SU1145474A1 - Транзисторный ключ - Google Patents

Транзисторный ключ Download PDF

Info

Publication number
SU1145474A1
SU1145474A1 SU823430258A SU3430258A SU1145474A1 SU 1145474 A1 SU1145474 A1 SU 1145474A1 SU 823430258 A SU823430258 A SU 823430258A SU 3430258 A SU3430258 A SU 3430258A SU 1145474 A1 SU1145474 A1 SU 1145474A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
power
base
control
Prior art date
Application number
SU823430258A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Ильич Турченков
Original Assignee
Turchenkov Vladimir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Turchenkov Vladimir filed Critical Turchenkov Vladimir
Priority to SU823430258A priority Critical patent/SU1145474A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1145474A1 publication Critical patent/SU1145474A1/ru

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ, содержащий силовой транзистор, первый и второй управл ющие транзисторы, резистор, входную клемму, шину источника питани , и общую шину, на грузку, причем силовой транзистор и первый управл нщий транзистор имеют одну проводимость, коллектор первого управл ющего транзистора соединен с входной клеммой,эмиттер- (с базой силового транзистора,база - с коллектором второго управл н цего транзистора, база которого соединена с первым выводом резистора, коллектор силового транзистора через нагрузку соединен с щиной источника питани , а эмиттер - с общей шиной; отличающий с   тем, что, с целью повышени  КПД, введен диод, который включен между коллектором силового транзистора и эмиттером второго управл ющего транзистора , проводимость которого совпадает с проводимостью первого упVO равл ющего транзистора, а второй, вывод резистора подключен к шине источника питани . -Ф сл 4 4ib

Description

I. Изобретение относитс  к импульсно технике и может быть использовано в устррйствах управлени  и преобразова тел х энергии. Известен транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, коллектор которого через нагрузку подключен к шине источника питани  11 Недостатком ключа  вл еп-с  низкий КПД использовани  источника входного сигнала и повышенные тепловые потери мощности в силовом транзисторе. Известен также транзисторный ключ содержащий силовой транзистор, первый и второй управл ющие транзисторы , резистор, входную клемму, шину источника питани  и общую шину, нагрузку , причем силовой транзистор и первый управл гаций транзисторы имеют одну проводимость, коллектор первого управл ющего транзистора соединен с входной клеммой, эмиттер - с базой силового транзистора, база с коллектором второго управл юще го транзистора, база которого соединена с первым выводом резистора, коллектор силового транзистора через нагрузку соединен с шиной источника питани , а эмиттер - с общей шиной. Известный ключ содержит также источник опорного напр жени  в цепи базы второго управл ющего транзистора и датчик тока 121 Недостатком известного транзисто рного ключа  вл етс  низкий КПД изза повышенных потерь мощности в силовом транзисторе при изменении тока в нагрузке. Цель изобретени  - повышение КПД Поставленна  цель достигаетс  тем что в транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, первый и второй управл ющий транзисторы,резистор, входную клемму, шину источника питани  и общую шину, нагрузку, причем силовой транзистор и первый управл ю щий транзистор имеют одну проводимость , коллектор первого управл ющего транзистора соединен с входной клеммой, эмиттер - с базой силово го транзистора, база - с коллектором второго управл ющего транзистора, база которого соединена с первым выводом резистора, коллектор силового транзистора через нагрузку, соединен с шиной источника питани  , а эмиттер - с общей шиной, введен диод, к торый включен между коллектором си4 лового транзистора и эмиттером второго управл ющего транзистора, проводимость которого совпадает с проводимостью первого управл ющего транзистора, а второй вывод резистора подключен к шине источника питани . На чертеже приведена схема предлагаемого транзисторного ключа. Схема содержит силовой транзистор 1, соединенный через переход эмиттер-база транзистора 2 с коллектором управл ющего транзистора 3, резистор 4, входную клемму 5, шину 6 .. источника питани , соединенную с нагрузкой 7, диод 8, источник 9 входного сигнала. Транзисторный ключ работает следующим образом. При отсутствии входного сигнала от источника 9 силовой транзистор 1 и диод 8 заперты. Ток от шины 6 источника питани  протекает по цепи: резистор 4, переход база-коллектор второго управл ющего транзистора 3, переход база-коллектор первого управл ющего транзистора 2, входна  клемма 5, внутреннее сопротивление источника 9, обща  шина. При подаче на входную клемму 5 отрицательного сигнала коллекторный переход управл ющего транзистора 2 запираетс  и ток - базы транзистора 2, усиленный в (В+1) раз, из цепи эмиттера поступает в базу силового транзистора 1, который открываетс , и напр жение на его коллекторе падает . При некотором напр жении на коллекторе силового транзистора 1 диод 8 открываетс , и ток от резистора 4 протекает через переход база-эмиттер второго управл ющего транзистора 3, диод 8, переход коллектор-эмиттер силового транзистора 1 к общей шине. Уменьшаютс  токи базы транзисторов 2 и 1. После открывани  диода 8,-величина тока базы силового транзистора 2 автоматически устанавливаетс  на минимальном уровне дл  поддержани  некоторого посто нного напр жени  на его коллекторе. С уменьшением сопротивлени  нагрузки 7 увеличиваетс  коллекторный ток (ток нагрузки) и коллекторное напр жение силового транзистора 1, диод 8 подзапираетс , увеличиваютс  коллекторный ток второго управл ющего транзистора 3,базовый ток силового
3 114547А4 .
транзистора 1. Аналогично с уменьше-потерь мощности в транзисторе и, сонием коллекторного тока силовогоответственно, повышение КПД.
транзистора 1 уменьшаетс  его базо-Использование изобретени  поэвовый ток.л ет повысить КПД при простом схем-- ,
Таким образом, осуществл етс  про-5 ном решении. Кроме того, по сравненмо
порциональное регулирование тока прототипом, повышаетс  быстродей- .
зы силового транзистора 1 при из-ствие ключа за Счет нелинейной (дименении коллекторного тока (тока на-одной) обратной св зи, искпк)чающей
грузки), что обеспечивает снижениеглубокое насыщение транзистора.

