CN114315335B - 铁氧体烧结体和线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有高磁导率、高居里点和高强度的铁氧体烧结体。一种铁氧体烧结体，含有Fe、Mn、Zn、Cu和Ni，将Fe、Mn、Zn、Cu和Ni分别换算成Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO且将Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量设为100mol％时的含量为Fe2O3+Mn2O3：48.47mol％～49.93mol％、Mn2O3：0.07mol％～0.37mol％、ZnO：28.95mol％～33.50mol％、CuO：2.98mol％～6.05mol％，相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，还含有换算成ZrO2为102ppm～4010ppm的Zr、换算成Al2O3为10ppm～220ppm的Al，在上述铁氧体烧结体的截面中，孔隙的面积率为2.0％以下且包含Cu的偏析的面积率为2.0％以下。

Description

铁氧体烧结体和线圈部件
技术领域
本发明涉及铁氧体烧结体和线圈部件。
背景技术
作为线圈部件中使用的铁氧体烧结体的材料，在专利文献1中公开了一种铁氧体，包含由氧化铁、氧化锌、氧化镍和氧化铜构成的主要成分，上述主要成分100mol％中的各氧化物的含量换算成氧化铁：Fe2O3为49.15～49.65mol％，换算成氧化锌：ZnO为32.35～32.85mol％，换算成氧化镍：NiO为11.90～12.30mol％，换算成氧化铜：CuO为5.25～6.55mol％。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006－206415号公报
发明内容
根据专利文献1，通过将主要成分的组成设为上述的范围，能够得到居里点为100℃以上且磁导率为2300以上(优选为2500以上)的铁氧体。
然而，现状是不能得到同时满足高磁导率和高居里点以及高强度的材料。
本发明是为了解决上述问题而进行的，其目的在于提供具有高磁导率、高居里点和高强度的铁氧体烧结体。本发明的目的还在于提供具备上述铁氧体烧结体作为磁芯的线圈部件。
本发明的铁氧体烧结体含有Fe、Mn、Zn、Cu和Ni，将Fe、Mn、Zn、Cu和Ni分别换算成Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO且将Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量设为100mol％时的含量为Fe2O3+Mn2O3：48.47mol％～49.93mol％、Mn2O3：0.07mol％～0.37mol％、ZnO：28.95mol％～33.50mol％、CuO：2.98mol％～6.05mol％，相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，还含有换算成ZrO2为102ppm～4010ppm的Zr、换算成Al2O3为10ppm～220ppm的Al，在上述铁氧体烧结体的截面中，孔隙的面积率为2.0％以下且包含Cu的偏析的面积率为2.0％以下。
本发明的线圈部件具备本发明的铁氧体烧结体作为磁芯。
根据本发明，可以提供具有高磁导率、高居里点和高强度的铁氧体烧结体。
附图说明
图1是试样36的截面的SEM图像。
图2是试样6的截面的SEM图像。
图3是试样41的Cu元素的映射图像。
图4是试样39的Cu元素的映射图像。
图5是示意性地表示本发明的线圈部件的一个例子的立体图。
符号说明
1 线圈部件
12 磁芯
14 卷芯部
16、18 凸缘部
20、21 绕线
22、23、24、25 外部电极
具体实施方式
以下，对本发明的铁氧体烧结体和线圈部件进行说明。
