JP2001044590A

JP2001044590A - 配線基板

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Publication number: JP2001044590A
Application number: JP11217011A
Authority: JP
Inventors: Riichi Sasamori; 理一笹森
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2001-02-16
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: JP3634984B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高導電率と高い耐熱性を有し、導体配線層との
高い接続信頼性を有する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板１
と、該絶縁基板１の表面および／または内部に形成され
た複数層の導体配線層２と、該導体配線層２間を電気的
に接続するために絶縁基板１内に設けられたバイアホー
ル導体３とを具備する配線基板において、前記バイアホ
ール導体３をＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物４を主体とする
導体材料によって形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも有機樹
脂を含有する絶縁基板と、導体材料を充填してなるバイ
アホール導体を具備する配線基板において、バイアホー
ル導体の低抵抗化と接続信頼性の改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術】近年、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の
熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に導体配線層を形成
した、いわゆるプリント基板が回路基板や半導体素子を
搭載したパッケージ等に適用されている。このようなプ
リント基板において導体配線層を形成する方法として
は、絶縁基板の表面に銅箔を接着した後、これをエッチ
ングして配線パターンを形成する方法、または配線パタ
ーンに形成された銅箔を絶縁基板に転写する方法、絶縁
基板の表面に金属メッキ法によって配線パターンを形成
する方法等が用いられている。

【０００３】また、配線の多層化に伴い、異なる層間の
導体配線層をバイアホール導体によって電気的に接続す
ることも行われているが、このバイアホール導体は多層
配線基板の絶縁基板の所定の箇所にドリル等でバイアホ
ールを開けた後に、バイアホール内の内壁にメッキ等を
施すのが一般的である。

【０００４】ところが、上記のような方法では化学的な
メッキ処理を施すのに用いられる薬品が高価であり、処
理時間も長いなど生産性と経済性に難がある。また、内
壁にメッキを施したバイアホール導体は、多層構造にお
ける任意の層間に形成することが難しく、導体配線層の
密度を向上できないという問題がある。

【０００５】このような問題に対して、最近では導体配
線層を銀、銅、ハンダなどの金属粉末と熱硬化性樹脂や
活性剤とを混合した導体ペーストを用い、これを絶縁基
板の表面に塗布したり、バイアホール内に充填し、積層
して多層化する方法が、特許第２６０３０５３号公報、
特公平５−３９３６０号公報、特開昭５５−１６００７
２号公報等にて開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
導体ペーストの充填によるバイアホール導体を形成する
方法では、導電性ペースト中の熱硬化性樹脂成分の量が
多く、またバイアホール導体中において金属粉末間の接
触性が充分でないために、バイアホール導体の導電率が
低いという問題があった。

【０００７】このような問題に対して、ペースト中に銅
などの粉末とともに、Ｐｂ−Ｓｎなどの低融点半田を含
有させて銅粉末間を半田によって接続させてバイアホー
ル導体の導電率を高めることも提案されている。

【０００８】しかしながら、配線基板のバイアホール導
体中にＰｂ−Ｓｎなどの半田そのものが存在すると、リ
フロー工程や信頼性試験時に配線基板が高温に加熱され
た場合、バイアホール導体中の半田成分が溶融して、銅
箔などからなる配線層とバイアホール導体との接続状態
が変化し、導電性が劣化するという問題があった。

【０００９】従って本発明はこのような欠点を解消し、
少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板を具備し、高導
電率と高い耐熱性を有し、導体配線層との高い接続信頼
性を有するバイアホール導体を具備する配線基板を提供
することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、バイアホー
ル導体の高導電率化及び耐熱性について検討を重ねた結
果、少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板と、該絶縁
基板の表面および／または内部に形成された複数層の導
体配線層と、該導体配線層間を電気的に接続するために
絶縁基板内に設けられたバイアホール導体とを具備する
配線基板において、前記バイアホール導体をＣｕ−Ｓｎ
系金属間化合物を主体とする導体材料によって形成した
ことを特徴とすることによって、上記目的が達成される
ことを見いだした。

【００１１】また、前記Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物とし
ては、少なくともＣｕ₃Ｓｎを含有することが望まし
く、前記導体材料におけるＳｎとＣｕとのＳｎ／（Ｃｕ
＋Ｓｎ）で表される重量比が０．２５〜０．７５である
ことが望ましい。

