JP2001172225A - 新規カルボン酸誘導体を成分化合物とする分子化合物 - Google Patents
新規カルボン酸誘導体を成分化合物とする分子化合物Info
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Abstract
化、徐放化、粉末化などの技術分野において優れた性能
を示す新規な分子化合物を提供すること。 【解決手段】 一般式(I)又は(II)[式中、Xは、
(CH2)n 又はp−フェニレン基を表し、nは、0、
1、2又は3であり、R1〜R8及びR13〜R20は、それ
ぞれ水素原子、C1〜C6のアルキル基、C2〜C4の
アルケニル基、C1〜C6のアルキル基で置換されてい
てもよいフェニル基、ハロゲン原子又はC1〜C6のア
ルコキシ基を示し、R9〜R12及びR21〜R24は、それ
ぞれ水素原子、C1〜C6のアルキル基、C2〜C4の
アルケニル基、C7〜C12のアラルキル基、アルカリ
金属を示す]で表されるカルボン酸誘導体を成分化合物
とする分子化合物を製造する。 【化1】 【化2】
Description
導体、該カルボン酸誘導体を成分化合物とする分子化合
物等に関し、より詳しくは、新規なテトラキスフェニル
骨格を有するカルボン酸誘導体及び該カルボン酸誘導体
の製造方法、該カルボン酸誘導体を成分化合物とする分
子化合物及びその製造方法、並びに該カルボン酸誘導体
を配位子とする配位化合物に関する。
結合やファンデルワールス力などに代表される、共有結
合以外の比較的弱い相互作用によって結合した化合物で
あり、簡単な操作によってもとの各成分化合物に解離す
る性質を有することから、近年、有用物質の選択分離、
化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化などの技術分
野における応用が期待されている。
物が挙げられ、例えば特開昭61−53201号公報に
は、1,1,6,6,−テトラフェニル−2,4−ヘキ
サジイン−1,6−ジオール又は1,1−ジ(2,4−
ジメチルフェニル)−2−プロピン−1−オール、特開
昭62−22701号公報には、1,1′−ビス−2−
ナフトールとそれぞれ、5−クロロ−2−メチル−4−
イソチアゾリン−3−オン等との包接化合物が記載され
ている。また、特開平3−279373号公報には、ビ
スフェノール系化合物とイソチアゾロン系化合物との包
接化合物が報告されている。更に、特開平6−1666
46号公報にはテトラキスフェノール類と種々の有機化
合物との包接化合物が開示されている。
は熱やpHなどの外的要因の変化により壊れやすい、溶
液中では容易に解離してしまうなどの問題点から、選択
分離、化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化等にお
いて十分満足できる性能を持った分子化合物は未だ見い
出されていない。
学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化などの技術分野
において優れた性能を示す、テトラキスフェニル骨格を
有するカルボン酸誘導体を成分化合物とする新規な分子
化合物や、個体触媒として有用な新規配位化合物を提供
することにある。
解決すべく鋭意研究をした結果、二点相互作用により剛
直な水素結合を形成するカルボキシル基が発散的に配置
された特定のテトラキスフェニル骨格を有するカルボン
酸誘導体を成分化合物とする分子化合物が有用物質の選
択分離、化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化等の
技術分野において極めて優れた性能を示すことを見出
し、本発明を完成した。
一般式(II)[式(I)及び(II)中、Xは、(C
H2)n 又はp−フェニレン基を表し、nは、0、1、2
又は3であり、R1〜R8及びR13〜R20は、それぞれ水
素原子、C1〜C6のアルキル基、C2〜C4のアルケ
ニル基、C1〜C6のアルキル基で置換されていてもよ
いフェニル基、ハロゲン原子またはC1〜C6のアルコ
キシ基を示し、R9〜R12及びR21〜R24は、それぞれ
水素原子、C1〜C6のアルキル基、C2〜C4のアル
ケニル基、C7〜C12のアラルキル基、アルカリ金属
を示す。]で表されるカルボン酸誘導体に関する。
般式(IV)[式(III)及び(IV)中、R25〜R32及び
R35〜R42は、それぞれ水素原子、C1〜C6のアルキ
ル基、C2〜C4のアルケニル基、C1〜C6のアルキ
ル基で置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子
またはC1〜C6のアルコキシ基を示し、R33、R34、
R43及びR44は、それぞれ水素原子、C1〜C6のアル
キル基、C2〜C4のアルケニル基、C7〜C12のア
ラルキル基、アルカリ金属を示す。]で表される上記の
カルボン酸誘導体に関する。
キシフェニル)ケトン誘導体又は1,1−ビス(4−カ
ルボキシフェニル)ケトン誘導体を使用することを特徴
とする上記一般式(I)又は一般式(II)、特に一般式
(III)又は一般式(IV)で表されるカルボン酸誘導体
の製造方法に関する。
式(II)、特に一般式(III)又は一般式(IV)で表さ
れるカルボン酸誘導体を成分化合物とする包接化合物等
の分子化合物や、該カルボン酸誘導体と、該カルボン酸
誘導体と反応して分子化合物を形成する抗菌剤、抗カビ
剤、殺虫剤、害虫忌避剤、香料、脱臭・消臭剤、防汚
剤、塗料・樹脂・接着剤用硬化剤及び硬化促進剤、天然
精油、酸化防止剤、加硫促進剤又は有機溶媒とを成分化
合物とする上記包接化合物等の分子化合物や、これら上
記いずれかの分子化合物の製造方法に関する。
般式(II)で表され、それら式中のR9〜R12及びR21
〜R24が水素原子又はアルカリ金属であるカルボン酸誘
導体を配位子とする配位化合物に関する。
単独で安定に存在することのできる化合物の二種以上の
成分化合物が水素結合やファンデルワールス力などに代
表される共有結合以外の比較的弱い相互作用によって結
合した化合物であり、水化物、溶媒化物、付加化合物、
包接化合物などが含まれる。
般式(III)及び一般式(IV)で表されるカルボン酸誘
導体において、R1〜R8、R13〜R20、R25〜R32及び
R35〜R42で表される置換基としては、例えば、水素原
子、メチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ヘキシル