然而，本发明不限于以下构成，可以在不变更本发明要旨的范围内适当地变更并应用。应予说明，将以下记载的本发明的各优选的构成组合2个以上而得的构成也是本发明。
[铁氧体烧结体]
本发明的铁氧体烧结体含有Fe、Mn、Zn、Cu和Ni。
在本发明的铁氧体烧结体中，将Fe、Mn、Zn、Cu和Ni分别换算成Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO且将Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量设为100mol％时的含量为：
Fe2O3+Mn2O3：48.47mol％～49.93mol％、
Mn2O3：0.07mol％～0.37mol％、
ZnO：28.95mol％～33.50mol％、
CuO：2.98mol％～6.05mol％。
在本说明书中，“Fe2O3+Mn2O3”的记载表示Fe2O3和Mn2O3的合计含量。
Fe、Mn、Zn、Cu和Ni的含量可以通过烧结体的荧光X射线(XRF)分析来测定。
相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，本发明的铁氧体烧结体还含有：
换算成ZrO2为102ppm～4010ppm的Zr、
换算成Al2O3为10ppm～220ppm的Al。
Zr和Al的含量可以通过烧结体的电感耦合等离子体(ICP)发射分析来测定。
在本发明的铁氧体烧结体中，通过将铁氧体的组成设为上述范围，生成促进烧结的合适的液相，因此容易调整烧结过程，适当促进晶粒生长。其结果可以有效地提高磁导率μ。
在本发明的铁氧体烧结体的截面中，孔隙的面积率(以下简称为“孔隙率”)为2.0％以下且包含Cu的偏析的面积率(以下简称为“Cu偏析率”)为2.0％以下。
在本发明的铁氧体烧结体中，除了将铁氧体的组成设为上述范围之外，将孔隙率和Cu偏析率设为上述范围，由此可以减少属于磁畴壁移动的阻碍因素的孔隙和Cu偏析物，并且可以使形成阻碍磁通通过的晶界层的Cu层尽量变薄。其结果可以协同地提高磁导率μ。
另外，在煅烧时、由于减少了降温过程中的热收缩率不同的Cu偏析物，因此烧结体中不易发生微小的裂缝。因此，可以减少成为断裂起因的孔隙，并且结合强度变弱，可以使容易成为断裂起因、裂缝发展的原因的晶界层尽量变薄，因此可以得到高强度的烧结体。
孔隙率可以对使用扫描式电子显微镜(SEM)拍摄的铁氧体烧结体截面的图像进行二值化处理并解析，从识别为孔隙的部分的面积比例算出。
Cu偏析率可以对求出孔隙率时同样的截面通过扫描式电子显微镜/波长分散型X射线(SEM/WDX)分析来确认各元素的分布，从存在10atom％以上Cu的部分的面积比例算出。
如上所述，除了将铁氧体的组成设为上述范围之外，将孔隙率和Cu偏析率设为上述范围，由此可以得到具有高磁导率、高居里点和高强度的铁氧体烧结体。
本发明的铁氧体烧结体还可以含有P、Cr和S。
本发明的铁氧体烧结体优选相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，还含有换算成P2O5为5ppm～50ppm的P、换算成Cr2O3为10ppm～305ppm的Cr、5ppm～108ppm的S，在铁氧体烧结体的截面中，孔隙率为1.0％以下。
如果以上述范围含有P、Cr和S，则在低温范围内生成液相，因此在低温范围内促进晶粒生长。因此，可以进一步提高磁导率μ。这样，为了提高磁导率μ，促进晶粒生长是有效的。但是，如果为了促进晶粒生长而液相的生成量过多，则晶粒生长急剧发生，导致异常晶粒生长，不优选。在这种情况下，己进行晶粒生长的部分与未进行的部分的亮度差变大，产生在外观检查时不易辨别擦伤等不良情况。如果以上述范围含有P、Cr和S，则异常晶粒生长受到抑制，因此在外观检查时容易识别外观不良。
进而，除了适当抑制晶粒尺寸之外，将孔隙率设为1.0％以下，由此机械负荷分散于烧结体整体，由此可以提高强度。
