JP2001118730A - 積層型インピーダンス素子 - Google Patents
積層型インピーダンス素子Info
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- JP2001118730A JP2001118730A JP29550899A JP29550899A JP2001118730A JP 2001118730 A JP2001118730 A JP 2001118730A JP 29550899 A JP29550899 A JP 29550899A JP 29550899 A JP29550899 A JP 29550899A JP 2001118730 A JP2001118730 A JP 2001118730A
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- impedance element
- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波領域までインピーダンスが大きい積層
型インピーダンス素子を提供すること。 【解決手段】 磁性体のセラミックス層１と導電体２と
を積層により形成し、一体焼成することにより螺旋状の
導電体２を磁性体のセラミックス層１の中に設け、導電
体２の螺旋軸と直交する面で、かつ螺旋状の導電体２の
両端部に低誘電率層３を形成する。
型インピーダンス素子を提供すること。 【解決手段】 磁性体のセラミックス層１と導電体２と
を積層により形成し、一体焼成することにより螺旋状の
導電体２を磁性体のセラミックス層１の中に設け、導電
体２の螺旋軸と直交する面で、かつ螺旋状の導電体２の
両端部に低誘電率層３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体もしくは非
磁性体のセラミックスと螺旋状の導電体からなる表面実
装用の積層型インピーダンス素子に関する。
磁性体のセラミックスと螺旋状の導電体からなる表面実
装用の積層型インピーダンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化・高周波化により、Ｅ
ＭＩ対策が重要性を増している。一般に、インピーダン
ス素子では、目的とする周波数のノイズをインピーダン
ス特性によって遮蔽し、ＥＭＩ対策としている。即ち、
信号系に対して直列にインピーダンス素子を装着してノ
イズを遮断するということが一般的に行われている。ま
た、パワーアンプ等のアクティブ素子の電源ライン系に
対しても、直列にインピーダンス素子を装着して、アク
ティブ素子から信号周波数のノイズが電源ラインに漏洩
することを抑制する等のＥＭＩ対策が行われている。
ＭＩ対策が重要性を増している。一般に、インピーダン
ス素子では、目的とする周波数のノイズをインピーダン
ス特性によって遮蔽し、ＥＭＩ対策としている。即ち、
信号系に対して直列にインピーダンス素子を装着してノ
イズを遮断するということが一般的に行われている。ま
た、パワーアンプ等のアクティブ素子の電源ライン系に
対しても、直列にインピーダンス素子を装着して、アク
ティブ素子から信号周波数のノイズが電源ラインに漏洩
することを抑制する等のＥＭＩ対策が行われている。
【０００３】近年における電子機器の小型化の要求のた
め、プリント配線基板上等に実装する形で使用される積
層型インピーダンス素子は、通常、軟磁性フェライト粉
末と結合剤からなる磁性体のセラミックス層と、導電性
粉末と結合剤からなる導電体とを、スクリーン印刷法で
交互に積層して、磁性体のセラミックス層の中に螺旋軸
の方向が外部電極面と平行になるように螺旋状の導電体
を設けた後、一体焼結することにより形成されている。
め、プリント配線基板上等に実装する形で使用される積
層型インピーダンス素子は、通常、軟磁性フェライト粉
末と結合剤からなる磁性体のセラミックス層と、導電性
粉末と結合剤からなる導電体とを、スクリーン印刷法で
交互に積層して、磁性体のセラミックス層の中に螺旋軸
の方向が外部電極面と平行になるように螺旋状の導電体
を設けた後、一体焼結することにより形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁性体
もしくは非磁性体のセラミックスの中に螺旋状の導電体
を設けた従来タイプのインピーダンス素子では、素子の
浮遊容量が大きいために、高周波帯域で大きなインピー
ダンスが得られないという問題があった。
もしくは非磁性体のセラミックスの中に螺旋状の導電体
を設けた従来タイプのインピーダンス素子では、素子の
浮遊容量が大きいために、高周波帯域で大きなインピー
ダンスが得られないという問題があった。
【０００５】本発明は、懸る従来の欠点を解消し、高周
