JP2001085229A - 積層型インピーダンス素子及びその製造方法 - Google Patents
積層型インピーダンス素子及びその製造方法Info
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- JP2001085229A JP2001085229A JP25875399A JP25875399A JP2001085229A JP 2001085229 A JP2001085229 A JP 2001085229A JP 25875399 A JP25875399 A JP 25875399A JP 25875399 A JP25875399 A JP 25875399A JP 2001085229 A JP2001085229 A JP 2001085229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波帯域でも高いインピーダンスが得られ
る積層型インピーダンス素子とその製造方法とを提供す
ること。 【解決手段】 磁性体層と導電体層とを積層・同時焼成
することにより、螺旋状の内部導体コイル２をセラミッ
クスの磁性体１中に設けた積層型インピーダンス素子１
０において、前記内部導体コイル２の螺旋軸５の方向が
当該積層型インピーダンス素子１０の長手方向で、かつ
積層方向が当該インピーダンス素子１０の前記長手方向
に交差する方向である。この積層型インピーダンス素子
１０の浮遊容量は０．５ｐＦ以下である。
る積層型インピーダンス素子とその製造方法とを提供す
ること。 【解決手段】 磁性体層と導電体層とを積層・同時焼成
することにより、螺旋状の内部導体コイル２をセラミッ
クスの磁性体１中に設けた積層型インピーダンス素子１
０において、前記内部導体コイル２の螺旋軸５の方向が
当該積層型インピーダンス素子１０の長手方向で、かつ
積層方向が当該インピーダンス素子１０の前記長手方向
に交差する方向である。この積層型インピーダンス素子
１０の浮遊容量は０．５ｐＦ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体セラミック
スもしくは、非磁性体セラミックスとコイル状の内部導
体からなる表面実装用の積層型インピーダンス素子及び
その製造方法に関する。
スもしくは、非磁性体セラミックスとコイル状の内部導
体からなる表面実装用の積層型インピーダンス素子及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化・高周波化により、Ｅ
ＭＩ対策が重要性が増している。一般にインピーダンス
素子では、目的とする周波数のノイズをインピーダンス
特性によって遮蔽しＥＭＩ対策としている。すなわち、
信号系に対して直列にインピーダンス素子を装着してノ
イズを遮断するということが一般的に行われている。
ＭＩ対策が重要性が増している。一般にインピーダンス
素子では、目的とする周波数のノイズをインピーダンス
特性によって遮蔽しＥＭＩ対策としている。すなわち、
信号系に対して直列にインピーダンス素子を装着してノ
イズを遮断するということが一般的に行われている。
【０００３】また、パリーアンプ等のアクティブ素子の
電源ライン系に対しても、直列にインピーダンス素子を
装着して、アクティブ素子から信号周波数のノイズが電
源ラインに漏洩することを抑制する等のＥＭＩ対策が行
われている。
電源ライン系に対しても、直列にインピーダンス素子を
装着して、アクティブ素子から信号周波数のノイズが電
源ラインに漏洩することを抑制する等のＥＭＩ対策が行
われている。
【０００４】近年の電子部品の小型化の要求のため、イ
ンピーダンス素子に代表される電子部品の主流は、積層
型のものに移りつつある。
ンピーダンス素子に代表される電子部品の主流は、積層
型のものに移りつつある。
【０００５】図６は従来技術によるプリント配線基板上
等に実装する形で使用される積層型インピーダンス素子
を示す透過斜視図で、図７は図６のインピーダンス素子
の断面図である。図６及び図７に示すように、インピー
ダンス素子５０は、通常、軟磁性フェライト粉末と結合
剤からなる磁性体層と、導電性粉末と結合剤からなる導
電体層とを、スクリーン印刷法で交互に積層して、磁性
体５１の中に螺旋軸５５の方向が外部電極を形成する端
面５４と平行になるように螺旋状の内部導体コイル５２