P和Cr的含量可以通过烧结体的ICP发射分析来测定。另外，S的含量可以通过使用依据JIS G 1215－4：2010的燃烧－红外线吸收法对烧结体进行分析来测定。
在本发明的铁氧体烧结体的截面中，优选没有以当量圆直径计为5μm以上的孔隙且以当量圆直径计为2μm以下的孔隙在全部孔隙中所占的个数比例为90％以上。
即使是相同的孔隙率，直径小的孔隙对强度降低的作用也小。因此，如果没有以当量圆直径计为5μm以上的孔隙且以当量圆直径计为2μm以下的孔隙在全部孔隙中所占的个数比例为90％以上，则铁氧体烧结体的强度变得更高。
各孔隙的当量圆直径可以通过使用SEM拍摄铁氧体烧结体的截面的图像并进行图像处理来测定。
本发明的铁氧体烧结体优选如下地制造。以下，对含有Fe、Mn、Zn、Cu、Ni、Zr、Al、P、Cr和S的铁氧体烧结体的制造方法的一个例子进行说明。
首先，称量各成分的原料以使煅烧后成为规定的比例，使用球磨机或珠磨机将它们全部湿式混合，除去水等分散介质后在例如650℃～900℃的温度下进行预煅烧而得到预煅烧粉。
作为除P和S以外的成分的原料，使用氧化物。相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，称量ZrO2、Al2O3、P2O5、Cr2O3和S各成分并混合。100ppm＝0.01重量份。通过添加对于ZrO2、Al2O3和Cr2O3为氧化物的粉末、对于P2O5，添加磷酸水溶液等稀释水溶液来调整添加量，对于S，添加磺酸系分散剂等分散剂来调整添加量。
使用球磨机或珠磨机对上述预煅烧粉进行粉碎以使成为规定的比表面积(例如2m2/g～7m2/g)后，添加聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸系、丁缩醛系等粘合剂(优选使用量为1重量％～10重量％)和双甘油、邻苯二甲酸系、甘油低聚物等增塑剂，通过喷雾造粒等来制作造粒粉。代替喷雾造粒，也可以将蒸发干燥的浆料通过网状物来制作造粒粉。造粒粉的平均粒径D50例如为20μm～100μm。
对得到的造粒粉进行压制成型以使成为规定的芯形状。成型时的压力例如为200MPa～1000MPa。成型时的压力越高，越能抑制煅烧后的粗大的孔隙的产生。
通过将得到的成型体脱脂后进行煅烧，得到烧结体。
越在低温下长时间煅烧，越能抑制微小的孔隙的产生，因此通过变更保持时间或煅烧温度，可以调整以当量圆直径计为2μm以下的孔隙量。如果煅烧温度过低，则煅烧温度范围的保持时间变长(例如在900℃下为15小时等)。另一方面，如果煅烧温度过高，则虽然可以缩短煅烧时间，但是ZnO和CuO进行挥发，烧结体的组成(主要是Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO、NiO的比率)发生偏差，因此难以管理特性。因此，将实际的温度范围设定为910℃～1150℃(最高温度)，将最高温度下的保持时间设定为1小时～10小时，实施煅烧。
应予说明，通过煅烧Cu的添加量或煅烧时的氧浓度，可以调整CuO偏析量，调整Cu偏析率。具体而言，如果Cu的添加量变多，则偏析量变多，如果煅烧时的氧浓度变高，则偏析量变少。
如上所述，可以得到本发明的铁氧体烧结体。
以下，示出更具体地公开本发明的铁氧体烧结体的实施例。应予说明，本发明不仅限定于这些实施例。
(烧结体的制作)
(1)称量各成分的原料以使在煅烧后成为表1所示的比例，使用球磨机将它们全部在水中湿式混合，除去水后进行预煅烧而得到预煅烧粉。在本实施例中，在空气中、800℃下实施2小时的预煅烧。
作为除P和S以外的成分的原料，使用氧化物。相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，称量ZrO2、Al2O3、P2O5、Cr2O3和S各成分并混合。对于ZrO2、Al2O3和Cr2O3，通过添加氧化物的粉末来调整添加量，对于P2O5，通过添加磷酸水溶液来调整添加量，对于S，通过添加烷基磺酸系分散剂来调整添加量。