波帯域までインピーダンスが大きい積層型インピーダン
ス素子を提供するものである。
波帯域までインピーダンスが大きい積層型インピーダン
ス素子を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、高周波
領域でのインピーダンスの低下が抑制され、螺旋状の導
電体の螺旋軸方向の両側に、低誘電率層を形成すること
を特徴とする積層型インピーダンス素子が得られる。
領域でのインピーダンスの低下が抑制され、螺旋状の導
電体の螺旋軸方向の両側に、低誘電率層を形成すること
を特徴とする積層型インピーダンス素子が得られる。
【０００７】即ち、本発明は、磁性体もしくは非磁性体
のセラミックス層と導電体とを積層により形成し、一体
焼成することにより、螺旋状の導電体を前記セラミック
ス層の中に設けた積層型インピーダンス素子において、
前記導電体の螺旋軸と直交する面で、かつ前記螺旋状の
導電体の両端部に前記低誘電率層を形成する積層型イン
ピーダンス素子である。
のセラミックス層と導電体とを積層により形成し、一体
焼成することにより、螺旋状の導電体を前記セラミック
ス層の中に設けた積層型インピーダンス素子において、
前記導電体の螺旋軸と直交する面で、かつ前記螺旋状の
導電体の両端部に前記低誘電率層を形成する積層型イン
ピーダンス素子である。
【０００８】また、本発明は、上記積層型インピーダン
ス素子において、前記磁性体もしくは非磁性体のセラミ
ックス層と前記低誘電率層の誘電率の差が３以上である
積層型インピーダンス素子である。
ス素子において、前記磁性体もしくは非磁性体のセラミ
ックス層と前記低誘電率層の誘電率の差が３以上である
積層型インピーダンス素子である。
【０００９】また、本発明は、上記積層型インピーダン
ス素子において、前記低誘電率層が前記螺旋状の導電体
に接しない積層型インピーダンス素子である。
ス素子において、前記低誘電率層が前記螺旋状の導電体
に接しない積層型インピーダンス素子である。
【００１０】本発明の作用について、次のように考えて
いる。即ち、ＬＣ共振点よりも高い周波数帯域でのイン
ピーダンスは、容量ＣによるリアクタンスＸＣで近似す
ることができ、数１で表すことができる。
いる。即ち、ＬＣ共振点よりも高い周波数帯域でのイン
ピーダンスは、容量ＣによるリアクタンスＸＣで近似す
ることができ、数１で表すことができる。
【００１１】
【数１】
【００１２】従って、素子の容量が小さければ、高周波
帯域で大きなインピーダンスが得られる。
帯域で大きなインピーダンスが得られる。
【００１３】また、数１の容量Ｃは、数２で表され、こ
れを見ると、外部電極間のεを小さくすれば、容量Ｃが
小さくなり、即ち、Ｘｃが大きくなり、高周波帯域で大
きなインピーダンスが得られる。
れを見ると、外部電極間のεを小さくすれば、容量Ｃが
小さくなり、即ち、Ｘｃが大きくなり、高周波帯域で大
きなインピーダンスが得られる。
【００１４】
【数２】
【００１５】外部電極は、外部電極塗布面の側面にも回
り込むため、本発明の方法で低誘電率層を設けることに
より、Ｃが小さくでき、即ち、Ｘｃが大きくなり、高周
波帯域で大きなインピーダンスが得られる。
り込むため、本発明の方法で低誘電率層を設けることに
より、Ｃが小さくでき、即ち、Ｘｃが大きくなり、高周
波帯域で大きなインピーダンスが得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】低誘電率層用ペーストをドクター
ブレード法により、所定の厚さのグリーンシートに形成
し、その上にフェライトペーストを所定の厚さに印刷積
層した後、導電体形成用金属ペースト、フェライトペー
ストの順に積層巻線を形成するように、交互に印刷積層
する。
ブレード法により、所定の厚さのグリーンシートに形成
し、その上にフェライトペーストを所定の厚さに印刷積
層した後、導電体形成用金属ペースト、フェライトペー
ストの順に積層巻線を形成するように、交互に印刷積層
する。
【００１７】次に、フェライトペーストを所定厚さ印刷
積層し、最後に低誘電体層用ペーストを用いドクターブ
レード法で作製したグリーンシートを積み重ねる。さら
に、この積層体を所定の大きさに切断し、脱バインダー
後、一体焼成し、外部電極を形成して、本発明の積層型
インピーダンス素子が得られる。
積層し、最後に低誘電体層用ペーストを用いドクターブ
レード法で作製したグリーンシートを積み重ねる。さら
に、この積層体を所定の大きさに切断し、脱バインダー
後、一体焼成し、外部電極を形成して、本発明の積層型
インピーダンス素子が得られる。
【００１８】
【実施例】本発明の実施例を以下に詳細に説明する。
【００１９】（実施例１）表１に示す組成をスパイラル
