JP2001127199A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームを用いて半導体装置を構成し
た場合、リード配列による制限で多ピン化に対応できな
いという課題があった。 【解決手段】 突出した方向への押圧力によってのみ、
薄厚部が破断されてランド構成体がフレーム本体より分
離される構成であるターミナルランドフレームを用いて
形成された樹脂封止型半導体装置であって、ランド構成
体２６ａ，２６ｂ，２６ｃ上に搭載された第１の半導体
素子２７と、その上に積層して搭載された第２の半導体
素子２８と、第１の半導体素子２７の周辺に配置された
ランド構成体２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面
と第１の半導体素子２７，第２の半導体素子２８の各電
極パッドとを接続した金属細線２９と、ランド構成体２
６の底面を突出させて上面外囲を封止した封止樹脂３０
とよりなり、多ピンタイプの積層型マルチチップパッケ
ージを効率よく実現できるものである。
た場合、リード配列による制限で多ピン化に対応できな
いという課題があった。 【解決手段】 突出した方向への押圧力によってのみ、
薄厚部が破断されてランド構成体がフレーム本体より分
離される構成であるターミナルランドフレームを用いて
形成された樹脂封止型半導体装置であって、ランド構成
体２６ａ，２６ｂ，２６ｃ上に搭載された第１の半導体
素子２７と、その上に積層して搭載された第２の半導体
素子２８と、第１の半導体素子２７の周辺に配置された
ランド構成体２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面
と第１の半導体素子２７，第２の半導体素子２８の各電
極パッドとを接続した金属細線２９と、ランド構成体２
６の底面を突出させて上面外囲を封止した封止樹脂３０
とよりなり、多ピンタイプの積層型マルチチップパッケ
ージを効率よく実現できるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、フレーム枠か
ら簡易に分離可能な外部端子となるランド体を備えたフ
レームであるターミナルランドフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
リードを備えたリードフレームに代えて、フレーム枠か
ら簡易に分離可能な外部端子となるランド体を備えたフ
レームであるターミナルランドフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図２２は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２２に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
示す平面図である。図２２に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図２２に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図２３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２４に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２３
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２４において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
は、図２４に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２３
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２４において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置を基板ではな
く、フレーム体を用いて構成することを目的とするもの
である。そして従来のリードフレームに着目した発想か
ら転換し、ビーム状の「リード」に代え、外部電極とな
る「ランド」をフレーム状で形成する点に主眼をおいた
ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法を提供するものである。さ
らに本発明は、高機能のマルチチップタイプの樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法を提供するものであ
る。
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置を基板ではな
く、フレーム体を用いて構成することを目的とするもの
である。そして従来のリードフレームに着目した発想か
ら転換し、ビーム状の「リード」に代え、外部電極とな
る「ランド」をフレーム状で形成する点に主眼をおいた
ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法を提供するものである。さ
らに本発明は、高機能のマルチチップタイプの樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法を提供するものであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、ターミナルランドフレームを用いた本発明の
樹脂封止型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体
と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部に
より前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体
よりも突出して形成され、その底面の面積よりも上面の
面積が大きい複数のランド構成体とよりなり、前記ラン
ド構成体は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体が前記フレーム本体より分離される構成であるター
ミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半
導体装置であって、前記ランド構成体のうち、半導体素
子搭載用のランド構成体上に搭載された第１の半導体素
子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載された第
２の半導体素子と、前記ランド構成体のうち、前記第１
の半導体素子の周辺に配置された信号接続用のランド構
成体の各上面と前記第１の半導体素子もしくは前記第２
の半導体素子、または前記第１の半導体素子および第２
の半導体素子の各電極とを電気的に接続した金属細線
と、前記各ランド構成体の底面を突出させて前記第１の
半導体素子、第２の半導体素子、金属細線の外囲を封止
した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹
脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記
各ランド構成体が前記フレーム本体から突出した量を差
し引いた量である樹脂封止型半導体装置である。
るために、ターミナルランドフレームを用いた本発明の
樹脂封止型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体
と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部に
より前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体
よりも突出して形成され、その底面の面積よりも上面の
面積が大きい複数のランド構成体とよりなり、前記ラン
ド構成体は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体が前記フレーム本体より分離される構成であるター
ミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半
導体装置であって、前記ランド構成体のうち、半導体素
子搭載用のランド構成体上に搭載された第１の半導体素
子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載された第
２の半導体素子と、前記ランド構成体のうち、前記第１
の半導体素子の周辺に配置された信号接続用のランド構
成体の各上面と前記第１の半導体素子もしくは前記第２
の半導体素子、または前記第１の半導体素子および第２
の半導体素子の各電極とを電気的に接続した金属細線
と、前記各ランド構成体の底面を突出させて前記第１の
半導体素子、第２の半導体素子、金属細線の外囲を封止
した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹
脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記
各ランド構成体が前記フレーム本体から突出した量を差
し引いた量である樹脂封止型半導体装置である。
【００１４】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成され、そ
の底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構
成体と半導体素子支持用のダイパッド部とよりなり、前
記ランド構成体および半導体素子支持用のダイパッド部
はフレーム本体から突出した方向への押圧力によっての
み、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体および半
導体素子支持用のダイパッド部が前記フレーム本体より
分離される構成であるターミナルランドフレームを用い
て形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記半導
体素子支持用のダイパッド部上に搭載された第１の半導
体素子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載され
た第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子の周辺に
配置された前記ランド構成体の各上面と前記第１の半導
体素子もしくは前記第２の半導体素子、または前記第１
の半導体素子および第２の半導体素子の各電極とを電気
的に接続した金属細線と、前記ランド構成体の底面を突
出させて前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、金
属細線の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記ラン
ド構成体およびダイパッド部の封止樹脂からの突出量
は、前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体，
ダイパッド部が前記フレーム本体から突出した量を差し
引いた量である樹脂封止型半導体装置である。
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成され、そ
の底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構
成体と半導体素子支持用のダイパッド部とよりなり、前
記ランド構成体および半導体素子支持用のダイパッド部
はフレーム本体から突出した方向への押圧力によっての
み、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体および半
導体素子支持用のダイパッド部が前記フレーム本体より
分離される構成であるターミナルランドフレームを用い
て形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記半導
体素子支持用のダイパッド部上に搭載された第１の半導
体素子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載され
た第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子の周辺に
配置された前記ランド構成体の各上面と前記第１の半導
体素子もしくは前記第２の半導体素子、または前記第１
の半導体素子および第２の半導体素子の各電極とを電気
的に接続した金属細線と、前記ランド構成体の底面を突
