JP2001044016A - 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア - Google Patents
高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコアInfo
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- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Bs値が4500ガウスを越え、室温で１０8 Ω・ cm
以上の高抵抗、250 以上の高い透磁率を示す高飽和磁束
密度のNi-Zn 系フェライト材料を提供する。 【解決手段】Fe、Zn、Ni及びCuの酸化物を主成分とし、
それぞれFe2O3 、ZnO 、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O3 48
〜50モル% 、CuO 3 モル% 以下、ZnO/NiO ＝0.6〜0.8
であて、副成分としてBi、V の酸化物を、それぞれBi2O
3 、V2O5換算で、上記主成分100 重量部に対し、0.05〜
0.2 重量部のBi2O3 と、0.05〜0.2 重量部のV2O5を含有
する。
以上の高抵抗、250 以上の高い透磁率を示す高飽和磁束
密度のNi-Zn 系フェライト材料を提供する。 【解決手段】Fe、Zn、Ni及びCuの酸化物を主成分とし、
それぞれFe2O3 、ZnO 、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O3 48
〜50モル% 、CuO 3 モル% 以下、ZnO/NiO ＝0.6〜0.8
であて、副成分としてBi、V の酸化物を、それぞれBi2O
3 、V2O5換算で、上記主成分100 重量部に対し、0.05〜
0.2 重量部のBi2O3 と、0.05〜0.2 重量部のV2O5を含有
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高飽和磁束密度、
高透磁率及び高抵抗を示すフェライト材料、及びこれを
用いたフェライトコアに関する。
高透磁率及び高抵抗を示すフェライト材料、及びこれを
用いたフェライトコアに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ni-Zn 系のフェライト材料は、インダク
ター・変圧器・安定器・電磁石・ノイズ除去等のコアと
して広く使用されている。
ター・変圧器・安定器・電磁石・ノイズ除去等のコアと
して広く使用されている。
【０００３】特に、近年、携帯電話やノート型パソコン
等、バッテリー駆動の携帯機器の小型・薄型化の進展と
共に、これらの携帯機器に求められる電源も小型・薄型
化の要求が強くなっている。そこで、上記ノイズ除去用
のコアも小型化されることから大きな電流を流しにくく
なっており、体積が小さくても大きな電流を流すことの
出来るフェライト材料が求められ、飽和磁束密度の大き
いフェライト材料が望まれている。
等、バッテリー駆動の携帯機器の小型・薄型化の進展と
共に、これらの携帯機器に求められる電源も小型・薄型
化の要求が強くなっている。そこで、上記ノイズ除去用
のコアも小型化されることから大きな電流を流しにくく
なっており、体積が小さくても大きな電流を流すことの
出来るフェライト材料が求められ、飽和磁束密度の大き
いフェライト材料が望まれている。
【０００４】即ち、フェライト材料をコア形状とし、巻
き線を施してコイルとした場合に、巻き線に加える電流
を大きくするほど生じる磁束密度が大きくなるが、ある
一定値で飽和して、それ以上にはならないという特性が
ある。この時の磁束密度が飽和磁束密度（以下Bs値）で
あり、このBs値を超える範囲の電流を流すと発熱等の不
都合が生じてしまう。従って、Bs値が大きいほど大きな
電流を流すことが出来るのである。
き線を施してコイルとした場合に、巻き線に加える電流
を大きくするほど生じる磁束密度が大きくなるが、ある
一定値で飽和して、それ以上にはならないという特性が
ある。この時の磁束密度が飽和磁束密度（以下Bs値）で
あり、このBs値を超える範囲の電流を流すと発熱等の不
都合が生じてしまう。従って、Bs値が大きいほど大きな
電流を流すことが出来るのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般的に用
いられるNi-Zn 系フェライトでは、Bs値は4500ガウス以
下と低いものであり、高いBsを示す金属磁性体、Mn-Zn
系フェライト材等では、その抵抗が低く、スイッチング
電源用チョークコイル用等に適用すると、コアに直接巻
き線したものは使用できない。
いられるNi-Zn 系フェライトでは、Bs値は4500ガウス以
下と低いものであり、高いBsを示す金属磁性体、Mn-Zn
系フェライト材等では、その抵抗が低く、スイッチング
電源用チョークコイル用等に適用すると、コアに直接巻
き線したものは使用できない。
【０００６】一方、Ni-Zn 系フェライトに各種添加物を
加えることによって特性を高めることも提案されている
（特開昭49-2092 号、特開昭49-2093 号、特公昭52-273