(2)使用球磨机对上述预煅烧粉进行粉碎以使比表面积成为2m2/g～3m2/g后，添加作为粘合剂的PVA(使用量为3重量％)和作为增塑剂的双甘油，通过喷雾造粒来制作造粒粉。造粒粉的平均粒径D50为20μm～100μm。
(3)对得到的造粒粉进行压制成型以使成为规定的芯形状。成型时的压力为200MPa～1000MPa。在本实施例中，作为芯形状，采用以煅烧前尺寸计为内径12mmφ、外径20mmφ、厚度2mm的环状和36mm×4mm×厚度3mm的板状。另外，在一部分试样中，对添加了中空的造粒粉或具有如肚脐般大凹陷的造粒粉的试样进行压制成型以使在煅烧后残留以当量圆直径计为5μm以上的粗大的孔隙。
(4)通过将得到的成型体脱脂后进行煅烧，得到烧结体。脱脂条件设为450℃、5小时、空气中。煅烧条件除试样79以外设为空气中，试样79设为氧浓度0.5体积％中。如上所述，将实际的温度范围设定为910℃～1150℃(最高温度)，将最高温度下的保持时间设定为1小时～10小时，在任意温度下实施煅烧。
(比磁导率和居里点)
对煅烧后得到的环状烧结体使用Cu线实施20T的绕线。使用阻抗分析仪(型号4294A、KEYSIGHT TECHNOLOGIES制)，测定25℃、100kHz的比磁导率μ和100kHz的比磁导率的温度特性。另外，根据JIS C 2560－2算出居里点。
(3点弯曲强度)
对于煅烧后得到的板状的烧结体，根据JIS R 1601：2008，测定3点弯曲强度。
(各成分的含量)
对于各试样，研磨烧结体的中心附近截面，在研磨截面的任意2处通过XRF分析进行测定，从其平均值求出Fe、Mn、Zn、Cu和Ni的含量。Zr、Al、P和Cr的含量通过烧结体的ICP分析来测定。S的含量通过使用依据JIS G 1215－4：2010的燃烧－红外线吸收法对烧结体进行分析来测定。将各成分的含量示于表1。对于除S以外的含量，表1中示出了换算成氧化物的值。
(孔隙率)
对于各试样，研磨烧结体的中心附近截面，对使用SEM以倍率3000倍拍摄的图像进行二值化处理并解析，求出识别为孔隙的部分的面积比例。对其拍摄任意5个视场，从平均值算出孔隙率。将各试样的孔隙率示于表1。
图1为试样36的截面的SEM图像。试样36的孔隙率为4.0％。
图2为试样6的截面的SEM图像。试样6的孔隙率为0.1％。
(Cu偏析率)
对于与求出孔隙率时相同的研磨面，通过SEM/WDX分析，以加速电压20kV对20μm×20μm的视场确认各元素的分布，求出10atom％以上Cu存在的部分的面积比例。对其拍摄任意5个视场，从平均值算出Cu偏析率。将各试样的Cu偏析率示于表1。
图3为试样41的Cu元素的映射图像。试样41的Cu偏析率为4.5％。
图4为试样39的Cu元素的映射图像。试样39的Cu偏析率为1.0％。
(孔隙的当量圆直径的分布)
对于各试样，研磨烧结体的中心附近截面，取得使用SEM以倍率1000倍拍摄的图像，对100×100μm的区域进行图像处理，由此测定各孔隙的当量圆直径的分布。通过对其测定任意5个视场，辨别有无以当量圆直径计为5μm以上的孔隙，并且算出以当量圆直径计为2μm以下的孔隙在全部孔隙中所占的个数比例。将结果示于表1。
(异常晶粒生长)
对于各试样，通过以下方法来辨别异常晶粒生长的抑制。将烧结体的外观确认5个视场，最大晶粒的直径为30μm～90μm的情况记为○(良)，小于30μm的情况记为◎(优)。将结果示于表1。
表1
Figure BDA0003286934770000091
在表1中，标记了＊印的试样为本发明范围外的比较例。
由表1可知，在以规定的范围含有Fe、Mn、Zn、Cu、Ni、Zr和Al、孔隙率为2.0％以下且Cu偏析率为2.0％以下的试样2～7、10～12、16～18、21～24、27～30、32～35、38～40、43～46、48～78中，得到了满足1000以上的比磁导率μ、100℃以上的居里点和170MPa以上的3点弯曲强度全部的烧结体。