出させて前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、金
属細線の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記ラン
ド構成体およびダイパッド部の封止樹脂からの突出量
は、前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体，
ダイパッド部が前記フレーム本体から突出した量を差し
引いた量である樹脂封止型半導体装置である。
【００１５】またターミナルランドフレームを用いた本
発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板より
なるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設
されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ
前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底面の
面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構成体とよ
りなり、前記ランド構成体は前記フレーム本体から突出
した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断さ
れて前記ランド構成体が前記フレーム本体より分離され
る構成であるターミナルランドフレームを用意する工程
と、前記ターミナルランドフレームのランド構成体のう
ち、半導体素子搭載用のランド構成体の突出した側に第
１の半導体素子を搭載する工程と、前記第１の半導体素
子の上面に第２の半導体素子を積層して搭載する工程
と、前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極と前記第１の半導体素子の周辺の信号接続用
のランド構成体とを各々金属細線により電気的に接続す
る工程と、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、
金属細線の外囲であって、前記ターミナルランドフレー
ムの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半
導体装置を形成する工程と、前記ターミナルランドフレ
ームの前記フレーム本体を固定した状態で前記フレーム
本体の底面側から前記各ランド構成体の底面側に対して
押圧力を印加し、各ランド構成体とフレーム本体とを接
続している薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置を分離する工程とを有する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板より
なるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設
されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ
前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底面の
面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構成体とよ
りなり、前記ランド構成体は前記フレーム本体から突出
した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断さ
れて前記ランド構成体が前記フレーム本体より分離され
る構成であるターミナルランドフレームを用意する工程
と、前記ターミナルランドフレームのランド構成体のう
ち、半導体素子搭載用のランド構成体の突出した側に第
１の半導体素子を搭載する工程と、前記第１の半導体素
子の上面に第２の半導体素子を積層して搭載する工程
と、前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極と前記第１の半導体素子の周辺の信号接続用
のランド構成体とを各々金属細線により電気的に接続す
る工程と、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、
金属細線の外囲であって、前記ターミナルランドフレー
ムの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半
導体装置を形成する工程と、前記ターミナルランドフレ
ームの前記フレーム本体を固定した状態で前記フレーム
本体の底面側から前記各ランド構成体の底面側に対して
押圧力を印加し、各ランド構成体とフレーム本体とを接
続している薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置を分離する工程とを有する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
【００１６】具体的には、ターミナルランドフレームの
ランド構成体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体
の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工程では、
ランド構成体の突出した側に第１の半導体素子をその主
面を上にして接着する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
ランド構成体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体
の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工程では、
ランド構成体の突出した側に第１の半導体素子をその主
面を上にして接着する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
【００１７】また、第１の半導体素子の上面に第２の半
導体素子を積層して搭載する工程では、第２の半導体素
子をその主面を上にして第１の半導体素子上に接着して
積層する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
導体素子を積層して搭載する工程では、第２の半導体素
子をその主面を上にして第１の半導体素子上に接着して
積層する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１８】本発明で用いるターミナルランドフレーム
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるランド構成体を設けたものであり、そのランド構
成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力により、ラ
ンド構成体とフレーム本体とを接続している部分である
薄厚部を破断させることにより、フレーム本体から分離
することができるので、リードカット工程やリードベン
ド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができるものである。これは比較的、精度が要求され
た従来のリードフレームにおけるリードカット工程、リ
ードベンド工程に比べて、工程自体が、突き上げ処理に
より樹脂封止型半導体装置をフレームから分離する、と
いう比較的単純な処理であり、不良、破壊、変形等が発
生することがなくなるため、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるランド構成体を設けたものであり、そのランド構
成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力により、ラ
ンド構成体とフレーム本体とを接続している部分である
薄厚部を破断させることにより、フレーム本体から分離
することができるので、リードカット工程やリードベン
ド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができるものである。これは比較的、精度が要求され
た従来のリードフレームにおけるリードカット工程、リ
ードベンド工程に比べて、工程自体が、突き上げ処理に
より樹脂封止型半導体装置をフレームから分離する、と
いう比較的単純な処理であり、不良、破壊、変形等が発
生することがなくなるため、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。
【００１９】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。
【００２０】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置としては、ランド構成体がその底面に配列され、
またランド構成体が封止樹脂の底面よりも突出して設け
られ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもの
である。ここで樹脂封止型半導体装置のランド構成体の
突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体の外部ラ
ンド電極としてのスタンドオフが、ターミナルランドフ
レームを用いることにより、別工程によりスタンドオフ
を形成せずに自己整合的に形成されるものである。
体装置としては、ランド構成体がその底面に配列され、
またランド構成体が封止樹脂の底面よりも突出して設け
られ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもの
である。ここで樹脂封止型半導体装置のランド構成体の
突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体の外部ラ
ンド電極としてのスタンドオフが、ターミナルランドフ
レームを用いることにより、別工程によりスタンドオフ
を形成せずに自己整合的に形成されるものである。
【００２１】また、１つのパッケージ内に２つの半導体
素子を搭載し、かつ薄型、小型を実現したものである。
例えば、第１の半導体素子としては、ＬＳＩロジック素
子、第２の半導体素子としては、バイポーラ素子，メモ
リー素子が搭載可能であり、積層型マルチチップパッケ
ージ、モジュールパッケージを効率よく実現できるもの
である。
素子を搭載し、かつ薄型、小型を実現したものである。
例えば、第１の半導体素子としては、ＬＳＩロジック素
子、第２の半導体素子としては、バイポーラ素子，メモ
リー素子が搭載可能であり、積層型マルチチップパッケ
ージ、モジュールパッケージを効率よく実現できるもの
である。
【００２２】またターミナルランドフレームを用いるこ
とにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した後、ラン
ド構成体、ダイパッド部部分の下方からの突き上げによ
りフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半導体装
置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したランド電
極を配列することができる。また、本発明のターミナル
ランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る際、樹脂封止時において、ランド底面部分への樹脂バ
リの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部電極と
してのスタンドオフが確保できるものである。
とにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した後、ラン
ド構成体、ダイパッド部部分の下方からの突き上げによ
りフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半導体装
置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したランド電
極を配列することができる。また、本発明のターミナル
ランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る際、樹脂封止時において、ランド底面部分への樹脂バ
リの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部電極と
