JP2005151442A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 多段接続された複数の電力増幅素子と、
   第１のバイアス電源を入力パルスに対応させてスイッチングし前記複数の電力増幅素子に供給するスイッチング回路と、
   前記入力パルスを所定の時定数で微分するパルス微分回路と、
   このパルス微分回路の出力と第２のバイアス電源とを加算し、前記多段接続された複数の電力増幅素子のうち最終段電力増幅素子を除く少なくとも１つの電力増幅素子の入力側バイアスとして供給する加算回路と
   を有することを特徴とするパルス電力増幅器。
2. 前記電力増幅素子はそれぞれ、ゲート電極を入力端子、ドレイン電極を出力端子、ソース電極を共通端子とした電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のパルス電力増幅器。
3. 前記電力増幅素子はそれぞれ、ベース電極を入力端子、コレクタ電極を出力端子、エミッタ電極を共通端子としたバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のパルス電力増幅器。
4. 前記所定の時定数は、前記加算回路から入力側バイアスが供給される電力増幅素子の熱時定数に基づいて設定したことを特徴とする請求項１に記載のパルス電力増幅器。
5. 前記第１のバイアス電源は正バイアス電源であり、前記第２のバイアス電源は負バイアス電源であることを特徴とする請求項１に記載のパルス電力増幅器。
6. 多段接続された複数の電力増幅素子と、
   これら電力増幅素子の少なくとも１つの入力側に設けられた可変減衰器と、
   バイアス電源を入力パルスに対応させてスイッチングし前記複数の電力増幅素子に供給するスイッチング回路と、
   前記入力パルスを所定の時定数で微分するパルス微分回路と、
   このパルス微分回路の出力に基づいて前記可変減衰器の減衰量を制御する減衰器制御回路と
   を有することを特徴とするパルス電力増幅器。
7. 前記電力増幅素子はそれぞれ、ゲート電極を入力端子、ドレイン電極を出力端子、ソース電極を共通端子とした電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項５に記載のパルス電力増幅器。
8. 前記電力増幅素子はそれぞれ、ベース電極を入力端子、コレクタ電極を出力端子、エミッタ電極を共通端子としたバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項５に記載のパルス電力増幅器。
9. 前記所定の時定数は、前記複数の電力増幅素子の熱時定数に基づいて設定したことを特徴とする請求項５に記載のパルス電力増幅器。