基、シクロヘキシル基等の直鎖、分岐又は環状のC1〜
C6のアルキル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニ
ル基、1−プロペニル基、2−ブテニル基、3−ブテニ
ル基、1,3−ブタジエニル基等のC2〜C4のアルケ
ニル基、フェニル基、p−メチルフェニル等のC1〜C
6のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン
原子、メトキシ基、エトキシ基、t−ブトキシ基等のC
1〜C6のアルコキシ基などを具体的に挙げることがで
きる。
I)、一般式(III)及び一般式(IV)で表されるカルボ
ン酸誘導体において、R9〜R12、R21〜R24、R33、
R34、R43及びR44で表される置換基としては、例え
ば、水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、
n−ブチル基等のC1〜C6のアルキル基、ビニル基、
アリル基、イソプロペニル基、1−プロペニル基、2−
ブテニル基、3−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基
等のC2〜C4のアルケニル基、ベンジル基等のアラル
キル基、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属原子
を具体的に挙げることができる。
(II)で表されるカルボン酸誘導体のうち、有用物質の
選択分離、化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化な
どの性能の点から、特に一般式(III)又一般式(IV)
で表されるテトラキスカルボキシフェニルエタン及びそ
の誘導体が好ましい。
ート類としては、例えば、テトラキス(4−カルボキシ
フェニル)エタン、テトラキス(4−カルボキシフェニ
ル)エタンテトラメチルエステル、テトラキス(4−カ
ルボキシフェニル)エタンテトラエチルエステル、テト
ラキス(4−カルボキシフェニル)エタンテトラn-プロ
ピルエステル、テトラキス(4−カルボキシフェニル)
エタンテトラベンジルエステル、テトラキス(3,5−
ジメチル−4−カルボキシフェニル)エタン、テトラキ
ス(3,5−ジメチル−4−カルボキシフェニル)エタ
ンテトラメチルエステル、テトラキス(3,5−ジメチ
ル−4−カルボキシフェニル)エタンテトラエチルエス
テル、テトラキス(3,5−ジメチル−4−カルボキシ
フェニル)エタンテトラn-プロピルエステル、テトラキ
ス(3,5−ジメチル−4−カルボキシフェニル)エタ
ンテトラベンジルエステル、テトラキス(4−カルボキ
シフェニル)エタンテトラナトリウム塩、テトラキス
(4−カルボキシフェニル)エタンテトラカリウム塩、
テトラキス(3−カルボキシフェニル)エタン、テトラ
キス(3−カルボキシフェニル)エタンテトラメチルエ
ステル、テトラキス(3−カルボキシ−4,5−ジメチ
ルフェニル)エタン、テトラキス(3−カルボキシフェ
ニル)エタンテトラエチルエステル、テトラキス(3−
カルボキシフェニル)エタンテトラn−プロピルエステ
ル、テトラキス(3−カルボキシフェニル)エタンテト
ラベンジルエステル、テトラキス(3−カルボキシ−
4,5−ジメチルフェニル)エタン、テトラキス(3−
カルボキシ−4,5−ジメチルフェニル)エタンテトラ
メチルエステル、テトラキス(3−カルボキシ−4,5
−ジメチルフェニル)エタンテトラエチルエステル、テ
トラキス(3−カルボキシ−4,5−ジメチルフェニ
ル)エタンテトラn-プロピルエステル、テトラキス
(3,5−ジメチル−4−カルボキシフェニル)エタン
テトラベンジルエステル、テトラキス(3−カルボキシ
フェニル)エタンテトラナトリウム塩、テトラキス(3
−カルボキシフェニル)エタンテトラカリウム塩などを
挙げることができる。
−カルボキシフェニル)エタン誘導体のうち、R25とR
32、R26とR31、R27とR30、R28とR29が同一の置換
基である中心対称の場合のものについては、例えば以下
の反応工程(1)〜(5)により容易に製造される。また、
一般式(IV)で表されるテトラキス(3−カルボキシフ
ェニル)エタン誘導体のうちR35とR37、R36とR38、
R39とR41、R40とR 42が同一の置換基である中心対称
の場合のものに関しても出発原料に1, 1−ビス(3−カ
ルボキシフェニル)ケトン誘導体を用いることにより同
様の手法で製造することができる。
6のアルキル基、C2〜C4のアルケニル基、C7〜C
12のアラルキル基)に示されるように、1,1−ビス
(4−カルボキシフェニル)ケトン誘導体をメチルアル
コール、エチルアルコール等のアルコール、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの有機
溶媒もしくは水酸化ナトリウムなどの希アルカリ水溶液
に溶解させ、この溶液に還元剤を導入して室温又は加熱
条件下でケトンのカルボニル基のみを選択的にアルコー
ルに変換する。この際、還元剤としては比較的還元力の
弱い剤が好適に用いられ、特に水素化ホウ素ナトリウム
等が好ましい。反応温度は任意の温度で構わないが、室
温〜50℃の範囲が好ましい。
たアルコールの水酸基を脱離基であるハロゲン原子に変
換してハロゲン化物とする。ハロゲン化の際には通常、
塩素化、臭素化もしくは沃素化が行われるが、合成の容
易さと次の反応の容易さという観点から臭素化が最も好
適である。臭素化には48%臭化水素酸が好適に用いら
れ、臭化水素分でアルコールの5〜10倍当量を用いて
加熱条件で行う。この際、反応温度は90℃〜環流条件
の範囲が好ましい。また、アルコールが臭化水素酸に溶
解しない場合には、アルコール以外の親水性溶媒を用い
るのが好ましく、特に好ましくは酢酸などを用いる。
た臭化物のカルボキシル基をエステルの形にして保護す
る。この際、導入及び除去操作が簡便に行える、メチ
ル、エチルなどの簡単なC1〜C6のアルキルエステ
ル、又はベンジルエステルなどが好ましい。これらのエ
ステル化物は鉱酸触媒の存在下にカルボン酸と対応する
アルコールを反応させることにより得られるが、更に好
ましくは塩化チオニルを用いてカルボン酸塩化物とした
後に、アルコールと反応させる。すなわち臭化物と大過
剰の塩化チオニルの混合物を加熱条件下、好ましくは環
流条件下においてカルボン酸塩化物とする。
てメチルアルコール、エチルアルコールなどのアルコー
