JP2009246351A5 - 静電保護回路、半導体装置、及び半導体装置を具備する電子機器 - Google Patents

静電保護回路、半導体装置、及び半導体装置を具備する電子機器 Download PDF

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  1. 高電源電位が入力される第１の配線と、
    低電源電位が入力される第２の配線と、
    前記第１の配線の電位及び前記第２の配線の電位に応じた信号を出力する比較回路と、
    第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第１のスイッチと、
    第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第２のスイッチと、
    一方の電極が前記第１のスイッチの第２端子、他方の電極が前記第２のスイッチの第２端子に電気的に接続された容量素子と、を有することを特徴とする静電保護回路。
  2. 高電源電位が入力される第１の配線と、
    低電源電位が入力される第２の配線と、
    前記第１の配線の電位及び前記第２の配線の電位に応じた信号を出力する比較回路と、
    第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第１のスイッチと、
    第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第２のスイッチと、
    一方の電極が前記第１のスイッチの第２端子、他方の電極が前記第２のスイッチの第２端子に電気的に接続された容量素子と、を有し、
    前記比較回路は、前記高電源電位より高い電位が前記第１の配線に入力された際に、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオンにし、前記高電源電位が前記第１の配線に入力された際に、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオフにすることを特徴とする静電保護回路。
  3. 請求項１または２において、前記第１のスイッチはｐチャネル型トランジスタであり、前記第２のスイッチはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする静電保護回路。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、及び前記比較回路を構成するトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする静電保護回路。
  5. 高電源電位が入力される第１の配線と、
    低電源電位が入力される第２の配線と、
    前記第１の配線及び前記第２の配線に電気的に接続された負荷と、
    前記第１の配線の電位及び前記第２の配線の電位に応じた信号を出力する比較回路と、
    第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第１のスイッチと、
    第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第２のスイッチと、
    一方の電極が前記第１のスイッチの第２端子、他方の電極が前記第２のスイッチの第２端子に電気的に接続された容量素子と、を有し、
    前記比較回路、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ及び前記容量素子は、前記負荷に前記高電源電位が入力される前記第１の配線及び前記低電源電位が入力される前記第２の配線の経路に設けられることを特徴とする半導体装置。
  6. 高電源電位が入力される第１の配線と、
    低電源電位が入力される第２の配線と、
    光電変換素子及び増幅回路を有し、前記第１の配線及び前記第２の配線に電気的に接続された光電変換回路と、
    前記第１の配線の電位及び前記第２の配線の電位に応じた信号を出力する比較回路と、
    第１端子が前記第１の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第１のスイッチと、
    第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、前記信号でオンまたはオフが制御される第２のスイッチと、
    一方の電極が前記第１のスイッチの第２端子、他方の電極が前記第２のスイッチの第２端子に電気的に接続された容量素子と、を有し、
    前記比較回路、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ及び前記容量素子は、前記光電変換回路に前記高電源電位が入力される前記第１の配線及び前記低電源電位が入力される前記第２の配線の経路に設けられることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項５または６において、
    前記比較回路は、前記高電源電位より高い電位が前記第１の配線に入力された際に、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオンにし、前記高電源電位が前記第１の配線に入力された際に、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチをオフにすることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項５乃至７のいずれか一において、前記第１のスイッチはｐチャネル型トランジスタであり、前記第２のスイッチはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項５乃至８のいずれか一において、前記光電変換素子は、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層が積層して形成されていることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項５乃至９のいずれか一において、前記増幅回路部を構成するトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項５乃至１０のいずれか一において、前記光電変換回路の入力端子は、第１の抵抗素子を介して前記第１の配線と電気的に接続されており、前記光電変換回路の出力端子は、第２の抵抗素子を介して前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項５乃至１１のいずれか一において、
    前記光電変換装置は、透光性基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項５乃至１２のいずれか一に記載の半導体装置を具備することを特徴とする電子機器。
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