58号、特開平6-295811号公報等参照）が、いずれも上記
問題を解決するものではなかった。
加えることによって特性を高めることも提案されている
（特開昭49-2092 号、特開昭49-2093 号、特公昭52-273
58号、特開平6-295811号公報等参照）が、いずれも上記
問題を解決するものではなかった。
【０００７】そこで、本発明は、Bs値が4500ガウスを越
え、室温で１０8 Ω・ cm以上の高抵抗、250 以上の高い
透磁率を示すような高飽和磁束密度のNi-Zn 系フェライ
ト材料を得ることを目的とする。
え、室温で１０8 Ω・ cm以上の高抵抗、250 以上の高い
透磁率を示すような高飽和磁束密度のNi-Zn 系フェライ
ト材料を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】本発明の高飽和磁束密度フ
ェライト材料は、Fe、Zn、Ni及びCuの酸化物を主成分と
し、それぞれFe2O3 、ZnO 、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O
3 48〜50モル％、CuO 3 モル％以下、且つZnO/NiO のモ
ル比0.60〜0.8 であり、上記主成分100 重量部に対し
て、副成分としてBi及びV の酸化物をそれぞれBi2O3 及
びV 2O5 換算で、Bi2O3 0.05〜0.2 重量部、V2O50.05〜
0.2 重量部を含有する事を特徴とする。
ェライト材料は、Fe、Zn、Ni及びCuの酸化物を主成分と
し、それぞれFe2O3 、ZnO 、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O
3 48〜50モル％、CuO 3 モル％以下、且つZnO/NiO のモ
ル比0.60〜0.8 であり、上記主成分100 重量部に対し
て、副成分としてBi及びV の酸化物をそれぞれBi2O3 及
びV 2O5 換算で、Bi2O3 0.05〜0.2 重量部、V2O50.05〜
0.2 重量部を含有する事を特徴とする。
【０００９】また本発明は、上記の高飽和磁束密度フェ
ライト材料において、主成分100 重量部に対し0.25重量
部以下のCoO を含有することを特徴とする。
ライト材料において、主成分100 重量部に対し0.25重量
部以下のCoO を含有することを特徴とする。
【００１０】さらに本発明は、上記各成分の合計含有量
が99〜99.99 重量％であり、平均結晶粒径が5 〜20μm
であり、焼結体密度が5.1g/cm3以上であることを特徴と
する。
が99〜99.99 重量％であり、平均結晶粒径が5 〜20μm
であり、焼結体密度が5.1g/cm3以上であることを特徴と
する。
【００１１】また、本発明のフェライトコアは、上記の
高飽和磁束密度フェライト材料でもって所定形状になし
たことを特徴とする。
高飽和磁束密度フェライト材料でもって所定形状になし
たことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の高飽和磁束密度フェライ
ト材料は、Ni-Zn-Cu系フェライトに対して、所定のBi2O
3 、V2O5及び必要に応じてCoO を添加すること、さらに
好ましくは所定の組成純度、平均結晶粒径そして、焼結
密度を満足することによって、Bs値が4500ガウス以上、
好適には4700ガウス以上となり、室温で１０8 Ω・ cm以
上の高抵抗、250 以上の高い透磁率を示す高飽和磁束密
度のフェライト材料を得られるようにしたものである。
ト材料は、Ni-Zn-Cu系フェライトに対して、所定のBi2O
3 、V2O5及び必要に応じてCoO を添加すること、さらに
好ましくは所定の組成純度、平均結晶粒径そして、焼結
密度を満足することによって、Bs値が4500ガウス以上、
好適には4700ガウス以上となり、室温で１０8 Ω・ cm以
上の高抵抗、250 以上の高い透磁率を示す高飽和磁束密
度のフェライト材料を得られるようにしたものである。
【００１３】本発明において、主成分の組成比を上記範
囲とした理由は、以下の通りである。
囲とした理由は、以下の通りである。
【００１４】Fe2O3 を48〜50モル％としたのは、Fe2O3
が48モル％未満では、Bs値と透磁率が低下し、50モル％
を超えると抵抗値が低下するためである。
が48モル％未満では、Bs値と透磁率が低下し、50モル％
を超えると抵抗値が低下するためである。
【００１５】CuO を3 モル％以下としたのは、3 モル％
を超えると透磁率、Bs値が低下するためである。ただ
し、CuO は必須成分ではなく、透磁率、Bs値の向上のた
めには実質上含有させない方がよく、他方、抵抗値を１
０8 Ω・ cm以上で安定させるためには含有させるのがよ
く、最適には1 〜2 モル％がよい。
を超えると透磁率、Bs値が低下するためである。ただ
し、CuO は必須成分ではなく、透磁率、Bs値の向上のた
めには実質上含有させない方がよく、他方、抵抗値を１
０8 Ω・ cm以上で安定させるためには含有させるのがよ
く、最適には1 〜2 モル％がよい。
【００１６】また、ZnO/NiO=0.6 〜0.8 としたのは、0.
