JP2008181494A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. アンテナと、
   前記アンテナと電気的に接続された第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナとスイッチ素子を介して電気的に接続された第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて前記スイッチ素子の動作を制御する検出回路と、
   前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路を介して、前記アンテナから供給される電力を蓄電するバッテリーと、を有することを特徴とする半導体装置。
2. アンテナと、
   前記アンテナと電気的に接続された第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナとスイッチ素子を介して電気的に接続された第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて前記スイッチ素子の動作を制御する検出回路と、
   前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路を介して、前記アンテナから供給される電力を蓄電するバッテリーと、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路を介して前記アンテナから供給される電力と、前記バッテリーから出力される電力とが供給されるロジック回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記検出回路は、前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧が一定の値以上である場合に、前記スイッチ素子をオンにすることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記検出回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、抵抗素子と、複数のダイオードと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方には、前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧が供給され、
   前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記スイッチ素子の制御端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記抵抗素子を介して前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方には、グランド電位が供給され、
   前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのゲートには、バイアス電圧が供給され、
   前記複数のダイオードは、前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方との間に直列に接続されることを特徴とする半導体装置。
5. アンテナと、
   前記アンテナと電気的に接続された第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナと第１のスイッチ素子を介して電気的に接続された第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて前記第１のスイッチ素子の動作を制御する第１の検出回路と、
   前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路を介して、前記アンテナから供給される電力を蓄電するバッテリーと、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて第２のスイッチ素子及び第３のスイッチ素子の動作を制御する第２の検出回路と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路及び前記第２のスイッチ素子を介して前記アンテナから供給される電力と、前記第３のスイッチ素子を介して前記バッテリーから出力される電力とが供給されるロジック回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
6. アンテナと、
   前記アンテナと電気的に接続された第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナと第１のスイッチ素子を介して電気的に接続された第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて前記第１のスイッチ素子の動作を制御する第１の検出回路と、
   前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路を介して、前記アンテナから供給される電力を蓄電するバッテリーと、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と電気的に接続され、且つ前記バッテリーと第２のスイッチ素子を介して電気的に接続された定電圧回路と、
   前記定電圧回路から出力される電圧の値に応じて前記第２のスイッチ素子の動作を制御する第２の検出回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記バッテリーは、充電制御回路を介して前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
8. アンテナと、
   前記アンテナと電気的に接続された第１のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナと第１のスイッチ素子を介して電気的に接続された第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と、
   前記アンテナと電気素子を介して電気的に接続された第２のスイッチ素子と、
   前記第２のＡＣ／ＤＣ変換回路と充電制御回路を介して電気的に接続され、前記アンテナから供給される電力を蓄電するバッテリーと、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧の値に応じて前記第１のスイッチ素子の動作を制御し、且つ前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧及び前記バッテリーの充電状況に応じて前記第２のスイッチ素子の動作を制御する第１の検出回路と、
   前記バッテリーと電気的に接続された第３のスイッチ素子と、
   前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧に応じて前記第３のスイッチ素子の動作を制御する第２の検出回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記第１の検出回路は、前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧が一定の値以上である場合に、前記第１のスイッチ素子をオンにすることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項５乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記第１の検出回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、抵抗素子と、複数のダイオードと、を有し、
    前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方には、前記第１のＡＣ／ＤＣ変換回路から出力される電圧が供給され、
    前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のスイッチ素子の制御端子と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記抵抗素子を介して前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方には、グランド電位が供給され、
    前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのゲートには、バイアス電圧が供給され、
    前記複数のダイオードは、前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方との間に直列に接続されることを特徴とする半導体装置。