JPH11329844A - 積層型インピーダンス素子 - Google Patents
積層型インピーダンス素子Info
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- JPH11329844A JPH11329844A JP15233698A JP15233698A JPH11329844A JP H11329844 A JPH11329844 A JP H11329844A JP 15233698 A JP15233698 A JP 15233698A JP 15233698 A JP15233698 A JP 15233698A JP H11329844 A JPH11329844 A JP H11329844A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波帯域でも高いインピーダンスが得られ
る積層型インピーダンス素子を提供する。 【解決手段】 絶縁性のセラミックス１と、導電体２と
を積層し、これを焼結し、その後、外部電極３などを加
工して、導電体２の積層状コイルを絶縁性のセラミック
ス１の中に設けた積層型インピーダンス素子の構造にお
いて、少なくとも一箇所以上の、隣り合う導電体間のセ
ラミックス層の厚さが、他の導電体間の通常の厚さのセ
ラミックス層５の２倍以上の厚いセラミックス層４を有
する積層型インピーダンス素子と、この積層型インピー
ダンス素子のセラミックス１が磁性体のみからなる積層
型インピーダンス素子。
る積層型インピーダンス素子を提供する。 【解決手段】 絶縁性のセラミックス１と、導電体２と
を積層し、これを焼結し、その後、外部電極３などを加
工して、導電体２の積層状コイルを絶縁性のセラミック
ス１の中に設けた積層型インピーダンス素子の構造にお
いて、少なくとも一箇所以上の、隣り合う導電体間のセ
ラミックス層の厚さが、他の導電体間の通常の厚さのセ
ラミックス層５の２倍以上の厚いセラミックス層４を有
する積層型インピーダンス素子と、この積層型インピー
ダンス素子のセラミックス１が磁性体のみからなる積層
型インピーダンス素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主な構成要素とし
て、絶縁性のセラミックス層とコイルを構成する内部導
電体層からなり、これらを積層した積層型インピーダン
ス素子に関する。
て、絶縁性のセラミックス層とコイルを構成する内部導
電体層からなり、これらを積層した積層型インピーダン
ス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高周波化により、Ｅ
ＭＩ対策が重要度を増している。一般に、ＥＭＩ対策に
使用されるインピーダンス素子では、目的とする周波数
のノイズをインピーダンス特性によって遮蔽していると
考えられている。従って、信号系に対して、直列にイン
ピーダンス素子を装着してノイズを遮断するということ
が一般的に行われている。
ＭＩ対策が重要度を増している。一般に、ＥＭＩ対策に
使用されるインピーダンス素子では、目的とする周波数
のノイズをインピーダンス特性によって遮蔽していると
考えられている。従って、信号系に対して、直列にイン
ピーダンス素子を装着してノイズを遮断するということ
が一般的に行われている。
【０００３】また、パワーアンプ等のアクティブ素子を
用いる装置の電源ライン系に対しても、直列にインピー
ダンス素子を装着して、アクティブ素子から信号周波数
のノイズが電源ラインから外部へ漏洩することを抑制す
る等のＥＭＩ対策が行われている。
用いる装置の電源ライン系に対しても、直列にインピー
ダンス素子を装着して、アクティブ素子から信号周波数
のノイズが電源ラインから外部へ漏洩することを抑制す
る等のＥＭＩ対策が行われている。
【０００４】近年、電子部品の小型化の要求により、電
子部品の主流は、積層型に移りつつある。インピーダン
ス素子においても、この流れは急速に進み、プリント配
線基板上等に表面実装方式で使用される積層型インピー
ダンス素子は、通常、軟磁性フェライト等の磁性体粉末
と結合剤または非磁性フェライト等の非磁性体粉末と結
合剤からなるセラミックス層用のペーストと、導電性金
属等の粉末と結合剤からなる導電体層用のペーストと
を、スクリーン印刷法で交互に積層して、磁性体、又は
非磁性体セラミックスの中に均一なピッチのコイル状の
導電体層を設けた後、これを焼結し、外部電極加工など
を行い形成されている。