6 未満では、透磁率が低下し、0.8を超えると、Bs値が
低下する為である。
6 未満では、透磁率が低下し、0.8を超えると、Bs値が
低下する為である。
【００１７】さらに、本発明で添加成分として加えるBi
2O3 は、焼結促進剤の作用を成す。即ち、上記主成分で
は、CuO の量が比較的少ない為、難焼結性であるが、焼
結促進剤としてBi2O3 を添加することによって、焼結性
を高めている。ここで、Bi2O3 添加量を0.05〜0.2 重量
部としたのは、0.05重量部未満では、焼結性が低下し、
0.2 重量部を超えるとBs値が低下する為である。
2O3 は、焼結促進剤の作用を成す。即ち、上記主成分で
は、CuO の量が比較的少ない為、難焼結性であるが、焼
結促進剤としてBi2O3 を添加することによって、焼結性
を高めている。ここで、Bi2O3 添加量を0.05〜0.2 重量
部としたのは、0.05重量部未満では、焼結性が低下し、
0.2 重量部を超えるとBs値が低下する為である。
【００１８】また、本発明で添加成分として加えるV2O5
は、焼結密度を高くする作用を成し、V2O5の添加量を0.
05〜0.2 重量部としたのは、0.05重量部未満では、透磁
率が低下し、0.2 重量部を超えるとBs値が低下する。
は、焼結密度を高くする作用を成し、V2O5の添加量を0.
05〜0.2 重量部としたのは、0.05重量部未満では、透磁
率が低下し、0.2 重量部を超えるとBs値が低下する。
【００１９】また、本発明で添加成分として加えるCoO
は、さらにBsを高くすることを成し、CoO の添加量を0.
25重量部以下としたのは、0.25重量部を超えると透磁率
と抵抗値が低下するためである。
は、さらにBsを高くすることを成し、CoO の添加量を0.