を設けた後、同時焼結することにより形成されている。
等に実装する形で使用される積層型インピーダンス素子
を示す透過斜視図で、図７は図６のインピーダンス素子
の断面図である。図６及び図７に示すように、インピー
ダンス素子５０は、通常、軟磁性フェライト粉末と結合
剤からなる磁性体層と、導電性粉末と結合剤からなる導
電体層とを、スクリーン印刷法で交互に積層して、磁性
体５１の中に螺旋軸５５の方向が外部電極を形成する端
面５４と平行になるように螺旋状の内部導体コイル５２
を設けた後、同時焼結することにより形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁性体
もしくは、非磁性体のセラミックスの中に設けた内部導
体コイル５２の螺旋軸５５の方向が積層型インピーダン
ス素子５０の外部電極５３を形成する端面５４と平行な
方向である従来の積層型インピーダンス素子５０では、
コイルのターン数が増えるに従い外部電極５３と内部導
体コイル５２の接近する箇所が増加するために、極低タ
ーン数の素子を除いて外部電極５３と内部導体コイル５
２との間の容量が大きくなり、積層型インピーダンス素
子５０の浮遊容量も大きくなってしまう。
もしくは、非磁性体のセラミックスの中に設けた内部導
体コイル５２の螺旋軸５５の方向が積層型インピーダン
ス素子５０の外部電極５３を形成する端面５４と平行な
方向である従来の積層型インピーダンス素子５０では、
コイルのターン数が増えるに従い外部電極５３と内部導
体コイル５２の接近する箇所が増加するために、極低タ
ーン数の素子を除いて外部電極５３と内部導体コイル５
２との間の容量が大きくなり、積層型インピーダンス素
子５０の浮遊容量も大きくなってしまう。
【０００７】したがって、高周波帯域のインピーダンス
の殆どを占めるリアクタンスの容量による成分Ｘｃ（下
記数１式参照）が小さくなってしまい、結果として高周
波帯域では、インピーダンスが低下してしまうという欠
点があった。
の殆どを占めるリアクタンスの容量による成分Ｘｃ（下
記数１式参照）が小さくなってしまい、結果として高周
波帯域では、インピーダンスが低下してしまうという欠
点があった。
【０００８】
【数１】 そこで、本発明の技術的課題は、従来の欠点を解消し、
高周波帯域でも高いインピーダンスが得られる積層型イ
ンピーダンス素子とその製造方法とを提供することにあ
る。
高周波帯域でも高いインピーダンスが得られる積層型イ
ンピーダンス素子とその製造方法とを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁性体
もしくは非磁性体からなるセラミックス層と導電体層と
を積層・同時焼成することにより、螺旋状の内部導体コ
イルをセラミックス中に設けた積層型インピーダンス素
子において、前記内部導体コイルの螺旋軸の方向が当該
積層型インピーダンス素子の長手方向であり、かつ積層
方向が当該インピーダンス素子の前記長手方向に交差す
る方向であり、前記積層型インピーダンス素子の浮遊容
量が０．５ｐＦ以下であることを特徴とする積層型イン
ピーダンス素子が得られる。
もしくは非磁性体からなるセラミックス層と導電体層と
を積層・同時焼成することにより、螺旋状の内部導体コ
イルをセラミックス中に設けた積層型インピーダンス素
子において、前記内部導体コイルの螺旋軸の方向が当該
積層型インピーダンス素子の長手方向であり、かつ積層
方向が当該インピーダンス素子の前記長手方向に交差す
る方向であり、前記積層型インピーダンス素子の浮遊容
量が０．５ｐＦ以下であることを特徴とする積層型イン
ピーダンス素子が得られる。
【００１０】また、本発明によれば、前記積層型インピ
ーダンス素子おいて、前記螺旋軸方向からの導体コイル
の投影面積が、０．３０ｍｍ２以下であることを特徴と
する積層型インピーダンス素子が得られる。
ーダンス素子おいて、前記螺旋軸方向からの導体コイル
の投影面積が、０．３０ｍｍ２以下であることを特徴と
する積層型インピーダンス素子が得られる。
【００１１】また、本発明によれば、磁性体もしくは非
磁性体からなるセラミックス層と導電体層とを積層・同
時焼成して、螺旋状の内部導体コイルをセラミックス中
に設ける積層型インピーダンス素子の製造方法におい
て、前記内部導体コイルの螺旋軸の方向が当該積層型イ
ンピーダンス素子の長手方向であり、かつ積層方向が当
該インピーダンス素子の前記長手方向に交差する方向で