してのスタンドオフが確保できるものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００２４】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。
【００２５】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
【００２６】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。
【００２７】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。
【００２８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体１２
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。また本実施形態のター
ミナルランドフレームの表面粗さとしては、０．１［μ
ｍ］以下である。この表面粗さは、樹脂封止した際の樹
脂との剥離性の点で影響があるため、ランド構成体以外
の無用な凹凸をなくす必要がある。
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体１２
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。また本実施形態のター
ミナルランドフレームの表面粗さとしては、０．１［μ
ｍ］以下である。この表面粗さは、樹脂封止した際の樹
脂との剥離性の点で影響があるため、ランド構成体以外
の無用な凹凸をなくす必要がある。
【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。
【００３０】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。
【００３１】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。
【００３２】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。
【００３３】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。
ムの製造方法について説明する。
【００３４】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。
【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。
【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。
【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。
【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。
【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、本実施形態では過半数以上の突出量としたが、半
数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断さ
れる範囲で、突出量を設定できるものである。
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、本実施形態では過半数以上の突出量としたが、半
数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断さ
れる範囲で、突出量を設定できるものである。
【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。
【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。
【００４２】ランド構成体１２の形成としては、パンチ
部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダレ部１８，
せん断部１９，破断部２０の順に形成されていくもので
ある。破断部２０となる部分は薄厚部１１であり、図面
上はモデル的に示している関係上、相当の厚みを有して
いるように示されているが、実質的には極めて薄い状態
である。また金属板１３の打ち抜き加工においては、理
想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パンチ部材１７
が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚みの１／２を
打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止させ、打ち抜き
を完了させるものであるが、その条件は適宜、設定する
ものである。
部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダレ部１８，
せん断部１９，破断部２０の順に形成されていくもので
ある。破断部２０となる部分は薄厚部１１であり、図面
上はモデル的に示している関係上、相当の厚みを有して
いるように示されているが、実質的には極めて薄い状態
である。また金属板１３の打ち抜き加工においては、理
想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パンチ部材１７
が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚みの１／２を
打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止させ、打ち抜き
を完了させるものであるが、その条件は適宜、設定する
ものである。
【００４３】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。
【００４４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を底面側を下にして示した図であり、また本実施形態の
樹脂封止型半導体装置を示す平面図については、いわゆ
る矩形状を示すのみであるため省略する。
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を底面側を下にして示した図であり、また本実施形態の
樹脂封止型半導体装置を示す平面図については、いわゆ
る矩形状を示すのみであるため省略する。
【００４５】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体１２の内、第１のランド構成体１
２ａ，１２ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２１、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２２と、その半導体素子２２の周辺に配置され、半導体
素子２２と金属細線２３により電気的に接続された第２
のランド構成体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと、各
ランド構成体１２の底面を突出させて半導体素子２２の
外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体１２の封止樹脂２４からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体１２
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体１２の内、第１のランド構成体１
２ａ，１２ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２１、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２２と、その半導体素子２２の周辺に配置され、半導体
素子２２と金属細線２３により電気的に接続された第２
のランド構成体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと、各
ランド構成体１２の底面を突出させて半導体素子２２の
外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体１２の封止樹脂２４からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体１２
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。
【００４６】本実施形態では、ランド構成体１２の一部
を半導体素子２２を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体１２は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイ
（ＬＧＡ）を構成しているものである。そして、搭載す
る半導体素子の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の
支持用のランド構成体１２を適宜、設定することができ
る。また、従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置とは異なり、ランド構成体１２の面積は、１０
０［μｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであれ
ばよく、また高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程
度であるため、高密度な電極配列が可能であり、ピッチ
調整も可能であり、小型・薄型の樹脂封止型半導体装置
を実現できるものである。さらに本実施形態の構造によ
り、多ピン化に対応でき、高密度面実装型の樹脂封止型
半導体装置を実現できるものであり、半導体装置自体の
厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５００［μｍ］程度の
極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できるもので
ある。
を半導体素子２２を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体１２は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイ
（ＬＧＡ）を構成しているものである。そして、搭載す
る半導体素子の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の
支持用のランド構成体１２を適宜、設定することができ
る。また、従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置とは異なり、ランド構成体１２の面積は、１０
０［μｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであれ
ばよく、また高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程
度であるため、高密度な電極配列が可能であり、ピッチ
調整も可能であり、小型・薄型の樹脂封止型半導体装置
を実現できるものである。さらに本実施形態の構造によ
り、多ピン化に対応でき、高密度面実装型の樹脂封止型
半導体装置を実現できるものであり、半導体装置自体の
厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５００［μｍ］程度の
極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できるもので
ある。
【００４７】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２４に封止された側のランド構成体１２の
上面の面積が、封止樹脂２４から露出、突出した側のラ
ンド構成体１２の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体１２の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体１２は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２４とラ
ンド構成体１２との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体１２と封止樹脂２４との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