25重量部以下としたのは、0.25重量部を超えると透磁率
と抵抗値が低下するためである。
【００２０】また、本発明においては、さらに高い透磁
率と高いBsを同時に実現するために、高飽和磁束密度フ
ェライト材料の上記各成分の合計含有量を99〜99.99 重
量％とした。この数値に限定される理由は、99重量％未
満では、非磁性体の影響により、透磁率とBsを同時に高
くすることができない。一方、99.99 重量％を超える含
有量のものを得るには、原料精製上大変困難である為で
ある。
率と高いBsを同時に実現するために、高飽和磁束密度フ
ェライト材料の上記各成分の合計含有量を99〜99.99 重
量％とした。この数値に限定される理由は、99重量％未
満では、非磁性体の影響により、透磁率とBsを同時に高
くすることができない。一方、99.99 重量％を超える含
有量のものを得るには、原料精製上大変困難である為で
ある。
【００２１】なお、本発明の高飽和磁束密度フェライト
材料は上記各成分以外に、たとえば、MnO を0.15重量部
以下の範囲で、あるいはSiO2、Al2O3 、MgO 、CaO 、K2
O 、Cr2O3 、ZrO2等をいずれも0.05重量部未満の範囲で
含んでもよい。
材料は上記各成分以外に、たとえば、MnO を0.15重量部
以下の範囲で、あるいはSiO2、Al2O3 、MgO 、CaO 、K2
O 、Cr2O3 、ZrO2等をいずれも0.05重量部未満の範囲で
含んでもよい。
【００２２】また、発明においては、さらに高い透磁率
と高いBsを同時にを実現するために、高飽和磁束密度フ
ェライト材料の平均結晶粒径が5 〜20μm とする。この
数値に限定される理由は、5 μm 未満では、透磁率、Bs
値を同時に高くすることが出来ない。一方、20μm を超
えるには、粉砕、成形、焼成において高度な技術が必要
となり、実用的でないからである。
と高いBsを同時にを実現するために、高飽和磁束密度フ
ェライト材料の平均結晶粒径が5 〜20μm とする。この
数値に限定される理由は、5 μm 未満では、透磁率、Bs
値を同時に高くすることが出来ない。一方、20μm を超
えるには、粉砕、成形、焼成において高度な技術が必要
となり、実用的でないからである。
【００２３】また、本発明で、焼結体の密度を5.1g/cm3
以上とするのは、5.1g/cm3未満では、実効的な磁性体占
有率が低くなるため、透磁率、Bs値を同時に高くするこ
とが出来ないためである。
以上とするのは、5.1g/cm3未満では、実効的な磁性体占
有率が低くなるため、透磁率、Bs値を同時に高くするこ
とが出来ないためである。
【００２４】本発明のNi-Zn 系フェライト材料の製造方
法は、上記範囲となる様に主成分の各原料を調合し、振
動ミル等で粉砕混合した後、仮焼し、この仮焼粉体に添
加成分を加え、ボールミルで粉砕した後、バインダーを
加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状
に成形し、950 〜1400℃の範囲で焼成する事によって得
られる。
法は、上記範囲となる様に主成分の各原料を調合し、振
動ミル等で粉砕混合した後、仮焼し、この仮焼粉体に添
加成分を加え、ボールミルで粉砕した後、バインダーを
加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状
に成形し、950 〜1400℃の範囲で焼成する事によって得
られる。
【００２５】また、本発明は、上記のNi-Zn 系フェライ
ト材料を用いてフェライトコアを形成したことを特徴と
する。
ト材料を用いてフェライトコアを形成したことを特徴と
する。
【００２６】ここで、フェライトコアとしては、図１
(a) に示すようなリング状のトロイダルコア１、あるい
は、図１(b) に示すようなボビン状コア２とすれば良
く、それぞれ巻き線部1a、2aに巻き線を施す事によって
コイルとすることができる。
(a) に示すようなリング状のトロイダルコア１、あるい
は、図１(b) に示すようなボビン状コア２とすれば良
く、それぞれ巻き線部1a、2aに巻き線を施す事によって
コイルとすることができる。
【００２７】この様な本発明のNi-Zn 系フェライトコア
は、特に、DC-DC コンバーター等、各種電気の電源のト
ランス等やノイズ除去用のチョークコイル等に好適に使
用することが出来る。
は、特に、DC-DC コンバーター等、各種電気の電源のト
ランス等やノイズ除去用のチョークコイル等に好適に使
用することが出来る。
【００２８】
【実施例】実施例１ 49.5モル％のFe2O3 と 2モル％のCuO とZn/Ni=0.7 から
成る主成分を振動ミルで混合した後、800 ℃〜950 ℃で
仮焼した。この仮焼粉体に表１に示す量のBi2O3 とV2O5
とCoO を添加し、ボールミルにて粉砕した後、所定のバ
インダーを加えて造粒し、圧縮成型して図１に示すトロ
イダルコア１の形状に成形し、この成形体を950 ℃〜14
00℃で焼成し、これによって試料No.1〜18を作製した。
成る主成分を振動ミルで混合した後、800 ℃〜950 ℃で
仮焼した。この仮焼粉体に表１に示す量のBi2O3 とV2O5
とCoO を添加し、ボールミルにて粉砕した後、所定のバ
インダーを加えて造粒し、圧縮成型して図１に示すトロ