ルを用いて、塩基触媒のもとにエステル化反応を行う。
この際、塩基触媒としては弱塩基性アミンが好ましく、
より好ましくはトリエチルアミン、ピリジン等がよい。
反応温度は任意の温度で構わないが、室温〜40℃の範
囲が好ましい。
たハロゲン化アルキルのジエステル化物に脱水有機溶媒
中、加熱条件下で金属試薬を作用させて、Wurtz型
の縮合反応を行い、アルカンを生成する。この際、溶媒
としては酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、N,N−
ジメチルホルムアミドなどが好適に用いられ、金属試薬
としては亜鉛、マグネシウム、銅、鉄、鉛などが好まし
い。反応は加熱条件下が好ましく、より好ましくは環流
条件がよい。
ン酸に変換する場合には、アルコール、アセトン、1,
4−ジオキサン、N,N−ジメチルホルムアミドなどの
親水性有機溶媒中で、1M濃度程度の水酸化ナトリウム
水溶液を用いて反応を行う。この際、反応温度は任意の
温度で構わないが、好ましくは0℃〜40℃の範囲がよ
い。
ス(4−カルボキシフェニル)エタン誘導体のうち、非
対称である場合のものについては、次の反応式に示さ
れるように、異なる2種のジエステル体を上記(1)〜
(3)と同様の反応工程で合成し、反応工程(4)の手法で
それらを縮合した後、反応工程(5)の操作を行うことに
より製造することができる。また、一般式(IV)で表さ
れるテトラキス(3−カルボキシフェニル)エタン誘導
体のうち非対称である場合のものについても同様の手法
で製造することができる。なお、テトラキス(4−カル
ボキシフェニル)エタンの具体的な製造法は、後述の実
施例1において説明する。
(II)、特に一般式(III)又は一般式(IV)で表され
るカルボン酸誘導体と分子化合物を形成する物質は、か
かるカルボン酸誘導体と分子化合物を形成し得るもので
あればどのようなものでもよく、具体的には、水、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノー
ル、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、アリ
ルアルコール、プロパルギルアルコール、1,2−ブタ
ンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタン
ジオール、シクロヘキサンジオール、2−ブロモ−2−
ニトロプロパン−1,3−ジオール、2,2−ジブロモ
−2−ニトロエタノール、4−クロロフェニル−3−ヨ
ードプロパルギルホルマール等のアルコール類、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、n−ブチルアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フタル
アルデヒド、α−ブロムシンナムアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド等のアルデヒド類、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、ジブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセチルアセ
トン、2−ブロモ−4′−ヒドロキシアセトフェノン等
のケトン類、アセトニトリル、アクリロニトリル、n−
ブチロニトリル、マロノニトリル、フェニルアセトニト
リル、ベンゾニトリル、シアノピリジン、2,2−ジブ
ロモメチルグルタルニトリル、2,3,5,6−テトラ
クロロイソフタロニトリル、5−クロロ−2,4,6−
トリフルオロイソフタロニトリル、1,2−ジブロモ−
2,4−ジシアノブタン等のニトリル類、ジエチルエー
テル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、テトラヒドロピラン、ジオキソラン、トリオキサ
ン等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、n−ヘプチルアセテート、ビス−1,4−ブロモア
セトキシ−2−ブテン等のエステル類、ベンゼンスルホ
ンアミド等のスルホンアミド類、N−メチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジシアンジアミ
ド、ジブロムニトリルプロピオンアミド、2,2−ジブ
ロモ−3−ニトリロプロピオンアミド、N,N−ジエチ
ル−m−トルアミド等のアミド類、ジクロロメタン、ク
ロロホルム、ジクロロエチレン、テトラクロロエチレン
等のハロゲン化炭化水素、ε−カプロラクタム等のラク
タム類、ε−カプロラクトン等のラクトン類、アリール
グリシジルエーテル等のオキシラン類、モルホリン類、
フェノール、クレゾール、レゾルシノール、p−クロロ
−m−クレゾール等のフェノール類、ギ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、シュウ酸、クエン酸、アジピン酸、酒石酸、
安息香酸、フタル酸、サリチル酸等のカルボン酸類及び
チオカルボン酸類、スルファミン酸類、チオカルバミン
酸類、チオセミカルバジド類、尿素、フェニル尿素、ジ
フェニル尿素、チオ尿素、フェニルチオ尿素、ジフェニ
ルチオ尿素、N,N−ジメチルジクロロフェニル尿素等
の尿素及びチオ尿素類、イソチオ尿素類、スルホニル尿
素類、チオフェノール、アリルメルカプタン、n−ブチ
ルメルカプタン、ベンジルメルカプタン等のチオール
類、ベンジルスルフィド、ブチルメチルスルフィド等の
スルフィド類、ジブチルジスルフィド、ジベンジルジス
ルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等のジス
ルフィド類、ジメチルスルホキシド、ジブチルスルホキ
シド、ジベンジルスルホキシド等のスルホキシド類、ジ
メチルスルホン、フェニルスルホン、フェニル−(2−
シアノ−2−クロロビニル)スルホン、ヘキサブロモジ
メチルスルホン、ジヨードメチルパラトリルスルホン等
のスルホン類、チオシアン酸メチルエステル、イソチオ
シアン酸メチルエステル等のチオシアン酸類及びイソチ
オシアン酸類、グリシン、アラニン、ロイシン、リジ
ン、メチオニン、グルタミン等のアミノ酸類、アミド及
びウレタン化合物類、酸無水物類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アルカン類、アル
