JP2007059889A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 光電変換層を有するフォトダイオードと、
   トランジスタを含む増幅回路と、
   スイッチと、
   を有し、
   入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記フォトダイオード
   と前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅されて出力され、
   入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フォトダイオードと
   前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下げて出力されるこ
   とを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
   一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
   イン領域の一方との間に直列に挿入されたスイッチと、
   を有し、
   前記スイッチは受光強度に応じてオンオフの切り替えが行われることを特徴とする半導
   体装置。
3. ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
   一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
   イン領域の一方との間に直列に挿入されたスイッチと、
   を有し、
   前記スイッチは受光強度が所定の値より高いときオフとなり、前記受光強度が前記所定
   の値より低いときオンとなることを特徴とする半導体装置。
4. ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
   一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
   イン領域の一方との間に挿入されたスイッチと、
   を有し、
   受光強度に応じて前記スイッチの切り替えを行う制御部を有することを特徴とする半導
   体装置。
5. ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと複数段の第２のトランジスタと、
   一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
   前記フォトダイオードの一方の端子と、前記複数段の第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方との間にそれぞれ挿入されたスイッチと、
   を有し、
   受光強度に応じて前記スイッチを切り替えることで、前記カレントミラー回路の増幅率を多段階に変化させることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１において、
   前記光電変換層は、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層を含むことを特徴と
   する半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
   前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
   前記トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。