ミキサーを用いて各々混合し、さらにビーズミルにてそ
れぞれ混練分散し、フェライトペースト、低誘電率層用
ペーストをそれぞれ得た。
ミキサーを用いて各々混合し、さらにビーズミルにてそ
れぞれ混練分散し、フェライトペースト、低誘電率層用
ペーストをそれぞれ得た。
【００２０】
【表１】
【００２１】次に、表２に示す組成を３本ロールミルに
て混練分散し、導電体形成用Ａｇペーストを得た。
て混練分散し、導電体形成用Ａｇペーストを得た。
【００２２】
【表２】
【００２３】次に、作製した低誘電率層用ペーストを、
ドクターブレード法により所定の厚さ（２００μｍ）の
グリーンシートを作製した。その上に、フェライトペー
ストを３０μｍ積層後、Ａｇペーストとフェライトペー
ストを用い、図１に示すパターンの導電体の積層巻線を
形成するように印刷積層を行った。
ドクターブレード法により所定の厚さ（２００μｍ）の
グリーンシートを作製した。その上に、フェライトペー
ストを３０μｍ積層後、Ａｇペーストとフェライトペー
ストを用い、図１に示すパターンの導電体の積層巻線を
形成するように印刷積層を行った。
【００２４】さらにその上に、フェライトペーストを３
０μｍ積層後、低誘電率層用ペーストを用いてドクター
ブレード法により作製した厚さ２００μｍのグリーンシ
ートを熱プレスにより重畳して積層し、所定の大きさ
（２.４ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断し、これを脱バインダ
ー後、９００℃で一体焼成した。
０μｍ積層後、低誘電率層用ペーストを用いてドクター
ブレード法により作製した厚さ２００μｍのグリーンシ
ートを熱プレスにより重畳して積層し、所定の大きさ
（２.４ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断し、これを脱バインダ
ー後、９００℃で一体焼成した。
【００２５】この焼成体の積層巻線のリードが露出して
いる面に、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを塗布
し、約６００℃で焼き付けを行い、外部電極を形成して
積層型インピーダンス素子を作製した。
いる面に、Ａｇを主成分とした導電性ペーストを塗布
し、約６００℃で焼き付けを行い、外部電極を形成して
積層型インピーダンス素子を作製した。
【００２６】（比較例１）比較例１として、低誘電率層
が表１のフェライトペースト（ε=17）でできている以
外は、実施例１と同様の素子を得た。
が表１のフェライトペースト（ε=17）でできている以
外は、実施例１と同様の素子を得た。
【００２７】（実施例２）実施例２として、低誘電率層
が表３の組成からなるペーストを用いて誘電率層を形成
した以外は、素子材料、素子形状及び作製方法が実施例
１と同一である素子を得た。
が表３の組成からなるペーストを用いて誘電率層を形成
した以外は、素子材料、素子形状及び作製方法が実施例
１と同一である素子を得た。
【００２８】
【表３】
【００２９】（比較例２）比較例２として、低誘電率層
が表４の組成からなるペーストを用いて誘電率層を形成
した以外は、素子材料、素子形状及び作製方法が実施例
１と同様である素子を得た。
が表４の組成からなるペーストを用いて誘電率層を形成
した以外は、素子材料、素子形状及び作製方法が実施例
１と同様である素子を得た。
【００３０】
【表４】
【００３１】（比較例３）比較例３として、螺旋状の導
電体が開磁路となるよう、実施例１と同様の材料、方法
で図３の構造の素子を得た。
電体が開磁路となるよう、実施例１と同様の材料、方法
で図３の構造の素子を得た。
【００３２】実施例１，２及び比較例１，２で得られた
積層型インピーダンス素子の、インピーダンスの周波数
特性を、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４２
９１Ａを用いて測定した。この結果を図２に示す。
積層型インピーダンス素子の、インピーダンスの周波数
特性を、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４２
９１Ａを用いて測定した。この結果を図２に示す。
【００３３】図２から明らかなように、本発明による低
誘電率層と磁性体セラミクス層の誘電率の差が３以上で
あるインピーダンス素子は、ＬＣ共振点以降の高周波で
高いインピーダンスを示している。
誘電率層と磁性体セラミクス層の誘電率の差が３以上で
あるインピーダンス素子は、ＬＣ共振点以降の高周波で
高いインピーダンスを示している。
【００３４】比較例３のインピーダンスの周波数特性
を、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４２９１