ケン類、アルキン類、ブチルイソシアネート、シクロヘ
キシルイソシアネート、フェニルイソシアネート等のイ
ソシアネート類、メチレンビスチオシアネート、メチレ
ンビスイソチオシアネート等のチオシアネート類及びイ
ソチオシアネート類、トリス(ヒドロキシメチル)ニト
ロメタン等のニトロ化合物類、アンモニア、メチルアミ
ン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペ
ンチルアミン、ヘキシルアミン、アリルアミン、ヒドロ
キシルアミン、エタノールアミン、ベンジルアミン、エ
チレンジアミン、1,2−プロパンジアミン、1,3−
プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、1,5−
ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン、ジエチ
レントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチ
レンペンタミン、ジプロピレンジアミン、N,N−ジメ
チルエチレンジアミン、N,N′−ジメチルエチレンジ
アミン、N,N−ジメチル−1,3−プロパンジアミ
ン、N−エチル−1,3−プロパンジアミン、トリメチ
ルヘキサメチレンジアミン、アルキル−t−モノアミ
ン、メンタンジアミン、イソホロンジアミン、グアニジ
ン、N−(2−ヒドロキシプロピル)アミノメタノール
等の非環式脂肪族アミン類、シクロヘキシルアミン、シ
クロヘキサンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシ
ル)メタン、ピロリジン類、アゼチジン類、ピペリジン
類、ピペラジン、N−アミノエチルピペラジン、N,
N′−ジメチルピペラジン等のピペラジン類、ピロリン
類等の環式脂肪族アミン類、アニリン、N−メチルアニ
リン、N,N−ジメチルアニリン、o−フェニレンジア
ミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミ
ン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルス
ルホン、m−キレンジアミン等の芳香族アミン類、エポ
キシ化合物付加ポリアミン、マイケル付加ポリアミン、
マンニッヒ付加ポリアミン、チオ尿素付加ポリアミン、
ケトン封鎖ポリアミン等の変性ポリアミン類、イミダゾ
ール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾー
ル、2−イソプロピルイミダゾール、2−n−プロピル
イミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、
1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−ウンデシ
ル−1H−イミダゾール、2−ヘプタデシル−1H−イ
ミダゾール、2−フェニル−1H−イミダゾール、4−
メチル−2−フェニル−1H−イミダゾール、1−ベン
ジル−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、ピ
ロール、ピリジン、ピコリン、ピラジン、ピリダジン、
ピリミジン、ピラゾール、トリアゾール、ベンゾトリア
ゾール、トリアジン、テトラゾール、プリン、インドー
ル、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、イミダゾ
リン、ピロリン、オキサゾール、ピペリン、ピリミジ
ン、ピリダジン、ベンズイミダゾール、インダゾール、
キナゾリン、キノキサリン、フタルイミド、アデニン、
シトシン、グアニン、ウラシル、2−メトキシカルボニ
ルベンズイミダゾール、2,3,5,6−テトラクロロ
−4−メタンスルホニルピリジン、2,2−ジチオ−ビ
ス−(ピリジン−1−オキサイド)、N−メチルピロリ
ドン、2−ベンズイミダゾールカルバミン酸メチル、2
−ピリジンチオール−1−オキシドナトリウム、ヘキサ
ヒドロ−1,3,5−トリス(2−ヒドロキシエチル)
−s−トリアジン、ヘキサヒドロ−1,3,5−トリエ
チル−s−トリアジン、2−メチルチオ−4−t−ブチ
ルアミノ−6−シクロプロピルアミノ−s−トリアジ
ン、N−(フルオロジクロロメチルチオ)フタルイミ
ド、1−ブロモ−3−クロロ−5,5−ジメチルヒダン
トイン、2−メトキシカルボニルベンズイミダゾール、
2,4,6−トリクロロフェニルマレイミド等の含窒素
複素環化合物、フラン、フルフリルアルコール、テトラ
ヒドロフルフリルアルコール、フルフリルアミン、ピラ
ン、クマリン、ベンゾフラン、キサンテン、ベンゾジオ
キサン等の含酸素複素環化合物、オキサゾール、イソオ
キサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾー
ル、5−メチルオキサゾリジン、4−(2−ニトロブチ
ル)モルホリン、4,4′−(2−エチル−2−ニトロ
トリメチレン)ジモルホリン等の含窒素及び酸素複素環
化合物、チオフェン、3,3,4,4−テトラヒドロチ
オフェン−1,1−ジオキサイド、4,5−ジクロロ−
1,2−ジチオラン−3−オン、5−クロロ−4−フェ
ニル−1,2−ジチオラン−3−オン、3,3,4,4
−テトラクロロテトラヒドロチオフェン−1,1−ジオ
キシド等の含硫黄複素環化合物、チアゾール、ベンゾチ
アゾール、5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリ
ン−3−オン、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−
オン、4,5−ジクロロ−3−n−オクチルイソチアゾ
リン−3−オン、2−オクチル−4−イソチアゾリン−
3−オン、1,2−ベンズイソチアゾリン−3−オン、
2−チオシアノメチルベンゾチアゾール、2−(4−チ
アゾリル)ベンズイミダゾール、2−チオシアノメチル
ベンゾチアゾール等の含窒素及び硫黄複素環化合物、コ
レステロール等のステロイド類、ブルシン、キニン、テ
オフィリン等のアルカロイド類、シネオール、ヒノキチ
オール、メントール、テルピネオール、ボルネオール、
ノポール、シトラール、シトロネロール、シトロネラー
ル、ゲラニオール、メントン、オイゲノール、リナロー
ル、ジメチルオクタノール等の天然精油類、キンモクセ
イ、ジャスミン、レモン等の合成香料類、アスコルビン