あるように、前記セラミックス層と前記導電体層とを積
層し、前記積層型インピーダンス素子の浮遊容量が０．
５ｐＦ以下であるように形成することを特徴とする積層
型インピーダンス素子の製造方法が得られる。
磁性体からなるセラミックス層と導電体層とを積層・同
時焼成して、螺旋状の内部導体コイルをセラミックス中
に設ける積層型インピーダンス素子の製造方法におい
て、前記内部導体コイルの螺旋軸の方向が当該積層型イ
ンピーダンス素子の長手方向であり、かつ積層方向が当
該インピーダンス素子の前記長手方向に交差する方向で
あるように、前記セラミックス層と前記導電体層とを積
層し、前記積層型インピーダンス素子の浮遊容量が０．
５ｐＦ以下であるように形成することを特徴とする積層
型インピーダンス素子の製造方法が得られる。
【００１２】さらに、本発明によれば、前記積層型イン
ピーダンス素子の製造方法において、前記螺旋軸方向か
らの内部導体コイルの投影面積が、０．３０ｍｍ２以下
であることを特徴とする積層型インピーダンス素子の製
造方法が得られる。
ピーダンス素子の製造方法において、前記螺旋軸方向か
らの内部導体コイルの投影面積が、０．３０ｍｍ２以下
であることを特徴とする積層型インピーダンス素子の製
造方法が得られる。
【００１３】即ち、要するに、本発明では、導体コイル
の螺旋軸の方向が素子の長手方向であり、かつ積層方向
が素子の短軸方向、即ち、長手方向と垂直な方向であ
り、螺旋軸方向からの導体コイルの投影面積が０．３０
ｍｍ２以下で、素子の浮遊容量が０．５ｐＦ以下である
ることを特微とする積層型インピーダンス素子に関する
ものである。
の螺旋軸の方向が素子の長手方向であり、かつ積層方向
が素子の短軸方向、即ち、長手方向と垂直な方向であ
り、螺旋軸方向からの導体コイルの投影面積が０．３０
ｍｍ２以下で、素子の浮遊容量が０．５ｐＦ以下である
ることを特微とする積層型インピーダンス素子に関する
ものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】図１及び図２は本発明の実施の形態による
積層型インピーダンス素子の概略を示す透過斜視図及び
断面図である。
積層型インピーダンス素子の概略を示す透過斜視図及び
断面図である。
【００１６】図１に示すように、積層型インピーダンス
素子１０はセラミックス粉末である軟磁性フェライト粉
末及び結合剤からなる磁性体層と、導電体粉末及び結合
剤からなる導電体層とをスクリーン印刷法によって交互
に、矩形の導電体層の短部側を重ね合わせるようにし
て、磁性体１中に導電体層からなる内部導体コイル２の
螺旋軸５の方向が積層型インピーダンス素子１０の長手
方向であり、かつ積層方向がこの積層型インピーダンス
素子１０のの短軸方向、即ち図１においては、上下方向
になるように形成している。
素子１０はセラミックス粉末である軟磁性フェライト粉
末及び結合剤からなる磁性体層と、導電体粉末及び結合
剤からなる導電体層とをスクリーン印刷法によって交互
に、矩形の導電体層の短部側を重ね合わせるようにし
て、磁性体１中に導電体層からなる内部導体コイル２の
螺旋軸５の方向が積層型インピーダンス素子１０の長手
方向であり、かつ積層方向がこの積層型インピーダンス
素子１０のの短軸方向、即ち図１においては、上下方向
になるように形成している。
【００１７】ここで、図６に示すような従来技術による
ものと比較すると、螺旋状の内部導体コイル２の導体幅
・導体厚さが同一であることは、本発明によるものと従
来技術によるものとは同一である。
ものと比較すると、螺旋状の内部導体コイル２の導体幅
・導体厚さが同一であることは、本発明によるものと従
来技術によるものとは同一である。
【００１８】しかし、従来技術による積層型インピーダ
ンス素子５０は、螺旋状の内部導体コイル５２の螺旋軸
５５が外部電極５３の形成する端面５４と平行であるに
対して、本発明の実施の形態による積層型インピーダン
ス素子１０は、螺旋状の内部導体コイル２の螺旋軸５が
外部電極５３の形成する端面４と垂直に交わる点で異な
る。
ンス素子５０は、螺旋状の内部導体コイル５２の螺旋軸
５５が外部電極５３の形成する端面５４と平行であるに
対して、本発明の実施の形態による積層型インピーダン
ス素子１０は、螺旋状の内部導体コイル２の螺旋軸５が
外部電極５３の形成する端面４と垂直に交わる点で異な
る。
【００１９】このような２種の積層型インピーダンス素