イダルコア１の形状に成形し、この成形体を950 ℃〜14
00℃で焼成し、これによって試料No.1〜18を作製した。
【００２９】この焼成において、焼結性の良否を○と×
で2 分した。○は1400℃以下でもって焼結する場合であ
り、×は1400℃を超える温度にまで高めることで焼結す
る場合である。なお、いずれの試料も平均結晶粒径は3
μm 以上で、焼結体の密度は5.0g/cm3以上であった。ま
た、上記各成分の合計含有量は、98重量％以上であっ
た。
で2 分した。○は1400℃以下でもって焼結する場合であ
り、×は1400℃を超える温度にまで高めることで焼結す
る場合である。なお、いずれの試料も平均結晶粒径は3
μm 以上で、焼結体の密度は5.0g/cm3以上であった。ま
た、上記各成分の合計含有量は、98重量％以上であっ
た。
【００３０】得られた焼結体をトロイダルコア1 とし、
これに線径0.2mm の被膜銅線を７ターン巻き付けて100k
Hzで初透磁率を測定した。次に、トロイダルコア1 に、
図２に示すように線径0.2mm の被膜銅線を用いて一次側
巻き線 100ターン、二次側巻き線4 を30ターン巻き付け
て、一次側巻き線３に電源５を、二次側巻き線４に磁束
計６をそれぞれ接続し、100Hz 、100 エルステッドの条
件でBs値を測定した。また、抵抗値は、JIS C-2141の規
格に添って測定を行った。
これに線径0.2mm の被膜銅線を７ターン巻き付けて100k
Hzで初透磁率を測定した。次に、トロイダルコア1 に、
図２に示すように線径0.2mm の被膜銅線を用いて一次側
巻き線 100ターン、二次側巻き線4 を30ターン巻き付け
て、一次側巻き線３に電源５を、二次側巻き線４に磁束
計６をそれぞれ接続し、100Hz 、100 エルステッドの条
件でBs値を測定した。また、抵抗値は、JIS C-2141の規
格に添って測定を行った。
【００３１】結果は、表１に示す通りである。この結果
よりBi2O3 が0.05重量部未満のもの(No.6 〜8)では、焼
結性が悪い。一方、Bi2O3 が0.2 重量部を超えるもの(N
o.1〜3)では、Bs値が低かった。また、V2O5が0.05重量
部未満(No.1,4,6)では、透磁率が低く、0.2 重量部を超
えるもの(No.3,5,8)では、Bs値が低かった。また、CoO
が、0.25重量部を超えるもの(No.15,18)では、透磁率と
抵抗値が低かった。
よりBi2O3 が0.05重量部未満のもの(No.6 〜8)では、焼
結性が悪い。一方、Bi2O3 が0.2 重量部を超えるもの(N
o.1〜3)では、Bs値が低かった。また、V2O5が0.05重量
部未満(No.1,4,6)では、透磁率が低く、0.2 重量部を超
えるもの(No.3,5,8)では、Bs値が低かった。また、CoO
が、0.25重量部を超えるもの(No.15,18)では、透磁率と
抵抗値が低かった。
【００３２】これに対し、Bi2O3 の添加量を0.05〜0.2
重量部、V2O5の添加量を0.05〜0.2重量部とした本発明
の実施例(No.9 〜14,16,1)では、焼結性も良好で、透磁
率が250 以上と高くBs値も4500ガウス以上と高いことが
わかる。
重量部、V2O5の添加量を0.05〜0.2重量部とした本発明
の実施例(No.9 〜14,16,1)では、焼結性も良好で、透磁
率が250 以上と高くBs値も4500ガウス以上と高いことが
わかる。
【００３３】特に、CoO 添加量を0.25重量部以下とした
本発明の実施例(No.13,14,16,17)では、Bs値が4700ガウ
ス以上とさらに高いことが分かった。
本発明の実施例(No.13,14,16,17)では、Bs値が4700ガウ
ス以上とさらに高いことが分かった。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例２ 次に、添加成分であるCoO を0.1 重量部、Bi2O3 を0.1
重量部、V2O5を0.1 重量部に固定し、他の主成分の組成
比を表２に示すように幾通りにも変化させ、その他の条
件を、上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形
状をなす試料No.19 〜36を得た。
重量部、V2O5を0.1 重量部に固定し、他の主成分の組成
比を表２に示すように幾通りにも変化させ、その他の条
件を、上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形
状をなす試料No.19 〜36を得た。
【００３６】得られた焼結体に対して、実施例１と同様
にして透磁率とBs値と抵抗を測定したところ、表２に示
すような結果が得られた。
にして透磁率とBs値と抵抗を測定したところ、表２に示
すような結果が得られた。
【００３７】この結果より、Fe2O3 の含有量が、48モル％
未満のもの(No.19,20)では、Bs値が低かった。一方、Fe
2O3 が50モル％を超えるもの(No.22,23)は比抵抗が低か
った。また、CuO の含有量が、3 モル％を超えるもの(N
o.20,21,23) では、透磁率が低くかった。また、Zn/Ni
が0.60未満のもの(No.24) では、透磁率が低く、0.8を
超えるもの(No.25) では、Bs値が低かった。