酸、ニコチン酸、ニコチン酸アミド等のビタミン及び関
連化合物等を例示することができる。
一般式(II)、好ましくは一般式(III)又は一般式(I
V)で表されるカルボン酸誘導体と、かかるカルボン酸
誘導体と分子化合物を形成する前記のような物質とを直
接混合するか、あるいは溶媒中で混合することにより得
ることができる。また、低沸点の物質あるいは蒸気圧の
高い物質の場合は、本発明のカルボン酸誘導体にこれら
物質の蒸気を作用させることにより目的とする分子化合
物を得ることができる。そしてまた、本発明のカルボン
酸誘導体に対して、二種類以上の物質を反応させること
により、三成分以上の多成分からなる分子化合物を得る
こともできる。さらに、本発明のカルボン酸誘導体とあ
る物質との分子化合物をまず生成させ、この分子化合物
と別の物質とを上記のような方法で反応させることによ
り目的とする分子化合物を得ることもできる。
り、これを構成する各成分化合物の比率が変化すること
があるが、上記方法により得られた物質が確かに分子化
合物であることは、熱分析(TG及びDTA)、赤外吸
収スペクトル(IR)、X線回折パターン、固体NMR
スペクトル等により確認することができる。また、分子
化合物の組成は熱分析、1H−NMRスペクトル、高速
液体クロマトグラフィー(HPLC)、元素分析等によ
り確認することができる。
離、化学的安定化、不揮発化、粉末化等の機能の点、及
び一定の組成の分子化合物を安定的に製造するなどの目
的から、結晶性であることが好ましく、特に結晶性の包
接化合物であることがより好ましい。この際、同一の分
子化合物であっても結晶多形をとることがある。結晶性
の確認は主にX線回折パターンを調べることによりでき
る。また結晶多形の存在は熱分析、X線回折パターン、
固体NMR等により確認できる。ここで、包接化合物と
は、原子又は分子が結合してできた三次元構造の内部に
適当な大きさの空孔があり、その中に他の原子又は分子
が非共有結合的な相互作用により一定の組成比で入り込
んだ物質を指す。ここで、空孔は必ずしも包接化合物を
構成する一方の成分化合物が単独で形成する必要はな
く、二つの成分化合物から包接化合物ができる際にのみ
形成されるものでもよい。
限はなく、例えばそれぞれ異なる成分化合物で構成され
た二種類以上の分子化合物を混合して使用することがで
きる。また、本発明の分子化合物は目的とする機能を損
なわない限り、他の物質と併用して使うことができる。
本発明の分子化合物に賦形剤等を与え、顆粒や錠剤に成
形して使用することもできる。更に、樹脂、塗料、並び
にそれらの原料や原料組成物中に添加して使用すること
もできる。本発明の分子化合物はそのまま有機合成の原
料として使用したり、分子化合物を特異的な反応場とし
て使用することもできる。
般式(II)、一般式(III)及び一般式(IV)で表され
るカルボン酸誘導体をホスト化合物とし、5−クロロ−
2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン、2−メチ
ル−4−イソチアゾリン−3−オン等のイソチアゾロン
系殺菌剤、ヒノキチオール、1,8−シネオール等の抗
菌・殺虫・防虫剤、ローズマリー等の香料、イソチアゾ
ロン系化合物等の防汚剤、無水フタル酸、テトラヒドロ
無水フタル酸、2−エチル−4−メチルイミダゾール等
のエポキシ樹脂用硬化剤及び1,8−ジアザビシクロ
(4,5,0)ウンデセン−7等のエポキシ樹脂用硬化
促進剤などの触媒、又はトルエン、キシレン、ピリジン
等の有機溶媒をゲストとした包接化合物は、ゲスト化合
物が本来有する作用の他に、徐放性、皮膚刺激性の軽
減、化学的安定化、不揮発化、粉末化、有用物質の選択
分離等の機能が新たに付与され、新しい特性を有する殺
菌剤、抗菌剤、殺虫・防虫剤、香料、防汚剤、エポキシ
樹脂用硬化剤等の触媒、有機溶媒として極めて有用であ
る。
カルボキシル基は2座配位子としても機能するため、一
般式(I)、一般式(II)、一般式(III)及び一般式
(IV)で表されるカルボン酸誘導体において、R9〜R
12、R21〜R24、R33、R34、R43及びR44が水素原子
又はアルカリ金属であるものは、金属イオンと配位化合
物を形成することができる。かかるカルボン酸誘導体と
配位化合物を形成する金属イオンとしては例えば、銅、
亜鉛、ニッケル、鉄等を例示することができる。そし
て、例えば、上記R9〜R12、R21〜R24、R33、
R34、R43及びR44が水素原子であるものを配位子とす
る配位化合物の製造方法には特に制限はないが、通常、
塩化銅、塩化亜鉛などの金属塩化物と配位子となる本発
明のカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩とを室温下で、
水中において数十分間攪拌して反応させることにより、
新規な配位化合物を得ることができる。かかる新規配位
化合物は、網目状の配位高分子化合物を形成し、銅、亜
鉛、ニッケル、鉄等の金属イオンが安定的に捕捉されて
いるので、種々の反応触媒、特に固体触媒として使用す
ることができる。
化合物であることは、熱分析(TG及びDTA)、赤外
吸収スペクトル(IR)、X線回折パターン等により確
認することができる。また、配位化合物の組成は熱分
析、原子吸光分析、元素分析等により確認することがで
きる。
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 実施例1 1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニ
ル)エタンの合成 反応工程(1) 攪拌棒を備えた500mlの4口フラスコに、1,1−
ビス(4−カルボキシフェニル)ケトン14.21g
(0.053mol)、0.75M水酸化ナトリウム水
溶液150mlとメタノール40mlの混合溶媒を加え
て攪拌し、室温下で溶解させた。この溶液に水素化ホウ
素ナトリウム2.11g(0.053mol)を加え、
室温で4.5時間攪拌し反応を終了させた。反応液を6
N−塩酸でpHを3に調整後、析出した固体を濾取し
た。この固体を50℃で真空乾燥させて、1,1−ビス
(4−カルボキシフェニル)メタノール14.31gを
得た(収率95%)。
応工程(1)で得られた1,1−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)メタノール7.98g(0.029mol)、
酢酸80ml、48%臭素水素酸溶液50.00g