Claims (1)

  1. ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ, содержащий силовой транзистор, первый и второй управляющие транзисторы, резистор, входную клемму, шину источника питания,и общую шину, на- :грузку, причем силовой транзистор и первый управляющий транзистор имеют одну проводимость, коллектор первого управляющего транзистора соединен с входной клеммой,эмиттер(с базой силового транзистора,база — с коллектором второго управляющего транзистора, база которого соединена с первым выводом резистора, коллектор силового транзистора через нагрузку соединен с шиной источника питания, а эмиттер - с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения КОД, введен диод, который включен между коллектором силового транзистора и эмиттером второго управляющего транзистора, проводимость которого совпадает с проводимостью первого управляющего транзистора, а второй, вывод резистора подключен к шине источника питания.
    SU „ 1145474 к
SU823430258A 1982-04-27 1982-04-27 Транзисторный ключ SU1145474A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823430258A SU1145474A1 (ru) 1982-04-27 1982-04-27 Транзисторный ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823430258A SU1145474A1 (ru) 1982-04-27 1982-04-27 Транзисторный ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1145474A1 true SU1145474A1 (ru) 1985-03-15

Family

ID=21009123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823430258A SU1145474A1 (ru) 1982-04-27 1982-04-27 Транзисторный ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1145474A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Будинский Я. Транзисторные переключающие схемы. Изд-во Св зь, 1965, с. 14, рис.- 4. 2. Авторское свидетельство СССР № 361522, кл. Н 03 К 17/60, 1970 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4060758A (en) Power switching circuit having a Darlington connected transistor pair
US4369380A (en) Circuit for controlling a transistor static switch for d.c. loads with high turn-on current
SU1145474A1 (ru) Транзисторный ключ
US4347561A (en) Alternating current to direct current power supply
JPS5643808A (en) Signal converting circuit
JPS54102859A (en) Pulse amplifier circuit
GB1527293A (en) Composite collector load for class a semiconductor amplifier
KR900019538A (ko) 구동기 회로
SU748812A1 (ru) Триггер с эмиттерной св зью на транзисторах разного типа проводимости
JPS5763928A (en) Comparing circuit for ad converter
SU1188873A1 (ru) Способ управлени силовым транзисторным ключом
SU1628183A1 (ru) Усилитель мощности
SU750456A1 (ru) Источник посто нного тока
SU1629982A1 (ru) Электронный ключ
SU1450076A1 (ru) Усилительный каскад
SU1372304A1 (ru) Двухпол рный источник питани
SU1608781A1 (ru) Усилитель
JPS5755426A (en) Direct current power supply circuit
SU1649647A1 (ru) Полупроводниковый выключатель
SU1348797A2 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
SU959230A1 (ru) Преобразователь напр жени посто нного тока
SU1661935A1 (ru) Транзисторный ключ без дополнительного запирающего источника напр жени
SU1427530A1 (ru) Ключевой усилитель мощности
SU1636954A1 (ru) Формирователь управл ющих импульсов дл силового транзистора регул тора напр жени
JPS6454926A (en) Bipolar logic circuit