は、封止樹脂２４に封止された側のランド構成体１２の
上面の面積が、封止樹脂２４から露出、突出した側のラ
ンド構成体１２の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体１２の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体１２は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２４とラ
ンド構成体１２との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体１２と封止樹脂２４との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。
【００４８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【００４９】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体１２とよりなり、ランド構成体１２はフレーム
本体１０からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部１１が破断されてランド構成体１２自体がフレーム
本体１０より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。
体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体１２とよりなり、ランド構成体１２はフレーム
本体１０からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部１１が破断されてランド構成体１２自体がフレーム
本体１０より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。
【００５０】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体１２が突出した面側であ
って、ランド構成体１２の内、所定の第１のランド構成
体１２ａ，１２ｂ上に導電性接着剤２１、または絶縁性
ペーストにより半導体素子２２を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２１の塗布、半導体素子２２の載置、加熱処
理により半導体素子２２を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体１２が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
１２の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体１２の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子２２を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体１２は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
ランドフレームのランド構成体１２が突出した面側であ
って、ランド構成体１２の内、所定の第１のランド構成
体１２ａ，１２ｂ上に導電性接着剤２１、または絶縁性
ペーストにより半導体素子２２を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２１の塗布、半導体素子２２の載置、加熱処
理により半導体素子２２を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体１２が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
１２の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体１２の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子２２を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体１２は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。
【００５１】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２とランド構
成体１２の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆとを金属細線２３に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体１２
は上面の金属細線２３が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体１２は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線２３をランド構成体１２の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
１２は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２とランド構
成体１２の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆとを金属細線２３に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体１２
は上面の金属細線２３が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体１２は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線２３をランド構成体１２の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
１２は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。
【００５２】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２、および電
気的接続手段である金属細線２３の領域を封止樹脂２４
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子２２が搭載された面の
みが封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体１２は突出
して設けられているため、封止樹脂２４がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂２４との密着性を得る
ことができる。
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２、および電
気的接続手段である金属細線２３の領域を封止樹脂２４
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子２２が搭載された面の
みが封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体１２は突出
して設けられているため、封止樹脂２４がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂２４との密着性を得る
ことができる。
【００５３】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂２４で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体１２の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体１２とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体１０とが分離するも
のである。ランド構成体１２とフレーム本体１０とを接
続している極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
２２の下方に位置するランド構成体１２のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体１２を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体１２を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体１２自体が封止樹脂２４から剥離して落下しない範囲
で突き上げを行う。勿論、突き上げ以外の手段で分離し
てもよく、フレーム本体に対してひねりを加えたり、封
止樹脂２４部分を吸着して引き上げても、ランド構成体
１２とターミナルランドフレームのフレーム本体２６と
を分離させることができる。
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂２４で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体１２の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体１２とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体１０とが分離するも
のである。ランド構成体１２とフレーム本体１０とを接
続している極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
２２の下方に位置するランド構成体１２のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体１２を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体１２を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体１２自体が封止樹脂２４から剥離して落下しない範囲
で突き上げを行う。勿論、突き上げ以外の手段で分離し
てもよく、フレーム本体に対してひねりを加えたり、封
止樹脂２４部分を吸着して引き上げても、ランド構成体
１２とターミナルランドフレームのフレーム本体２６と
を分離させることができる。
【００５４】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体１
２とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されて、
樹脂封止型半導体装置２５を得ることができる。なお、
ここでフレーム本体のランド構成体１２が形成されてい
ない領域と封止樹脂２４との密着性は弱く、ランド構成
体１２が分離することにより、フレーム本体から樹脂封
止型半導体装置２５を得ることができるものである。図
示するように、樹脂封止型半導体装置２５は、ランド構
成体２８がその底面に配列され、またランド構成体１２
が封止樹脂２４の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置２５のランド構成体１２の突出
量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体１２が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体１２の外
部ランド電極としてのスタンドオフが形成されるもので
ある。本実施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレー
ム本体に対して、ランド構成体１２を１４０［μｍ］〜
１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９
０［％］）突出させているため、スタンドオフ高さの量
は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタ
ンドオフを有したランド電極を得ることができる。
２とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されて、
樹脂封止型半導体装置２５を得ることができる。なお、
ここでフレーム本体のランド構成体１２が形成されてい
ない領域と封止樹脂２４との密着性は弱く、ランド構成