(0.29mol)を仕込み、95〜100℃で3時間
攪拌し反応を終了させた。反応液を室温まで放冷し、析
出した固体を吸引濾取した。この固体を50℃で真空乾
燥させて、1,1−ビス(4−カルボキシフェニル)ブ
ロモメタン6.59gを得た(収率67%)。
応工程(2)で得られた1,1−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)ブロモメタン6.50g(0.019mo
l)、塩化チオニル40gを加え、徐々に加熱しながら
攪拌して溶解させた。反応液を環流条件下で2時間攪拌
し反応を終了させた。塩化チオニルを減圧留去すること
により橙色の油状物が得られた。この油状物にエタノー
ル125mlを加え、さらにピリジン4.55g(0.
058mol)を加えて室温下で17時間攪拌し反応を
終了させた。反応溶媒を留去し、残査に酢酸エチル12
0mlを加えて溶解し、水70mlで3回洗浄すること
により、反応によって生成する塩化ピリジニウムを除い
た。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
酢酸エチルを留去して1,1−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)ブロモメタンジエチルエステル6.53gを得
た(収率84%)。
0mlの3口フラスコに反応工程(3)で得られた1,1
−ビス(4−カルボキシフェニル)ブロモメタンジエチ
ルエステル6.30g(0.016mol)、脱水酢酸
エチル30ml、亜鉛末1.26g(0.026mo
l)を加え、攪拌しながら環流条件まで加熱して溶解さ
せた。ついで環流条件下で6.5時間攪拌して反応を終
了させた。反応液を室温まで放冷した後、酢酸エチル9
0ml、エタノール45mlを加えて反応系で生成した
臭化亜鉛を溶解させ、不溶解物をろ過した。ろ過物にア
セトン500mlを加え、攪拌しながら50℃付近まで
加熱した後に過剰の亜鉛末をろ去した。ろ液を濃縮して
得られた白色粉末から臭化亜鉛を完全に除去するため、
50%エタノール水溶液で洗浄し、50℃で真空乾燥す
ることにより、1,1,2,2−テトラキス(4−カル
ボキシフェニル)エタンテトラエチルエステル3.21
gを得た(収率64%)。
られた1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシレ
ートフェニル)エタンテトラエチルエステル3.10g
(5mmol)、アセトン430mlを加え攪拌して溶
解させた。この溶液に1N水酸化ナトリウム水溶液40
ml(40mmol)を加えて室温で攪拌した。基質の
消失と共にアセトンを留去していき、1N水酸化ナトリ
ウム水溶液20mlをさらに加えて反応の進行を速め
た。最終的にアセトンをほぼ留去して、1N水酸化ナト
リウム溶液中で攪拌した。攪拌開始から55時間後に反
応を終了させ、反応液のpHを6N塩酸で3に調整後、
析出した固体を濾取した。この固体を50℃で真空乾燥
することにより、白色の粉末2.44gを得た(収率9
6%)。
(4−カルボキシフェニル)エタンであることを核磁気
共鳴スペクトル及び赤外吸収スペクトルにより確認し
た。赤外吸収スペクトルにおけるカルボキシル基の吸収
は、通常の会合した芳香族カルボン酸のカルボキシル基
の吸収波数域に見られることから、1,1,2,2−テ
トラキス(4−カルボキシフェニル)エタンは、分子内
会合体として存在することが示唆された。DSCにおけ
るトップピーク法から求めた融点も、この会合状態を反
映して、386℃と非常に高く、耐熱安定性が極めて良
好であることが判った。得られた1,1,2,2−テト
ラキス(4−カルボキシフェニル)エタンの 1H−NM
Rスペクトル(ジメチルスルホキシド−d6溶媒使用)
及びIRスペクトル(KBr法)を図1及び図2に示
す。
ル)エタンを成分化合物とする分子化合物の製造(その
1) 1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニ
ル)エタン0.25mmol(0.13g)をピリジン
3mlに加熱溶解した後、室温で24時間放置した。析
出した結晶を濾取し、40℃下で1時間ロータリー真空
ポンプを用いて減圧乾燥し、1,1,2,2−テトラキ
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとピリジンとの組
成比率1:3(モル比)から成る分子化合物を得た。次
にピリジンの代わりにN,N−ジメチルホルムアミドを
使用し、同様の操作を行ったが、室温で24時間放置し
た後は、減圧下でN,N−ジメチルホルムアミドを留去
し、残査について更に80℃で1時間ロータリー真空ポ
ンプを用いて減圧乾燥し、1,1,2,2−テトラキス
(4−カルボキシフェニル)エタンとN,N−ジメチル
ホルムアミドとの組成比率1:1(モル比)から成る分
子化合物を得た。各々が前記の組成の分子化合物である
ことは熱分析(TG/DTA)、1H−NMR及びX線
回折パターンにより確認した。またX線回折パターンか
ら各々の分子化合物が明らかに結晶性であることを確認
した。
℃〜189℃の範囲、N,N−ジメチルホルムアミドを
およそ153℃〜173℃の範囲で放出した。1,1,
2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニル)エタン
とピリジン及びN,N−ジメチルホルムアミドとの分子
化合物の1H−NMRスペクトル(ジメチルスルホキシ
ド−d6溶媒使用)を図3及び図4に示し、熱分析(T
G/DTA)チャートをそれぞれ図5及び図6に示し
た。また、1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキ
シフェニル)エタンとピリジン及びN,N−ジメチルホ
ルムアミドとの分子化合物の粉末X線回折パターンをそ
れぞれ図7及び図8に示した。比較のために、1,1,
2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニル)エタン
の粉末X線回折パターンをそ図9に示した。このように
本発明の分子化合物は、室温で液体であるピリジン及び
N,N−ジメチルホルムアミドを粉末化し、また揮発の
制御を可能にした。
ル)エタンを成分化合物とする分子化合物の製造(その
2) 1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニ
