JP2001127701A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 増幅器と、
   上記増幅器に対して、その出力電力を制御するアイドリング電流を供給する制御回路とを備え、
   上記制御回路は、入力制御電圧を受けて該入力制御電圧に対して上記アイドリング電流を指数関数的に変化させるものであることを特徴とする電力増幅器モジュール。
2. 出力トランジスタを含む増幅器と、
   上記増幅器の出力電力を制御するアイドリング電流を上記増幅器に供給する制御回路と
   を具備して成り、
   上記制御回路は、上記アイドリング電流を上記出力トランジスタに流す入力トランジスタを含み、入力制御電圧を受けて上記アイドリング電流が上記入力制御電圧の指数関数となるように制御する機能を有し、
   上記入力トランジスタは、上記出力トランジスタと電流ミラー形態を構成することを特徴とする電力増幅器モジュール。
3. ＧａＡｓＨＢＴを含む半導体集積回路で構成された増幅器と、
   上記増幅器の出力電力を制御するアイドリング電流を、入力制御電圧に基づき上記増幅器に供給する制御回路と
   を具備して成り、
   上記制御回路は、ＳｉバイポーラトランジスタまたはＧａＡｓＨＢＴを含む半導体集積回路で構成され、上記アイドリング電流が上記入力制御電圧の指数関数となるように制御する機能を有することを特徴とする電力増幅器モジュール。
4. ＳｉＧｅＨＢＴを含む半導体集積回路で構成された増幅器と、
   上記増幅器の出力電力を制御するアイドリング電流を、入力制御電圧に基づき上記増幅器に供給する制御回路と
   を具備して成り、
   上記制御回路は、ＳｉバイポーラトランジスタまたはＳｉＧｅＨＢＴを含む半導体集積回路で構成され、上記アイドリング電流が上記入力制御電圧の指数関数となるように制御する機能を有することを特徴とする電力増幅器モジュール。
5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
   上記制御回路は、
   上記入力制御電圧を電流に変換する回路と、
   該変換された電流より基準電圧を発生し並びに上記入力制御電圧に比例して変化する電圧の勾配を設定する回路と、
   該電圧を指数関数的に変化する上記アイドリング電流に変換する回路とを含むものであることを特徴とする電力増幅器モジュール。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   上記増幅器は、縦列接続されてなる複数段の増幅器からなり、
   上記制御回路は、上記制御入力電圧を共通に受けて、上記複数段の各増幅器の各々に対して上記アイドリング電流を供給する複数の回路から構成されるものであることを特徴とする電力増幅器モジュール。
7. 請求項６において、
   上記入力制御電圧を電流に変換する回路と、該変換された電流より基準電圧を発生し並びに上記入力制御電圧に比例して変化する電圧の勾配を設定する回路と、該電圧を指数関数的に変化する上記アイドリング電流に変換する回路とは共通回路で構成され、かかるアイドリング電流を上記複数の増幅器に対応して供給する回路が複数個設けられてなることを特徴とする電力増幅モジュール。
8. 請求項１において、
   上記増幅器は、上記アイドリング電流が流れるようにされた入力トランジスタと、該入力トランジスタと電流ミラー形態にされた出力トランジスタとの一対を含むＧａＡｓＨＢＴからなる半導体集積回路で構成され、
   上記制御回路は、Ｓｉバイポーラトランジスタ又はＧａＡｓＨＢＴからなる半導体集積回路で構成されてなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
9. 請求項１において、
   上記増幅器は、上記アイドリング電流が流れるようにされた入力トランジスタと、該入力トランジスタと電流ミラー形態にされた出力トランジスタとの一対を含むＳｉＧｅＨＢＴ又はＳｉバイポーラトランジスタからなる半導体集積回路で構成され、
   上記制御回路は、ＳｉＧｅＨＢＴ、又はＳｉバイポーラトランジスタで構成することを特徴とする電力増幅器モジュール。
10. 請求項１ないし９のいずれかにおいて、
    上記制御回路は、
    上記アイドリング電流を上記入力制御電圧がある一定以上に達した時に制限する回路を更に備えてなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
11. 請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
    上記アイドリング電流の温度特性を任意に設定できる回路を更に備えてなることを特徴とする電力増幅器モジュール。