子部品の主流は、積層型に移りつつある。インピーダン
ス素子においても、この流れは急速に進み、プリント配
線基板上等に表面実装方式で使用される積層型インピー
ダンス素子は、通常、軟磁性フェライト等の磁性体粉末
と結合剤または非磁性フェライト等の非磁性体粉末と結
合剤からなるセラミックス層用のペーストと、導電性金
属等の粉末と結合剤からなる導電体層用のペーストと
を、スクリーン印刷法で交互に積層して、磁性体、又は
非磁性体セラミックスの中に均一なピッチのコイル状の
導電体層を設けた後、これを焼結し、外部電極加工など
を行い形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁性
体、又は、非磁性体のセラミックスの中に均一のピッチ
で積層したにコイル状の導電体を設けた従来の積層型の
インピーダンス素子では、コイル状の導電体の線間容量
が大きいために、高周波帯域のインピーダンスの殆どを
占めるリアクタンスの容量による成分Ｘｃ（Ｘｃ＝１／
２πｆＣ、但し、ｆは周波数、Ｃは容量）が小さくなっ
てしまい、結果として、高周波帯域では、インピーダン
スが低下してしまうという問題点があった。
体、又は、非磁性体のセラミックスの中に均一のピッチ
で積層したにコイル状の導電体を設けた従来の積層型の
インピーダンス素子では、コイル状の導電体の線間容量
が大きいために、高周波帯域のインピーダンスの殆どを
占めるリアクタンスの容量による成分Ｘｃ（Ｘｃ＝１／
２πｆＣ、但し、ｆは周波数、Ｃは容量）が小さくなっ
てしまい、結果として、高周波帯域では、インピーダン
スが低下してしまうという問題点があった。
【０００６】よって、本発明の課題は、上記問題点を解
消した、高周波帯域でも高いインピーダンスが得られる
積層型インピーダンス素子を提供することにある。
消した、高周波帯域でも高いインピーダンスが得られる
積層型インピーダンス素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、積層型インピーダンス素子の構造を検討
したところ、隣り合う導電体間のセラミックス層のうち
の少なくとも１箇所以上に、他の導電体間のセラミック
ス層の厚さの２倍以上の厚さの部分を設けることによ
り、高周波まで高いインピーダンスを維持できることを
見出した。
決するために、積層型インピーダンス素子の構造を検討
したところ、隣り合う導電体間のセラミックス層のうち
の少なくとも１箇所以上に、他の導電体間のセラミック
ス層の厚さの２倍以上の厚さの部分を設けることによ
り、高周波まで高いインピーダンスを維持できることを
見出した。
【０００８】即ち、本発明は、絶縁性のセラミックス
と、導電体とを積層し、これを焼結して、導電体のコイ
ルをセラミックス層の中に設けた積層型インピーダンス
素子において、少なくとも一箇所以上の、隣り合う導電
体間のセラミックス層の厚さが、他の導電体間のセラミ
ックス層の厚さの２倍以上の厚さである積層型インピー
ダンス素子である。
と、導電体とを積層し、これを焼結して、導電体のコイ
ルをセラミックス層の中に設けた積層型インピーダンス
素子において、少なくとも一箇所以上の、隣り合う導電
体間のセラミックス層の厚さが、他の導電体間のセラミ
ックス層の厚さの２倍以上の厚さである積層型インピー
ダンス素子である。
【０００９】また、本発明は、前記セラミックス層が磁
性体のみからなる前記の積層型インピーダンス素子であ
る。
性体のみからなる前記の積層型インピーダンス素子であ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１１】本発明は、図１（ａ）に示すように、絶縁
性のセラミックス１と、導電体２とを積層し、これを焼
結し、その後、外部電極３などを加工して、導電体２の
コイルを絶縁性のセラミックス１の中に設けた積層型イ
ンピーダンス素子の構造において、少なくとも一箇所以
上の、隣り合う導電体間のセラミックス層の厚さが、他
の導電体間の通常の厚さのセラミックス層５の２倍以上
の厚いセラミックス層４を有する積層型インピーダンス
素子と、この積層型インピーダンス素子のセラミックス
１が磁性体のみから成る積層型インピーダンス素子であ
る。
性のセラミックス１と、導電体２とを積層し、これを焼
結し、その後、外部電極３などを加工して、導電体２の
コイルを絶縁性のセラミックス１の中に設けた積層型イ
ンピーダンス素子の構造において、少なくとも一箇所以
上の、隣り合う導電体間のセラミックス層の厚さが、他
の導電体間の通常の厚さのセラミックス層５の２倍以上