ル)エタン0.196mmol(0.1g)を、1,4
−ジオキサン5mlに懸濁し、10分間還流温度で加熱
した後、24時間室温で放置した。固体成分を濾取し、
40℃下ロータリー真空ポンプを用いて2時間減圧乾燥
し、1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェ
ニル)エタンと1,4−ジオキサンとの組成比率1:1
(モル比)から成る分子化合物を得た。このものが前記
の組成の分子化合物であることは熱分析(TG/DT
A)、1H−NMR及びX線回折パターンにより確認し
た。またX線回折パターンから本分子化合物が明らかに
結晶性であることを確認した。
そ194℃〜215℃の範囲で放出した。1,1,2,
2−テトラキス(4−カルボキシフェニル)エタンと
1,4−ジオキサンとの分子化合物の1H−NMRスペ
クトル(ジメチルスルホキシド−d6溶媒使用)及び熱
分析(TG/DTA)チャートをそれぞれ図10及び図
11に示した。また、1,1,2,2−テトラキス(4
−カルボキシフェニル)エタンと1,4−ジオキサンと
の分子化合物の粉末X線回折パターンを図12に示し
た。このように本発明の分子化合物は、室温で液体であ
る1,4−ジオキサンを粉末化し、また揮発の制御を可
能にした。更に従来知られている拡散水素結合部位を持
ったテトラキスフェノール類の一つである、1,1,
2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン
と1,4−ジオキサンとの分子化合物の1,4−ジオキ
サンの放出温度範囲はおよそ96℃〜115℃であるこ
とから、本発明の分子化合物は、極めて高い熱安定性を
可能にした。
ル)エタンと銅及び亜鉛の配位化合物の製造 1,1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニ
ル)エタン770mg(1.5mmol)を1N水酸化
ナトリウム水溶液10mlに溶解し、この溶液へエチル
アルコールを加えていき、析出した白色固体を濾取し
た。この固体を50℃で真空乾燥することにより1,
1,2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニル)エ
タンテトラナトリウム塩の粉末799mgを得た(収率
88%)。この白色粉末100mg(0.17mmo
l)を蒸留水4mlに溶解し、塩化銅(II)・2水和物
72mg(0.42mmol)が溶解した水溶液4ml
と混合し、混合液を室温下で30分間マグネチックスタ
ーラーで攪拌した。さらに15時間室温で放置した後、
析出した固体を濾取した。この固体を50℃で真空乾燥
することにより、1,1,2,2−テトラキス(4−カ
ルボキシフェニル)エタンと2価の銅イオン及び水との
組成比率がおよそ1:3:6(モル比)からなる配位化
合物を得た。同様の手法により、塩化銅(II)・2水和
物の代わりに塩化亜鉛57mg(0.42mmol)を
用いた場合には、1,1,2,2−テトラキス(4−カ
ルボキシフェニル)エタンと2価の亜鉛イオン及び水と
の組成比率がおよそ1:2:7(モル比)からなる配位
化合物を得た。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンと銅及び亜鉛の配
位化合物であることを赤外吸収スペクトルにおけるカル
ボニル基の吸収のシフト及び水酸基の吸収の消失により
確認し、これらのものが前記の組成の配位化合物である
ことは原子吸光分析、空気雰囲気下で測定した熱分析
(TG/DTA)により確認した。得られた1,1,
2,2−テトラキス(4−カルボキシフェニル)エタン
と銅及び亜鉛の配位化合物のIRスペクトル(KBr
法)をそれぞれ図13及び図14に示し、熱分析チャー
トをそれぞれ図15及び図16に示した。
する分子化合物は、簡単な操作で調製できる上に、種々
の物質について化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末
化などの機能を付与することができ、また特定物質の選
択分離や回収を行うことができる。更に本発明の分子化
合物は種々の物質と併用して使用することができ、また
各種の形態で用いることもできる。さらに、本発明の新
規カルボン酸誘導体を配位子とする配位化合物は固体触
媒として有用である。従って、本発明の新規カルボン酸
誘導体は非常に広範な分野で利用可能であり、産業上に
おける意義は極めて大きい。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンの1H−NMRス
ペクトル(ジメチルスルホキシド−d6溶媒使用)を示
す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンの赤外吸収スペク
トル(KBr法)を示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとピリジンとの組
成比率1:3(モル比)から成る分子化合物の1H−N
MRスペクトル(ジメチルスルホキシド−d6溶媒使
用)を示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとN,N−ジメチ
ルホルムアミドとの組成比率1:1(モル比)から成る
分子化合物の1H−NMRスペクトル(ジメチルスルホ
キシド−d6溶媒使用)を示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとピリジンとの組
成比率1:3(モル比)から成る分子化合物の熱分析
(TG/DTA)チャートを示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとN,N−ジメチ
ルホルムアミドとの組成比率1:1(モル比)から成る
分子化合物の熱分析(TG/DTA)チャートを示す図
である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとピリジンとの組
成比率1:3(モル比)から成る分子化合物の粉末X線
回折パターンを示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンとN,N−ジメチ
ルホルムアミドとの組成比率1:1(モル比)から成る
分子化合物の粉末X線回折パターンを示す図である。
ス(4−カルボキシフェニル)エタンの粉末X線回折パ