【００１２】また、前記バイアホール導体の断面観察に
おいて、Ｃｕ₃ＳｎとＣｕ₆Ｓｎ₅との面積比率（Ｃｕ
₆Ｓｎ₅／Ｃｕ₃Ｓｎ）が０．３０〜０．６５であるこ
とが望ましく、さらにバイアホール導体の体積固有抵抗
が１×１０^-5Ω−ｃｍ以下であることが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の配線基板の一例を示す概
略断面図を図１に示した。本発明の配線基板は、少なく
とも有機樹脂を含有する絶縁層１ａ〜１ｄを複数層積層
してなる絶縁基板１を有し、その絶縁基板１の表面およ
び内部には、回路パターンに形成された複数層の導体配
線層２が被着形成されている。そして、異なる層間の導
体配線層２を接続するために、バイアホール導体３が設
けられている。

【００１４】本発明によれば、このバイアホール導体３
をＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体とする導体材料によ
って形成したことが大きな特徴である。特に前記Ｃｕ−
Ｓｎ系金属間化合物中には少なくともＣｕ₃Ｓｎを含有
することが望ましい。

【００１５】また、バイアホール導体３を形成する導体
は、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体とするものであ
る。なお、この導体中には、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物
以外にＣｕ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｂｉ等の他の導体成分
を含有していてもよい。

【００１６】ＣｕとＳｎの金属間化合物としては、前記
Ｃｕ₃Ｓｎ及びＣｕ₆Ｓｎ₅があるが、このＣｕ₃Ｓｎ
は、ＣｕとＳｎとが３：１の比率からなる結晶性化合物
であり、本発明によれば、少なくともＣｕ含有量の多い
Ｃｕ₃Ｓｎを少なくとも存在させることによって、バイ
アホール導体の耐熱性と高電気伝導性を付与することが
できる。なお、本発明においては、Ｃｕ₆Ｓｎ₅がＣｕ
₃Ｓｎとともに存在してもよい。

【００１７】本発明においては、このＣｕ₃Ｓｎの生成
を促進させるために、バイアホール導体を形成する導体
材料中のＳｎおよびＣｕとのＳｎ／（Ｃｕ＋Ｓｎ）で表
される重量比が０．２５〜０．７５、特に０．３０〜
０．７０、さらには０．３５〜０．６５となる割合で含
有されることが望ましい。

【００１８】これによって、金属間化合物の生成量が促
進される結果、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物４間およびＣ
ｕ−Ｓｎ系金属間化合物４と導体配線層２間との接続性
が高くなるために、バイアホール導体を介した２つの導
体配線層２間の導電率も高く、しかもリフロー時の耐熱
性が向上する、即ち、２４０〜２６０℃の温度でリフロ
ーした場合に、バイアホール導体と導体配線層との接触
状態が変化せずバイアホール導体を介した２つの導体配
線層間の導電率が変化することがない。

【００１９】また、前記重量比率が０．７５よりも大き
いと、前記Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物４の生成量が少な
く、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体とする導体材料が
形成されず、しかもＣｕとの金属間化合物を形成できな
かった未反応のＳｎがバイアホール導体内に、錫または
低融点の錫金属間化合物として残存して、同様にリフロ
ー（２４０〜２６０℃）時の耐熱性が劣化する恐れがあ
る。即ち、リフロー時に未反応の錫あるいは低融点の錫
金属間化合物が溶融して、バイアホール導体における金
属粉末間や、バイアホール導体と導体配線層との接触状
態が容易に変化してバイアホール導体を介した２つの導
体配線層間の導電率が低下しやすくなるためである。

【００２０】また、本発明によれば、バイアホール導体
内には、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物が、少なくともＣｕ
₃Ｓｎが存在することが望ましく、他の金属間化合物と
してＣｕ₆Ｓｎ₅と共存していてもよいが、上記金属間
化合物としてはＣｕ₃Ｓｎ化合物が多量に存在し、Ｃｕ
₆Ｓｎ₅化合物がＣｕ₃Ｓｎ化合物間に点在するか、ま
たは存在しないことが望ましい。