子１０、５０において、本発明の実施の形態による積層
型インピーダンス素子１０では、内部導体コイル２の外
部電極３と接近している部分の面積は、従来技術による
積層型インピーダンス素子５０よりも、小さいため、外
部電極３−内部導体コイル２間の容量が小さく、素子全
体の浮遊容量も小さくなる。
子１０、５０において、本発明の実施の形態による積層
型インピーダンス素子１０では、内部導体コイル２の外
部電極３と接近している部分の面積は、従来技術による
積層型インピーダンス素子５０よりも、小さいため、外
部電極３−内部導体コイル２間の容量が小さく、素子全
体の浮遊容量も小さくなる。
【００２０】従って、前述した数１式より、高周波帯域
のインピーダンスの殆どを占めるリアククンスの容量に
よる成分Ｘｃが大きくなり、結果として高周波帯域での
インピーダンスが増加することになる。
のインピーダンスの殆どを占めるリアククンスの容量に
よる成分Ｘｃが大きくなり、結果として高周波帯域での
インピーダンスが増加することになる。
【００２１】次に、本発明の実施の形態による積層型イ
ンピーダンス素子の製造の具体例について説明する。
ンピーダンス素子の製造の具体例について説明する。
【００２２】下記表１に示す組成をスパイラルミキサー
を用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散し、磁
性体形成用ペーストを得た。一方、下記表２で示す組成
を３本ロールにて混練分散し、導体形成用Ａｇペースト
を得た。
を用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散し、磁
性体形成用ペーストを得た。一方、下記表２で示す組成
を３本ロールにて混練分散し、導体形成用Ａｇペースト
を得た。
【００２３】
【表１】
【表２】 次に、作製した磁性体形成用ペーストを用い、ドクター
ブレード法により所定の厚さ（２００μｍ）のグリーン
シートを作製した。その上に、Ａｇペーストと磁性体形
成用ペーストを用い、磁性体セラミックスの中に導電体
の積層巻線を形成するように印刷積層を行った。
ブレード法により所定の厚さ（２００μｍ）のグリーン
シートを作製した。その上に、Ａｇペーストと磁性体形
成用ペーストを用い、磁性体セラミックスの中に導電体
の積層巻線を形成するように印刷積層を行った。
【００２４】このとき、図１及び図２に示す螺旋状の内
部導体コイル２の螺旋軸５が外部電極５３を形成する端
面５４と垂直な方向で、かつ内部導体コイル２の螺旋軸
５からみた４辺のうち２辺で外部電極に対向する面の面
積がその面に垂直な面よりも小さい本発明の実施の形態
による積層型インピーダンス素子と、比較の為に、図６
及び図７に示したの螺旋状の内部導体コイル５２の螺旋
軸５５が外部電極５３を形成する端面５４と平行な従来
技術による積層型インピーダンス素子５０の２種類を作
製した。さらに、これらの２種の素子について、外部電
極を形成する端面４、５４からの内部導体コイル２、５
２の投影面積が０．２、０．３、０．４、０．５ｍｍ２
のものを作製した。さらにその上に磁性体形成用ペース
トを用いてドクターブレード法により作製した厚さ２０
０μｍのグリーンシートを熱プレスにより重畳して積層
し、所定の大きさ（２．４ｍｍ×１．４ｍｍ）に切断
し、これを脱バインダー後、９００℃で一体焼成した。
この焼成体の積層巻線のリードが露出している面に、Ａ
ｇを主成分とした導電性ペーストを塗布し、約６００℃
で焼き付けを行い、外部電極３、５３を形成して積層型
インピーダンス素子１０、５０を作製した。
部導体コイル２の螺旋軸５が外部電極５３を形成する端
面５４と垂直な方向で、かつ内部導体コイル２の螺旋軸
５からみた４辺のうち２辺で外部電極に対向する面の面
積がその面に垂直な面よりも小さい本発明の実施の形態
による積層型インピーダンス素子と、比較の為に、図６
及び図７に示したの螺旋状の内部導体コイル５２の螺旋
軸５５が外部電極５３を形成する端面５４と平行な従来
技術による積層型インピーダンス素子５０の２種類を作
製した。さらに、これらの２種の素子について、外部電
極を形成する端面４、５４からの内部導体コイル２、５
２の投影面積が０．２、０．３、０．４、０．５ｍｍ２
のものを作製した。さらにその上に磁性体形成用ペース
トを用いてドクターブレード法により作製した厚さ２０
０μｍのグリーンシートを熱プレスにより重畳して積層