ターンを示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと1,4−ジオ
キサンとの組成比率1:1(モル比)から成る分子化合
物の1H−NMRスペクトル(ジメチルスルホキシド−
d6溶媒使用)を示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと1,4−ジオ
キサンとの組成比率1:1(モル比)から成る分子化合
物の熱分析(TG/DTA)チャートを示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと1,4−ジオ
キサンとの組成比率1:1(モル比)から成る分子化合
物の粉末X線回折パターンを示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと2価の銅イオ
ンから成る配位化合物の赤外吸収スペクトル(KBr
法)を示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと2価の亜鉛イ
オンから成る配位化合物の赤外吸収スペクトル(KBr
法)を示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと2価の銅イオ
ンから成る配位化合物の熱分析(TG/DTA)チャー
トを示す図である。
キス(4−カルボキシフェニル)エタンと2価の亜鉛イ
オンから成る配位化合物の熱分析(TG/DTA)チャ
ートを示す図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 一般式(I)又は一般式(II)で表され
るカルボン酸誘導体。 【化1】 【化2】 [式(I)及び(II)中、Xは、(CH2)n 又はp−
フェニレン基を表し、nは、0、1、2又は3であり、
R1〜R8及びR13〜R20は、それぞれ水素原子、C1〜
C6のアルキル基、C2〜C4のアルケニル基、C1〜
C6のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、
ハロゲン原子またはC1〜C6のアルコキシ基を示し、
R9〜R12及びR21〜R24は、それぞれ水素原子、C1
〜C6のアルキル基、C2〜C4のアルケニル基、C7
〜C12のアラルキル基、アルカリ金属を示す。] - 【請求項2】 一般式(III)又は一般式(IV)で表さ
れる請求項1記載のカルボン酸誘導体。 【化3】 【化4】 [式(III)及び(IV)中、R25〜R32及びR35〜R42
は、それぞれ水素原子、C1〜C6のアルキル基、C2
〜C4のアルケニル基、C1〜C6のアルキル基で置換
されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子またはC1
〜C6のアルコキシ基を示し、R33、R34、R43及びR
44は、それぞれ水素原子、C1〜C6のアルキル基、C
2〜C4のアルケニル基、C7〜C12のアラルキル
基、アルカリ金属を示す。] - 【請求項3】 1,1−ビス(3−カルボキシフェニ
ル)ケトン誘導体又は1,1−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)ケトン誘導体を使用することを特徴とする請求
項1記載の一般式(I)又は一般式(II)で表されるカ
ルボン酸誘導体の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1記載の一般式(I)又は一般式
(II)で表されるカルボン酸誘導体を成分化合物とする
分子化合物。 - 【請求項5】 分子化合物が包接化合物であることを特
徴とする請求項4記載の分子化合物。 - 【請求項6】 請求項1記載の一般式(I)又は一般式
(II)で表されるカルボン酸誘導体と、該カルボン酸誘
導体と反応して分子化合物を形成する抗菌剤、抗カビ
剤、殺虫剤、害虫忌避剤、香料、脱臭・消臭剤、防汚
剤、塗料・樹脂・接着剤用硬化剤及び硬化促進剤、天然
精油、酸化防止剤、加硫促進剤又は有機溶媒とを成分化
合物とする請求項4又は5のいずれか記載の分子化合
物。 - 【請求項7】 請求項1記載の一般式(I)又は一般式
(II)で表されるカルボン酸誘導体が、請求項2記載の
一般式(III)又は一般式(IV)で表されるカルボン酸
誘導体であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか
記載の分子化合物。 - 【請求項8】 請求項4〜請求項7のいずれか記載の分
子化合物の製造方法であって、カルボン酸誘導体と該カ
ルボン酸誘導体と反応して分子化合物を形成する成分化
合物とを反応させることを特徴とする分子化合物の製造
方法。 - 【請求項9】 請求項1記載の一般式(I)又は一般式
(II)で表され、それら式中のR9〜R12及びR21〜R
24が水素原子又はアルカリ金属であるカルボン酸誘導体
を配位子とする配位化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28653299A JP4565582B2 (ja) | 1998-10-08 | 1999-10-07 | 新規カルボン酸誘導体を成分化合物とする分子化合物 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28654398 | 1998-10-08 | ||
JP10-286543 | 1998-10-08 | ||
JP11-285903 | 1999-10-06 | ||
JP28590399 | 1999-10-06 | ||
JP28653299A JP4565582B2 (ja) | 1998-10-08 | 1999-10-07 | 新規カルボン酸誘導体を成分化合物とする分子化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001172225A true JP2001172225A (ja) | 2001-06-26 |
JP4565582B2 JP4565582B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=27337206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|
JP4565582B2 (ja) | 2010-10-20 |
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