体１２が分離することにより、フレーム本体から樹脂封
止型半導体装置２５を得ることができるものである。図
示するように、樹脂封止型半導体装置２５は、ランド構
成体２８がその底面に配列され、またランド構成体１２
が封止樹脂２４の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置２５のランド構成体１２の突出
量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体１２が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体１２の外
部ランド電極としてのスタンドオフが形成されるもので
ある。本実施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレー
ム本体に対して、ランド構成体１２を１４０［μｍ］〜
１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９
０［％］）突出させているため、スタンドオフ高さの量
は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタ
ンドオフを有したランド電極を得ることができる。
【００５５】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体１２部分に対する突き上げ法の他、樹脂封止型半導
体装置部分を固定した状態でフレーム本体自体を引き剥
がすことにより、分離できるものであるが、製品の信頼
性を考慮して分離方法を採用するものである。
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体１２部分に対する突き上げ法の他、樹脂封止型半導
体装置部分を固定した状態でフレーム本体自体を引き剥
がすことにより、分離できるものであるが、製品の信頼
性を考慮して分離方法を採用するものである。
【００５６】次に本発明のターミナルランドフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図
面を参照しながら説明する。
用いた樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図
面を参照しながら説明する。
【００５７】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。
【００５８】図１０に示すように本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体とよりなり、そのランド構成体はフレー
ム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、薄厚
部が破断されてランド構成体がフレーム本体より分離さ
れる構成であるターミナルランドフレームを用いて形成
された樹脂封止型半導体装置であって、ランド構成体２
６のうち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２
６ｂ，２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の
導電性接着剤により搭載された第１の半導体素子２７
と、その第１の半導体素子２７上にその主面を上にし
て、絶縁性接着剤により積層して搭載された第２の半導
体素子２８と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体
素子２７の周辺に配置された信号接続用のランド構成体
２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導
体素子２７および第２の半導体素子２８の各電極パッド
とを電気的に接続した金属細線２９と、ランド構成体２
６の底面を突出させて第１の半導体素子２７、第２の半
導体素子２８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂
３０とよりなり、ランド構成体２６の封止樹脂３０から
の突出量は、ターミナルランドフレームのフレーム本体
の厚み量からランド構成体２６がフレーム本体から突出
した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置であ
る。
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体とよりなり、そのランド構成体はフレー
ム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、薄厚
部が破断されてランド構成体がフレーム本体より分離さ
れる構成であるターミナルランドフレームを用いて形成
された樹脂封止型半導体装置であって、ランド構成体２
６のうち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２
６ｂ，２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の
導電性接着剤により搭載された第１の半導体素子２７
と、その第１の半導体素子２７上にその主面を上にし
て、絶縁性接着剤により積層して搭載された第２の半導
体素子２８と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体
素子２７の周辺に配置された信号接続用のランド構成体
２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導
体素子２７および第２の半導体素子２８の各電極パッド
とを電気的に接続した金属細線２９と、ランド構成体２
６の底面を突出させて第１の半導体素子２７、第２の半
導体素子２８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂
３０とよりなり、ランド構成体２６の封止樹脂３０から
の突出量は、ターミナルランドフレームのフレーム本体
の厚み量からランド構成体２６がフレーム本体から突出
した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置であ
る。
【００５９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、１
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものである。例えば、第１の半導体
素子２７としては、ＬＳＩロジック素子、第２の半導体
素子２８としては、バイポーラ素子，メモリー素子が搭
載可能であり、積層型マルチチップパッケージを効率よ
く実現できるものである。
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものである。例えば、第１の半導体
素子２７としては、ＬＳＩロジック素子、第２の半導体
素子２８としては、バイポーラ素子，メモリー素子が搭
載可能であり、積層型マルチチップパッケージを効率よ
く実現できるものである。
【００６０】図１１は本実施形態のターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
り、図１０に示した樹脂封止型半導体装置とは半導体素
子の支持構造が異なる樹脂封止型半導体装置を示す実施
形態である。
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
り、図１０に示した樹脂封止型半導体装置とは半導体素
子の支持構造が異なる樹脂封止型半導体装置を示す実施
形態である。
【００６１】図１１に示すように本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体群と半導体素子支持用のダイパッド部と
よりなり、そのランド構成体群および半導体素子支持用
のダイパッド部はフレーム本体から突出した方向への押
圧力によってのみ、薄厚部が破断されてランド構成体群
および半導体素子支持用のダイパッド部がフレーム本体
より分離される構成であるターミナルランドフレームを
用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、半導
体素子支持用のダイパッド部３１上にその主面を上にし
て、銀ペースト等の導電性接着剤により搭載された第１
の半導体素子２７と、その第１の半導体素子２７上にそ
の主面を上にして、絶縁性接着剤により積層して搭載さ
れた第２の半導体素子２８と、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６の各上
面と第１の半導体素子２７および第２の半導体素子２８
の各電極パッドとを電気的に接続した金属細線２９と、
ランド構成体２６の底面を突出させて第１の半導体素子
２７、第２の半導体素子２８、金属細線２９の外囲を封
止した封止樹脂３０とよりなり、ランド構成体２６およ
びダイパッド部３１の封止樹脂３０からの突出量は、タ
ーミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量からラ
ンド構成体２６，ダイパッド部３１がフレーム本体から
突出した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置
である。
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体群と半導体素子支持用のダイパッド部と
よりなり、そのランド構成体群および半導体素子支持用
のダイパッド部はフレーム本体から突出した方向への押
圧力によってのみ、薄厚部が破断されてランド構成体群
および半導体素子支持用のダイパッド部がフレーム本体
より分離される構成であるターミナルランドフレームを
用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、半導
体素子支持用のダイパッド部３１上にその主面を上にし
て、銀ペースト等の導電性接着剤により搭載された第１
の半導体素子２７と、その第１の半導体素子２７上にそ
の主面を上にして、絶縁性接着剤により積層して搭載さ
れた第２の半導体素子２８と、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６の各上
面と第１の半導体素子２７および第２の半導体素子２８
の各電極パッドとを電気的に接続した金属細線２９と、
ランド構成体２６の底面を突出させて第１の半導体素子
２７、第２の半導体素子２８、金属細線２９の外囲を封
止した封止樹脂３０とよりなり、ランド構成体２６およ
びダイパッド部３１の封止樹脂３０からの突出量は、タ
ーミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量からラ
ンド構成体２６，ダイパッド部３１がフレーム本体から
突出した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置
である。
【００６２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、１
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものであるが、第１の半導体素子２
７としては、発熱性のある半導体素子を搭載し、支持し
ているダイパッド３１の底面が露出しているため、外部
（実装基板等）に熱を放散することができる。したがっ
て、ダイパッド部３１を半切断工法でターミナルランド
フレームに形成することにより、放熱タイプの積層型マ
ルチチップパッケージを効率よく実現できるものであ
る。
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものであるが、第１の半導体素子２
７としては、発熱性のある半導体素子を搭載し、支持し
ているダイパッド３１の底面が露出しているため、外部
（実装基板等）に熱を放散することができる。したがっ
て、ダイパッド部３１を半切断工法でターミナルランド
フレームに形成することにより、放熱タイプの積層型マ
ルチチップパッケージを効率よく実現できるものであ
る。
【００６３】なお、本実施形態では第１の半導体素子２
７とランド構成体２６、第２の半導体素子２８とランド
構成体２６とをそれぞれ金属細線２９で接続する例を示
したが、第１の半導体素子、第２の半導体素子の機能、
種類によっては、第１の半導体素子と第２の半導体素子
とが素子どうしで金属細線で接続し、そして第１の半導
体素子とランド構成体とが金属細線で接続する場合にお