Ａを用いて測定した。この結果を図４に実施例１と並べ
て示す。これより、図３のような螺旋状の導電体が開磁
路となる構造のものは、ＬＣ共振点以下の周波数で実施
例よりも低いインピーダンスを示しているのがわかる。
を、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ４２９１
Ａを用いて測定した。この結果を図４に実施例１と並べ
て示す。これより、図３のような螺旋状の導電体が開磁
路となる構造のものは、ＬＣ共振点以下の周波数で実施
例よりも低いインピーダンスを示しているのがわかる。
【００３５】なお、実施例、比較例では、各ペーストを
それぞれ上記の配合比で作製したが、これ以外の成分、
配合比でも、印刷可能なペーストが得られるものであれ
ば良い。また、混練・分散に三本ロールミルを用いた
が、これ以外にもホモジナイザーやサンドミル等を用い
ても良い。
それぞれ上記の配合比で作製したが、これ以外の成分、
配合比でも、印刷可能なペーストが得られるものであれ
ば良い。また、混練・分散に三本ロールミルを用いた
が、これ以外にもホモジナイザーやサンドミル等を用い
ても良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のものと比較して、高周波で高いインピーダンスを
有し、ノイズ吸収特性に優れた積層型インピーダンス素
子を提供することができた。
従来のものと比較して、高周波で高いインピーダンスを
有し、ノイズ吸収特性に優れた積層型インピーダンス素
子を提供することができた。
【図１】実施例１，２と比較例１，２における素子の断
面形状を示す図。
面形状を示す図。
【図２】実施例１，２と比較例１，２の素子のインピー
ダンスの周波数特性を示す図。
ダンスの周波数特性を示す図。
【図３】比較例３における素子の断面形状を示す図。
【図４】実施例１と比較例３の素子のインピーダンスの
周波数特性を示す図。
周波数特性を示す図。
１ 磁性体のセラミックス層 ２ 導電体 ３ 低誘電率層 ４ 外部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 磁性体もしくは非磁性体のセラミックス
層と導電体とを積層により形成し、一体焼成することに
より、螺旋状の導電体を前記セラミックス層の中に設け
た積層型インピーダンス素子において、前記導電体の螺
旋軸と直交する面で、かつ前記螺旋状の導電体の両端部
に前記低誘電率層を形成してなることを特徴とする積層
型インピーダンス素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の積層型インピーダンス素
子において、前記磁性体もしくは非磁性体のセラミック
ス層と前記低誘電率層の誘電率の差が３以上であること
を特徴とする積層型インピーダンス素子。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の積層型インピー
ダンス素子において、前記低誘電率層が前記螺旋状の導
電体に接しないことを特徴とする積層型インピーダンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29550899A JP2001118730A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 積層型インピーダンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29550899A JP2001118730A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 積層型インピーダンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118730A true JP2001118730A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17821532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29550899A Pending JP2001118730A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 積層型インピーダンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001118730A (ja) |
-
1999
- 1999-10-18 JP JP29550899A patent/JP2001118730A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050523 |