【００２１】より具体的には、バイアホール導体の断面
観察において、Ｃｕ₃ＳｎとＣｕ₆Ｓｎ₅との面積比率
（Ｃｕ₆Ｓｎ₅／Ｃｕ₃Ｓｎ）が０．３０〜０．６５で
あであり、特に０．３５〜０．６０、さらに０．４０〜
０．５５であることが望ましい。

【００２２】なお、本発明においてバイアホール導体を
形成する導体成分の比率は、いずれもバイアホール導体
の断面の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）によって
定量されたものである。このＳＥＭ写真によれば、Ｃｕ
₃Ｓｎ、Ｃｕ₆Ｓｎ₅、Ｃｕは、それぞれ色の濃さによ
って明確に判別でき、色の濃さの順序では、Ｃｕ₃Ｓ
ｎ、Ｃｕ₆Ｓｎ₅、Ｃｕの順序で黒い。

【００２３】従って、この各相の面積をそれぞれ測定
し、その面積比率で判別し、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物
を主体とする、とは、全導体中におけるＣｕ₃ＳｎとＣ
ｕ₆Ｓｎ₅との合計比率が５０％以上であることを意味
する。また前記Ｃｕ₆Ｓｎ₅／Ｃｕ₃Ｓｎの比率も上記
と同様にしてＣｕ₆Ｓｎ₅相とＣｕ₃Ｓｎ相との面積比
率によって算出することがされる。

【００２４】本発明における配線基板は、バイアホール
導体を上記のような組成および組織によって構成するこ
とにより、後述する実施例から明らかなように、耐熱試
験後においてもバイアホール導体の体積固有抵抗の変化
率が小さく、優れた信頼性を維持することができる。

【００２５】また、バイアホール導体中には、上記の導
体成分以外にエポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂等の熱硬化性樹脂やセルロース等の樹脂
が含まれる場合もある。

【００２６】本発明の多層配線基板における絶縁層１ａ
〜１ｄは、少なくとも有機樹脂を含む絶縁材料から構成
され、具体的には、有機樹脂としては例えば、ＰＰＥ
（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイ
ミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フ
ッ素樹脂、フェノール樹脂等の樹脂が望ましく、とりわ
け原料としてガラス転移点が１８０℃以上の熱硬化性樹
脂であることが望ましい。また、この有機樹脂中には、
基板全体の強度を高めるために、フィラー成分を複合化
させることもできる。フィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂａ
ＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ゼオライト、ＣａＴｉＯ₃等
の無機質フィラーが好適に使用される。また、ガラスや
アラミド樹脂からなる不織布、織布などに上記樹脂を含
浸させて用いてもよい。このようにフィラー成分と複合
化する場合、有機樹脂とフィラーとは体積比率で３０：
７０〜７０：３０の比率で複合化することが望ましい。

【００２７】さらに、導体配線層２としては、銅、アル
ミニウム、金、銀の群から選ばれる少なくとも１種、ま
たは２種以上の金属間化合物からなることが望ましく、
特に、銅、または銅を含む金属間化合物からなる厚さ５
〜４０μｍの金属箔によって形成することが、バイアホ
ール導体を両端を封止して外気の影響を防止でき、しか
もＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体として充填、形成し
たバイアホール導体との電気的な接続性に優れることか
ら最も望ましい。

【００２８】（ペースト調製方法）本発明の配線基板の
バイアホール導体中に充填する際の導体ペーストの調製
方法について説明すると、まず、金属成分として、銅粉
末、銀を被覆した銅粉末、銅−銀金属間化合物粉末など
の銅含有粉末に対して、錫粉末、あるいはＰｂ−Ｓｎ、
Ｂｉ−Ｓｎなどの合金からなる半田等のＳｎ含有粉末と
を、全導体成分中のＳｎとＣｕとのＳｎ／（Ｃｕ＋Ｓ
ｎ）で表される重量比が０．２５〜０．７５となる割合
に配合する。そして、この金属成分１００重量部に対し
て、適宜、樹脂分を１〜６重量部、溶剤を０〜４重量部
の割合で添加する。

