JP2001183836A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001183836A5
JP2001183836A5 JP1999364726A JP36472699A JP2001183836A5 JP 2001183836 A5 JP2001183836 A5 JP 2001183836A5 JP 1999364726 A JP1999364726 A JP 1999364726A JP 36472699 A JP36472699 A JP 36472699A JP 2001183836 A5 JP2001183836 A5 JP 2001183836A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
resin
development
layer
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999364726A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2001183836A (ja
JP4453138B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP36472699A external-priority patent/JP4453138B2/ja
Priority to JP36472699A priority Critical patent/JP4453138B2/ja
Priority to DE10063064A priority patent/DE10063064A1/de
Priority to TW089127065A priority patent/TWI227378B/zh
Priority to KR1020000079000A priority patent/KR100750815B1/ko
Priority to GB0031072A priority patent/GB2358256B/en
Priority to US09/741,438 priority patent/US6495306B2/en
Publication of JP2001183836A publication Critical patent/JP2001183836A/ja
Publication of JP2001183836A5 publication Critical patent/JP2001183836A5/ja
Publication of JP4453138B2 publication Critical patent/JP4453138B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP36472699A 1999-12-22 1999-12-22 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 Expired - Fee Related JP4453138B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36472699A JP4453138B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
DE10063064A DE10063064A1 (de) 1999-12-22 2000-12-18 Chemisch verstärkte positiv arbeitende Resistzusammensetzung
TW089127065A TWI227378B (en) 1999-12-22 2000-12-18 Chemically amplified positive resist composition
GB0031072A GB2358256B (en) 1999-12-22 2000-12-20 Chemically amplified positive resist composition
KR1020000079000A KR100750815B1 (ko) 1999-12-22 2000-12-20 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물
US09/741,438 US6495306B2 (en) 1999-12-22 2000-12-21 Chemically amplified positive resist composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36472699A JP4453138B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001183836A JP2001183836A (ja) 2001-07-06
JP2001183836A5 true JP2001183836A5 (enExample) 2006-12-14
JP4453138B2 JP4453138B2 (ja) 2010-04-21

Family

ID=18482519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36472699A Expired - Fee Related JP4453138B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6495306B2 (enExample)
JP (1) JP4453138B2 (enExample)
KR (1) KR100750815B1 (enExample)
DE (1) DE10063064A1 (enExample)
GB (1) GB2358256B (enExample)
TW (1) TWI227378B (enExample)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100498440B1 (ko) * 1999-11-23 2005-07-01 삼성전자주식회사 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를포함하는 레지스트 조성물
JP4529245B2 (ja) * 1999-12-03 2010-08-25 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4329214B2 (ja) * 2000-03-28 2009-09-09 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4576737B2 (ja) * 2000-06-09 2010-11-10 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP2002030118A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法
US6727039B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
TW538316B (en) * 2001-01-19 2003-06-21 Sumitomo Chemical Co Chemical amplifying type positive resist composition
JP2002357905A (ja) * 2001-03-28 2002-12-13 Sumitomo Chem Co Ltd レジスト組成物
TWI272452B (en) 2001-06-12 2007-02-01 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
US6844133B2 (en) * 2001-08-31 2005-01-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
JP3841399B2 (ja) 2002-02-21 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US7160669B2 (en) * 2002-10-16 2007-01-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Chemical amplification type resist composition
CN100576076C (zh) * 2002-12-26 2009-12-30 东京应化工业株式会社 正性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
JP4434762B2 (ja) 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物
JP2005099646A (ja) 2003-03-28 2005-04-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
JP2004333548A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4772288B2 (ja) 2003-06-05 2011-09-14 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2005010488A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP4092571B2 (ja) * 2003-08-05 2008-05-28 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
EP1666971A1 (en) * 2003-09-25 2006-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist laminate for low-acceleration electron beam and method of pattern formation
US7488565B2 (en) * 2003-10-01 2009-02-10 Chevron U.S.A. Inc. Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives
JP4188265B2 (ja) * 2003-10-23 2008-11-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2005164633A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4279237B2 (ja) * 2004-05-28 2009-06-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2005344009A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2007003619A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いる化合物
US7927779B2 (en) * 2005-06-30 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Companym, Ltd. Water mark defect prevention for immersion lithography
JP4695941B2 (ja) * 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7776510B2 (en) * 2007-06-13 2010-08-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
JP5523854B2 (ja) * 2009-02-06 2014-06-18 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
WO2011125630A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 三菱瓦斯化学株式会社 アダマンチル（メタ）アクリル系モノマー及びそれを繰り返し単位に含む（メタ）アクリル系重合体

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3546679B2 (ja) * 1997-01-29 2004-07-28 住友化学工業株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US6042991A (en) * 1997-02-18 2000-03-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
JP3948795B2 (ja) * 1997-09-30 2007-07-25 ダイセル化学工業株式会社 放射線感光材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP3972438B2 (ja) * 1998-01-26 2007-09-05 住友化学株式会社 化学増幅型のポジ型レジスト組成物
JP3738562B2 (ja) * 1998-02-19 2006-01-25 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4434358B2 (ja) * 1998-05-25 2010-03-17 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物
KR100547078B1 (ko) * 1998-05-25 2006-01-31 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토레지스트용 화합물 및 포토레지스트용 수지 조성물
EP1000924A4 (en) * 1998-05-25 2005-01-05 Daicel Chem ACID SENSITIVE COMPOUND AND RESIN COMPOSITION FOR PHOTORESIN
JP3810957B2 (ja) * 1998-08-06 2006-08-16 株式会社東芝 レジスト用樹脂、レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP3876571B2 (ja) * 1998-08-26 2007-01-31 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
KR100574574B1 (ko) * 1998-08-26 2006-04-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
US6303266B1 (en) * 1998-09-24 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same
JP3890380B2 (ja) * 1999-05-28 2007-03-07 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP4585636B2 (ja) * 1999-09-30 2010-11-24 ダイセル化学工業株式会社 アクリル系単量体の重合方法
JP2002006501A (ja) * 1999-11-09 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001183836A5 (enExample)
US6537726B2 (en) Chemically amplified positive resist composition
KR100574574B1 (ko) 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
US4738915A (en) Positive-working O-quinone diazide photoresist composition with 2,3,4-trihydroxybenzophenone
US5272042A (en) Positive photoresist system for near-UV to visible imaging
US4356255A (en) Photosensitive members and a process for forming patterns using the same
JP3876571B2 (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4453138B2 (ja) 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP3743187B2 (ja) フォトレジスト組成物
JPH05249683A (ja) 感放射線性組成物
JP3546687B2 (ja) フォトレジスト組成物
US6492089B2 (en) Polymer, resist composition and patterning process
JPH08262717A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP4686367B2 (ja) ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JPH07333840A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
EP0909992B1 (en) Water-soluble photoresist composition
US6171749B1 (en) Negative-working chemical-amplification photoresist composition
JP4178337B2 (ja) 水溶性フォトレジスト組成物のパターン形成方法
TW500979B (en) Photoresist compositions with cyclic olefin polymers and additives, patterned photoresist structure, and the method of forming the same
JPH05255216A (ja) α，β−不飽和カルボキサミド単位を有する重合体結合剤を含有する放射線感応性混合物
Crivello et al. Deep-UV chemically amplified dissolution-inhibited photoresists
JPH10301268A (ja) 反射防止膜材料
JPH08240911A (ja) 感放射線性樹脂組成物
US6416930B2 (en) Composition for lithographic anti-reflection coating, and resist laminate using the same
JP2003195506A (ja) 化学増幅型レジスト組成物