し、所定の大きさ（２．４ｍｍ×１．４ｍｍ）に切断
し、これを脱バインダー後、９００℃で一体焼成した。
この焼成体の積層巻線のリードが露出している面に、Ａ
ｇを主成分とした導電性ペーストを塗布し、約６００℃
で焼き付けを行い、外部電極３、５３を形成して積層型
インピーダンス素子１０、５０を作製した。
【００２５】作製した積層型インピーダンス素子１０、
４０の、インピーダンスの周波数特性を、ＹＨＰ製イン
ピーダンスアナライザ−ＨＰ４２９１Ａを用いて評価し
た。
４０の、インピーダンスの周波数特性を、ＹＨＰ製イン
ピーダンスアナライザ−ＨＰ４２９１Ａを用いて評価し
た。
【００２６】尚、上記の実施の形態では、上記組成でペ
ーストを作製したが、これ以外の成分・配合比でも、印
刷可能なペース卜が得られるものであれば、上記組成に
限定されるものではない。
ーストを作製したが、これ以外の成分・配合比でも、印
刷可能なペース卜が得られるものであれば、上記組成に
限定されるものではない。
【００２７】図３は本発明の実施の形態による積層型イ
ンピーダンス素子の導体投影面積が０．３ｍｍ２のとき
のインピーダンスの周波数特性を示す図であり、従来技
術による積層型インピーダンス素子の同様な特性を併せ
て示している。図４は本発明の実施の形態による積層型
インピーダンス素子の導体投影面積が０．２〜０．５ｍ
ｍ２ときの浮遊容量Ｃｐを示す図である。また、図５は
図４の時のＣｐでのインピーダンスの周波数特性を示す
図であり、曲線２１はＣｐが０．９ｐＦ、曲線２２は
０．７ｐＦ、曲線２３は０．５ｐＦ、曲線２４は０．３
ｐＦの場合を夫々示している。
ンピーダンス素子の導体投影面積が０．３ｍｍ２のとき
のインピーダンスの周波数特性を示す図であり、従来技
術による積層型インピーダンス素子の同様な特性を併せ
て示している。図４は本発明の実施の形態による積層型
インピーダンス素子の導体投影面積が０．２〜０．５ｍ
ｍ２ときの浮遊容量Ｃｐを示す図である。また、図５は
図４の時のＣｐでのインピーダンスの周波数特性を示す
図であり、曲線２１はＣｐが０．９ｐＦ、曲線２２は
０．７ｐＦ、曲線２３は０．５ｐＦ、曲線２４は０．３
ｐＦの場合を夫々示している。
【００２８】図３に示すように、本発明の実施の形態に
よる積層型インピーダンス素子（曲線１１）は、従来技
術による積層型インピーダンス素子（曲線６１）に比べ
て、インピーダンスのピークが高周波側にずれ、高周波
側まで高いインピーダンスが得られるといえ。
よる積層型インピーダンス素子（曲線１１）は、従来技
術による積層型インピーダンス素子（曲線６１）に比べ
て、インピーダンスのピークが高周波側にずれ、高周波
側まで高いインピーダンスが得られるといえ。
【００２９】また、図４及び図５に示すように、３００
ＭＨｚ以上までインピーダンスの低下がみられないの
は、浮遊容量が０．５ｐＦ以下であり、これは導体投影
面積が０．３ｍｍ２以下のときであることが分る。
ＭＨｚ以上までインピーダンスの低下がみられないの
は、浮遊容量が０．５ｐＦ以下であり、これは導体投影
面積が０．３ｍｍ２以下のときであることが分る。
【００３０】
【発明の効果】上述から明かな如く、本発明の積層型イ
ンピーダンス素子は、高周波帯域まで高いインピーダン
スを持つ積層型インピーダンス素子を提供することがで
きる。
ンピーダンス素子は、高周波帯域まで高いインピーダン
スを持つ積層型インピーダンス素子を提供することがで
きる。
【００３１】また、本発明によれば、前記したような利
点を備えた積層型インピーダンス素子の製造方法を提供
することができる。
点を備えた積層型インピーダンス素子の製造方法を提供
することができる。
【図１】本発明の実施の形態による積層型インピーダン
ス素子の概略構造を示す透過斜視図である。
ス素子の概略構造を示す透過斜視図である。
【図２】図１の積層型インピーダンス素子の断面図であ
る。
る。
【図３】図１及び図６に示すように、積層型インピーダ
ンス素子のインピーダンスの周波数特性を示す図であ
る。
ンス素子のインピーダンスの周波数特性を示す図であ
る。
【図４】図１の積層型インピーダンス素子の導体投影面
積と素子の浮遊容量の関係を示した図である。
積と素子の浮遊容量の関係を示した図である。
【図５】図１の積層型インピーダンス素子の浮遊容量に
よるインピーダンスの周波数特性の変動を示した図であ
る。