与此相对，在试样1、8、9、13～15、19、20、25、26、31、36、37、41、42、47和79中，未满足1000以上的比磁导率μ、100℃以上的居里点和170MPa以上的3点弯曲强度中的至少一个。例如，在试样15和37中，CuO的含量为0mol％，因此认为不易烧结，孔隙率变高。在试样19和41中，CuO的含量多，因此认为Cu偏析率变高。在试样79中，煅烧时的氧浓度低，因此认为Cu偏析率变高。
特别是在相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份、含有换算成P2O5为5ppm～50ppm的P、换算成Cr2O3为10ppm～305ppm的Cr、5ppm～108ppm的S且孔隙率为1.0％以下的试样2～6、17、18、22、23、32～34、40、43、44～46、49～52、55～58、61～64、69、70、73～77中，得到了满足1100以上的比磁导率μ和185MPa以上的3点弯曲强度的烧结体。
其中，在没有以当量圆直径计为5μm以上的孔隙且以当量圆直径计为2μm以下的孔隙在全部孔隙中所占的个数比例为90％以上的试样4～6、17、18、32、33、40、44、45、51、52、55～58、61～63、75和76中，得到了满足200MPa以上的3点弯曲强度的烧结体。
[线圈部件]
本发明的线圈部件具备本发明的铁氧体烧结体作为磁芯。在本发明的线圈部件中，绕线被卷绕到磁芯上。
在制造本发明的线圈部件的情况下，将通过上述的“铁氧体烧结体”中说明的方法而得到的造粒粉成型成规定的形状后，得到烧结体。将得到的烧结体作为磁芯，形成外部电极。然后，实施Cu线等的绕线，与外部电极连接。根据需要配置顶板等，制成线圈部件。
在本发明的线圈部件中，磁芯的形状不特别限定，例如，可以应用鼓型、圆环型、E型、I型等各种形状。
图5是示意性表示本发明的线圈部件的一个例子的立体图。
图5所示的线圈部件1具备鼓型的磁芯12、绕线20和21以及外部电极22、23、24和25。磁芯12由本发明的铁氧体烧结体构成。
应予说明，在图5所示的线圈部件1中，2根绕线20和21卷绕在磁芯12上。但是，在本发明的线圈部件，绕线的根数不限定于2根，可以是1根，也可以是3根以上。
在图5所示的例子中，磁芯12包含卷芯部14以及凸缘部16和18。卷芯部14以及凸缘部16和18形成为一体。
卷芯部14是在X轴方向上延伸的棱柱状的部件。但是，卷芯部14不限于棱柱状，也可以是圆柱状。
凸缘部16和18设置在卷芯部14的X轴方向(延伸方向)的两端。具体而言，凸缘部16设置在卷芯部14的X轴方向的正方向侧的一端，凸缘部18设置在卷芯部14的X轴方向的负方向侧的另一端。
凸缘部16具有从卷芯部14至少向Z轴方向的正方向侧伸出的形状。在本实施方式中，凸缘部16通过伸出到Z轴方向的正负两侧和Y轴方向的正负两侧，具有在与X轴方向垂直的所有方向上伸出的形状。
凸缘部18具有从卷芯部14至少向Z轴方向的正方向侧伸出的形状。在本实施方式中，凸缘部18通过伸出到Z轴方向的正负两侧和Y轴方向的正负两侧，具有在与X轴方向垂直的所有方向上伸出的形状。
在图5所示的例子中，外部电极22和23设置在凸缘部16的Z轴方向的正方向侧的端面。外部电极24和25设置在凸缘部18的Z轴方向的正方向侧的端面。例如在将线圈部件1贴装于电路基板时，外部电极22、23、24和25与电路基板的电极电连接。外部电极22、23、24和25例如由Ni－Cr、Ni－Cu等Ni系合金、Ni、Ag、Cu、Sn等构成。
如图5所示，绕线20和21是卷绕于卷芯部14的导线。绕线20和21例如通过以Cu或Ag等导电性材料为主要成分的芯线被聚氨酯等绝缘材料被覆而构成。
绕线20的X轴方向的正方向侧的一端与外部电极22连接，绕线20的X轴方向的负方向侧的另一端与外部电极24连接。绕线21的X轴方向的正方向侧的一端与外部电极23连接，绕线21的X轴方向的负方向侧的另一端与外部电极25连接。
图5所示的线圈部件1例如如下地制造。
