JP2005322899A5 - - Google Patents
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Claims (14)
- 絶縁膜を間に挟んで重なって設けられたフローティングゲート及びコントロールゲートを有するトランジスタと、入力端子と、出力端子とを有し、
前記トランジスタのドレインは、前記トランジスタのコントロールゲートに電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記入力端子及び前記出力端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給され、
前記トランジスタのコントロールゲートは、前記フローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記トランジスタのドレインとコントロールゲートの間に抵抗を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記トランジスタのドレインとコントロールゲートの間に、順方向電流の向きが互いに逆になるように第1のダイオードと第2のダイオードが並列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記トランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
- 第1のトランジスタと、絶縁膜を間に挟んで設けられたフローティングゲート及びコントロールゲートを有する第2のトランジスタと、入力端子と、出力端子とを有し、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記入力端子及び前記出力端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインは、前記第2のトランジスタのコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給され、
前記第2のトランジスタのコントロールゲートは、前記第2のトランジスタのフローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁膜を間に挟んで設けられたフローティングゲート及びコントロールゲートを有する第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、入力端子と、出力端子とを有し、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第1のトランジスタのコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記入力端子及び前記出力端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのコントロールゲートは、前記第1のトランジスタのフローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインは、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給されることを特徴とする半導体装置。 - 第1の絶縁膜を間に挟んで設けられた第1のフローティングゲート及び第1のコントロールゲートを有する第1のトランジスタと、第2の絶縁膜を間に挟んで設けられた第2のフローティングゲート及び第2のコントロールゲートを有する第2のトランジスタと、入力端子と、出力端子とを有し、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第1のコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記入力端子及び前記出力端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のコントロールゲートは、前記第1のフローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための第1の端子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインは、前記第2のコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給され、
前記第2のコントロールゲートは、前記第2のフローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための第2の端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 集積回路と、前記集積回路に電気的に接続されたアンテナとを有し、
前記集積回路は、第1のトランジスタと、絶縁膜を間に挟んで設けられたフローティングゲート及びコントロールゲートを有する第2のトランジスタとを有し、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、入力端子及び出力端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインは、前記第2のトランジスタのコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給され、
前記第2のトランジスタのコントロールゲートは、前記第2のトランジスタのフローティングゲートに蓄積される電荷を制御するための端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 集積回路と、前記集積回路に電気的に接続されたアンテナとを有し、
前記集積回路は、第1のトランジスタと、絶縁膜を間に挟んで設けられたフローティングゲート及びコントロールゲートを有する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタの電圧を制御するためのパルス生成回路と、前記パルス生成回路への電源電圧の供給を行うための昇圧回路とを有し、
前記第1のトランジスタのドレインは、前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、入力端子及び出力端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのドレインは、前記第2のトランジスタのコントロールゲートに電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方には一定の電圧が供給されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5、8又は9のいずれか一において、前記第2のトランジスタのドレインとコントロールゲートの間に抵抗、又は順方向電流の向きが互いに逆になるように並列に接続された第1のダイオードと第2のダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項6において、前記第1のトランジスタのドレインとコントロールゲートの間に抵抗、又は順方向電流の向きが互いに逆になるように並列に接続された第1のダイオードと第2のダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項7において、前記第1のトランジスタのドレインと第1のコントロールゲートの間と、前記第2のトランジスタのドレインと第2のコントロールゲートの間に、抵抗、又は順方向電流の向きが互いに逆になるように並列に接続された第1のダイオードと第2のダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項5乃至12のいずれか一において、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、順方向電流の向きが同じであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5乃至13のいずれか一において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
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