よるインピーダンスの周波数特性の変動を示した図であ
る。
【図６】従来技術による積層型インピーダンス素子の概
略構造を示す透過斜視図である。
略構造を示す透過斜視図である。
【図７】図６の積層型インピーダンス素子の断面図であ
る。
る。
１ 磁性体 ２ 内部導体コイル ３ 外部電極 ４ 端面 ５ 螺旋軸 １０ 積層型インピーダンス素子 ５０ 積層型インピーダンス素子 ５１ 磁性体 ５２ 内部導体コイル ５３ 外部電極 ５４ 端面 ５５ 螺旋軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E062 DD04 5E070 AA01 AB02 BA12 BB01 CB13 CC01 EA01 5J024 AA09 DA21 DA25 DA32 DA35 KA02
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性体もしくは非磁性体からなるセラミ
ックス層と導電体層とを積層・同時焼成することによ
り、螺旋状の内部導体コイルをセラミックス中に設けた
積層型インピーダンス素子において、前記内部導体コイ
ルの螺旋軸の方向が当該積層型インピーダンス素子の長
手方向であり、かつ積層方向が当該インピーダンス素子
の前記長手方向に交差する方向であり、前記積層型イン
ピーダンス素子の浮遊容量が０．５ｐＦ以下であること
を特徴とする積層型インピーダンス素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の積層型インピーダンス素
子おいて、前記螺旋軸方向からの導体コイルの投影面積
が、０．３０ｍｍ２以下であることを特徴とする積層型
インピーダンス素子。 - 【請求項３】 磁性体もしくは非磁性体からなるセラミ
ックス層と導電体層とを積層・同時焼成して、螺旋状の
内部導体コイルをセラミックス中に設ける積層型インピ
ーダンス素子の製造方法において、前記内部導体コイル
の螺旋軸の方向が当該積層型インピーダンス素子の長手
方向であり、かつ積層方向が当該インピーダンス素子の
前記長手方向に交差する方向であるように、前記セラミ
ックス層と前記導電体層とを積層し、前記積層型インピ
ーダンス素子の浮遊容量が０．５ｐＦ以下であるように
形成することを特徴とする積層型インピーダンス素子の
製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の積層型インピーダンス素
子の製造方法において、前記螺旋軸方向からの内部導体
コイルの投影面積が、０．３０ｍｍ２以下であることを
特徴とする積層型インピーダンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25875399A JP2001085229A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 積層型インピーダンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25875399A JP2001085229A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 積層型インピーダンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2001085229A true JP2001085229A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17324622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25875399A Pending JP2001085229A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 積層型インピーダンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2001085229A (ja) |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25875399A patent/JP2001085229A/ja active Pending
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