の厚いセラミックス層４を有する積層型インピーダンス
素子と、この積層型インピーダンス素子のセラミックス
１が磁性体のみから成る積層型インピーダンス素子であ
る。
【００１２】本発明の効果について、次のように考えて
いる。
いる。
【００１３】積層された磁性体セラミックス層の間に、
螺旋状の導電体のコイルが形成された積層インピーダン
ス素子の例で説明すると、一般に、容量Ｃ1，Ｃ2，・・
・・，Ｃnのコンデンサーを直列につないだときの容量
は、１／Ｃ＝１／Ｃ1＋１／Ｃ2＋・・・＋１／Ｃnの式
で与えられる。よって、磁性体セラミックス層の中に均
一なピッチの螺旋状の導電体のコイルを設けた、（ｎ＋
１）ターンの従来タイプの積層型インピーダンス素子の
線間容量Ｃは、１／Ｃ＝１／Ｃ0＋１／Ｃ0＋・・・＋１
／Ｃ0となり、近似的には１／Ｃ＝ｎ／Ｃ0となり、Ｃ＝
Ｃ0／ｎと表すことが出来る。
螺旋状の導電体のコイルが形成された積層インピーダン
ス素子の例で説明すると、一般に、容量Ｃ1，Ｃ2，・・
・・，Ｃnのコンデンサーを直列につないだときの容量
は、１／Ｃ＝１／Ｃ1＋１／Ｃ2＋・・・＋１／Ｃnの式
で与えられる。よって、磁性体セラミックス層の中に均
一なピッチの螺旋状の導電体のコイルを設けた、（ｎ＋
１）ターンの従来タイプの積層型インピーダンス素子の
線間容量Ｃは、１／Ｃ＝１／Ｃ0＋１／Ｃ0＋・・・＋１
／Ｃ0となり、近似的には１／Ｃ＝ｎ／Ｃ0となり、Ｃ＝
Ｃ0／ｎと表すことが出来る。
【００１４】また、容量Ｃは、式Ｃ＝εε0（Ｓ／ｌ）
（但し、εは比誘電率、ε0は真空の誘電率、Ｓは電極
の面積、ｌは電極間距離）で表され、隣り合う導電体の
間の距離がｋ倍になれば、その隣接する導電体間の線間
容量は１／ｋになる。
（但し、εは比誘電率、ε0は真空の誘電率、Ｓは電極
の面積、ｌは電極間距離）で表され、隣り合う導電体の
間の距離がｋ倍になれば、その隣接する導電体間の線間
容量は１／ｋになる。
【００１５】次に、本発明の積層型インピーダンス素子
の１例として、隣り合う導電体間の磁性体セラミックス
層のうちの１箇所が他のｋ倍の厚さである素子の線間容
量Ｃ’は、１／Ｃ’＝１／（Ｃ0／ｋ）＋１／Ｃ0＋・・
・＋１／Ｃ0となり、近似的には、１／Ｃ’＝ｋ／Ｃ0＋
（ｎ−１）／Ｃ0＝（ｋ＋ｎ−１）／Ｃ0となり、Ｃ’＝
Ｃ0／（ｋ＋ｎ−１）＝｛ｎ／（ｋ＋ｎ−１）｝×（Ｃ0
／ｎ）＝｛ｎ／（ｋ＋ｎ−１）｝×Ｃと表すことができ
る。
の１例として、隣り合う導電体間の磁性体セラミックス
層のうちの１箇所が他のｋ倍の厚さである素子の線間容
量Ｃ’は、１／Ｃ’＝１／（Ｃ0／ｋ）＋１／Ｃ0＋・・
・＋１／Ｃ0となり、近似的には、１／Ｃ’＝ｋ／Ｃ0＋
（ｎ−１）／Ｃ0＝（ｋ＋ｎ−１）／Ｃ0となり、Ｃ’＝
Ｃ0／（ｋ＋ｎ−１）＝｛ｎ／（ｋ＋ｎ−１）｝×（Ｃ0
／ｎ）＝｛ｎ／（ｋ＋ｎ−１）｝×Ｃと表すことができ
る。
【００１６】即ち、磁性体セラミックス層のうちの１箇
所を、他のｋ倍の厚さにすることにより、（ｎ＋１）タ
ーンのインピーダンス素子の線間容量は、ｎ／（ｋ＋ｎ
−１）倍に低減できることになる。
所を、他のｋ倍の厚さにすることにより、（ｎ＋１）タ
ーンのインピーダンス素子の線間容量は、ｎ／（ｋ＋ｎ
−１）倍に低減できることになる。
【００１７】例えば、６.５ターンの素子の磁性体セラ
ミックス層のうちの１箇所を３倍の厚さにすることによ
り、線間容量は、約６割程度まで低減できることにな
る。このとき、前記の式より、Ｘcは１／０.６倍、即ち
約１.５倍程度に増加する。よって、高周波帯域でのイ
ンピーダンスも同様に、約１.５倍程度に増加すること
になる。
ミックス層のうちの１箇所を３倍の厚さにすることによ
り、線間容量は、約６割程度まで低減できることにな
る。このとき、前記の式より、Ｘcは１／０.６倍、即ち
約１.５倍程度に増加する。よって、高周波帯域でのイ
ンピーダンスも同様に、約１.５倍程度に増加すること
になる。
【００１８】図２は、隣り合う導電体間の磁性体セラミ
ックス層のうちの少なくとも１箇所以上に設ける他より
も厚い磁性体セラミックス層と他の磁性体セラミックス
層の厚さの比ｋと、概算した線間容量の比との関係を示
す。
ックス層のうちの少なくとも１箇所以上に設ける他より
も厚い磁性体セラミックス層と他の磁性体セラミックス
層の厚さの比ｋと、概算した線間容量の比との関係を示
す。
【００１９】図２から、ｋ≧２であれば、１０ターン以
上の素子でも、線間容量の低減を計ることができること
がわかる。即ち、隣り合う導電体間の磁性体セラミック