首先，准备以成为磁芯12的材料的铁氧体为主要成分的粉末。然后，将准备的铁氧体粉末填充到凹模中。通过用凸模对填充的粉末进行加压，将卷芯部14的形状以及凸缘部16和18的形状成型。
卷芯部14以及凸缘部16和18的成型结束后，进行煅烧，由此得到磁芯12。根据需要也可以进行滚筒研磨。
接着，在磁芯12的凸缘部16上形成外部电极22和23，并且在凸缘部18上形成外部电极24和25。例如，在凸缘部16和18的端面上涂覆包含Ag等的导电性糊料，进行烘烤处理而形成基底金属层后，通过电镀等将Ni系合金等镀膜形成在基底金属层上。
接着，在磁芯12的卷芯部14上卷绕绕线20和21。此时，将绕线20和21的两端从卷芯部14抽出规定量。最后，通过热压等，将绕线20的抽出的部分连接到外部电极22和24，并且将绕线21的抽出的部分连接到外部电极23和25。通过以上工序，可以制造线圈部件1。
在本发明的线圈部件中，可以在与贴装面相反侧的表面配置由磁性材料构成的顶板(以下也称为磁性板)。或者可以在与贴装面相反侧的表面配置由含有磁性材料的树脂构成的磁性层。通过配置磁性板或磁性层，可以阻止绕线产生的磁场的一部分或全部泄漏到外部。因此，不易发生线圈部件周围存在的布线与电子部件之间的干扰。
磁性板或磁性层可以配置在磁芯的表面中与贴装面相反侧的表面的整体上，也可以配置在与贴装面相反侧的表面的一部分上。
磁性板可以由本发明的铁氧体烧结体构成，也可以由其他磁性材料构成。磁性板还可以包含有机物、金属等。另外，磁性板也可以包含非磁性陶瓷。
构成磁性层的磁性材料可以是与本发明的铁氧体烧结体相同的磁性材料，也可以是其他磁性材料。作为构成磁性层的树脂，例如，可以举出聚酰亚胺树脂、环氧树脂等。磁性层还可以包含有机物、金属等。另外，磁性层也可以包含非磁性陶瓷。
本发明的线圈部件不仅限定于上述实施方式，可以在本发明的范围内加入各种应用、变更。
在本发明的线圈部件中，绕线的粗细(线径)、卷数(匝数)、截面形状和根数不特别限定，可以根据期望的特性、贴装场所来适当变更。另外，外部电极的位置和数量也可以根据绕线的根数和用途来适当设定。

Claims (5)

1.一种铁氧体烧结体，含有Fe、Mn、Zn、Cu和Ni，
将Fe、Mn、Zn、Cu和Ni分别换算成Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO且将Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量设为100mol％时的含量为：
Fe2O3+Mn2O3：48.47mol％～49.93mol％、
Mn2O3：0.07mol％～0.37mol％、
ZnO：28.95mol％～33.50mol％、
CuO：2.98mol％～6.05mol％，
相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，还含有：
换算成ZrO2为102ppm～4010ppm的Zr、
换算成Al2O3为10ppm～220ppm的Al，
在所述铁氧体烧结体的截面中，孔隙的面积率为2.0％以下且包含Cu的偏析的面积率为2.0％以下。
2.根据权利要求1所述的铁氧体烧结体，其中，还含有P、Cr和S。
3.根据权利要求1所述的铁氧体烧结体，其中，相对于Fe2O3、Mn2O3、ZnO、CuO和NiO的合计含量100重量份，还含有：
换算成P2O5为5ppm～50ppm的P、
换算成Cr2O3为10ppm～305ppm的Cr、
5ppm～108ppm的S，
在所述铁氧体烧结体的截面中，孔隙的面积率为1.0％以下。
4.根据权利要求3所述的铁氧体烧结体，其中，在所述铁氧体烧结体的截面中，没有以当量圆直径计为5μm以上的孔隙且以当量圆直径计为2μm以下的孔隙在全部孔隙中所占的个数比例为90％以上。
5.一种线圈部件，具备权利要求1～4中任一项所述的铁氧体烧结体作为磁芯。
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