【００２９】使用する銅含有粉末は、平均粒径は０．５
〜５μｍが望ましい。これは０．５μｍよりも小さい
と、表面が酸化して粉末間の導電性が低下し、５μｍよ
りも大きいと、バイアホール導体への粉末の充填率が低
下し抵抗が増大するためである。また、前記錫含有粉末
の平均粒径は１〜１５μｍがよい。これは、１μｍより
も小さいと表面が酸化して高抵抗化し、１５μｍよりも
大きいと充填率が低下するとともに錫が局在化して耐熱
性を損ねるためにである。

【００３０】樹脂分としては、銅含有粉末や錫含有粉末
の分散性、接着性、耐熱性、保存性、耐候性などの観点
から、アミン系硬化剤や酸無水物と反応するビスフェノ
ールＡ、或いはビスフェノールＦ、エポキシ樹脂、トリ
アリルイソシアヌレート樹脂などの熱硬化性樹脂の他、
セルロースなども使用できる。

【００３１】また、溶剤としては、樹脂分や溶解可能な
溶剤であればよく、例えば、イソプロピルアルコール、
テルピネオール、２−オクタノール、ブチルカルビトー
ルアセテート等が用いられる。

【００３２】上記のようにして調合された組成物を攪拌
脱泡機や３本ロールなどで混練することによりペースト
を作製できる。この混練において、金属粉末と熱硬化性
樹脂が混ざり、錫を主体とした粉末の硬化時の酸化を防
ぐことができる。

【００３３】（配線基板作製方法）次に、前記導体ペー
ストを用いて、配線基板を製造する方法について説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように未硬化または半硬化
状態の軟質の絶縁シート１１に対して、レーザー加工や
マイクロドリルなどによってバイアホール１２を形成す
る。そして、図２（ｂ）に示すように、そのバイアホー
ル１２内に、前述したようにして調製された導体ペース
トを充填してバイアホール導体１３を形成する。導体ペ
ーストの充填はスクリーン印刷によって行うことができ
る。

【００３４】次に、絶縁シート１１の表面に、導体配線
層１４を形成する。この導体配線層１４の形成は、ａ）
絶縁シートの表面に金属箔を貼り付けた後、エッチング
処理して回路パターンを形成する方法、ｂ）絶縁シート
表面にレジストを形成して、メッキにより金属層を形成
する方法、ｃ）転写シート表面に金属箔を貼り付けた
後、エッチング処理して回路パターンを形成した後、こ
の金属箔の回路パターンを絶縁シート表面に転写させる
方法、等が挙げられるが、この中でも、絶縁シートをエ
ッチングやメッキ液などに浸漬する必要がなく、バイア
ホール導体内への薬品の侵入を防止する上では、ｃ）の
転写法が最も望ましい。

【００３５】そこで、ｃ）転写法による導体配線層を例
にして以下に説明する。図２（ｃ）に示すように、転写
シート１５の表面に、金属箔からなる導体配線層１４を
形成する。この導体配線層１４は、転写シート１５の表
面に金属箔を接着剤によって接着した後、この金属箔の
表面にレジストを回路パターン状に塗布した後、エッチ
ング処理およびレジスト除去を行って形成される。この
時、金属箔からなる導体配線層１４露出面は、エッチン
グ等により表面粗さ（Ｒａ）０．１〜５μｍ、特に０．
２〜４μｍ程度に粗化されていることが望ましい。

【００３６】次に、図２（ｃ）に示すように、導体配線
層１４が形成された転写シート１５を前記バイアホール
導体１３が形成された軟質の絶縁シート１１の表面に位
置合わせして加圧積層した後、転写シート１５を剥がし
て導体配線層１４を絶縁シート１１に転写させることに
より一単位の配線層ａが形成される。

【００３７】この時、絶縁シート１１が軟質状態である
ことから、導体配線層１４は、絶縁シート１１の表面に
埋設され、実質的に絶縁シート１１表面と導体配線層１
４の表面が同一平面となるように加圧積層する。この時
の加圧積層条件としては、圧力２０ｋｇ／ｃｍ²以上、
温度６０〜１４０℃が適当である。