未満のもの(No.19,20)では、Bs値が低かった。一方、Fe
2O3 が50モル％を超えるもの(No.22,23)は比抵抗が低か
った。また、CuO の含有量が、3 モル％を超えるもの(N
o.20,21,23) では、透磁率が低くかった。また、Zn/Ni
が0.60未満のもの(No.24) では、透磁率が低く、0.8を
超えるもの(No.25) では、Bs値が低かった。
【００３８】これらに対し、Fe2O3 、CuO の含有量、Zn
/Ni のモル比、及び焼結密度が本発明内であるNo.26 〜36
は、透磁率が、250 以上で、抵抗も１０8 Ω・ cm以上、
且つBs値も4500ガウス以上と高いことが分かる。
/Ni のモル比、及び焼結密度が本発明内であるNo.26 〜36
は、透磁率が、250 以上で、抵抗も１０8 Ω・ cm以上、
且つBs値も4500ガウス以上と高いことが分かる。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例３ 次に、主成分を49.5モル％のFe2O3 と 1モル％のCuO と
Zn/Ni=0.7 とし、添加成分であるBi2O3 を0.1 重量部、
V2O5を0.1 重量部に固定し、CoO 添加量、各成分の合計
含有量、平均結晶粒径と焼結密度を表３に示すように変
化させて、その他条件は、上記実施例１と同様にしてト
ロイダルコア１の形状をなす試料No.37〜48を得た。
Zn/Ni=0.7 とし、添加成分であるBi2O3 を0.1 重量部、
V2O5を0.1 重量部に固定し、CoO 添加量、各成分の合計
含有量、平均結晶粒径と焼結密度を表３に示すように変
化させて、その他条件は、上記実施例１と同様にしてト
ロイダルコア１の形状をなす試料No.37〜48を得た。
【００４１】得られた焼結体に対して、実施例１と同様
にして透磁率とBs値と抵抗を測定したところ、表３に示
すような結果が得られた。また、各試料の焼結密度はア
ルキメデス法によって測定した。
にして透磁率とBs値と抵抗を測定したところ、表３に示
すような結果が得られた。また、各試料の焼結密度はア
ルキメデス法によって測定した。
【００４２】この結果より、各成分の合計含有量が99〜
99.99 重量％であり、平均結晶粒径が5 〜20μm であ
り、焼結密度が5.1g/cm3以上の実施例(No.37〜48) で
は、透磁率が400 以上、Bs値が4800ガウス以上、且つ抵
抗が108 Ω・ cm以上と特性が更に良くなることが分かっ
た。
99.99 重量％であり、平均結晶粒径が5 〜20μm であ
り、焼結密度が5.1g/cm3以上の実施例(No.37〜48) で
は、透磁率が400 以上、Bs値が4800ガウス以上、且つ抵
抗が108 Ω・ cm以上と特性が更に良くなることが分かっ
た。
【００４３】
【表３】
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Fe、Zn、
Ni及びCuの酸化物を主成分とし、それぞれFe2O3 、ZnO
、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O3 48〜50モル% 、CuO 3
モル% 以下、ZnO/NiO ＝0.6 〜0.8 であて、副成分とし
てBi、V の酸化物を、それぞれBi2O3 、V2O5換算で、上
記主成分100 重量部に対し、0.05〜0.2 重量部のBi2O3
と、0.05〜0.2 重量部のV2O5を含有したことによって、
優れた焼結性、透磁率、抵抗を維持したまま、Bs値を45
00ガウス以上と高くすることが出来る。
Ni及びCuの酸化物を主成分とし、それぞれFe2O3 、ZnO
、NiO 及びCuO 換算で、Fe2O3 48〜50モル% 、CuO 3
モル% 以下、ZnO/NiO ＝0.6 〜0.8 であて、副成分とし
てBi、V の酸化物を、それぞれBi2O3 、V2O5換算で、上
記主成分100 重量部に対し、0.05〜0.2 重量部のBi2O3
と、0.05〜0.2 重量部のV2O5を含有したことによって、
優れた焼結性、透磁率、抵抗を維持したまま、Bs値を45
00ガウス以上と高くすることが出来る。
【００４５】また、本発明によれば、上記高飽和磁束密
度フェライト材料でフェライトコアを形成したことによ
って、小型にしても大きな電流を流すことが可能とな
る。従って、このフェライトコアを電源用に用いれば、
各種電子機器の小型化に貢献することが出来る。
度フェライト材料でフェライトコアを形成したことによ
って、小型にしても大きな電流を流すことが可能とな
る。従って、このフェライトコアを電源用に用いれば、
各種電子機器の小型化に貢献することが出来る。
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明のフェライトコアを示す
図である。
図である。
【図２】本発明のフェライトコアの特性を測定する方法
を示す図である。
を示す図である。
１：トロイダルコア ２：リング状コア
Claims (4)
- 【請求項１】Fe、Zn、Ni及びCuの酸化物を主成分とし、
それぞれFe2O3 、ZnO、NiO 及びCuO 換算で Fe2O3 48〜50モル％ CuO 3 モル％以下 ZnO/NiO のモル比0.6 〜0.8 であり、 上記主成分 100重量部に対して、副成分としてBi及びV
