ; 2 0 9 ; 3 0 9 )用馬達驅動致動器,其對一控制= 置有一通信鏈,然後該控制裝置對一監測該光學排列之衣 ^ 焦面的感測器有一通信鏈且處理自該感測器接收的信號= 控制該保持元件(1 〇 ;丨丨〇 ; 2丨〇 ; 3丨〇 )的位置。 〜PI476.ptc 第21頁 2001.06.22.02! 486610_____案號 89122R4R 六、申請專利範圍 I 0 ·如申請專利範圍第6項之光學排列’其中該控制裝置 (1 9 ; 3 1 9 )對一監測該光學排列之聚焦面的感測器 (21 ; 321 )有一通信鏈且處理自該感測器(21 ; 321 )接收 之说以控制光線輸出。 II ·如申請專利範圍第1 0項之光學排列,其中該感測器 (2 1 ; 3 2 1 )為一位置靈敏感測器。 1 2 ·如申請專利範圍第11項之光學排列,其中該感測器 (21;321 )為一CCD 陣列。 1 3 ·如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之光學排列,其中 該光學元件(1〇1 ; 201 )之周邊表面(113, 213 )在補償光 輸入區具有小面(122,223 )。 1 4 ·如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之光學排列,其中 該光學元件(1 ; 1〇1 ; 201 ; 301 )之周邊表面(13 ; 1 13 ; 2 1 3 ; 3 1 3 )在補償光輸入區為有紋理。 15·如申凊專利範圍第1至1 2項中任一項之光學排列,其 中該光源(17 )之發射波長大於4微米。 /、 16·如申請專利範圍第1至12項中任一項之光學排列,直 中該光學,件(1;101;201;301)為一折射光學 1 7二如申睛專利範圍第1至1 2項中任一項之光學排列,其 中該光學元件對該投射光源(17;317 )之輻射而言為反射 性0 V 項之光學 11 ;211 ;311 ; 18·如申請專利範圍第1、2、6及 排列,其中該補償光供應裝置(l^T至19 一 3 1 4至3 1 9 )包含—可變波長之光源(1 7 ; 31 7 )PI476.ptc第22頁 2001.06.22. 022 486610 案號 89122846__句(3年乙月 曰_修正 六、申請專利範圍 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之光學排列,其中該光學元件 (101;201 )之周邊表面(113,213 )在補償光輸入區具有 小面(1 2 2,2 2 3 )。 20·如申請專利範圍第丨9項之光學排列,其中該光學元件 (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )之周邊表面(;[3 ; i} 3 ; 2 1 3 ; 3 1 3 )在補 償光輸入區為有紋理。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項之光學排列,其中該光源 (1 7 )之發射波長大於4微米。 2 2 ·如申請專利範圍第丨9項之光學排列,其中該光學元件 (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )為一折射光學元件。 23·如申請專利範圍第丨9項中之光學排列,其中該光學元 件對該投射光源(1 7 ; 3 1 7 )之輻射而言為反射性。 2 4 ·如申請專利範圍中第丨8項之光學排列,其中該光學元 件(1;101;201;301 )之周邊表面(13;113; 213;313)在 補償光輸入區為有紋理。 2 5.如以上申請專利範圍第2 4項之光學排列,其中該光源 (17 )之發射波長大於4微米。 26.如申請專利範圍中第24項之光學排列,其中該光學元 件(1;1〇/;201;301 )為一折射光學元件。 2^如申凊專利範圍第2 4項中之光學排列,其中該光學元 :對該投射光源(17;317 )之輻射而言為反射性。 28. 如申請專利範圍第18項之光學排列,其中該光源 (1 7 )之發射波長大於4微米。 29. 如申請專利範圍第28項之光學排列,其中該光學元件PI476.ptc 第23頁 2001.06.22. 023 486610 _案號 89122846 ?〇 年 6 月 / 日_^_ 六、申請專利範圍 (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )為一折射光學元件。 3 0 ·如申請專利範圍第2 8項之光學排列,其中該光學元件 對該投射光源(1 7 ; 3 1 7 )之輻射而言為反射性。 3 1 ·如申請專利範圍第1 8項之光學排列,其中該光學元件 (1 ; 1 0 1 ; 2 0 1 ; 3 0 1 )為一折射光學元件。 3 2 ·如申請專利範圍第1 8項之光學排列,其中該光學元件 對該投射光源(1 7 ; 3 1 7 )之輻射而言為反射性。PI476.ptc 2001.06. 22.024 第24頁
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW486610B true TW486610B (en) | 2002-05-11 |
Family
ID=7626782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089122846A TW486610B (en) | 2000-01-05 | 2000-12-18 | Optical arrangement |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6504597B2 (zh) |
JP (1) | JP4612945B2 (zh) |
DE (1) | DE10000191B8 (zh) |
TW (1) | TW486610B (zh) |
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DE10000191B8 (de) | 2005-10-06 |
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