【００３８】そして、上記のようにして作製された一単
位の配線層ａおよび同様にして作製された一単位の配線
層ｂ、ｃを図２（ｅ）に示すように積層圧着し、所定の
温度に加熱することにより絶縁シート中の熱硬化性樹脂
を完全硬化させることにより多層化された配線基板を作
製することができる。

【００３９】この時の加熱硬化温度は、絶縁シート中の
熱硬化性樹脂が完全に硬化するに充分な温度であると同
時に、バイアホール導体中の銅と錫を反応せしめ、Ｃｕ
₃Ｓｎ、Ｃｕ₆Ｓｎ₅が生成可能な温度であることが要
求され、Ｓｎ含有粉末の融点よりも４０℃低い温度を下
限値として、Ｓｎ含有粉末の融点以下の温度範囲で加熱
処理する。

【００４０】より具体的には、Ｓｎ含有粉末としてＳｎ
粉末を用いた場合には、Ｓｎ粉末の融点が２３２℃であ
ることから、およそ１９０℃以上に加熱する。また、Ｐ
ｂ−Ｓｎ等の半田粉末を用いた場合には、Ｐｂ、Ｓｎの
比率によって融点が異なることから、その比率に応じ
て、半田粉末が半溶融または完全溶融する温度に加熱す
ればよいが、Ｃｕ₃Ｓｎの生成のためには２１０℃以上
で、２時間以上熱処理することが望ましい。

【００４１】この加熱によって、溶融したＳｎ成分がＣ
ｕ含有粉末中のＣｕ成分と反応し、Ｃｕ₃Ｓｎ、Ｃｕ₆
Ｓｎ₅などの金属間化合物が生成されるが、この反応に
よる前記金属間化合物の生成量は、加熱温度と加熱時間
によって定められ、例えば、Ｓｎ含有粉末として、Ｓｎ
粉末を配合した場合、未反応のＳｎは、電子顕微鏡写真
によって観察した時に、Ｓｎの凝集部として確認され
る。また、半田粉末を用いた場合も同様にＳｎおよびＰ
ｂの凝集部が確認されるが、本発明によれば、最終的に
は、バイアホール導体中のＳｎ成分のほとんどが前記金
属間化合物に変換されており、上記未反応のＳｎやＣｕ
が実質的に存在しないことが望ましい。

【００４２】上記の製造方法によれば、絶縁シートへの
バイアホール形成や積層化と、導体配線層の形成工程を
並列的に行うことができるために、配線基板における製
造時間を大幅に短縮することができる。また、本発明の
多層配線基板によれば、ドリルを用いてスルーホールを
形成し、そのホール内壁に金属メッキ層を形成すること
もできる。

【００４３】なお、上記の製造方法では、絶縁シートの
完全硬化およびバイアホール導体におけるＣｕ₃Ｓｎ、
Ｃｕ₆Ｓｎ₅等の金属間化合物のための加熱処理を多層
化後に一括して行ったが、この加熱処理は、積層前に個
々の絶縁シートに対して施した後、積層して多層化する
ことも可能である。

【００４４】本発明によれば、配線基板におけるＣｕ−
Ｓｎ系金属間化合物を主体とするバイアホール導体は、
導電性に優れるとともに、互いにあるいは導体配線層間
との強固に接合している。しかも、この金属間化合物
は、錫粉末や半田粉末に比較して耐熱性に優れるため
に、耐熱試験を行っても、バイアホール導体自体の抵抗
が変化したり、あるいはバイアホール導体と導体配線層
間との接合状態が変化することがなく、導電性の変化の
ない安定した高導電率を有するバイアホール導体を有す
る配線基板を作製することができる。

【００４５】

【実施例】本発明におけるバイアホール導体の特性を評
価をするために、以下のようにして単層の配線基板を作
製した。

【００４６】まず、銀被覆銅粉末（平均粒径５μｍ、銀
含有量６重量％）と、表１に示すＳｎ含有粉末を表１に
示す割合で調合した金属成分に対して、熱硬化性樹脂で
あるビスフェノールＦとアミン系硬化剤からなるエポキ
シ樹脂を４．０重量部、溶剤として２−オクタノールを
２．０重量部添加し、３本ロールで混練して導電性ペー
ストを調製した。