の酸化物をそれぞれBi2O3 及びV2O5換算で、 Bi2O3 0.05〜0.2 重量部 V2O5 0.05〜0.2 重量部 の範囲で含有することを特徴とする高飽和磁束密度フェ
ライト材料。 - 【請求項２】上記主成分100 重量部に対して、Coの酸化
物をCoO 換算で0.25重量部以下含有することを特徴とす
る請求項１記載の高飽和磁束密度フェライト材料。 - 【請求項３】上記各成分の合計含有量が99〜99.99 重量
％、平均結晶粒径が5〜20μm 、かつ焼結密度が5.1g/cm
3以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の高
飽和磁束密度フェライト材料。 - 【請求項４】請求項１乃至３に記載した高飽和磁束密度
フェライト材料を所定形状に成したことを特徴とするフ
ェライトコア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21485199A JP4404408B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21485199A JP4404408B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044016A true JP2001044016A (ja) | 2001-02-16 |
| JP4404408B2 JP4404408B2 (ja) | 2010-01-27 |
Family
ID=16662607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21485199A Expired - Lifetime JP4404408B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4404408B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003300774A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Hitachi Metals Ltd | 低損失Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト |
| US7238298B2 (en) | 2003-10-06 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Ni-Cu-Zn-based ferrite material and process for the production thereof |
| KR100906988B1 (ko) | 2007-09-28 | 2009-07-08 | 삼성전기주식회사 | 저온 소결용 페라이트 분말 및 그 제조방법 |
| WO2009087928A1 (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 開磁路型積層コイル部品およびその製造方法 |
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| CN114315335A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 株式会社村田制作所 | 铁氧体烧结体和线圈部件 |
| CN114773046A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-22 | 西安锐磁电子科技有限公司 | 一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法 |
| WO2023005782A1 (zh) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种Mn-Zn铁氧体材料及其制备方法 |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP21485199A patent/JP4404408B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2013060361A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | ニッケル−亜鉛−銅系フェライト組成物、及びそれを利用した積層型チップ素子 |
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| CN114315335B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-02-28 | 株式会社村田制作所 | 铁氧体烧结体和线圈部件 |
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| JP4404408B2 (ja) | 2010-01-27 |
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