いても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を形成できる。また第１の半導体素子
と第２の半導体素子とがバンプ接合され、第１の半導体
素子と周囲のランド構成体とを金属細線で接続する構造
としてもよい。
７とランド構成体２６、第２の半導体素子２８とランド
構成体２６とをそれぞれ金属細線２９で接続する例を示
したが、第１の半導体素子、第２の半導体素子の機能、
種類によっては、第１の半導体素子と第２の半導体素子
とが素子どうしで金属細線で接続し、そして第１の半導
体素子とランド構成体とが金属細線で接続する場合にお
いても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を形成できる。また第１の半導体素子
と第２の半導体素子とがバンプ接合され、第１の半導体
素子と周囲のランド構成体とを金属細線で接続する構造
としてもよい。
【００６４】また図１０に示した構造とは別に、第１の
半導体素子をターミナルランドフレームの各ランド構成
体に対してバンプ電極を介してその電極面を下にしてフ
リップチップ接合し、その第１の半導体素子の裏面に対
して第２の半導体素子を搭載し、第２の半導体素子とラ
ンド構成体とを金属細線で接続した構造としてもよい。
さらに第１の半導体素子の上面に対して第２の半導体素
子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合し、その
第１の半導体素子とランド構成体とを金属細線で接続し
た構造としてもよい。
半導体素子をターミナルランドフレームの各ランド構成
体に対してバンプ電極を介してその電極面を下にしてフ
リップチップ接合し、その第１の半導体素子の裏面に対
して第２の半導体素子を搭載し、第２の半導体素子とラ
ンド構成体とを金属細線で接続した構造としてもよい。
さらに第１の半導体素子の上面に対して第２の半導体素
子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合し、その
第１の半導体素子とランド構成体とを金属細線で接続し
た構造としてもよい。
【００６５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００６６】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるターミナルランドフレームについて説
明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置の製造方法で用いるターミナルランドフレームを
示す図であり、図１２は平面図、図１３は図１２のＣ−
Ｃ１箇所の断面図である。なお、基本概念は図１に示し
た実施形態のターミナルランドフレームと同様である。
製造方法で用いるターミナルランドフレームについて説
明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置の製造方法で用いるターミナルランドフレームを
示す図であり、図１２は平面図、図１３は図１２のＣ−
Ｃ１箇所の断面図である。なお、基本概念は図１に示し
た実施形態のターミナルランドフレームと同様である。
【００６７】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体２６とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体２６および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体２６はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体２６がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体２６の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体２６とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体２６および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体２６はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体２６がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体２６の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。
【００６８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体２６
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体２６
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。
【００６９】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体２６の群の内、一部のランド構成体を
半導体素子搭載用のランド構成体として使用することが
できる。このことにより、品種の違いにより、ターミナ
ルランドフレーム上に搭載する半導体素子の大きさに差
があった場合でも、適宜、ランド構成体２６の一部を支
持用のランド構成体として使用し、その他のランド構成
体２６をその搭載した半導体素子との電気的な信号接続
用のランド構成体として使用することにより、ターミナ
ルランドフレームを共用することができ、１枚のフレー
ム中で複数の大きさの異なる半導体素子を搭載し、樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体２６の群の内、一部のランド構成体を
半導体素子搭載用のランド構成体として使用することが
できる。このことにより、品種の違いにより、ターミナ
ルランドフレーム上に搭載する半導体素子の大きさに差
があった場合でも、適宜、ランド構成体２６の一部を支
持用のランド構成体として使用し、その他のランド構成
体２６をその搭載した半導体素子との電気的な信号接続
用のランド構成体として使用することにより、ターミナ
ルランドフレームを共用することができ、１枚のフレー
ム中で複数の大きさの異なる半導体素子を搭載し、樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
【００７０】なお、ランド構成体２６の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。またランド構成体２６の形状は円形とし
ているが、角形や長方形でもよく、また大きさは、ター
ミナルランドフレーム内ですべて同一としてもよいし、
樹脂封止型半導体装置を構成し、ランド電極とした場
合、基板実装の際の応力緩和のために、周辺部に位置す
るランド構成体２６を大きくするようにしてもよい。
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。またランド構成体２６の形状は円形とし
ているが、角形や長方形でもよく、また大きさは、ター
ミナルランドフレーム内ですべて同一としてもよいし、
樹脂封止型半導体装置を構成し、ランド電極とした場
合、基板実装の際の応力緩和のために、周辺部に位置す
るランド構成体２６を大きくするようにしてもよい。
【００７１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。図１４
〜図２１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方
法を示す工程ごとの断面図である。なお、ここでは代表
的に図１０に示した形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。図１４
〜図２１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方
法を示す工程ごとの断面図である。なお、ここでは代表
的に図１０に示した形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について説明する。
【００７２】まず図１４に示すように、フレーム本体１
０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設されて、薄
厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつフレー
ム本体１０よりも突出して形成された複数のランド構成
体２６とよりなり、ランド構成体２６はフレーム本体１
０からそれが突出した方向への押圧力により、薄厚部１
１が破断されてランド構成体２６自体がフレーム本体１
０より分離される構成を有するターミナルランドフレー
ムを用意する。
０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設されて、薄
厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつフレー
ム本体１０よりも突出して形成された複数のランド構成
体２６とよりなり、ランド構成体２６はフレーム本体１
０からそれが突出した方向への押圧力により、薄厚部１
１が破断されてランド構成体２６自体がフレーム本体１
０より分離される構成を有するターミナルランドフレー
ムを用意する。
【００７３】次に図１５に示すように、ターミナルラン
ドフレームのランド構成体２６が突出した面側であっ
て、ランド構成体２６の内、所定の半導体素子搭載用の
ランド構成体２６ａ，２６ｂ，２６ｃ上に導電性接着剤
（図示せず）または絶縁性ペーストにより第１の半導体
素子２７をその主面を上にして載置、接合する。この工
程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に相
当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導電
性接着剤の塗布、半導体素子の載置、加熱処理により第
１の半導体素子２７を接合するものである。また本実施
形態では第１の半導体素子２７の搭載において、周辺部
に電極パッドが形成された面を上にして搭載している。
またここで、ターミナルランドフレームは、ランド構成
体２６が突出した方向に対しての押圧力、すなわちラン
ド構成体２６の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであるが、それが突出した方向、すなわ
ちランド構成体２６の上面部分からの押圧力によっては
分離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、第１の半導体素子２７を搭載する
際、フレームに対して下方の押圧力が作用しても、ラン
ド構成体１２は分離せず、安定してダイボンドできるも
のである。
ドフレームのランド構成体２６が突出した面側であっ
て、ランド構成体２６の内、所定の半導体素子搭載用の
ランド構成体２６ａ，２６ｂ，２６ｃ上に導電性接着剤
（図示せず）または絶縁性ペーストにより第１の半導体
素子２７をその主面を上にして載置、接合する。この工
程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に相
当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導電
性接着剤の塗布、半導体素子の載置、加熱処理により第
１の半導体素子２７を接合するものである。また本実施
形態では第１の半導体素子２７の搭載において、周辺部
に電極パッドが形成された面を上にして搭載している。
またここで、ターミナルランドフレームは、ランド構成
体２６が突出した方向に対しての押圧力、すなわちラン
ド構成体２６の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであるが、それが突出した方向、すなわ
ちランド構成体２６の上面部分からの押圧力によっては
分離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、第１の半導体素子２７を搭載する
際、フレームに対して下方の押圧力が作用しても、ラン
ド構成体１２は分離せず、安定してダイボンドできるも
のである。
【００７４】次に図１６に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７の上面、
すなわち第１の半導体素子２７の表面の電極パッドが形
成されている周辺部にかからない領域に第２の半導体素