ス層のうちの少なくとも１箇所以上に設ける他よりも厚
い磁性体セラミックス層が、他の磁性体セラミックス層
の厚さの２倍以上であれば、積層型インピーダンス素子
の線間容量の低減が可能であり、インピーダンス素子の
高周波化が可能である。
上の素子でも、線間容量の低減を計ることができること
がわかる。即ち、隣り合う導電体間の磁性体セラミック
ス層のうちの少なくとも１箇所以上に設ける他よりも厚
い磁性体セラミックス層が、他の磁性体セラミックス層
の厚さの２倍以上であれば、積層型インピーダンス素子
の線間容量の低減が可能であり、インピーダンス素子の
高周波化が可能である。
【００２０】
【実施例】次に、本発明を実施例にて詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明及び従来例の積層型インピ
ーダンス素子の内部構造を示す断面図で、図１（ａ）は
本発明、図１（ｂ）は従来例を示す。図３は、本発明及
び従来例の積層型インピーダンス素子のインピーダンス
の周波数特性を示す図である。
ーダンス素子の内部構造を示す断面図で、図１（ａ）は
本発明、図１（ｂ）は従来例を示す。図３は、本発明及
び従来例の積層型インピーダンス素子のインピーダンス
の周波数特性を示す図である。
【００２２】 Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト粉末（比表面積５.２ｍ2／ｇ） １００重量部 結合剤（ポリビニルブチラール） ５重量部 溶剤（エチルセロソルブ） ７０重量部 上記組成比となるように、磁性体セラミックス用原料粉
末、結合剤、及び溶剤を秤量し、これをスパイラルミキ
サーを用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散
し、磁性体セラミックス形成用ペーストを得た。
末、結合剤、及び溶剤を秤量し、これをスパイラルミキ
サーを用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散
し、磁性体セラミックス形成用ペーストを得た。
【００２３】 Ｃｕ−Ｚｎフェライト粉末（比表面積４.４ｍ2／ｇ） １００重量部 結合剤（ポリビニルブチラール） ５重量部 溶剤（エチルセロソルブ） ７０重量部 上記組成比となるように、非磁性体セラミックス用原料
粉末、結合剤、及び溶剤を秤量し、これをスパイラルミ
キサーを用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散
し、非磁性体セラミックス形成用ペーストを得た。
粉末、結合剤、及び溶剤を秤量し、これをスパイラルミ
キサーを用いて混合し、さらにビーズミルにて混練分散
し、非磁性体セラミックス形成用ペーストを得た。
【００２４】 銀微粉末（平均粒径０.５μｍ） １００重量部 結合剤（エチルセルロース） ５重量部 溶剤（α−テルピネオール） １５重量部 溶剤（ブチルカルビトールアセテート） １０重量部 上記組成比となるように、導電体用原料粉末、結合剤、
及び溶剤を秤量し、これを３本ロールにて混練分散し、
導電体形成用ペーストを得た。
及び溶剤を秤量し、これを３本ロールにて混練分散し、
導電体形成用ペーストを得た。
【００２５】次に、作製した磁性体セラミックス形成用
ペーストを用い、ドクターブレード法により所定の厚さ
（約２００μｍ）のグリーンシートを作製した。その上
に、導電体形成用ペーストと磁性体セラミックス形成用
ペーストを用い、磁性体のセラミックスの中に導電体の
コイルが形成されるように印刷積層を行った。
ペーストを用い、ドクターブレード法により所定の厚さ
（約２００μｍ）のグリーンシートを作製した。その上
に、導電体形成用ペーストと磁性体セラミックス形成用
ペーストを用い、磁性体のセラミックスの中に導電体の
コイルが形成されるように印刷積層を行った。
【００２６】このとき、図１（ａ）に示すように、本発
明の実施例として、隣り合う導電体の間に積層される磁
性体セラミックス層のうちの１箇所の厚さを、従来から
製作している通常の厚さ磁性体セラミックス層５の３倍
の厚さ（９０μｍ）の厚い磁性体セラミックス層４にし
た積層型インピーダンス素子用積層体を作製した。
明の実施例として、隣り合う導電体の間に積層される磁
性体セラミックス層のうちの１箇所の厚さを、従来から
製作している通常の厚さ磁性体セラミックス層５の３倍
の厚さ（９０μｍ）の厚い磁性体セラミックス層４にし
た積層型インピーダンス素子用積層体を作製した。
【００２７】次に、従来例として、図１（ｂ）に示すよ
