SU1608781A1

SU1608781A1 - Усилитель

Info

Publication number: SU1608781A1
Application number: SU894663755A
Authority: SU
Inventors: Дмитрий Васильевич Игумнов; Владимир Анатольевич Масловский; Игорь Степанович Громов; Дмитрий Викторович Башакин
Original assignee: Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date: 1989-03-16
Filing date: 1989-03-16
Publication date: 1990-11-23

Abstract

Изобретение относитс к радиотехнике. Цель изобретени - повышение стабильности. Усилитель содержит транзисторы 1 и 4 N-P-N структуры и транзисторы 2 и 3 P-N-P структуры. При воздействии каких-либо внешних воздействий уменьшаетс выходное напр жение устройства. При этом уменьшаетс напр жение на эмиттере транзистора 3 и ток базы транзистора 1. Однако за счет уменьшени напр жени на базе транзистора 4 произойдет снижение тока базы и коллектора транзистора 3, который вл етс током базы транзистора 1. В результате такое интенсивное снижение тока базы транзистора 1 приведет к форсированному уменьшению его тока коллектора, что приведет к возрастанию выходного напр жени до своей стационарной рабочей величины. Така глубока и регулируема транзистором 4 отрицательна обратна св зь обеспечивает стабильную работу усилител . 1 ил.

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для создания экономичных линейных интегральных схем.

Цель изобретения - повышение стабильности. ” .

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого усилителя.

Усилитель содержит первый транзистор 1, имеющий п-р-п структуру, второй 2 и третий 3 транзисторы, имеющие р-п-р структуру, дополнительный транзистор 4, имеющий η—р— η структуру.

Усилитель работает следующим образом.

Источник питания знаком Плюс сме' щает эмиттерный переход второго транзистора 2 в прямом направлении, который выполняет функцию инжекторе!. На коллекторе второго тринзистора 2 (при закрытых транзисторах 1 и 4) присутствует максимальное инжекционное напряжение, являющееся выходным напряжением устройства. Это инжекционное напряжение определяется равновесной высотой потенциального барьера коллекторного p-η перехода второго транзистора 2 (без учета падения напряжения на базе). Выходное сопротивление инжектора (транзистора 2) выполняет функцию традиционного резистора, включаемого в цепь коллектора первого транзистора 1, являющегося основой усилительного каскада с общим эмиттером.

Задание и стабилизация рабочей точки управляемого первого транзистора 1 осуществляется с помощью цепи параллельной отрицательной обратной связи по напряжению, образуемой транзисторами 3 и 4. Глубина этой обратной связи определяется как параметрами третьего транзистора 3, выполняющего функцию регулируемого переинжектора и дополнительного транзистора 4, регулирующего работу переинжектора, так и инжектора (транзистора 2) и величиной источника питания.

Предположим, что за счет каких-либо внешних воздействий уменьшилось выходное напряжение устройства Ubhx. При этом уменьшается напряжение на эмиттере третьего транзистора 3, а следовательно, и ток базы первого транзистора 1 (как и в известном). Но в предлагаемом усилителе за счет уменьшения напряжения на базе дополнительного транзистора 4 происходит снижение тока базы, а следовательно, и коллектора третьего транзистора 3, который является током базы первого транзистора 1. В результате такое интенсивное снижение тока базы первого транзистора 1 приводит к форсированному уменьшению его тока коллектора, что приводит к возрастанию 11_Вых до своей стационарной рабочей величины. Такая глубокая и регулируемая (транзистором 4) отрицательная обратная связь обеспечивает стабильную работу устройства.

Усилитель позволяет задать на базу первого транзистора 1 в режиме покоя ток (напряжение), обеспечивающий усиление переменного (гармонического) сигнала с минимальными искажениями.

Claims

Формула изобретения

Усилитель, содержащий первый транзистор, имеющий η-ρ-п структуру, второй и третий транзисторы, имеющие р-п-р структуру, причем эмиттер второго транзистора подключен к положительной шине источника питания, а коллектор является выходом устройства и соединен с коллектором первого транзистора и эмиттером третьего транзистора, коллектор которого соединен с базой первого транзистора и является вхо-. дом устройства, причем эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с общей шиной, отличающийс я тем, что, с целью повышения стабильности, введен дополнительный транзистор, имеющий п-р-п структуру, коллектор которого подключен к базе третьего транзистора, эмиттер - к общей шине, а база - к коллектору третьего транзистора,

Редактор М.Бланар