子２８を絶縁性接着剤によりその表面を上にして接着
し、積層して搭載する。
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７の上面、
すなわち第１の半導体素子２７の表面の電極パッドが形
成されている周辺部にかからない領域に第２の半導体素
子２８を絶縁性接着剤によりその表面を上にして接着
し、積層して搭載する。
【００７５】次に図１７，図１８に示すように、ターミ
ナルランドフレーム上に接合した第１の半導体素子２
７、その上に積層した第２の半導体素子２８とランド構
成体の内、外部ランド電極となる信号接続用のランド構
成体２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇとを各々金属細線
２９により電気的に接続する。また、この工程において
も、ランド構成体２６は一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、金属細線２９をランド構成体２６
ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの上面に接続する際、下方
に押圧力が作用しても、ランド構成体２６は分離せず、
安定してワイヤーボンドできるものである。
ナルランドフレーム上に接合した第１の半導体素子２
７、その上に積層した第２の半導体素子２８とランド構
成体の内、外部ランド電極となる信号接続用のランド構
成体２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇとを各々金属細線
２９により電気的に接続する。また、この工程において
も、ランド構成体２６は一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、金属細線２９をランド構成体２６
ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの上面に接続する際、下方
に押圧力が作用しても、ランド構成体２６は分離せず、
安定してワイヤーボンドできるものである。
【００７６】次に図１９に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７、第２の
半導体素子２８および電気的接続手段である金属細線２
９の領域を封止樹脂３０により封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。ここではターミナルランドフレームの半導体素
子２７，２８が搭載された面のみが封止樹脂３０により
封止されるものであり、片面封止構造となっている。そ
して各ランド構成体２６は突出して設けられているた
め、封止樹脂３０がその段差構造に対して、食いつくた
め片面封止構造であっても、ターミナルランドフレーム
と封止樹脂３０との密着性を得ることができる。
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７、第２の
半導体素子２８および電気的接続手段である金属細線２
９の領域を封止樹脂３０により封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。ここではターミナルランドフレームの半導体素
子２７，２８が搭載された面のみが封止樹脂３０により
封止されるものであり、片面封止構造となっている。そ
して各ランド構成体２６は突出して設けられているた
め、封止樹脂３０がその段差構造に対して、食いつくた
め片面封止構造であっても、ターミナルランドフレーム
と封止樹脂３０との密着性を得ることができる。
【００７７】次に図２０に示すように、ターミナルラン
ドフレームを固定した状態、例えばターミナルランドフ
レームの端部を固定し、封止樹脂３０で封止した領域を
フリーにした状態で、ターミナルランドフレームの下方
からランド構成体２６の底面に対して、押圧力を印加す
る。この場合、ターミナルランドフレームの端部を固定
し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押圧力
を印加することにより、ランド構成体２６とターミナル
ランドフレームのフレーム本体１０とが分離するもので
ある。ランド構成体２６とフレーム本体１０とを接続し
ている極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で破断
されることにより分離されるものである。なお、図２０
中、三角印は押圧力を示す。
ドフレームを固定した状態、例えばターミナルランドフ
レームの端部を固定し、封止樹脂３０で封止した領域を
フリーにした状態で、ターミナルランドフレームの下方
からランド構成体２６の底面に対して、押圧力を印加す
る。この場合、ターミナルランドフレームの端部を固定
し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押圧力
を印加することにより、ランド構成体２６とターミナル
ランドフレームのフレーム本体１０とが分離するもので
ある。ランド構成体２６とフレーム本体１０とを接続し
ている極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で破断
されることにより分離されるものである。なお、図２０
中、三角印は押圧力を示す。
【００７８】そして図２１に示すように、ランド構成体
２６とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突
き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３２を得ることができる。な
お、ここでフレーム本体のランド構成体２６が形成され
ていない領域と封止樹脂３０との密着性は弱く、ランド
構成体２６が分離することにより、フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置３２を得ることができるものであ
る。図示するように、樹脂封止型半導体装置３２は、ラ
ンド構成体２６がその底面に配列され、またランド構成
体２６が封止樹脂３０の底面よりも突出して設けられ、
基板実装時のスタンドオフが形成されているものであ
る。ここで樹脂封止型半導体装置３２のランド構成体２
６の突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体
２６が突出した量を差し引いた量となり、ランド構成体
２６の外部ランド電極としてのスタンドオフが形成され
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の厚み
のフレーム本体に対して、ランド構成体１２を１４０
［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０
［％］〜９０［％］）突出させているため、スタンドオ
フ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム
本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）となり、基板実
装時のスタンドオフを有したランド電極を得ることがで
きる。
２６とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突
き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３２を得ることができる。な
お、ここでフレーム本体のランド構成体２６が形成され
ていない領域と封止樹脂３０との密着性は弱く、ランド
構成体２６が分離することにより、フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置３２を得ることができるものであ
る。図示するように、樹脂封止型半導体装置３２は、ラ
ンド構成体２６がその底面に配列され、またランド構成
体２６が封止樹脂３０の底面よりも突出して設けられ、
基板実装時のスタンドオフが形成されているものであ
る。ここで樹脂封止型半導体装置３２のランド構成体２
６の突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体
２６が突出した量を差し引いた量となり、ランド構成体
２６の外部ランド電極としてのスタンドオフが形成され
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の厚み
のフレーム本体に対して、ランド構成体１２を１４０
［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０
［％］〜９０［％］）突出させているため、スタンドオ
フ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム
本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）となり、基板実
装時のスタンドオフを有したランド電極を得ることがで
きる。
【００７９】以上の工程により、ランド構成体２６のう
ち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の導電性
接着剤により搭載された第１の半導体素子２７と、その
第１の半導体素子２７上にその主面を上にして、絶縁性
接着剤により積層して搭載された第２の半導体素子２８
と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６ｄ，２
６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導体素子２７
および第２の半導体素子２８の各電極パッドとを電気的
に接続した金属細線２９と、ランド構成体２６の底面を
突出させて第１の半導体素子２７、第２の半導体素子２
８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂３０とより
なり、ランド構成体２６の封止樹脂３０からの突出量
は、ターミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量
からランド構成体２６がフレーム本体から突出した量を
差し引いた量である樹脂封止型半導体装置を得る。
ち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の導電性
接着剤により搭載された第１の半導体素子２７と、その
第１の半導体素子２７上にその主面を上にして、絶縁性
接着剤により積層して搭載された第２の半導体素子２８
と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６ｄ，２
６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導体素子２７
および第２の半導体素子２８の各電極パッドとを電気的
に接続した金属細線２９と、ランド構成体２６の底面を
突出させて第１の半導体素子２７、第２の半導体素子２
８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂３０とより
なり、ランド構成体２６の封止樹脂３０からの突出量
は、ターミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量
からランド構成体２６がフレーム本体から突出した量を
差し引いた量である樹脂封止型半導体装置を得る。
【００８０】なお、本実施形態では、ターミナルランド
フレームに対して、第１の半導体素子を搭載した後、そ
の上に第２の半導体素子を搭載しているが、第１の半導
体素子に対して第２の半導体素子を搭載した半導体素子
ブロックをターミナルランドフレームに一括で搭載して
もよい。
フレームに対して、第１の半導体素子を搭載した後、そ
の上に第２の半導体素子を搭載しているが、第１の半導
体素子に対して第２の半導体素子を搭載した半導体素子
ブロックをターミナルランドフレームに一括で搭載して
もよい。
【００８１】また第１の半導体素子をターミナルランド
フレームの各ランド構成体に対してバンプ電極を介して
その電極面を下にしてフリップチップ接合し、その第１
の半導体素子の裏面に対して第２の半導体素子を搭載し
てもよい。また第１の半導体素子の上面に対して第２の
半導体素子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合
してもよい。
フレームの各ランド構成体に対してバンプ電極を介して
その電極面を下にしてフリップチップ接合し、その第１
の半導体素子の裏面に対して第２の半導体素子を搭載し