うな、隣り合う導電体間の磁性体セラミックス層の厚さ
を、すべて３０μｍにした従来の通常の厚さの磁性体セ
ラミックス層６から成る積層型インピーダンス素子用積
層体を作製した。
うな、隣り合う導電体間の磁性体セラミックス層の厚さ
を、すべて３０μｍにした従来の通常の厚さの磁性体セ
ラミックス層６から成る積層型インピーダンス素子用積
層体を作製した。
【００２８】さらに、上記２種類の積層体の上に、磁性
体セラミックス層形成用ペーストを用いて、ドクターブ
レード法により作製した厚さ２００μｍのグリーンシー
トを熱プレスにより重畳して積層し、所定の大きさ
（２.４ｍｍ×１.４ｍｍ）に切断し、これを脱バインダ
ー後、９００℃で焼結した。
体セラミックス層形成用ペーストを用いて、ドクターブ
レード法により作製した厚さ２００μｍのグリーンシー
トを熱プレスにより重畳して積層し、所定の大きさ
（２.４ｍｍ×１.４ｍｍ）に切断し、これを脱バインダ
ー後、９００℃で焼結した。
【００２９】この焼結体の導電体が露出している面に、
銀（Ａｇ）を主成分とした導電性ペーストを塗布し、約
６００℃で焼き付けを行い、外部電極を形成して積層型
インピーダンス素子を作製した。
銀（Ａｇ）を主成分とした導電性ペーストを塗布し、約
６００℃で焼き付けを行い、外部電極を形成して積層型
インピーダンス素子を作製した。
【００３０】作製した２種類の積層型インピーダンス素
子のインピーダンスの周波数特性を、インピーダンスア
ナライザー（ＹＨＰ製ＨＰ４１９１Ａ）を用いて測定し
た。
子のインピーダンスの周波数特性を、インピーダンスア
ナライザー（ＹＨＰ製ＨＰ４１９１Ａ）を用いて測定し
た。
【００３１】図３に、本発明のインピーダンスの周波数
特性と、従来例のインピーダンスの周波数特性とを示
す。図３からわかるように、本発明のインピーダンスの
周波数特性７は、従来例のインピーダンスの周波数特性
８に比べて、インピーダンスのピークが高周波側にず
れ、高周波側まで高いインピーダンスが得られているこ
とがわかる。なお、本発明のインピーダンスの周波数特
性では、２００ＭＨｚ以下の帯域では、従来例に比べ、
若干インピーダンスが低いが、これはターン数等により
容易に調整が可能である。
特性と、従来例のインピーダンスの周波数特性とを示
す。図３からわかるように、本発明のインピーダンスの
周波数特性７は、従来例のインピーダンスの周波数特性
８に比べて、インピーダンスのピークが高周波側にず
れ、高周波側まで高いインピーダンスが得られているこ
とがわかる。なお、本発明のインピーダンスの周波数特
性では、２００ＭＨｚ以下の帯域では、従来例に比べ、
若干インピーダンスが低いが、これはターン数等により
容易に調整が可能である。
【００３２】本実施例では、上記組成のペーストにより
作製したが、これ以外の成分、配合比でも、印刷可能な
ペーストが得られるものであれば、同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
作製したが、これ以外の成分、配合比でも、印刷可能な
ペーストが得られるものであれば、同様な効果が得られ
ることは言うまでもない。
【００３３】又、磁性体セラミックス形成用ペーストに
代わり、前記非磁性体セラミックス形成用ペースト等の
非磁性体のセラミックスを用いて、積層型インピーダン
ス素子を形成した場合も、上記の実施例と同様な効果が
得られる。
代わり、前記非磁性体セラミックス形成用ペースト等の
非磁性体のセラミックスを用いて、積層型インピーダン
ス素子を形成した場合も、上記の実施例と同様な効果が
得られる。
【００３４】特に、本発明の積層型インピーダンス素子
において、導電体の間のセラミックス層として、磁性体
セラミックスのみで構成する場合は、本発明の効果が特
に有効に発揮される。これは、非磁性体セラミックスで
は、比較的誘電率の低い材料を選定することは容易であ
るが、高いインピーダンスが得られる磁性体セラミック
スのみによる積層型インピーダンス素子では、高い周波
数帯まで高い透磁率が確保でき、かつ誘電率が低い磁性
体セラミックスの材料を選定することが困難であるた
め、一般に使用される磁性体セラミックスを用いても、
所定の特性が得られる本発明は特に有効である。
において、導電体の間のセラミックス層として、磁性体
セラミックスのみで構成する場合は、本発明の効果が特
に有効に発揮される。これは、非磁性体セラミックスで
は、比較的誘電率の低い材料を選定することは容易であ
るが、高いインピーダンスが得られる磁性体セラミック