【００４７】一方、ポリフェニレンエーテル樹脂４０体
積％と、シリカを６０体積％からなるＢステージの絶縁
シートに対して、マイクロドリルによって直径が２００
μｍのバイアホールを形成し、そのバイアホール内に前
記のようにして調製した導電性ペーストを充填した。

【００４８】そして、導電性ペーストを埋め込んだＢス
テージ状態の絶縁シートの両面に、厚さ１２μｍの銅箔
からなる導体配線層を転写法により前記バイアホール導
体の両端を挟持するように張り合わせた後、表１に示す
条件で熱処理を施し、熱硬化性樹脂を安定硬化させた。

【００４９】そして、熱処理後のバイアホール導体の初
期体積固有抵抗を測定し、表１に示した。なお、この体
積固有抵抗の測定は、バイアホール導体を両側から挟持
する金属箔からなる導体配線層間の抵抗を測定したもの
である。

【００５０】さらに、８５℃、８５％相対湿度において
１０００時間経過後の導通抵抗（テスト１）と、９５％
相対湿度中、−５５〜＋１２５℃の温度範囲において１
０００サイクル後の導通抵抗（テスト２）を測定し、さ
らに、１５０℃、１０００時間経過後の導通抵抗（テス
ト３）を測定し、それぞれの条件における（テスト後抵
抗値／初期抵抗値）×１００（％）で表される抵抗変化
率を計算し、それぞれ表１に示した。

【００５１】また、各配線基板のバイアホール導体に対
して、ＥＰＭＡ分析によって断面観察を行い、Ｃｕ₃Ｓ
ｎとＣｕ₆Ｓｎ₅との面積比率を求め、表１に示した。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１の結果に示される通り、Ｓｎ／（Ｃｕ
＋Ｓｎ）重量比が０．２５よりも低い場合（試料Ｎo.
１、２）、Ｃｕ₃Ｓｎ化合物が主体とならないか、耐熱
試験後の体積固有抵抗の変化率が１０％を越え、耐熱性
の低いものであった。

【００５４】さらに、熱処理温度が低すぎてＣｕ−Ｓｎ
系金属間化合物の生成が充分でない試料Ｎo.４、１０で
はＣｕが多量に残存し、優れた導電率と耐熱性が発揮さ
れなかった。なお、断面観察においては、Ｃｕ₃Ｓｎと
Ｃｕ₆Ｓｎ₅との面積比率（Ｃｕ₆Ｓｎ₅／Ｃｕ₃Ｓ
ｎ）が０．３０〜０．６５では、耐熱試験後においても
１×１０^-4Ω−ｃｍ以下の優れた耐熱性と高導電性を示
した。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線基板
によれば、Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体とする導体
によって形成されたバイアホール導体において、錫を特
定の割合で含有させるとともに、特定の銅と錫との金属
間化合物を生成せしめることにより、バイアホール導体
の導電率を向上させることができるとともに、銅含有粉
末間、あるいは銅粉末と導体配線層間を強固に接合し、
半田耐熱試験後においても、導電性の変化のない安定性
を有するために配線基板としての信頼性を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における配線基板の概略断面図である。

【図２】本発明における配線基板の製造方法を説明する
ための工程図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板２・・・導体配線層３・・・バイアホール導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板
と、該絶縁基板の表面および／または内部に形成された
複数層の導体配線層と、該導体配線層間を電気的に接続
するために絶縁基板内に設けられたバイアホール導体と
を具備する配線基板において、前記バイアホール導体を
Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物を主体とする導体材料によっ
て形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物が、少なく
ともＣｕ₃Ｓｎを含有することを特徴とする請求項１記
載の配線基板。
【請求項３】前記導体材料におけるＳｎとＣｕとのＳｎ
／（Ｃｕ＋Ｓｎ）で表される重量比が０．２５〜０．７
５であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
配線基板。
【請求項４】前記バイアホール導体の断面観察におい
て、Ｃｕ₃ＳｎとＣｕ₆Ｓｎ₅との面積比率（Ｃｕ₆Ｓ
ｎ₅／Ｃｕ₃Ｓｎ）が０．３０〜０．６５であることを
特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】前記バイアホール導体の体積固有抵抗が１
×１０^-5Ω−ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれか記載の配線基板。