てもよい。また第１の半導体素子の上面に対して第２の
半導体素子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合
してもよい。
【００８２】さらに本実施形態では第１の半導体素子と
ランド構成体、第２の半導体素子とランド構成体とをそ
れぞれ金属細線で接続する例を示したが、第１の半導体
素子と第２の半導体素子とが金属細線で接続する場合に
おいても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹
脂封止型半導体装置を形成できる。
ランド構成体、第２の半導体素子とランド構成体とをそ
れぞれ金属細線で接続する例を示したが、第１の半導体
素子と第２の半導体素子とが金属細線で接続する場合に
おいても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹
脂封止型半導体装置を形成できる。
【００８３】また本実施形態では、第１の半導体素子の
上に第２の半導体素子を搭載する２重構造としたが、３
つ以上の半導体素子を積層することも可能である。
上に第２の半導体素子を搭載する２重構造としたが、３
つ以上の半導体素子を積層することも可能である。
【００８４】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。その結果、面実装
タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリード接合
による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させるこ
とができる。さらに樹脂封止型半導体装置において、各
ランド構成体の封止樹脂からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量から各ランド構成体
自体がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量
であり、フレーム本体から製品を分離した時点で基板実
装時のスタンドオフが構成されるものであり、あえて別
工程でランドのスタンドオフを形成する必要がないもの
である。
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。その結果、面実装
タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリード接合
による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させるこ
とができる。さらに樹脂封止型半導体装置において、各
ランド構成体の封止樹脂からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量から各ランド構成体
自体がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量
であり、フレーム本体から製品を分離した時点で基板実
装時のスタンドオフが構成されるものであり、あえて別
工程でランドのスタンドオフを形成する必要がないもの
である。
【００８５】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。
【００８６】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置は
ターミナルランドフレームを用いることにより、従来の
ようなビーム状のリード電極に代えて、ランド電極を有
した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そ
して本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面のラン
ド電極を基板等を用いることなく、フレーム状態から形
成でき、また自己整合的にランド電極のスタンドオフを
形成できるものであり、従来にないフレーム構造、工法
によりランド電極を有したリードレスパッケージ型の樹
脂封止型半導体装置を実現することができるものであ
る。
ターミナルランドフレームを用いることにより、従来の
ようなビーム状のリード電極に代えて、ランド電極を有
した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そ
して本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面のラン
ド電極を基板等を用いることなく、フレーム状態から形
成でき、また自己整合的にランド電極のスタンドオフを
形成できるものであり、従来にないフレーム構造、工法
によりランド電極を有したリードレスパッケージ型の樹
脂封止型半導体装置を実現することができるものであ
る。
【００８７】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。
【００８８】さらに本発明のターミナルランドフレーム
を用いることにより、ターミナルランドフレーム上に搭
載した半導体素子の上に第２の半導体素子を積層搭載
し、積層型マルチチップパッケージを効率よく形成でき
るものである。
を用いることにより、ターミナルランドフレーム上に搭
載した半導体素子の上に第２の半導体素子を積層搭載
し、積層型マルチチップパッケージを効率よく形成でき
るものである。
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図
ムを示す平面図
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
ムを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
ムを示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
示す底面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図１３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２２】従来のリードフレームを示す平面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
す平面図
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ 導電性接着剤 ２２ 半導体素子 ２３ 金属細線 ２４ 封止樹脂 ２５ 樹脂封止型半導体装置 ２６ ランド構成体 ２７ 第１の半導体素子 ２８ 第２の半導体素子 ２９ 金属細線 ３０ 封止樹脂 ３１ ダイパッド部 ３２ 樹脂封止型半導体装置
フロントページの続き (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4E048 AB01 EA04 4M109 AA01 BA01 CA21 DA01 DB15 FA01 5F067 AA01 AB04 AB07 BA00 BA03 BA08 DA11 DE01
Claims (5)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は
前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によって
のみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置で
あって、前記ランド構成体のうち、半導体素子搭載用の
ランド構成体上に搭載された第１の半導体素子と、前記
第１の半導体素子上に積層して搭載された第２の半導体
素子と、前記ランド構成体のうち、前記第１の半導体素
子の周辺に配置された信号接続用のランド構成体の各上
面と前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極とを電気的に接続した金属細線と、前記各ラ
ンド構成体の底面を突出させて前記第１の半導体素子、
第２の半導体素子、金属細線の外囲を封止した封止樹脂
とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹脂からの突出
量は、前記フレーム本体の厚み量から前記各ランド構成
体が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた量で
あることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体と半導体素子支持用のダイパッド
部とよりなり、前記ランド構成体および半導体素子支持
用のダイパッド部はフレーム本体から突出した方向への
押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ラン
ド構成体および半導体素子支持用のダイパッド部が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置で
あって、前記半導体素子支持用のダイパッド部上に搭載
された第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子上に
積層して搭載された第２の半導体素子と、前記第１の半
導体素子の周辺に配置された前記ランド構成体の各上面
と前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極とを電気的に接続した金属細線と、前記ラン
ド構成体の底面を突出させて前記第１の半導体素子、第
２の半導体素子、金属細線の外囲を封止した封止樹脂と
よりなり、前記ランド構成体およびダイパッド部の封止
樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前
記ランド構成体，ダイパッド部が前記フレーム本体から
突出した量を差し引いた量であることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項３】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は
前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によって
のみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用意する工程と、前記ターミナルランドフ
レームのランド構成体のうち、半導体素子搭載用のラン
ド構成体の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工
程と、前記第１の半導体素子の上面に第２の半導体素子
を積層して搭載する工程と、前記第１の半導体素子もし
くは前記第２の半導体素子、または前記第１の半導体素
子および第２の半導体素子の各電極と前記第１の半導体
素子の周辺の信号接続用のランド構成体とを各々金属細
線により電気的に接続する工程と、前記第１の半導体素
子、第２の半導体素子、金属細線の外囲であって、前記
ターミナルランドフレームの上面側のみを封止樹脂によ
り封止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前
記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定
した状態で前記フレーム本体の底面側から前記各ランド
構成体の底面側に対して押圧力を印加し、各ランド構成
体とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、
前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する
工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 ターミナルランドフレームのランド構成
体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体の突出した
側に第１の半導体素子を搭載する工程では、ランド構成
体の突出した側に第１の半導体素子をその主面を上にし
て接着することを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１の半導体素子の上面に第２の半導体
素子を積層して搭載する工程では、第２の半導体素子を
その主面を上にして第１の半導体素子上に接着して積層
することを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
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