スのみによる積層型インピーダンス素子では、高い周波
数帯まで高い透磁率が確保でき、かつ誘電率が低い磁性
体セラミックスの材料を選定することが困難であるた
め、一般に使用される磁性体セラミックスを用いても、
所定の特性が得られる本発明は特に有効である。
【００３５】
【発明の効果】上述から明らかなように、本発明によれ
ば、高周波帯域まで高いインピーダンスを持つ積層型イ
ンピーダンス素子を提供することができる。
ば、高周波帯域まで高いインピーダンスを持つ積層型イ
ンピーダンス素子を提供することができる。
【図１】本発明及び従来例の積層型インピーダンス素子
の内部構造を示す断面図で、図１（ａ）は本発明、図１
（ｂ）は従来例を示す図。
の内部構造を示す断面図で、図１（ａ）は本発明、図１
（ｂ）は従来例を示す図。
【図２】隣り合う導電体間の磁性体セラミックス層のう
ちの少なくとも１箇所以上に設ける他よりも厚い磁性体
セラミックス層と他の磁性体セラミックス層の厚さの比
ｋと、計算から求めた線間容量の比との関係を示す図。
ちの少なくとも１箇所以上に設ける他よりも厚い磁性体
セラミックス層と他の磁性体セラミックス層の厚さの比
ｋと、計算から求めた線間容量の比との関係を示す図。
【図３】本発明及び従来例の積層型インピーダンス素子
のインピーダンスの周波数特性を示す図。
のインピーダンスの周波数特性を示す図。
１ セラミックス ２ 導電体 ３ 外部電極 ４ 厚い（磁性体）セラミックス層 ５，６ 通常の厚さの（磁性体）セラミックス層 ７ 本発明のインピーダンスの周波数特性 ８ 従来例のインピーダンスの周波数特性
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性のセラミックスと、導電体とを積
層し、これを焼結して、導電体のコイルをセラミックス
層の中に設けた積層型インピーダンス素子において、少
なくとも一箇所以上の、隣り合う導電体間のセラミック
ス層の厚さが、他の導電体間のセラミックス層の厚さの
２倍以上の厚さであることを特徴とする積層型インピー
ダンス素子。 - 【請求項２】 前記セラミックス層が磁性体のみからな
ることを特徴とする請求項１記載の積層型インピーダン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15233698A JPH11329844A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 積層型インピーダンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15233698A JPH11329844A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 積層型インピーダンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329844A true JPH11329844A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15538318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15233698A Pending JPH11329844A (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 積層型インピーダンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020145222A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
| WO2023157577A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP15233698A patent/JPH11329844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020145222A (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
| WO2023157577A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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